专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2016068003A1 圧電モジュール审中-公开
标题翻译：压电模块
公开(公告)号：WO2016068003A1
公开(公告)日：2016-05-06
申请号：PCT/JP2015/079765
申请日：2015-10-22
申请人：株式会社村田製作所
发明人：岸本諭卓 , 伊田康之 , 小林英晃
IPC分类号： H03H9/25 , H03H9/02 , H03H9/17
CPC分类号： H03H9/173 , H03H3/02 , H03H9/02228 , H03H9/0547 , H03H9/175
摘要：圧電モジュール（１０）は、圧電薄膜（２０）、固定層（３０）、および支持基板（４０）を備える。圧電薄膜（２０）は、固定層（３０）によって支持基板（４０）に支持されている。圧電薄膜（２０）の表面には機能導体（２１１，２１２）が形成されている。機能導体（２１１，２１２）に重なる領域を含むように、固定層（３０）には空隙（３００）が形成されている。支持基板（４０）の固定層（３０）側の面には、空隙（３００）の領域内に、回路素子を構成する導体パターン（５０）が形成されている。
摘要翻译：压电模块（10）具有压电薄膜（20），固定层（30）和支撑基板（40）。压电薄膜（20）由固定层（30）支撑在支撑基板（40）上。功能导体（211,212）形成在压电薄膜（20）的表面上。在固定层（30）中形成空隙（300），以包括与功能导体（211,212）重叠的区域。构成电路元件的导体图案（50）形成在支撑基板（40）的固定层 - （30）侧表面上的空隙（300）的区域中。

2. 发明申请

WO2015155995A1 電子デバイス、電子機器および移動体审中-公开
标题翻译：电子设备，电子设备和移动体
公开(公告)号：WO2015155995A1
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：PCT/JP2015/002017
申请日：2015-04-09
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：千葉　誠一
IPC分类号： H03H9/17 , H03B5/32 , H03H9/02
CPC分类号： H03H9/25 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H03B28/00 , H03H9/0547 , H03H9/058 , H03H9/1021 , H03H9/19 , H01L2924/00014
摘要：　耐衝撃性に優れ、安定な特性を有する電子デバイス、この電子部品を備えた電子機器および移動体を提供する。　電子デバイスは、底板１２に配置されている第１突出部１８ａおよび第２突出部１８ｂを備えている容器と、振動片３０と、を有し、振動片３０は、第１突出部１８ａおよび第２突出部１８ｂと第１面３２ａとが間隙を有して向かい合うように、振動片３０の第３側面３４ｃ側の端部を接続部材６２を介して容器１０に載置されており、第１突出部１８ａおよび第２突出部１８ｂは、平面視で、振動片３０の第４側面３４ｄ側の第１面３２ａと一部が重なるとともに、振動片３０の長手方向と交わる方向に並んで配置されている。また、振動片３０の長手方向と交わる方向の端部間の間隔をＬ１、第１突出部と第２突出部との間隔をＬ２、電極膜の長手方向と交わる方向の端部間の間隔をＬ３、として、Ｌ１＞Ｌ２＞Ｌ３、の関係を満たしている。
摘要翻译：本发明提供一种具有稳定特性的特别耐冲击的电子装置，以及设置有所述电子部件的移动体和电子装置。电子设备具有设置有设置在底板（12）上的第一突起（18a）和第二突起（18b）的容器以及摆动片（30）。对于振动片（30），通过连接构件（62）将振动片（30）的第三侧面（34c）附近的端部安装在容器（10）上，使得第一突起（18a）和第二突起突起（18b）与第一表面（32a）相对，在它们之间具有间隙。在平面图中，第一突起（18a）和第二突起（18b）通过沿与振动片（30）的纵向相交的方向布置，并且突起的一部分与第一表面重叠 32a），其位于摆动片（30）的第四侧面（34d）附近。满足关系L1> L2> L3，其中L1是在与其纵向方向相交的方向上的振荡片（30）的端部之间的距离，L2是第一突起和第二突起之间的距离，L3 是电极膜的与其长度方向相交的方向的端部之间的距离。

