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1. 发明申请

WO2009041397A1 原料ガスの供給システム及び成膜装置审中-公开
标题翻译：原始气体供应系统和电子装置
公开(公告)号：WO2009041397A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/JP2008/067118
申请日：2008-09-22
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 原正道 , 五味淳 , 前川伸次 , 山本薫 , 多賀敏
发明人：原正道 , 五味淳 , 前川伸次 , 山本薫 , 多賀敏
IPC分类号： C23C16/448 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/4481 , Y10T137/8158 , Y10T137/8376
摘要：　原料ガス供給システム６は、減圧雰囲気になされたガス使用系２に対して原料ガスを供給する。システムは、液体原料または固体原料を貯留する原料タンク４０と、原料タンクに一端が接続されガス使用系に他端が接続された原料通路４６と、原料タンク内へキャリアガスを供給するキャリアガス供給機構５４と、原料通路の途中に介設された開閉弁４８，５０と、原料通路および開閉弁を加熱するヒータ６４と、ヒータを制御する温度制御部９２と、を有する。原料通路および前記開閉弁は、良好な熱伝導性を有した金属材料を用いて、形成されている。
摘要翻译：设置有用于将原料气体供给到设置在减压气氛中的气体使用系统（2）的原料气体供给系统（6）。该系统包括用于储存液体材料或固体材料的材料罐（40），其一端连接到材料罐并且在另一端连接到气体使用系统的材料通道（46），载气供应机构（54），用于向所述材料罐的内部供给载气，设置在所述材料通道的中途的开/关阀（48和50），用于加热所述材料通道和所述通/断阀的加热器（64），以及用于控制加热器的温度控制单元（92）。材料通道和ON / OFF阀由具有优异导热性的金属材料形成。

2. 发明申请

WO2008117590A1 成膜方法および成膜装置审中-公开
标题翻译：形成薄膜和薄膜成型装置的方法
公开(公告)号：WO2008117590A1
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：PCT/JP2008/052757
申请日：2008-02-19
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 五味淳 , 水澤寧 , 波多野達夫 , 原正道 , 横山敦 , 多賀敏
发明人：五味淳 , 水澤寧 , 波多野達夫 , 原正道 , 横山敦 , 多賀敏
IPC分类号： C23C16/16
CPC分类号： C23C16/16 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/52 , H01J37/32449 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01L21/28562 , H01L21/76873
摘要：　被処理基板表面に金属カルボニル原料の気相分子を供給し、前記被処理基板表面近傍において分解させることにより、前記被処理基板表面に金属膜を堆積する成膜方法において、前記処理基板表面に金属層を堆積する際に、前記被処理基板の外周部に隣接する領域において前記金属カルボニル原料を優先的に分解させる工程を設け、前記被処理基板外周部近傍において、雰囲気中のＣＯ濃度を局所的に増大させ、前記外周部への金属膜の堆積を抑制する。
摘要翻译：一种形成膜的方法，包括将金属羰基材料的气相分子进料到待处理的基板的表面上并在待处理的基板的表面附近分解，以便在基板上沉积金属膜表面，其中在金属层沉积在待处理的基板的表面上时，提供了在与基板的周边部分相邻的区域中优选分解金属羰基材料的操作，从而在衬底的周边部分局部地增加大气的CO浓度，并抑制金属膜在周边部分上的沉积。

3. 发明申请

WO2009119147A1 成膜方法および成膜装置、コンピュータ可読記録媒体审中-公开
标题翻译：薄膜形成方法，薄膜形成装置和计算机可读记录介质
公开(公告)号：WO2009119147A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/JP2009/051088
申请日：2009-01-23
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 原正道 , 水澤寧 , 多賀敏 , 五味淳 , 波多野達夫
发明人：原正道 , 水澤寧 , 多賀敏 , 五味淳 , 波多野達夫
IPC分类号： H01L21/285 , C23C16/16
CPC分类号： C23C16/45559 , C23C16/16 , H01L21/28562
摘要：　成膜方法は、金属カルボニルを含む処理ガスと一酸化炭素を含むキャリアガスとを含む処理ガス流を、前記被処理基板表面を避けて、被処理基板の外周よりも径方向上外側の領域に流し、前記処理ガス流から前記金属カルボニルを前記被処理基板表面へ拡散させ、前記被処理基板表面に金属膜の成膜を行うことを特徴とする。
摘要翻译：本发明公开了一种成膜方法，其特征在于，含有含有含羰基金属的处理气体和含一氧化碳的载气的处理气流流入基板的外周的上侧的区域，为在衬底的直径方向处理，同时避免衬底的表面并将金属羰基从处理气流扩散到衬底的表面中，以在衬底的表面上形成金属膜。

