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1. 发明申请

WO2010057455A2 KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASERCHIP 审中-公开
标题翻译：领先的半导体激光芯片
公开(公告)号：WO2010057455A2
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：PCT/DE2009/001482
申请日：2009-10-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LAUER, Christian , KÖNIG, Harald , REILL, Wolfgang , STRAUSS, Uwe
发明人： LAUER, Christian , KÖNIG, Harald , REILL, Wolfgang , STRAUSS, Uwe
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S5/02284 , H01S5/0655 , H01S5/10 , H01S5/1017 , H01S5/1053 , H01S5/1064 , H01S5/1228 , H01S5/1234 , H01S5/1237 , H01S5/2036 , H01S5/2205 , H01S5/4012 , H01S5/4031 , H01S2301/166 , H01S2301/18
摘要： Kantenemittierender Halbleiterlaserchip (1) mit - einem Halbleiterkörper (100), der zumindest eine aktive Zone (14) umfasst, in der im Betrieb des Halbleiterlaserchips (1) elektromagnetische Strahlung (10) erzeugt wird, - zumindest einem Kontaktstreifen (2), der auf einer Deckfläche (1a) an einer Oberseite des Halbleiterkörpers (100) angeordnet ist, und - zumindest zwei Begrenzungsstrukturen (4) zur Begrenzung der Stromaufweitung zwischen dem Kontaktstreifen (2) und der aktiven Zone (14), wobei - die Begrenzungsstrukturen (4) beidseitig vom Kontaktstreifen (2) angeordnet sind.
摘要翻译：
（1）具有的边发射半导体激光器芯片 - 一个Halbleiterk＆OUML;主体（100），包括至少一个有源区（14），其中，所述半导体激光器芯片（1）的电磁辐射（10）的操作过程中产生，在半导体＆oUML的上表面枝（1A）;用于限制电流的接触带（2）之间扩展的至少两个限制结构（4） - - 形成的至少一个接触片（2）上的Deckfl BEAR布置rpers（100），和（14），其中 - 所述边界结构（4）布置在所述接触条（2）的两侧上。

2. 发明申请

WO2011141421A2 KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：边发射半导体激光器
公开(公告)号：WO2011141421A2
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：PCT/EP2011/057415
申请日：2011-05-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KÖNIG, Harald , STRAUSS, Uwe , REILL, Wolfgang
发明人： KÖNIG, Harald , STRAUSS, Uwe , REILL, Wolfgang
IPC分类号： H01S5/042
CPC分类号： H01S5/30 , H01L33/005 , H01L2924/0002 , H01S5/0201 , H01S5/0283 , H01S5/0425 , H01S5/0625 , H01S5/16 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser (1001) angegeben, mit: - einem Halbleiterkörper (1), der eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Zone (5) umfasst; - zumindest zwei Facetten (7) an der aktiven Zone (5), die einen Resonator (55) bilden; - zumindest zwei in lateraler Richtung (100) voneinander durch zumindest einen Zwischenbereich (22) beabstandete Kontaktstellen (2), die auf einer Außenfläche (11) des Halbleiterkörpers (1) angebracht sind.
摘要翻译：提供了一种边发射半导体激光器（1001），包括： - 半导体主体（1），包括适合于产生电磁辐射活性区中的装置（5）; - 至少两个刻面（7）〜（5）形成的谐振器（55）的有源区; - 在横向方向（100）通过至少一个中间部分彼此连接的至少两个（22）间隔开的接触点（2）设置在所述半导体主体（1）的外表面（11）。