3. 发明申请

WO2014135442A1 BAUELEMENT MIT GESTAPELTEN FUNKTIONALEN STRUKTUREN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：具有堆叠功能结构和制造方法的Component
公开(公告)号：WO2014135442A1
公开(公告)日：2014-09-12
申请号：PCT/EP2014/053860
申请日：2014-02-27
申请人： EPCOS AG
发明人： HENN, Gudrun , METZGER, Thomas
IPC分类号： H03H9/05
CPC分类号： H01L41/0533 , H03H9/0547 , H05K3/30 , H05K13/0023
摘要： Es wird ein zur Miniaturisierung geeignetes Bauelement mit akustisch entkoppelten funktionalen Strukturen angegeben. Das Bauelement umfasst eine erste funktionale Struktur, eine erste Dünnschicht-Abdeckung, die die erste funktionale Struktur abdeckt, und ein zweite funktionale Struktur oberhalb der Dünnschicht-Abdeckung. Die Dünnschicht-Abdeckung berührt die erste funktionale Struktur nicht.
摘要翻译：公开了一种适合于小型化设备与声学退耦功能结构。该部件包括一个第一功能结构，第一薄膜盖盖住上述第一功能结构，并且所述盖之上的第二功能性薄膜的结构。薄膜盖不接触所述第一功能结构。

4. 发明申请

WO2014032907A1 KONDENSATOR MIT VERBESSERTEM LINEAREN VERHALTEN 审中-公开
标题翻译：具有改进的线性性能电容器
公开(公告)号：WO2014032907A1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：PCT/EP2013/066212
申请日：2013-08-01
申请人： EPCOS AG
发明人： LINK, Andreas , METZGER, Thomas , SCHMIDHAMMER, Edgar
IPC分类号： H01G4/38 , H01G4/40 , H01G17/00 , H01G4/005 , H03H9/05
CPC分类号： H01G4/35 , H01G4/005 , H01G4/30 , H01G4/38 , H01G4/40 , H01G17/00 , H03H9/0542 , H03H9/0547 , H03H9/0561
摘要： Es wird ein Kondensator mit verbesserten linearen Eigenschaften angegeben. Der Kondensator ist mit Herstellungsprozessen von mit BAW arbeitenden Bauelementen kompatibel. Der Kondensator umfasst eine erste und eine zweite Elektrode (E1, E2) in einer ersten elektrisch leitenden Lage und eine dritte Elektrode (E3) in einer zweiten elektrischen Lage. Zwischen den elektrisch leitenden Lagen ist eine dielektrische Lage (DL) angeordnet. Die erste Elektrode (E1) und die zweite Elektrode (E2) sind die Anschlusselektroden des Kondensators.
摘要翻译：本发明公开了具有改进的线性特性的电容器。电容器是与BAW器件工作的制造工艺完全兼容。所述电容器包括第一和在第一导电层和在第二电位置的第三电极（E3）的第二电极（E1，E2）。导电层之间，电介质层（DL）被布置。所述第一电极（E1）和第二电极（E2）是电容器的端子电极。

