专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2003085175A1 炭化珪素単結晶からなる種結晶及びそれを用いたインゴットの製造方法审中-公开
标题翻译：单晶碳酸钙晶体的晶体及其制造方法
公开(公告)号：WO2003085175A1
公开(公告)日：2003-10-16
申请号：PCT/JP2003/004058
申请日：2003-03-31
申请人：新日本製鐵株式会社 , 大谷昇 , 勝野正和 , 藤本辰雄
发明人：大谷昇 , 勝野正和 , 藤本辰雄
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B25/20 , C30B23/00 , C30B23/005 , C30B25/00 , C30B29/36
摘要： A seed crystal of a silicon carbide single crystal preferably used to produce a substrate (wafer) for a power device or a high-frequency device, a method for producing an ingot using the same are disclosed. The single crystal growing face of a seed crystal of a silicon carbide single crystal is inclined at an angle of 3 to 60 degrees with respect to the (11-20) face toward the direction at an angle of -45 to 45 degrees inclined from the direction to the [1-100] direction. By growing a crystal using such a seed crystal, high-quality silicon carbide single ingot is produced. According to the invention, a material of a favorable-quality SiC single crystal having a diameter suitable to practical application and hardly including crystal defects such as micropipe defects and stacking faults can be produced with favorable reproducibility.
摘要翻译：公开了优选用于制造用于功率器件或高频器件的衬底（晶片）的碳化硅单晶的晶种，使用其的生产锭的方法。碳化硅单晶的晶种的单晶生长面以相对于（11-20）面朝向与从该（11-20）面倾斜的角度-45〜45度的方向成3度〜60度的角度倾斜 <0001>方向到[1-100]方向。通过使用这种晶种生长晶体，生产出高质量的碳化硅单晶锭。根据本发明，可以以良好的再现性制造具有适用于实际应用且几乎不包括晶体缺陷如微管缺陷和堆垛层错的直径的优质SiC单晶的材料。

2. 发明申请

WO2013031856A1 炭化珪素単結晶基板及びその製造方法审中-公开
标题翻译：硅碳化硅单晶及其制造方法
公开(公告)号：WO2013031856A1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：PCT/JP2012/071885
申请日：2012-08-29
申请人：新日鐵住金株式会社 , 佐藤信也 , 藤本辰雄 , 柘植弘志 , 勝野正和
发明人：佐藤　信也 , 藤本　辰雄 , 柘植　弘志 , 勝野　正和
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B23/02 , C30B23/00 , C30B29/36 , H01L29/1608 , Y10T428/21
摘要：結晶品質が高く、特にらせん転位密度の極めて低いＳｉＣ単結晶の製造方法、及びこの方法によって得られたＳｉＣ単結晶インゴットを提供する。特に、昇華再結晶法で成長させたバルクの炭化珪素単結晶から切り出された基板であって、中心部に比べて周辺部でのらせん転位密度が小さく、部分的にらせん転位が低減された炭化珪素単結晶基板を提供する。種結晶を用いた昇華再結晶法によるＳｉＣ単結晶の製造方法であって、これによって得られたＳｉＣ単結晶インゴットである。特に、基板の直径をＲとして、基板の中心点Ｏを中心にして０．５×Ｒの直径を有した中心円領域と、該中心円領域を除いた残りのドーナツ状周辺領域とを定義したとき、前記ドーナツ状周辺領域で観察されるらせん転位密度の平均値が、前記中心円領域で観察されるらせん転位密度の平均値の８０％以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶基板である。
摘要翻译：提供了一种具有高结晶质量，特别是非常低的螺旋位错密度的碳化硅单晶和通过该方法获得的碳化硅单晶锭的制造方法。具体地说，提供从通过升华和重结晶方法生长的块状碳化硅单晶切割的碳化硅单晶晶片，其中在边缘区域中的螺旋位错密度小于中心区域，并且螺旋位错部分地减少。本发明是通过使用晶种的升华和重结晶法制造碳化硅单晶的制造方法，是使用该制造方法得到的碳化硅单晶锭。具体地说，本发明是一种碳化硅单晶晶片，其特征在于，当以R为晶片直径的方式定义以中心点（O）为中心的中心圆形区域，其直径为0.5×R ，以及由排除该中心圆形区域的剩余部分组成的环形边缘区域，环形边缘区域观察到的螺旋位错密度的平均值不超过观察到的螺旋位错密度的平均值的80％在中央圆形区域。