4. 发明申请

WO2009054268A1 Ｃｕ配線の形成方法审中-公开
标题翻译：形成铜线的方法
公开(公告)号：WO2009054268A1
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：PCT/JP2008/068290
申请日：2008-10-08
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 波多野達夫 , 五味淳 , 水澤寧 , 原正道 , 佐久間隆
发明人：波多野達夫 , 五味淳 , 水澤寧 , 原正道 , 佐久間隆
IPC分类号： H01L21/3205 , C23C14/14 , H01L21/285 , H01L21/288 , H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/485 , H01L21/2855 , H01L21/76846 , H01L21/76882 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　Ｃｕ配線の形成方法は、シリコン基板、その上のトレンチを有するＬｏｗ－ｋ膜、およびその上のバリア層とを有する構造体を準備することと、バリア層の上にＣＶＤによりＣｕが濡れる金属材料で構成された被濡れ層を形成することと、被濡れ層の上にＰＶＤによりＣｕ層を形成することと、Ｃｕ層を形成した後、シリコン基板を加熱してＣｕ層を流動させ、トレンチ内にＣｕを流し込むこととを有する。
摘要翻译：提供了一种形成Cu布线的方法，其具有制备具有硅衬底的结构的步骤，在衬底上具有沟槽的Low-k膜和膜上的阻挡层; 通过使用要被Cu润湿的金属材料通过CVD形成待润湿层的步骤; 在待润湿的层上通过PVD形成Cu层的步骤; 以及在形成Cu层之后加热硅衬底以使Cu层流动并使Cu流入沟槽的步骤。

5. 发明申请

WO2009034893A1 基板載置機構、基板処理装置、基板載置機構上への膜堆積抑制方法及び記憶媒体审中-公开
标题翻译：基板放置机构，基板处理装置，用于抑制基板放置机构上的膜沉积的方法和存储介质
公开(公告)号：WO2009034893A1
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/JP2008/065874
申请日：2008-09-03
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 原正道 , 五味淳 , 前川伸次 , 多賀敏 , 山本薫
发明人：原正道 , 五味淳 , 前川伸次 , 多賀敏 , 山本薫
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4586 , H01L21/67103 , H01L21/67109
摘要：　被処理基板が載置される基板載置機構であって、被処理基板載置面２１ａを有し、被処理基板Ｗを、膜が堆積される成膜温度に加熱する加熱体２１ｂが埋設されたヒータープレート２１と、少なくともヒータープレート２１の被処理基板載置面２１ａ以外の表面を覆うように形成され、温度が成膜温度未満の非成膜温度とされる温調ジャケット２２と、を具備する。
摘要翻译：提供了一种基板放置机构，由此放置待处理的基板。基板放置机构设置有加热板（21），该加热板具有表面（21a），其中放置有待加工的基板（W），并且具有嵌入其中的加热体（21b），用于将基板加热成膜沉积膜的温度。衬底放置机构还设置有温度调节护套（22），其形成为覆盖加热器板（21）的除了衬底放置表面（21a）的表面之外的至少一个表面，并将温度调节为非成膜温度低于成膜温度。

6. 发明申请

WO2009034869A1 真空処理システムおよび基板搬送方法审中-公开
标题翻译：真空处理系统和基板传输方法
公开(公告)号：WO2009034869A1
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/JP2008/065672
申请日：2008-09-01
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 宮下哲也 , 平田俊治 , 原正道
发明人：宮下哲也 , 平田俊治 , 原正道
IPC分类号： C23C14/56 , C23C16/44 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67184 , C23C14/566 , C23C16/4401 , C23C16/54 , H01L21/67196
摘要：　真空処理システム（１）は、ウエハＷを搬送する第１の搬送室（１１）にＰＶＤ処理チャンバ（１２～１５）を接続してなる第１の処理部（２）と、ウエハを搬送する第２の搬送室（２１）にＣＶＤ処理チャンバ（２２，２３）を接続してなる第２の処理部（３）と、第１の搬送室（１１）および第２の搬送室（１２）の間にゲートバルブ（Ｇ）を介して設けられ、ウエハ（Ｗ）を収容し、かつ圧力調整可能なバッファ室（５ａ）と、バッファ室（５ａ）が第１の搬送室（１１）および第２の搬送室（１２）のいずれか一方に対して選択的に連通し、その内部の圧力が連通した搬送室内の圧力と適合するようにゲートバルブ（Ｇ）の開閉およびバッファ室（５ａ）の圧力を制御する制御部（１１０）とを具備する。
摘要翻译：真空处理系统（1）设置有第一处理部分（2），其中PVC处理室（12-15）连接到待传送晶片（W）的第一传送室（11）; 第二处理部（3），其中CVD处理室（22,23）连接到待转印晶片的第二处理室（21）; 通过闸阀（G）布置在第一传送室（11）和第二传送室（12）之间的缓冲室（5a）存储晶片（W），并且能够调节其中的压力; 以及用于控制闸阀（G）的打开/关闭和缓冲室（5a）中的压力的控制部分（110），使得缓冲室（5a）选择性地与第一传送室（11）或第二传送室（12），并且内部压力与连通传送室内的压力匹配。