5. 发明申请

WO2012081240A1 弾性波装置审中-公开
标题翻译：弹性波装置
公开(公告)号：WO2012081240A1
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：PCT/JP2011/006977
申请日：2011-12-14
申请人：パナソニック株式会社 , 中山英明 , 鷹野敦 , 古川光弘
发明人：中山　英明 , 鷹野　敦 , 古川　光弘
IPC分类号： H03H9/25
CPC分类号： H03H9/725 , H01F38/14 , H03H9/0057 , H03H9/0547 , H03H9/0576 , H03H9/059 , H03H9/1071 , H03H9/12 , H03H9/14588 , H03H9/64
摘要：　弾性波装置は、圧電基板と、圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、圧電基板上に設けられてＩＤＴ電極に接続された配線電極と、圧電基板上に設けられてＩＤＴ電極と配線電極を封止する第１の絶縁体と、第１の絶縁体上に設けられた樹脂層と、樹脂層上に設けられたインダクタ電極と、樹脂層上に設けられてインダクタ電極を覆う第２の絶縁体と、第２の絶縁体上に設けられた端子電極と、第１の絶縁体と第２の絶縁体と樹脂層とを貫通し配線電極と端子電極とインダクタ電極とを電気的に接続する接続電極とを備える。第１の絶縁体は、樹脂と、樹脂に分散するフィラーとを有する。樹脂層でのフィラーの密度は、第１の絶縁体のフィラーの平均密度より小さい。この弾性波装置は、インダクタの電気特性を確保するとともにそのばらつきを低減することができる。
摘要翻译：弹性波装置包括压电基片，布置在压电基片上的IDT电极，布置在压电基片上并与IDT电极连接的布线电极，布置在压电基片上的第一绝缘体和可以密封IDT电极和布线电极，布置在第一绝缘体上的树脂层，布置在树脂层上的电感器电极，布置在树脂层上并覆盖电感器电极的第二绝缘体，布置在第二绝缘体上的端子电极和穿过第一绝缘体，第二绝缘体和树脂层并将布线电极，端子电极和电感器电极彼此电连接的连接电极。第一绝缘体包括分散在树脂中的树脂和填料。树脂层中填料的密度小于第一绝缘体中填料的平均密度。弹性波装置确保电感器的电性能并且可以减小电性能的波动。

6. 发明申请

WO2012050461A1 SMALL FORM FACTOR OSCILLATOR 审中-公开
标题翻译：小型因子振荡器
公开(公告)号：WO2012050461A1
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：PCT/NZ2011/000139
申请日：2011-07-20
申请人： RAKON LIMITED , ROBINSON, Brent John , ROBINSON, Darren Paul
发明人： ROBINSON, Brent John , ROBINSON, Darren Paul
IPC分类号： H01L41/04 , H01L23/52 , H03B5/00 , H01L23/48 , H01L41/08 , H01L23/50 , H01L41/18
CPC分类号： H01L23/055 , H01L2924/0002 , H03H9/0547 , H03H9/0557 , H03H9/1021 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to an oscillator comprising an integrated circuit die having a serniconducting substrate and circuitry formed on the substrate, at least one user pad on an outer surface of said substrate, and a resonating element closely associated with said substrate. The invention integrates the resonating element with the integrated circuit die, or the substrate that the integrated electronic circuitry is formed on. The substrate forms part of the resonator package thereby reducing the size of the oscillator. The circuitry, the at least one conductive element and the resonating element are electrically connected through at least one conducting via traversing through the substrate of the die to achieve the reduction in size of the oscillator.
摘要翻译：本发明涉及一种包括集成电路管芯的振荡器，该集成电路管芯具有形成在衬底上的电导率衬底和电路，所述衬底的外表面上的至少一个用户焊盘以及与所述衬底紧密相关的谐振元件。本发明将谐振元件与集成电路管芯或集成电子电路形成的衬底集成。衬底形成谐振器封装的一部分，从而减小了振荡器的尺寸。所述电路，所述至少一个导电元件和所述谐振元件通过穿过所述管芯的所述衬底的至少一个导电通孔电连接以实现所述振荡器的尺寸的减小。

