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1. 发明申请

WO2008076152A2 NANOSCALE FLOATING GATE AND METHODS OF FORMATION 审中-公开
标题翻译： NANOSCALE FLIPTING GATE AND METHODS OF FORMATION
公开(公告)号：WO2008076152A2
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：PCT/US2007/017414
申请日：2007-08-03
申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC. , SANDHU, Gurtej, S. , RAMASWAMY, D.v., Nirmal
发明人： SANDHU, Gurtej, S. , RAMASWAMY, D.v., Nirmal
CPC分类号： H01L29/788 , B82Y10/00 , B82Y99/00 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/42324 , H01L29/66825 , H01L29/7881 , Y10S977/721 , Y10S977/762
摘要： A memory cell is provided including a tunnel dielectric layer overlying a semiconductor substrate. The memory cell also includes a floating gate having a first portion overlying the tunnel dielectric layer and a second portion in the form of a nanorod extending from the first portion. In addition, a control gate layer is separated from the floating gate by an intergate dielectric layer.
摘要翻译：提供了包括覆盖在半导体衬底上的隧道电介质层的存储单元。存储单元还包括具有覆盖隧道介电层的第一部分的浮动栅极和从第一部分延伸的纳米棒形式的第二部分。此外，控制栅极层通过隔间电介质层与浮置栅极分离。

2. 发明申请

WO2007133288A1 SENSING DEVICES FROM MOLECULAR ELECTRONIC DEVICES UTILIZING HEXABENZOCORONENES 审中-公开
标题翻译：来自分子式电子装置的传感装置利用十六烷基二氯甲烷
公开(公告)号：WO2007133288A1
公开(公告)日：2007-11-22
申请号：PCT/US2006/061570
申请日：2006-12-04
申请人： THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK , NUCKOLLS, Colin , GUO, Xuefeng , KIM, Philip , XIAO, Shengxiong , MYERS, Matthew
发明人： NUCKOLLS, Colin , GUO, Xuefeng , KIM, Philip , XIAO, Shengxiong , MYERS, Matthew
IPC分类号： H01L21/4763
CPC分类号： G01N33/5438 , B82Y10/00 , C12Q1/002 , G01N27/128 , G01N2610/00 , H01L27/285 , H01L51/0036 , H01L51/0048 , H01L51/0056 , H01L51/0076 , H01L51/0083 , H01L51/0591 , Y10S977/701 , Y10S977/721
摘要： The present invention generally relates to the fabrication of molecular electronics devices from molecular wires and Single Wall Nanotubes (SWNT). In one embodiment, the cutting of a SWNT is achieved by opening a window of small width by lithography patterning of a protective layer on top of the SWNT, followed by applying an oxygen plasma to the exposed SWNT portion. In another embodiment, the gap of a cut SWNT is reconnected by one or more difunctional molecules having appropriate lengths reacting to the functional groups on the cut SWNT ends to form covalent bonds. In another embodiment, the gap of a cut SWNT gap is filled with a self-assembled monolayer from derivatives of novel contorted hexabenzocoranenes. In yet another embodiment, a device based on molecular wire reconnecting a cut SWNT is used as a sensor to detect a biological binding event.
摘要翻译：本发明一般涉及从分子线和单壁纳米管（SWNT）制造分子电子器件。在一个实施例中，通过在SWNT顶部上的保护层的光刻图案化，然后将氧等离子体施加到暴露的SWNT部分，打开小宽度的窗口来实现SWNT的切割。在另一个实施方案中，切割的SWNT的间隙通过一个或多个具有与切割的SWNT末端上的官能团反应形成共价键的适当长度的双功能分子重新连接。在另一个实施方案中，切割的SWNT间隙的间隙填充有自组装单层，由新颖扭转的六苯并三硼酸衍生物填充。在另一个实施例中，使用基于重新连接切割SWNT的分子线的装置作为传感器来检测生物结合事件。