3. 发明申请

WO2012144614A1 エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法审中-公开
标题翻译：外延硅碳化物单晶基板及其制造方法
公开(公告)号：WO2012144614A1
公开(公告)日：2012-10-26
申请号：PCT/JP2012/060751
申请日：2012-04-20
申请人：新日本製鐵株式会社 , 藍郷崇 , 柘植弘志 , 勝野正和 , 藤本辰雄 , 矢代弘克 , 伊藤渉
发明人：藍郷　崇 , 柘植　弘志 , 勝野　正和 , 藤本　辰雄 , 矢代　弘克 , 伊藤　渉
IPC分类号： C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/30 , C23C16/325 , C30B25/02 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/1608
摘要：　炭化珪素単結晶基板上に、積層欠陥が少なく高品質な炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法を提供する。　オフ角度が４°以下の炭化珪素単結晶基板上に、フォトルミネセンスによって４００nm～６００nmの波長で発光する積層欠陥を、合計で１０個/cm 2 未満含むようにして、炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素エピタキシャル層を成長させたエピタキシャル炭化珪素単結晶基板であり、また、エピタキシャル層を形成する際に用いる珪素系の材料ガスがクロロシランであると共に炭素系の材料ガスが炭化水素ガスであり、１６００℃以上１７００℃以下の成長温度下で、Ｃ／Ｓｉ比を０．５以上１．０以下、成長速度を１μm/時以上３μm/時以下にしてエピタキシャル層を形成するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法である。
摘要翻译：提供：外延碳化硅（SiC）单晶衬底，其包括SiC单晶衬底和形成在其上的具有较少堆垛层错的高质量SiC单晶薄膜; 及其制造方法。通过在具有4°或更小偏离角的SiC单晶衬底上生长总共包含小于10个堆垛层错的SiC外延层获得的外延SiC单晶衬底，所述层叠缺陷发射通过光致发光在400至600nm波长的光。外延SiC单晶衬底的制造方法，其生长温度为1600〜1700℃，通过使用氯硅烷作为硅材料气体和烃气体作为碳质材料气体，形成外延层，C / Si比为 0.5〜1.0，生长速度1〜3μm/ h。

4. 发明申请

WO2011142470A1 エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法审中-公开
标题翻译：外延硅碳化物单晶基板及其制造方法
公开(公告)号：WO2011142470A1
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：PCT/JP2011/061124
申请日：2011-05-10
申请人：新日本製鐵株式会社 , 藍郷崇 , 柘植弘志 , 星野泰三 , 藤本辰雄 , 勝野正和 , 中林正史 , 矢代弘克
发明人：藍郷　崇 , 柘植　弘志 , 星野　泰三 , 藤本　辰雄 , 勝野　正和 , 中林　正史 , 矢代　弘克
IPC分类号： C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02433 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02447 , H01L21/02507 , H01L21/02529 , H01L21/02573 , H01L21/0262
摘要：オフ角度が１°以上６°以下の炭化珪素単結晶基板上に、ドーピング密度の面内均一性に優れた炭化珪素エピタキシャル膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板。エピタキシャル膜が、０．５μｍ以下のドープ層と０．１μｍ以下のノンドープ層とを繰り返し成長させる。材料ガス中の珪素原子数に対する炭素原子数の比（Ｃ／Ｓｉ比）を１．５以上２．０以下としてドープ層を形成し、Ｃ／Ｓｉ比を０．５以上１．５未満としてノンドープ層を形成する。オフ角度の小さな炭化珪素単結晶基板上に、高品質でドーピング密度の面内均一性に優れた炭化珪素エピタキシャル膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板が提供される。
摘要翻译：提供了一种外延碳化硅单晶衬底，其中具有优异的掺杂密度的面内均匀性的碳化硅外延膜设置在具有在1°至6°之间的偏离角的碳化硅单晶衬底上。通过重复0.5μm以下的掺杂层和0.1μm以下的非掺杂层来生长外延膜。该原料气体中碳原子数与硅原子数之比（C / Si比）为1.5〜2.0的掺杂层形成，非掺杂层形成为C / Si比为 0.5以上但小于1.5。得到的外延碳化硅单晶衬底包括在具有小偏角的碳化硅单晶衬底上具有优异的掺杂密度的面内均匀性的高质量碳化硅外延膜。

