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1. 发明申请

WO2012125469A3 OFF-ANGLED HEATING OF THE UNDERSIDE OF A SUBSTRATE USING A LAMP ASSEMBLY 审中-公开
标题翻译：使用灯泡组件的底板的离散加热
公开(公告)号：WO2012125469A3
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/US2012028521
申请日：2012-03-09
申请人： APPLIED MATERIALS INC , EWERT MAURICE E , SUBRAMANI ANANTHA K , KELKAR UMESH M , BALASUBRAMANYAM CHANDRASEKHAR , RANISH JOSEPH M
发明人： EWERT MAURICE E , SUBRAMANI ANANTHA K , KELKAR UMESH M , BALASUBRAMANYAM CHANDRASEKHAR , RANISH JOSEPH M
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C14/5806 , C23C14/34 , C23C14/3435 , C23C14/541 , C23C16/4581 , C23C16/481 , H01J37/3411 , H01J37/3488 , H01L21/02104 , H01L21/28518 , H01L21/2855 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H01L21/68742 , H01L21/76882
摘要： Disclosed are method and apparatus for treating a substrate. The apparatus is a dual-function process chamber that may perform both a material process and a thermal process on a substrate. The chamber has an annular radiant source disposed between a processing location and a transportation location of the chamber. Lift pins have length sufficient to maintain the substrate at the processing location while the substrate support is lowered below the radiant source plane to afford radiant heating of the substrate. A method of processing a substrate having apertures formed in a first surface thereof includes depositing material on the first surface in the apertures and reflowing the material by heating a second surface of the substrate opposite the first surface. A second material can then be deposited, filling the apertures partly or completely. Alternately, a cyclical deposition/reflow process may be performed.
摘要翻译：公开了用于处理基材的方法和装置。该装置是双功能处理室，其可以在基板上进行材料处理和热处理。该室具有设置在处理位置和室的输送位置之间的环形辐射源。提升销具有足够的长度以将衬底保持在处理位置，同时衬底支撑件降低到辐射源平面下方以提供衬底的辐射加热。一种处理在其第一表面中形成的孔的衬底的方法包括在孔的第一表面上沉积材料并通过加热衬底的与第一表面相对的第二表面来回流材料。然后可以沉积第二种材料，部分地或完全地填充孔。或者，可以执行循环沉积/回流工艺。

2. 发明申请

WO2012125610A3 METHODS OF FORMING AT LEAST ONE CONDUCTIVE ELEMENT, METHODS OF FORMING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE, METHODS OF FORMING A MEMORY CELL AND RELATED SEMICONDUCTOR STRUCTURES 审中-公开
标题翻译：形成至少一个导电元件的方法，形成半导体结构的方法，形成存储单元的方法和相关的半导体结构
公开(公告)号：WO2012125610A3
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：PCT/US2012028878
申请日：2012-03-13
申请人： MICRON TECHNOLOGY INC , TANG SANH D , SILLS SCOTT E , WEST WHITNEY L , GOODWIN ROB B , SINHA NISHANT
发明人： TANG SANH D , SILLS SCOTT E , WEST WHITNEY L , GOODWIN ROB B , SINHA NISHANT
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L45/1266 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76858 , H01L21/76877 , H01L21/76882 , H01L21/76883 , H01L23/53247 , H01L23/53252 , H01L45/04 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Methods of forming conductive elements, such as interconnects and electrodes, for semiconductor structures and memory cells. The methods include forming a first conductive material and a second conductive material comprising silver in a portion of at least one opening and performing a polishing process to fill the at least one opening with at least one of the first and second conductive materials. An annealing process may be performed to form a mixture or an alloy of the silver and the material. The methods enable formation of silver containing conductive elements having reduced dimensions (e.g., less than about 20 nm). The resulting conductive elements have a desirable resistivity. The methods may be used, for example, to form interconnects for electrically connecting active devices and to form electrodes for memory cells. A semiconductor structure and a memory cell including such a conductive structure are also disclosed.
摘要翻译：形成用于半导体结构和存储单元的导电元件例如互连和电极的方法。所述方法包括在至少一个开口的一部分中形成第一导电材料和第二导电材料，所述第二导电材料包括银，并且执行抛光工艺以用至少一个第一和第二导电材料填充所述至少一个开口。可以进行退火处理以形成银和材料的混合物或合金。该方法能够形成具有减小的尺寸（例如，小于约20nm）的含银导电元件。所得的导电元件具有所需的电阻率。所述方法可以用于例如形成用于电连接有源器件并形成用于存储器单元的电极的互连。还公开了一种半导体结构和包括这种导电结构的存储单元。