3. 发明申请

WO2007064237A1 СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ КЛАСТЕРОВ И СОЗДАНИЯ ИЗ НИХ УПОРЯДОЧЕННЫХ СТРУКТУР 审中-公开
标题翻译：形成纳米级聚类的方法和设定其结构的方法
公开(公告)号：WO2007064237A1
公开(公告)日：2007-06-07
申请号：PCT/RU2005/000514
申请日：2005-11-29
申请人： МАКСИМОВСКИЙ Сергей Николаевич , РАДУЦКИЙ Григорий Авравмович
发明人： МАКСИМОВСКИЙ Сергей Николаевич , РАДУЦКИЙ Григорий Авравмович
IPC分类号： B82B3/00
CPC分类号： C23C18/14 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/02422 , H01L21/02601 , H01L21/02603 , H01L21/02628 , H01L21/02675 , H01L29/0665 , Y10S977/70 , Y10S977/701 , Y10S977/712 , Y10S977/72 , Y10S977/721 , Y10S977/722 , Y10S977/723 , Y10S977/762 , Y10S977/763 , Y10S977/764 , Y10S977/765 , Y10S977/773 , Y10S977/774 , Y10S977/775 , Y10S977/776 , Y10S977/777
摘要： Способ образования наноразмерных кластеров осуществляют путем введения раствора, содержащего материал для образования кластеров, в нанопоры природного или искусственного происхождения, имеющиеся в материале подложки, и последующего воздействия на этот раствор импульсом лазерного излучения для возникновения в нем низкотемпературной плазмы, создающей в области своего существования газообразную среду, в которой происходит восстановление материала кластера до чистого материала в результате его кристаллизации на жидкой подложке по мере остывания плазмы. В результате в каналах нанопор образуются монокристаллические квантовые точки, срощенные с материалом подложки. Указанный способ позволяет создавать не только двухмерную решетку кластеров, но и трехмерную, а также срощенные между собой кластеры из различных материалов. Аналогично могут быть созданы проволоки в наноуглублениях подложки, проволоки из разных материалов, а также квантовые точки из микрокапель раствора, распределенных внутри органического материала, нанесенного на стекло.
摘要翻译：用于形成纳米尺寸簇的本发明方法在于将含有簇形成材料的溶液引入包含在基底材料中的天然或人造原子的纳米孔中，并随后将所述溶液暴露于激光辐射脉冲的作用一种在其存在的领域中产生气体介质的低温等离子体的方法，其中通过在等离子体冷却时将其在液体基板上的结晶返回到纯物质，由此形成单体，晶体量子点与衬底材料接合。所述方法使得可以形成从不同材料彼此拼接的二维和二维聚类格子和簇。本发明还使得可以从衬底纳米腔中的不同材料制造导线，并且通过分布在施加到玻璃上的有机材料的溶液微滴中产生量子点。

4. 发明申请

WO2004106223A1 カーボンナノチューブデバイスおよびその製造方法、並びに、カーボンナノチューブ転写体审中-公开
标题翻译：碳纳米管装置，其制造方法和碳纳米管转录体
公开(公告)号：WO2004106223A1
公开(公告)日：2004-12-09
申请号：PCT/JP2003/013725
申请日：2003-10-27
申请人：富士ゼロックス株式会社 , 平方昌記 , 磯崎隆司 , 岸健太郎 , 重松大志 , 真鍋力 , 穴澤一則 , 渡邊浩之 , 清水正昭
发明人：平方昌記 , 磯崎隆司 , 岸健太郎 , 重松大志 , 真鍋力 , 穴澤一則 , 渡邊浩之 , 清水正昭
IPC分类号： B82B1/00
CPC分类号： H01L51/102 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , C01B32/174 , H01L51/0018 , H01L51/0023 , H01L51/0049 , H01L51/0508 , H01L51/0595 , H01L51/5203 , H01L2924/0002 , Y10S977/721 , Y10S977/726 , Y10S977/742 , Y10S977/749 , H01L2924/00
摘要：本発明は、カーボンナノチューブの電気的あるいは物理的な各種特性を効果的に生じさせることが可能なカーボンナノチューブデバイスを提供すべく、基体の表面に、少なくとも、複数のカーボンナノチューブが相互に架橋した網目構造を構成するカーボンナノチューブ構造体層が、任意のパターンで形成されてなるカーボンナノチューブデバイス、並びに、それを好適に製造し得るカーボンナノチューブデバイスの製造方法を提供する。
摘要翻译：一种能够有效地发挥碳纳米管的各种电学和物理性质的碳纳米管装置。具体地说，一种碳纳米管装置，其特征在于，包括基材，并且在其表面上以任意图案叠加至少一层构成相互交联的多个碳纳米管的网状结构的碳纳米管结构的层; 以及有效地制造这种碳纳米管装置的方法。