5. 发明申请

WO2011126145A1 エピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法、及びこの方法によって得られたエピタキシャル炭化珪素単結晶基板审中-公开
标题翻译：用于制造外延单晶碳化硅基体和方法获得的外延单晶碳化硅基体的方法
公开(公告)号：WO2011126145A1
公开(公告)日：2011-10-13
申请号：PCT/JP2011/059221
申请日：2011-04-07
申请人：新日本製鐵株式会社 , 藍郷崇 , 柘植弘志 , 星野泰三 , 藤本辰雄 , 勝野正和 , 中林正史 , 矢代弘克
发明人：藍郷　崇 , 柘植　弘志 , 星野　泰三 , 藤本　辰雄 , 勝野　正和 , 中林　正史 , 矢代　弘克
IPC分类号： C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/16 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02378 , C30B25/10 , C30B29/36 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/02661
摘要：　化学気相堆積法によって、炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素膜をエピタキシャル成長させるエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法。該方法の結晶成長工程において、エピタキシャル成長の主たる時間を占める結晶成長主工程における成長温度Ｔ 1 に対し、低い設定温度Ｔ 0 と高い設定温度Ｔ 2 との間で、成長温度を上下に変化させる温度切り替え操作を伴う結晶成長副工程を行う。炭化珪素単結晶基板における基底面転位のエピタキシャル膜への引き継ぎを抑制して、高品質のエピタキシャル膜を成膜する。
摘要翻译：公开了通过化学气相沉积在单晶碳化硅衬底上外延生长碳化硅膜来制造外延单晶碳化硅衬底的工艺。该方法中的晶体生长步骤包括主要占据外延生长期的主晶体生长步骤和二次晶体生长步骤，其中生长温度在设定生长温度（T0）和设定生长温度（T2）分别低于和高于在主晶体生长步骤中使用的生长温度（T1）。抑制单晶碳化硅衬底的基面位错转移到外延膜。因此，形成高质量的外延膜。

6. 发明申请

WO2012067112A1 エピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法审中-公开
标题翻译：用于生产外源碳化硅单晶基板的方法
公开(公告)号：WO2012067112A1
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：PCT/JP2011/076303
申请日：2011-11-15
申请人：新日本製鐵株式会社 , 藍郷崇 , 柘植弘志 , 勝野正和 , 藤本辰雄 , 矢代弘克
发明人：藍郷　崇 , 柘植　弘志 , 勝野　正和 , 藤本　辰雄 , 矢代　弘克
IPC分类号： C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02378 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/186 , C30B29/36 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , Y10S438/931
摘要：　本発明の課題は、オフ角度の小さな炭化珪素単結晶基板上に、表面欠陥等が少なく高品質な炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法を提供することである。　本発明によれば、オフ角度が４°以下の炭化珪素単結晶基板上に、表面欠陥等が少なく高品質な炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法で、上記エピタキシャル成長を行なう前に、水素ガスと共に珪素と塩素を含むガスを、水素ガス中の水素原子に対する珪素原子の濃度が０．０００１％以上０．０１％以下になるように流し、１５５０℃以上１６５０℃以下の温度で前処理エッチングを０．１μｍ以上１μｍ以下行なった後に、エピタキシャル層を形成する。
摘要翻译：本发明的目的是提供一种在具有小偏角的碳化硅单晶衬底上制造具有较少表面缺陷等的高品质碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶衬底的制造方法。根据本发明，在具有4度偏角的碳化硅单晶衬底上具有表面缺陷小的高质量碳化硅单晶薄膜等的外延碳化硅单晶衬底的制造方法中，或更少，在外延生长之前，氢气和含有硅和氯的气体流动，使得硅原子相对于氢气中的氢原子的浓度为0.0001％至0.01％，并且在预处理蚀刻在1550℃至1650℃的温度下进行0.1μm至1μm的反应，形成外延层。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式