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    • 7. 发明申请
    • AMPLIFIER ADAPTED FOR NOISE SUPPRESSION
    • 适用于噪声抑制的放大器
    • WO2016146162A1
    • 2016-09-22
    • PCT/EP2015/055454
    • 2015-03-16
    • TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (PUBL)
    • MASTANTUONO, DanieleMATTISSON, Sven
    • H03F1/26
    • H03F1/26H03F1/0205H03F1/3211H03F1/483H03F3/193H03F3/45179H03F3/607H03F2200/06H03F2200/294H03F2200/333H03F2200/451H03F2203/45306H03F2203/45318H04B1/12
    • An amplifier (100) adapted for noise suppression comprises a first input (102) for receiving a first input signal and a second input (104) for receiving a second input signal, the first and second input signals constituting a differential pair. A first output (106) delivers a first output signal and a second output (108) delivers a second output signal, the first and second output signals constituting a differential pair. A first transistor (M CG1 ) has a first drain (110) coupled to the first output (106) such that all signal current, except parasitic losses, flowing through the first drain (110) flows through the first output (106), and the first transistor (M CG1 ) further having a first source (112) coupled to the first input (102). A second transistor (M Cs1 ) has a second gate (116) coupled to the first input (102), a second drain (118) coupled to the second output (108) such that all signal current, except parasitic losses, flowing through the second drain (118) flows through the second output (108), and the second transistor (M Cs1 ) further having a second source (120) coupled to a first voltage rail (122). A third transistor (M Cs2 ) has a third gate (124) coupled to the second input (104), a third drain (126) coupled to the first output (106) such that all signal current, except parasitic losses, flowing through the third drain (126) flows through the first output (106), and the third transistor (M Cs2 ) further having a third source (128) coupled to the first voltage rail (122). A fourth transistor (M CG2 ) has a fourth drain (130) coupled to the second output (108) such that all signal current, except parasitic losses, flowing through the fourth drain (130) flows through the second output (108), and the fourth transistor (M CG2 ) further having a fourth source (132) coupled to the second input (104). A first load (Z L1 ) is coupled between the first output (106) and a second voltage rail (136). A second load (Z L2 ) is coupled between the second output (108) and the second voltage rail (136). A first inductive element (L 1 ) is coupled between the first input (102) and a third voltage rail (138), and a second inductive element (L 2 ) is coupled between the second input (104) and the third voltage rail (138). Transconductance of the first transistor (MCG1) is substantially equal to transconductance of the fourth transistor (M CG2 ), within ±5%, and transconductance of the second transistor (M Cs1 ) is substantially equal to transconductance of the third transistor (M Cs2 ), within ±5%.
    • 适于噪声抑制的放大器(100)包括用于接收第一输入信号的第一输入端(102)和用于接收第二输入信号的第二输入端(104),所述第一和第二输入信号构成差分对。 第一输出(106)传送第一输出信号,第二输出(108)传送第二输出信号,第一和第二输出信号构成差分对。 第一晶体管(MCG1)具有耦合到第一输出端(106)的第一漏极(110),使得流过第一漏极(110)的除寄生损耗之外的所有信号电流流过第一输出端(106),并且 第一晶体管(MCG1)还具有耦合到第一输入端(102)的第一源极(112)。 第二晶体管(MCs1)具有耦合到第一输入端(102)的第二栅极(116),耦合到第二输出端(108)的第二漏极(118),使得除寄生损耗之外的所有信号电流流过第二输入端 漏极(118)流过第二输出(108),而第二晶体管(MCs1)还具有耦合到第一电压轨道(122)的第二源极(120)。 第三晶体管(MCs2)具有耦合到第二输入端(104)的第三栅极(124),耦合到第一输出端(106)的第三漏极(126),使得除寄生损耗之外的所有信号电流流过第三输入端 漏极(126)流过第一输出(106),而第三晶体管(MCs2)还具有耦合到第一电压轨(122)的第三源极(128)。 第四晶体管(MCG2)具有耦合到第二输出(108)的第四漏极(130),使得流过第四漏极(130)的除了寄生损耗之外的所有信号电流流经第二输出(108),并且 第四晶体管(MCG2)还具有耦合到第二输入端(104)的第四源极(132)。 第一负载(ZL1)耦合在第一输出(106)和第二电压轨(136)之间。 第二负载(ZL2)耦合在第二输出(108)和第二电压轨(136)之间。 第一电感元件(L1)耦合在第一输入(102)和第三电压轨(138)之间,第二电感元件(L2)耦合在第二输入(104)和第三电压轨(138)之间, 。 第一晶体管(MCG1)的跨导基本上等于第四晶体管(MCG2)的跨导在±5%以内,并且第二晶体管(MCs1)的跨导基本上等于第三晶体管(MCs2)的跨导在± 5%。
    • 9. 发明申请
    • 自励発振型D級アンプおよび自励発振型D級アンプの自励発振周波数制御方法
    • 自激振荡放大器和自振荡频率控制方法自振荡放大器
    • WO2013065846A1
    • 2013-05-10
    • PCT/JP2012/078528
    • 2012-11-02
    • ヤマハ株式会社
    • 野呂 正夫
    • H03F3/217H03L7/06H03L7/08
    • H03F3/217H03F2200/333H03K2005/00032H03L7/0812
    •  自励発振型D級アンプの自励発振ループに、該自励発振ループの自励発振周波数を変化させる自励発振周波数可変要素を配置する。自励発振型D級アンプの自励発振信号または該自励発振信号に対応した信号と所定の基準周波数を有する基準周波数信号とを周波数比較もしくは周期比較または位相比較する。あるいは、自励発振型D級アンプの自励発振信号または該自励発振信号に対応した信号の周波数または周期に相当する情報と所定の基準周波数または基準周期に相当する情報とを比較する。その比較結果に応じて自励発振周波数可変要素を制御することにより、自励発振信号または該自励発振信号に対応した信号の周波数を基準周波数信号の周波数に追随させる。
    • 在自振荡D类放大器的自振荡环路中,提供了用于改变自振荡环路的自振频率的可变自振频率分量。 将自振荡D类放大器的自振荡信号或对应于所述自振荡信号的信号的频率,周期或相位与具有预定参考频率的参考频率信号的频率,周期或相位进行比较 。 或者,对应于自振荡D类放大器的自振荡信号的频率或周期的信息或与自振荡信号相对应的信号的信息与对应于预定参考的信息进行比较 频率或参考周期。 基于比较结果控制可变自激振荡频率分量,以使自激振荡信号或相应信号的频率跟随参考频率信号的频率。