5. 发明申请

WO2009128987A2 SYSTEM AND METHOD FOR LOW-POWER NANOTUBE GROWTH USING DIRECT RESISTIVE HEATING 审中-公开
标题翻译：使用直接电阻加热的低功率纳米生长的系统和方法
公开(公告)号：WO2009128987A2
公开(公告)日：2009-10-22
申请号：PCT/US2009035265
申请日：2009-02-26
申请人： RAYTHEON CO , BARKER DELMAR L , JORDAN MEAD M , OWENS WILLIAM R
发明人： BARKER DELMAR L , JORDAN MEAD M , OWENS WILLIAM R
IPC分类号： C01B31/02 , C01B21/064 , C01B31/36 , C01B33/02 , C01B35/02
CPC分类号： C01B21/0602 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B21/064 , C01B32/16 , C01B32/956 , C01B33/02 , C01B35/023 , C01B2202/08 , C01P2004/13 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B29/602 , Y10S977/72 , Y10S977/721 , Y10S977/722 , Y10S977/734 , Y10S977/742 , Y10S977/743 , Y10S977/75 , Y10S977/751 , Y10S977/752 , Y10S977/813 , Y10S977/814 , Y10S977/822 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/102
摘要： Direct resistive heating is used to grow nanotubes out of carbon and other materials. A growth-initiated array of nanotubes is provided using a CVD or ion implantation process. These processes use indirect heating to heat the catalysts to initiate growth. Once growth is initiated, an electrical source is connected between the substrate and a plate above the nanotubes to source electrical current through and resistively heat the nanotubes and their catalysts. A material source supplies the heated catalysts with carbon or another material to continue growth of the array of nanotubes. Once direct heating has commenced, the source of indirect heating can be removed or at least reduced. Because direct resistive heating is more efficient than indirect heating the total power consumption is reduced significantly.
摘要翻译：直接电阻加热用于从碳和其他材料中生长纳米管。使用CVD或离子注入工艺提供了生长起始的纳米管阵列。这些方法使用间接加热来加热催化剂以引发生长。一旦生长开始，电源连接在基板和纳米管上方的板之间，以通过电流和电阻加热纳米管及其催化剂。材料源为加热的催化剂提供碳或其他材料，以继续纳米管阵列的生长。一旦直接加热开始，可以去除或至少减少间接加热的来源。由于直接电阻加热比间接加热更有效，因此总功耗显着降低。

6. 发明申请

WO2007120312A2 SENSING DEVICES FROM MOLECULAR ELECTRONIC DEVICES 审中-公开
标题翻译：从分子电子设备传感器件
公开(公告)号：WO2007120312A2
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：PCT/US2006/061568
申请日：2006-12-04
申请人： THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK , NUCKOLLS, Colin , GUO, Xuefeng , KIM, Philip
发明人： NUCKOLLS, Colin , GUO, Xuefeng , KIM, Philip
IPC分类号： B05D5/12 , C07C15/20 , C07C43/20 , C07C53/44
CPC分类号： G01N33/5438 , B82Y10/00 , C12Q1/002 , G01N27/128 , G01N2610/00 , H01L27/285 , H01L51/0036 , H01L51/0048 , H01L51/0056 , H01L51/0076 , H01L51/0083 , H01L51/0591 , Y10S977/701 , Y10S977/721
摘要： The present invention generally relates to the fabrication of molecular electronics devices from molecular wires and Single Wall Nano tubes (SWNT). In one embodiment, the cutting of a SWNT is achieved by opening a window of small width by lithography patterning of a protective layer on top of the SWNT, followed by applying an oxygen plasma to the exposed SWNT portion. In another embodiment, the gap of a cut SWNT is reconnected by one or more difunctional molecules having appropriate lengths reacting to the functional groups on the cut SWNT ends to form covalent bonds. In another embodiment, the gap of a cut SWNT gap is filled with a self-assembled monolayer from derivatives of novel contorted hexabenzocoranenes. In yet another embodiment, a device based on molecular wire reconnecting a cut SWNT is used as a sensor to detect a biological binding event.
摘要翻译：本发明一般涉及从分子线和单壁纳米管（SWNT）制造分子电子器件。在一个实施例中，通过在SWNT顶部上的保护层的光刻图案化，然后将氧等离子体施加到暴露的SWNT部分，打开小宽度的窗口来实现SWNT的切割。在另一个实施方案中，切割的SWNT的间隙通过一个或多个具有与切割的SWNT末端上的官能团反应形成共价键的适当长度的双功能分子重新连接。在另一个实施方案中，切割的SWNT间隙的间隙填充有自组装单层，由新颖扭转的六苯并三硼酸衍生物填充。在另一个实施例中，使用基于重新连接切割SWNT的分子线的装置作为传感器来检测生物结合事件。