7. 发明申请

WO2008101646A1 THIN-FILM BULK ACOUSTIC WAVE RESONATOR AND METHOD FOR PERFORMING HETEROGENEOUS INTEGRATION OF THE SAME WITH COMPLEMENTARY-METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：薄膜泡沫声波谐振器及其与完全金属氧化物半导体集成电路的异构整合方法
公开(公告)号：WO2008101646A1
公开(公告)日：2008-08-28
申请号：PCT/EP2008/001226
申请日：2008-02-18
申请人： CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS , EPSON EUROPE ELECTRONICS GMBH , CAMPANELLA PINEDA, Humberto , ESTEVE TINTO, Jaume , CABRUJA CASAS, Enric , MONTSERRAT MARTI, José , TERES TERES, Lluís , CARMONA FLORES, Manuel
发明人： CAMPANELLA PINEDA, Humberto , ESTEVE TINTO, Jaume , CABRUJA CASAS, Enric , MONTSERRAT MARTI, José , TERES TERES, Lluís , CARMONA FLORES, Manuel
IPC分类号： H03H9/17 , H03H9/05
CPC分类号： H03H9/172 , B81B2201/0271 , B81C1/00238 , B81C2201/019 , H03H3/02 , H03H9/0547
摘要： The invention relates to a method of performing heterogeneous integration of thin-film bulk acoustic wave resonator, FBAR, with complementary-metal-oxide-semiconductor integrated-circuit, CMOS, technologies. According to the invention, the method comprising the following steps, namely: i) forming a first device wafer including said FBAR, a sacrificial layer and substrate, with said FBAR devices defined on a first face; ii) forming a second device wafer including circuit elements fabricated on a CMOS technology, with CMOS integrated-circuits defined on a first face; iii) wafer-level-transferring and integration of the first device wafer including FBAR, a sacrificial layer and substrate, into the second device wafer including circuit elements fabricated on a CMOS substrate; iv) wafer-level-releasing of FBAR devices from their supporting substrate to provide mechanical isolation of FBAR devices. The invention further comprises a heterogeneous-technology semiconductor assembly, radio-frequency system and a sensing system.
摘要翻译：本发明涉及一种利用互补金属氧化物半导体集成电路，CMOS技术进行薄膜体声波谐振器FBAR的非均匀整合的方法。根据本发明，该方法包括以下步骤：i）形成包括所述FBAR的第一器件晶片，牺牲层和衬底，所述FBAR器件限定在第一面上; ii）形成包括以CMOS技术制造的电路元件的第二器件晶片，其中限定在第一面上的CMOS集成电路; iii）包括FBAR，牺牲层和衬底的第一器件晶片的晶片级传输和集成到包括在CMOS衬底上制造的电路元件的第二器件晶片; iv）FBAR器件从其支撑衬底的晶片级释放，以提供FBAR器件的机械隔离。本发明还包括异构技术半导体组件，射频系统和感测系统。

8. 发明申请

WO2006043713A1 圧電デバイス审中-公开
标题翻译：压电器件
公开(公告)号：WO2006043713A1
公开(公告)日：2006-04-27
申请号：PCT/JP2005/019649
申请日：2005-10-19
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：木下裕介
IPC分类号： H01L41/09 , G01C19/56 , G01P9/04 , H01L41/08 , H01L41/18 , H01L41/22 , H03B5/32 , H03H3/02
CPC分类号： H03H9/1021 , G01C19/56 , H03H9/0547
摘要：平面サイズの小型化が可能であるともに、ＴＡＢテープの共振設計を容易に行える圧電デバイスを提供する。また確実に封止孔の封止を行える圧電デバイスを提供する。　圧電デバイス１０は、ＩＣチップ１４をパッケージの内部底面に実装し、樹脂テープの表面にリードを設けたＴＡＢテープ３２上に圧電振動片１６を電気的および機械的に接続し、前記圧電振動片１６を接合した前記ＴＡＢテープ３２を前記パッケージの内部に実装して、前記圧電振動片１６を前記ＩＣチップ１４の上方に配置した構成である。
摘要翻译：可以容易地减小平面尺寸并容易地进行TAB带共振设计的压电装置。此外，密封孔可以可靠地密封在压电装置中。压电装置（10）具有安装在封装的内底平面上的IC芯片（14），并且在TAB带（32）上电压和机械地连接压电振动片（16），该TAB带（32）上设有引线在树脂带的表面上。 TAB带（32），其中压电振动片（16）接合，安装在封装内部，压电振动片（16）布置在IC芯片（14）的上部。