3. 发明申请

WO2009080011A3 LASERLICHTQUELLE 审中-公开
公开(公告)号：WO2009080011A3
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：PCT/DE2008/002123
申请日：2008-12-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , REILL, Wolfgang , TAUTZ, Sönke , BRICK, Peter , STRAUSS, Uwe
发明人： REILL, Wolfgang , TAUTZ, Sönke , BRICK, Peter , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/22 , H01S5/40 , H01S5/20
摘要： Eine Laserlichtquelle umfasst insbesondere eine Halbleiterschichtenfolge (10) mit einer aktiven Schicht mit zumindest zwei aktiven Bereichen (45), die geeignet sind, im Betrieb elektromagnetische Strahlung über eine als Strahlungsauskoppelfläche (12) ausgeführte Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge (10) entlang einer Abstrahlrichtung (90) abzustrahlen, jeweils eine elektrische Kontaktfläche (30) über jedem der zumindest zwei aktiven Bereiche (45) auf einer Hauptoberfläche (14) der Halbleiterschichtenfolge (10) und eine Oberflächenstruktur in der Hauptoberfläche (14) der Halbleiterschichtenfolge (10), wobei die zumindest zwei aktiven Bereiche (45) quer zur Abstrahlrichtung (90) zueinander beabstandet in der aktiven Schicht (40) angeordnet sind, jede der elektrischen Kontakt flächen (30) einen ersten Teilbereich (31) aufweist und einen zweiten Teilbereich (32) mit einer sich entlang der Abstrahlrichtung (90) zur Strahlungsauskoppelfläche (12) hin vergrößernden Breite, die Oberflächenstruktur zwischen den zumindest zwei elektrischen Kontakt flächen (30) zumindest eine erste Vertiefung (6) entlang der Abstrahlrichtung (90) sowie zweite Vertiefungen (7) aufweist und die ersten Teilbereiche (31) der elektrischen Kontaktflächen (30) jeweils zwischen zumindest zwei zweiten Vertiefungen (7) angeordnet sind.

4. 发明申请

WO2006032252A1 SEITLICH OPTISCH GEPUMPTER OBERFLÄCHENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER AUF EINER WÄRMESENKE 审中-公开
标题翻译：侧光学泵浦表面发射半导体激光器在散热器
公开(公告)号：WO2006032252A1
公开(公告)日：2006-03-30
申请号：PCT/DE2005/001655
申请日：2005-09-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ALBRECHT, Tony , LUTGEN, Stephan , REILL, Wolfgang , SCHWARZ, Thomas , STEEGMÜLLER, Ulrich
发明人： ALBRECHT, Tony , LUTGEN, Stephan , REILL, Wolfgang , SCHWARZ, Thomas , STEEGMÜLLER, Ulrich
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/183 , H01S5/04 , H01S5/02
CPC分类号： H01S5/02248 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/19107 , H01S3/0815 , H01S3/109 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/141 , H01S5/183 , H01S5/2027 , H01S5/4056 , H01L2924/00014
摘要： Es wird eine oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung mit wenigstens einem oberflächenemittierende Halbleiterlaser (21) mit einem Vertikalemitter (1) und wenigstens einer Pumpstrahlquelle (2), die nebeneinander monolithisch auf ein gemeinsames Substrat (13) integriert sind angegeben. Die Halbleiterlaservorrichtung weist zudem ein Wärmeleitelement (18) auf, das sich in thermischem Kontakt mit dem Halbleiterlaser (21) befindet und eine Montagefläche aufweist, die zur Montage auf einem Träger (27) vorgesehen ist. Es werden ferner Verfahren zur Herstellung einer solchen oberflächenemittierenden Halbleiterlaservorrichtung angegeben.
摘要翻译：它是一种表面发射半导体激光器元件与具有垂直发射器的至少一个表面发射半导体激光器（21）（1）和至少一个泵辐射源（2），其彼此相邻单片一个公共衬底上（13）集成表示。的半导体激光装置也有一个导热元件（18），其是在与半导体激光器（21）和具有被用于安装在一个支撑件（27）的安装表面的热接触。这里还提供了用于制造这样的表面发射半导体激光装置的方法。