7. 发明申请

WO01097257A2 DUAL METAL GATE TRANSISTORS FOR CMOS PROCESS 审中-公开
标题翻译：用于CMOS工艺的双金属栅极晶体管
公开(公告)号：WO01097257A2
公开(公告)日：2001-12-20
申请号：PCT/US2001/015041
申请日：2001-05-10
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L29/66545 , Y10S977/707 , Y10S977/721 , Y10S977/891
摘要： A process for forming a first transistor (130) of a first conductivity type and a second transistor (132) of a second conductivity type in a semiconductor substrate (102) is disclosed. The substrate (102) has a first well (106) of the first conductivity type and a second well (104) of the second conductivity type. A gate dielectric (108) is formed over the wells. A first metal layer (110) is then formed over the gate dielectric (108). A portion of the first metal layer (110) located over the second well is then removed. A second metal layer (114) different from said first metal is then formed over the wells and a gate mask is formed over the second metal (114). The metal layers (110, 114) are then patterned to leave a first gate over the first well (106) and a second gate over the second well (104). Source/drains (138, 142) are then formed in the first (106) and second (104) wells to form the first (130) and second (132) transistor.
摘要翻译：公开了一种在半导体衬底（102）中形成第一导电类型的第一晶体管（130）和第二导电类型的第二晶体管（132）的工艺。衬底（102）具有第一导电类型的第一阱（106）和第二导电类型的第二阱（104）。在阱上方形成栅极电介质（108）。然后在栅极电介质（108）上形成第一金属层（110）。然后移除位于第二孔上方的第一金属层（110）的一部分。然后在阱上形成与所述第一金属不同的第二金属层（114），并且在第二金属（114）上形成栅极掩模。金属层（110,114）然后被图案化以在第一阱（106）上方留下第一栅极，并在第二阱（104）上方留下第二栅极。然后在第一（106）和第二（104）阱中形成源极/漏极（138,142）以形成第一晶体管（130）和第二晶体管（132）。

8. 发明申请

WO1996008701A1 ELECTROMECHANICAL TRANSDUCER 审中-公开
标题翻译：机电传感器
公开(公告)号：WO1996008701A1
公开(公告)日：1996-03-21
申请号：PCT/EP1994003052
申请日：1994-09-12
申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , GIMZEWSKI, James, Kazimierz , SCHLITTLER, Räto, Rudolf , WELLAND, Mark, Edward
发明人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
IPC分类号： G01H11/06
CPC分类号： G01Q20/04 , G01H11/06 , G01K5/72 , G01L1/16 , G01Q70/14 , Y10S977/721 , Y10S977/837 , Y10S977/849 , Y10S977/851 , Y10S977/863
摘要： An electromechanical transducer is described with a moveable, flexible element (1-10) and an amplifier stage (3-7), wherein the amplifier stage is integrated into said element. The transducer further comprises piezoelectric materials (8) to generate a deflection depending signal as input signal of the amplifier stage (3-7). In a preferred embodiment, the flexible element comprises layers (1, 9) of material with different thermal expansion coefficient to enhance the sensitivity of the device as temperature sensor. The new device is applicable in local probe microscopy, such as atomic force microscopy, or as an actuator, as a (chemical) sensor, or as an oscillator.
摘要翻译：使用可移动的柔性元件（1-10）和放大器级（3-7）描述机电换能器，其中放大器级被集成到所述元件中。换能器还包括压电材料（8），以产生偏转依赖信号作为放大器级（3-7）的输入信号。在优选实施例中，柔性元件包括具有不同热膨胀系数的材料层（1,9），以增强器件作为温度传感器的灵敏度。新器件适用于诸如原子力显微镜的局部探针显微镜，或作为致动器，作为（化学）传感器或振荡器。