9. 发明申请

WO2006020744A2 STRUCTURE AND METHOD OF FORMING CAPPED CHIPS 审中-公开
标题翻译：结构和形成CAPPED CHIPS的方法
公开(公告)号：WO2006020744A2
公开(公告)日：2006-02-23
申请号：PCT/US2005/028492
申请日：2005-08-11
申请人： TESSERA, INC. , HABA, Belgacem , BEROZ, Masud , URBISH, Glenn , TUCKERMAN, David, B.
发明人： HABA, Belgacem , BEROZ, Masud , URBISH, Glenn , TUCKERMAN, David, B.
IPC分类号： B81B7/00
CPC分类号： B81B7/007 , H03H3/02 , H03H9/0547 , H03H9/059 , H03H9/1057 , H03H9/1092
摘要： As disclosed herein, structures and methods are provided for forming capped chips. As provided by the disclosed method, a metal base pattern (26) is formed on a chip (8) insulated from wiring (11) of the chip, and a cap (42) is formed including a metal. The cap (42) is joined to the metal base pattern (26) on the chip to form the capped chip (48). In one embodiment, a front surface (9) of the chip is exposed which extends from a contact (14) or (16) of the chip to an edge (13) of the chip (8). In another embodiment, a conductive connection is formed to the contact (14) or (16), the conductive connection extending from the contact to a terminal (46) at an exposed plane (49) above the front surface (9) of the chip (8).
摘要翻译：如本文所公开的，提供了用于形成加盖芯片的结构和方法。如公开的方法所提供的，在与芯片的布线（11）绝缘的芯片（8）上形成金属基底图案（26），并且形成包括金属的盖（42）。盖（42）连接到芯片上的金属基底图案（26）以形成盖帽芯片（48）。在一个实施例中，芯片的前表面（9）被暴露，其从芯片的触点（14）或（16）延伸到芯片（8）的边缘（13）。在另一个实施例中，导电连接形成于触点（14）或（16），导电连接在芯片的前表面（9）上方的暴露平面（49）处从触点延伸至端子（46）（8）。

10. 发明申请

WO2005071832A1 圧電共振部品の周波数調整方法及び圧電共振部品审中-公开
标题翻译：压电谐振器频率调整方法和压电谐振器
公开(公告)号：WO2005071832A1
公开(公告)日：2005-08-04
申请号：PCT/JP2004/016043
申请日：2004-10-28
申请人：株式会社村田製作所 , 池田功
发明人：池田功
IPC分类号： H03H3/04
CPC分类号： H03H9/0514 , H03H3/04 , H03H9/02086 , H03H9/0547 , H03H9/58
摘要：　上方からエネルギー線を照射して電極をエッチングするようにして周波数調整を行った場合に、絶縁抵抗の低下、短絡不良及び電極間マイグレーションなどが生じ難い、圧電共振部品の周波数調整方法を提供する。　側面１４ａ，１４ｂ及び上面を有する圧電体１４と、圧電体１４の上面に設けられた電極１５とを有し、側面１４ａ，１４ｂが、上端に比べて下方部分が圧電体１４の中心側に位置するように傾斜面とされている圧電共振部品の上面に開口部２２ａを有するマスク２２を配置し、上方からイオンビームを照射することにより圧電共振部品の周波数を調整する周波数調整方法。
摘要翻译：提供了一种压电谐振器频率调节方法，用于通过从上方施加能量射线来进行用于蚀刻电极的频率调节时，抑制绝缘电阻，短路缺陷和电极间迁移的降低。压电谐振器包括：具有侧表面（14a，14b）和上表面的压电体（14）; 以及布置在所述压电体（14）的上表面上的电极（15）。侧面（14a，14b）倾斜，使得下部与上端相比朝向压电体（14）的中心移动。具有开口（22a）的掩模（22）布置在压电谐振器的上表面上，从而从上方施加离子束以调节压电谐振器的频率。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式