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    • 1. 发明申请
    • 弾性波デバイス
    • 声波设备
    • WO2011102049A1
    • 2011-08-25
    • PCT/JP2010/072222
    • 2010-12-10
    • 株式会社 村田製作所木藤 英雄
    • 木藤 英雄
    • H03H9/25H01L23/02H03H9/64H03H9/72
    • H03H9/725H03H9/0576H03H9/1064
    •  空隙を介して対向するように圧電基板を配置しても、アイソレーション特性や帯域外減衰量を改善しつつ小型化することができる弾性波デバイスを提供する。 弾性波デバイス10は、第1の圧電基板12と第2の圧電基板14とが、空隙18を介して対向するように、接合部13により接合されている。第1の圧電基板12の対向面12sに形成された第1組の複数のフィルタ22,24と、第2の圧電基板14の対向面14sに形成された第2組の複数のフィルタ26,28とは、複数の対22,26;24,28となって空隙18を介して対向する。各対の第1組のフィルタと第2組のフィルタとの中心周波数の差の絶対値は、いずれも、第1組のフィルタと第2組のフィルタとからなる群22,24,26,28から選択された2つのフィルタの中心周波数の差の絶対値のうちの最小値よりも大きい。
    • 提供一种能够提高隔离性能和超通带衰减同时实现小型化的声波器件,即使压电基片被布置成跨越空隙彼此面对。 在声波装置(10)中,通过接合部(13)将第一压电基板(12)和第二压电基板(14)以穿过空隙(18)的方式相互连接。 形成在第一压电基板(12)的相对表面(12s)上的第一组多个滤光器(22和24)和形成在面对表面(14s)上的多个滤光器(26和28)的第二组 )形成多个彼此面对空隙(18)的成对(22和26和24和28)。 在每种情况下,第一组滤波器的滤波器的中心频率和第二组滤波器的中心频率之间的差值的绝对值大于两个滤波器的中心频率之差的绝对值之间的最小值, 所述组(22,24,26和28)包括第一组的滤波器和第二组的滤波器。
    • 3. 发明申请
    • ELASTIC WAVE DEVICE
    • 弹性波装置
    • WO1998052279A1
    • 1998-11-19
    • PCT/JP1997001584
    • 1997-05-12
    • HITACHI, LTD.ISOBE, AtsushiHIKITA, MitsutakaSHIBAGAKI, NobuhikoASAI, KengoTAKUBO, Chisaki
    • HITACHI, LTD.
    • H03H09/145
    • H03H9/1064H03H3/08H03H9/0222H03H9/0542H03H9/0585H03H9/059
    • In order to realize a subminiature elastic wave device, which has an electric property comparable to at least that of a conventional elastic surface wave device and of which reliability is not degraded even when undergoing resin sealing or bare chip packaging, an elastic boundary wave device of three-medium construction, in which films (29, 30) of two or more kinds are formed on a piezoelectric substrate (28), is excited. Formed on the piezoelectric substrate formed with an interdigital electrode (14) are a polycrystal silicon dioxide film (29) and a polycrystal silicon film (30). The piezoelectric substrate is formed from a single crystal substance. The polycrystal silicon dioxide film and the polycrystal silicon film are formed as by a sputtering method, CVD method and a coating method. Formation of the polycrystal silicon film enables elastic wave excited by the interdigital electrode to be confined to the polycrystal silicon dioxide film, and even when the polycrystal silicon film is deteriorated in its film quality, the elastic boundary wave device exhibits an electric property superior to that of a conventional elastic surface wave device. Also, since the polycrystal silicon dioxide film and the polycrystal silicon film protect the interdigital electrode, the elastic boundary wave device can have a high reliability.
    • 为了实现具有与现有的弹性表面波装置相当的电性能的即使在进行树脂密封或裸芯片封装的情况下也不降低可靠性的超小型弹性波器件,弹性边界波器件 在压电基板(28)上形成有两种以上的膜(29,30)的三介质结构被激发。 在形成有交叉指状电极(14)的压电基板上形成多晶硅二氧化硅膜(29)和多晶硅膜(30)。 压电基板由单晶物质形成。 通过溅射法,CVD法和涂布法形成多晶硅二氧化硅膜和多晶硅膜。 多晶硅膜的形成使得由叉指电极激发的弹性波被限制在多晶硅二氧化硅膜中,即使当多晶硅膜的膜质量劣化时,弹性边界波器件的电性能优于 的常规弹性表面波装置。 此外,由于多晶硅二氧化硅膜和多晶硅膜保护叉指电极,所以弹性边界波装置可以具有高的可靠性。
    • 8. 发明申请
    • 電子部品
    • 电子元件
    • WO2013099963A1
    • 2013-07-04
    • PCT/JP2012/083685
    • 2012-12-26
    • 京セラ株式会社
    • 及川 彰坂田 英治
    • H03H9/25H01L23/12
    • H01L41/053H01L23/3121H01L41/047H01L2924/0002H03H9/0038H03H9/059H03H9/1064H03H9/1085H05K1/185H05K2201/1009H05K2201/10196H01L2924/00
    • 電子部品1は、支持部材5と、該支持部材5上に、空間Sを介して実装された、前記支持部材との対向面を有するSAW素子7と、該SAW素子7を覆っており、かつ、空間Sを封止するように設けられた樹脂部9と、を有している。SAW素子7は、圧電基板19と、圧電基板19の対向面19aに設けられたIDT35と、圧電基板19の対向面19aに設けられ、IDT35から圧電基板19の外周側に延びる配線33(外側配線39)と、配線33の側方縁部39aに隣接し、IDT35を囲む周方向に関して部分的に設けられた堰部材43と、を有している。
    • 电子部件(1)具有:支撑部件(5); 安装在所述支撑构件(5)上的空间(S)并且具有面向所述支撑构件的表面的SAW元件(7) 以及覆盖所述SAW元件(7)的树脂部(9),所述树脂部(9)被设置成密封所述空间(S)。 SAW元件(7)具有:压电基板(19); 设置在所述压电基板(19)的所述支撑部件朝向表面(19a)上的IDT(35); 设置在压电基板(19)的支撑部件朝向表面(19a)上并从IDT(35)朝向压电基板的外周延伸的布线(33)(外部布线(39)) 19); 以及与配线(33)的侧边缘(39a)相邻并且围绕IDT(35)的周向部分地设置的坝构件(43)。