3. 发明申请

WO2012043478A1 成膜方法及び成膜装置审中-公开
标题翻译：薄膜成型方法和薄膜成型装置
公开(公告)号：WO2012043478A1
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：PCT/JP2011/071892
申请日：2011-09-26
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 石坂忠大 , 佐久間隆 , 波多野達夫 , 横山敦 , 五味淳 , 安室千晃 , 福島利彦 , 戸島宏至 , 川又誠也 , 水澤寧 , 加藤多佳良
发明人：石坂　忠大 , 佐久間　隆 , 波多野　達夫 , 横山　敦 , 五味　淳 , 安室　千晃 , 福島　利彦 , 戸島　宏至 , 川又　誠也 , 水澤　寧 , 加藤　多佳良
IPC分类号： H01L21/285 , C23C14/14 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/768 , C23C14/021 , C23C14/024 , C23C14/14 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/541 , C23C14/542 , H01J37/34 , H01L21/2855 , H01L21/76865 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L21/76882
摘要：　処理容器内でプラズマにより金属のターゲットから金属イオンを発生させてバイアスにより引き込んで凹部が形成されている被処理体に金属の薄膜を堆積させる成膜方法において、ターゲットから金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアスにより被処理体に引き込んで凹部内に下地膜を形成する下地膜形成工程と、金属イオンを発生させない状態でバイアスにより希ガスをイオン化させると共に発生したイオンを被処理体に引き込んで下地膜をエッチングするエッチング工程と、ターゲットをプラズマスパッタリングして金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアス電力により被処理体に引き込んで金属膜よりなる本膜を堆積しつつ、その本膜を加熱リフローさせる成膜リフロー工程とを有する。
摘要翻译：提供了一种成膜方法，其在处理容器中从具有等离子体的金属靶产生金属离子，并以偏压方式吸收金属离子，在形成沟槽的被处理体上沉积金属薄膜。该成膜方法包括以下步骤：从靶产生金属离子，并将金属离子以偏压方式拉入待加工的体内，在沟槽中形成衬底膜; 在其中没有产生金属离子并将产生的离子吸收到被处理体内的状态下，用偏压电离惰性气体，蚀刻该基板; 并对靶进行等离子体溅射，产生离子，用偏置电力将金属离子拉入待加工的体内，沉积包含金属膜的主膜，并使主膜热回流。

4. 发明申请

WO2009054268A1 Ｃｕ配線の形成方法审中-公开
标题翻译：形成铜线的方法
公开(公告)号：WO2009054268A1
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：PCT/JP2008/068290
申请日：2008-10-08
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 波多野達夫 , 五味淳 , 水澤寧 , 原正道 , 佐久間隆
发明人：波多野達夫 , 五味淳 , 水澤寧 , 原正道 , 佐久間隆
IPC分类号： H01L21/3205 , C23C14/14 , H01L21/285 , H01L21/288 , H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/485 , H01L21/2855 , H01L21/76846 , H01L21/76882 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　Ｃｕ配線の形成方法は、シリコン基板、その上のトレンチを有するＬｏｗ－ｋ膜、およびその上のバリア層とを有する構造体を準備することと、バリア層の上にＣＶＤによりＣｕが濡れる金属材料で構成された被濡れ層を形成することと、被濡れ層の上にＰＶＤによりＣｕ層を形成することと、Ｃｕ層を形成した後、シリコン基板を加熱してＣｕ層を流動させ、トレンチ内にＣｕを流し込むこととを有する。
摘要翻译：提供了一种形成Cu布线的方法，其具有制备具有硅衬底的结构的步骤，在衬底上具有沟槽的Low-k膜和膜上的阻挡层; 通过使用要被Cu润湿的金属材料通过CVD形成待润湿层的步骤; 在待润湿的层上通过PVD形成Cu层的步骤; 以及在形成Cu层之后加热硅衬底以使Cu层流动并使Cu流入沟槽的步骤。