9. 发明申请

WO2010093500A1 NANOWIRE SYNTHESIS FROM VAPOR AND SOLID SOURCES AND ENERGY STORAGE DEVICE 审中-公开
标题翻译：蒸气和固体源和能源储存装置的纳米合成
公开(公告)号：WO2010093500A1
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：PCT/US2010/021450
申请日：2010-01-20
申请人： BATTELLE MEMORIAL INSTITUTE , ZHANG, Jiguang , LIU, Jun , YANG, Zhenguo , XIA, Guanguang , FIFIELD, Leonard, S. , WANG, Donghai , CHOI, Daiwon , GRAFF, Gordon, L. , PEDERSON, Larry, R.
发明人： ZHANG, Jiguang , LIU, Jun , YANG, Zhenguo , XIA, Guanguang , FIFIELD, Leonard, S. , WANG, Donghai , CHOI, Daiwon , GRAFF, Gordon, L. , PEDERSON, Larry, R.
IPC分类号： H01M4/38 , H01M4/58 , H01M4/134
CPC分类号： H01M4/134 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B33/02 , C01B33/113 , H01M4/386 , H01M4/485 , H01M4/58 , H01M10/052 , H01M2004/021 , Y10S977/721 , Y10S977/722 , Y10S977/762 , Y10S977/775 , Y10S977/843
摘要： Methods of the present invention can be used to synthesize nanowires with controllable compositions and/or with, multiple elements. The methods include coating solid powder granules, which comprise a first element, with a catalyst. The catalyst and the first element form when heated a liquid, mixed phase having a eutectic or peritectic point. The granules, which have been coated with the catalyst, are then heated to a temperature greater than or equal to the eutectic or peritectic point. During heating, a vapor source comprising the second element is introduced. The vapor source chemically interacts with the liquid, mixed phase to consume the first element and to induce condensation of a product that comprises the first and second elements in the form of a nanowire. The invention further relates to an energy storage device comprising Si-containing nanowires.
摘要翻译：本发明的方法可用于合成具有可控组合物和/或多个元素的纳米线。所述方法包括用催化剂涂覆包含第一元素的固体粉末颗粒。当加热液体，具有共晶或包晶点的混合相时，催化剂和第一元素形式。已经涂覆有催化剂的颗粒然后被加热到高于或等于共晶或包晶点的温度。在加热期间，引入包括第二元件的蒸气源。蒸汽源与液体，混合相化学相互作用以消耗第一元素并诱导包含纳米线形式的第一和第二元素的产物的冷凝。本发明还涉及包含含Si纳米线的储能装置。

10. 发明申请

WO2008076152A3 NANOSCALE FLOATING GATE AND METHODS OF FORMATION 审中-公开
标题翻译： NANOSCALE FLIPTING GATE AND METHODS OF FORMATION
公开(公告)号：WO2008076152A3
公开(公告)日：2008-08-28
申请号：PCT/US2007017414
申请日：2007-08-03
申请人： MICRON TECHNOLOGY INC , SANDHU GURTEJ S , RAMASWAMY D V NIRMAL
发明人： SANDHU GURTEJ S , RAMASWAMY D V NIRMAL
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/788
CPC分类号： H01L29/788 , B82Y10/00 , B82Y99/00 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/42324 , H01L29/66825 , H01L29/7881 , Y10S977/721 , Y10S977/762
摘要： A memory cell (100) is provided including a tunnel dielectric layer (104) overlying a semiconductor substrate (102). The memory cell also includes a floating gate having a first portion (106) overlying the tunnel dielectric layer and a second portion (116) in the form of a nanorod extending from the first portion. In addition, a control gate layer (122) is separated from the floating gate by an intergate dielectric layer (120).
摘要翻译：提供了包括覆盖在半导体衬底（102）上的隧道电介质层（104）的存储单元（100）。存储单元还包括具有覆盖隧道介电层的第一部分（106）的浮动栅极和从第一部分延伸的纳米棒形式的第二部分（116）。此外，控制栅极层（122）通过栅极间介电层（120）与浮置栅极分离。

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