5. 发明申请

WO2009080012A1 LASERLICHTQUELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LASERLICHTQUELLE 审中-公开
标题翻译：激光光源及其制造方法的激光光源
公开(公告)号：WO2009080012A1
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：PCT/DE2008/002127
申请日：2008-12-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL, Alfred , EICHLER, Christoph , SCHMID, Wolfgang , TAUTZ, Sönke , REILL, Wolfgang , DINI, Dimitri
发明人： LELL, Alfred , EICHLER, Christoph , SCHMID, Wolfgang , TAUTZ, Sönke , REILL, Wolfgang , DINI, Dimitri
IPC分类号： H01S5/028 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/1082 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/1078 , H01S5/1092 , H01S5/22 , H01S2301/02 , H01S2301/166
摘要： Eine Laserlichtquelle umfasst insbesondere eine Halbleiterschichtenfolge (10) mit einem aktiven Bereich (45) und einer Strahlungsauskoppelfläche (12) mit einem ersten Teilbereich (121) und einem davon verschiedenen zweiten Teilbereich (122), und eine Filterstruktur (5), wobei der aktive Bereich (45) im Betrieb kohärente erste elektromagnetische Strahlung (51) mit einem ersten Wellenlängenbereich und inkohärente zweite elektromagnetische Strahlung (52) mit einem zweiten Wellenlängenbereich erzeugt, die kohärente erste elektromagnetische Strahlung (51) entlang einer Abstrahlrichtung (90) vom ersten Teilbereich (121) abgestrahlt wird, die inkohärente zweite elektromagnetische Strahlung (52) vom ersten Teilbereich (121) und vom zweiten Teilbereich (122) abgestrahlt wird, der zweite Wellenlängenbereich den ersten Wellenlängenbereich umfasst und die Filterstruktur (5) die vom aktiven Bereich abgestrahlte inkohärente zweite elektromagnetische Strahlung (52) entlang der Abstrahlrichtung (90) zumindest teilweise abschwächt.
摘要翻译：特别是激光光源包括具有有源区（45）和具有第一部分（121）和不同的第二部分（122）辐射输出（12），和一个滤波器结构（5）的半导体层序列（10），其中所述有源区（45）被操作为沿着从第一局部区域的辐射（90）的方向上产生相干的第一电磁辐射（51）和具有第二波长范围的第一波长范围内和非相干第二电磁辐射（52），所述相干的第一电磁辐射（51）（121）被辐射，从所述第一部分（121）和所述第二部分（122）的非相干第二电磁辐射（52）被发射，所述第二波长范围包含所述第一波长范围和滤波器结构（5）从所述有源区的非相干的第二电磁辐射辐射（ 52）沿Abstrahlricht UNG（90）至少部分地衰减。

6. 发明申请

WO2006002609A1 OBERFLÄCHENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：表面发射半导体激光器和方法及其
公开(公告)号：WO2006002609A1
公开(公告)日：2006-01-12
申请号：PCT/DE2005/001066
申请日：2005-06-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , REILL, Wolfgang
发明人： REILL, Wolfgang
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18305 , H01S3/109 , H01S5/0207 , H01S5/024 , H01S5/041 , H01S5/141
摘要： Bei einem oberflächenemittierenden Halbleiterlaser mit einem Halbleiterchip (1), der ein Substrat (2) und eine auf dem Substrat (2) aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (19), die eine strahlungsemittierende aktive Zone (12) umfasst, enthält und einen externen Resonatorspiegel (5), weist das Substrat gemäß der Erfindung eine Ausnehmung (3) auf, und die emittierte Strahlung (6) wird durch die Ausnehmung (3) ausgekoppelt.
摘要翻译：在表面发射半导体激光器包括一半导体芯片（1），包括基底（2）和一个基片（2）生长的半导体层序列（19）上，其包括一个发射辐射的有源区（12），和一个外谐振器（5），根据本发明的基材中，凹槽（3），并且所发射的辐射（6）通过该凹部耦出（3）。

7. 发明申请

WO2017215919A1 HALBLEITERLASERDIODE 审中-公开
标题翻译：激光二极管半导体
公开(公告)号：WO2017215919A1
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：PCT/EP2017/063208
申请日：2017-05-31
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： REILL, Wolfgang
IPC分类号： H01S5/042
摘要： Es wird eine Halbleiterlaserdiode angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (2) umfassend einen Emitterbereich (5), und - ein erstes Anschlusselement (3), welches den Halbleiterkörper (2) im Emitterbereich (5) elektrisch kontaktiert, wobei - der Halbleiterkörper (2) im Emitterbereich (5) in Kontakt mit dem ersten Anschlusselement (3) steht, und - der Halbleiterkörper (2) im Emitterbereich (5) zumindest stellenweise eine Strukturierung (26) aufweist, welche eine Kontaktfläche (28) zwischen dem Halbleiterkörper (2) und dem ersten Anschlusselement (3) vergrößert.
摘要翻译：
发明提供了一种半导体激光二极管，其包括： - Halbleiterk＆OUML;主体（2），包括一个发射极区域（5），以及 - 一个第一连接元件（3）其中Halbleiterk＆OUML;主体（2）（在发射极区域 5电接触），其中， - 所述Halbleiterk＆oUML;主体（2）是在发射极区域（5）与所述第一连接元件（3），和接触 - 该Halbleiterk＆oUML;主体（2）在发射极区域（5）至少在某些地方的结构化（26 ），其扩大了半导体本体（2）和第一端子元件（3）之间的接触表面（28）

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