5. 发明申请

WO1996002939A1 METHOD OF INTRODUCING MATERIAL IN HOLES 审中-公开
标题翻译：介绍材料的方法
公开(公告)号：WO1996002939A1
公开(公告)日：1996-02-01
申请号：PCT/GB1995001569
申请日：1995-07-05
申请人： ELECTROTECH LIMITED , McGEOWN, Arthur, John
发明人： ELECTROTECH LIMITED
IPC分类号： H01L21/321
CPC分类号： H01L21/76846 , H01L21/76819 , H01L21/76843 , H01L21/76882 , H05K3/4084 , H05K2201/0355 , H05K2203/0278 , H05K2203/1105
摘要： A method of forming a layer (10) is sputtered onto an existing layer (2) in which is formed a hole or trench (3). The sputtered layer (10) builds up around the hole (3) but does not necessarily close it. A body (20) is applied against the layer (10) to force material from the layer (10) into the hole (3) to fill it.
摘要翻译：将形成层（10）的方法溅射到形成有孔或沟槽（3）的现有层（2）上。溅射层（10）围绕孔（3）积聚，但不一定关闭。将主体（20）施加到层（10）上以迫使来自层（10）的材料进入孔（3）以将其填充。

6. 发明申请

WO1996002938A1 FILLING HOLES AND THE LIKE IN SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：填充孔和类似衬底
公开(公告)号：WO1996002938A1
公开(公告)日：1996-02-01
申请号：PCT/GB1995001572
申请日：1995-07-04
申请人： ELECTROTECH LIMITED , DOBSON, Christopher, David , McGEOWN, Arthur, John
发明人： ELECTROTECH LIMITED
IPC分类号： H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/76846 , H01L21/76819 , H01L21/76843 , H01L21/76882 , H05K3/4084 , H05K2201/0355 , H05K2203/0278 , H05K2203/1105
摘要： A method of filling holes (12) in a layer (11) on a semiconductor wafer (10) is described. An aluminium foil (13) is laid over the layer (11) to close off the holes (12). Elevated temperatures and pressures are then applied causing localised flow of aluminium into the holes. The foil (13) may be provided with a carrier layer (17) and a barrier or lubricating layer (14 to 16).
摘要翻译：描述了在半导体晶片（10）上的层（11）中填充孔（12）的方法。将铝箔（13）放置在层（11）上以封闭孔（12）。然后施加升高的温度和压力，导致铝进入孔的局部流动。箔（13）可以设置有载体层（17）和阻挡层或润滑层（14至16）。

7. 发明申请

WO1994024330A1 METHOD FOR PLANARIZATION OF SUBMICRON VIAS AND THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS 审中-公开
标题翻译：亚纳米线的平面化方法和半导体集成电路的制造
公开(公告)号：WO1994024330A1
公开(公告)日：1994-10-27
申请号：PCT/US1994003286
申请日：1994-03-25
申请人： MATERIALS RESEARCH CORPORATION
发明人： MATERIALS RESEARCH CORPORATION , HENDEL, Rudi , LEVINSTEIN, Hyman
IPC分类号： C23C14/00
CPC分类号： H01L21/76882 , C23C14/046 , H01L21/32115
摘要： Submicron vias (12-14) are filled by sputter deposition of a conductor such as aluminum (15) onto a substrate (11) such as silicon or silicon oxides. The aluminum film (15) is deposited at a first lower temperature and then the temperature is increased. The differential coefficient of thermal expansion of the substrate (11) relative to the metal (15) conductor forces the conductor to expand into the via (12-14). Maintaining an effective thickness (1+) and controlling the temperature increase from the first temperature to the second temperature, effectively and reliably fills submicron vias having aspect ratios up to 4. The present invention is particularly useful with filling vias having re-entrant angles up to 20 DEG .
摘要翻译：通过将诸如铝（15）的导体溅射沉积到诸如硅或氧化硅的衬底（11）上来填充亚微米通孔（12-14）。在第一较低温度下沉积铝膜（15），然后升高温度。衬底（11）相对于金属（15）导体的热膨胀的微分系数迫使导体膨胀到通孔（12-14）中。保持有效厚度（1+）并控制从第一温度到第二温度的温度升高，有效且可靠地填充纵横比高达4的亚微米通孔。本发明特别适用于填充具有重入角度的通孔至20度。

8. 发明申请

WO1994013008A2 FORMING A LAYER 审中-公开
标题翻译：形成一层
公开(公告)号：WO1994013008A2
公开(公告)日：1994-06-09
申请号：PCT/GB1993002359
申请日：1993-11-16
申请人： ELECTROTECH LIMITED , DOBSON, Christopher, David
发明人： ELECTROTECH LIMITED
IPC分类号： H01L0
CPC分类号： H01L21/67167 , H01L21/67207 , H01L21/76837 , H01L21/76882
摘要： The method comprises depositing a layer (10) of a material (10) on the surface of an article (1) such that the layer (10) covers the mouth of a recess (3) leaving a void below the closed mouth. Subsequently, without elevating their temperature, the article (1) and layer (10) are subjected to elevated pressures (e.g. pressurised liquid) sufficient to cause the layer (10) to deform into the recess (3). Furthermore, the invention provides a method for forming a layer on such a surface, using the technique of magnetron sputtering and heating the article to increase the mobility of the deposited material. Also provided is apparatus for use in carrying out these methods, which methods are of particular use in the processing of semiconductor wafers.
摘要翻译：该方法包括在物品（1）的表面上沉积材料（10）的层（10），使得层（10）覆盖凹口（3）的口，在封闭口下方留下空隙。随后，在不升高其温度的情况下，使物品（1）和层（10）承受足以使层（10）变形成凹部（3）的高压（例如加压液体）。此外，本发明提供了一种在这种表面上形成层的方法，使用磁控溅射技术和加热制品以增加沉积材料的迁移率。还提供了用于实施这些方法的装置，哪些方法在半导体晶片的处理中特别有用。

9. 发明申请

WO2018094329A1 METHODS TO SELECTIVELY DEPOSIT CORROSION-FREE METAL CONTACTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2018094329A1
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：PCT/US2017/062553
申请日：2017-11-20
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： XU, Yi , MA, Feiyue , LEI, Yu , DAITO, Kazuya , BANTHIA, Vikash , WU, Kai , WANG, Jenn Yue , CHANG, Mei
IPC分类号： H01L29/66 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/324
CPC分类号： H01L23/53209 , H01L21/02068 , H01L21/02074 , H01L21/28568 , H01L21/32053 , H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L21/7685 , H01L21/76864 , H01L21/76867 , H01L21/76877 , H01L21/76882 , H01L21/76883 , H01L21/76889 , H01L23/528 , H01L23/53266
摘要： Methods of forming a contact line comprising cleaning the surface of a cobalt film in a trench and forming a protective layer on the surface of the cobalt, the protective layer comprising one or more of a silicide or germide. Semiconductor devices with the contact lines are also disclosed.

10. 发明申请

WO2018035120A1 METHOD OF METAL FILLING RECESSED FEATURES IN A SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：金属填充基体中凹陷特征的方法
公开(公告)号：WO2018035120A1
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：PCT/US2017/046936
申请日：2017-08-15
申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED , TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC.
发明人： YU, Kai-Hung , TAPILY, Kandabara N. , LEUSINK, Gerrit J.
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/76882 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/06 , C23C16/16 , C23C16/45525 , C23C16/56 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L21/76883 , H01L21/76895 , H01L23/485 , H01L23/53242 , H01L23/53266 , H01L23/535
摘要： A method of void-less metal filling of recessed features in a substrate is provided. The method includes providing a substrate containing recessed features therein, and filling the recessed features with a metal, where the metal is deposited in the recessed features by gas phase deposition at substrate temperature and a gas pressure that promotes bottom-up void-less filling. According to one embodiment, the metal is selected from the group consisting of Ru, Rh, Os, Pd, Ir, Pt, Ni, Co, W, and a combination thereof.
摘要翻译：提供了一种在衬底中的凹陷特征的无空隙金属填充的方法。该方法包括提供其中包含凹陷结构的衬底，并且用金属填充凹陷结构，其中金属通过气相沉积在衬底温度和促进自底向上无空隙填充的气体压力下沉积在凹陷结构中。根据一个实施方案，金属选自由Ru，Rh，Os，Pd，Ir，Pt，Ni，Co，W及其组合组成的组。

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