7. 发明申请

WO2009034895A1 基板載置機構及び基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板放置机构和基板处理装置
公开(公告)号：WO2009034895A1
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/JP2008/065877
申请日：2008-09-03
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 原正道 , 五味淳 , 前川伸次 , 多賀敏
发明人：原正道 , 五味淳 , 前川伸次 , 多賀敏
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4586 , C23C16/4401 , C23C16/46 , H01L21/67103 , H01L21/68742
摘要：　被処理基板が載置される基板載置機構であって、被処理基板載置面２１ａを有し、被処理基板Ｗを、膜が堆積される成膜温度に加熱する加熱体が埋設され、広径部９４ｂと狭径部９４ａとを有する第１のリフトピン挿通孔８１ａを備えたヒータープレート２１と、少なくとも被処理基板載置面２１ａ以外の表面を覆うように形成され、温度が成膜温度未満の非成膜温度とされ、広径部９２ｂと狭径部９２ａとを有する第２のリフトピン挿通孔８１ｃを備えた温調ジャケットと、広径部９４ｂに挿通可能な蓋部９３ｂと、広径部９４ｂ及び狭径部９４ａの双方に挿通可能な軸部９３ａとを備えた第１のリフトピン２４ｂ－１と、広径部９２ｂに挿通可能な蓋部９１ｂと、広径部９２ｂ及び狭径部９２ａの双方に挿通可能な軸部９１ａとを備えた第２のリフトピン２４ｂ－２とを具備する。
摘要翻译：提供了要放置待处理的基板的基板放置机构。基板放置机构设置有加热板（21），其具有要被放置的待加工基板的表面（21a），用于将待加工的基板（W）加热成膜成形的嵌入式加热体可以沉积膜的温度和具有大直径部分（94b）和小直径部分（94a）的第一提升插入孔（81a）; 形成为至少覆盖表面（21a）以外的表面的温度调节护套处于低于成膜温度的非成膜温度，具有大直径部分的第二提升销插入孔（81c）（92b）和小直径部分（92a）; 具有可插入大直径部分（94b）中的盖部分（93b）的第一提升销（24b-1）和可插入大直径部分（94b）的轴部分（93a）和小直径部分（94a）; 具有可插入大直径部分（92b）中的盖部分（91b）的第二提升销（24b-2）和可插入大直径部分（92b）的轴部分（91a））和小直径部（92a）。

8. 发明申请

WO2009034822A1 基板処理装置、基板処理装置の汚染抑制方法及び記憶媒体审中-公开
标题翻译：基板加工装置，用于抑制基板加工装置的污染的方法和储存介质
公开(公告)号：WO2009034822A1
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/JP2008/064981
申请日：2008-08-22
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 宮下哲也 , 平田俊治 , 原正道
发明人：宮下哲也 , 平田俊治 , 原正道
IPC分类号： H01L21/677 , C23C14/56 , C23C16/44 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67196 , C23C14/566 , C23C16/4401 , C23C16/54 , H01L21/67109 , H01L21/67184
摘要：　被処理基板に対して処理を行う基板処理装置であって、被処理基板に対して処理を行う処理チャンバ２２及び２３と、処理チャンバ２２及び２３に接続され、内部が処理チャンバ２２及び２３の処理圧力と適合した圧力に調整可能な搬送室２１と、搬送室２１内に設けられ、被処理基板を処理チャンバ２２及び２３に対して搬入出する搬送機構２６と、搬送室２１内を、この搬送室２１内に処理チャンバ２２及び２３からの放出物が付着しない温度に加熱する加熱機構７１と、搬送室２１内を排気する排気機構５４と、を具備する。
摘要翻译：提供一种用于处理待处理的基板的基板处理装置。基板处理装置设置有用于处理待处理基板的处理室（22,23）传送室（21），其连接到处理室（22,23），其内部压力可调节以适用于处理室（22,23）内的处理压力; 传送机构（26），布置在所述传送室（21）中，用于将所述基板输入/取出所述处理室（22,23）; 用于在所述传送室（21）内加热至来自所述处理室（22,23）的排出物不粘附在所述传送室（21）内的温度的加热机构（71）。以及用于排出传送室（21）内部的排气机构（54）。

9. 发明申请

WO2008123309A1 ガス供給方法及びガス供給装置审中-公开
标题翻译：气体供应方法和气体供应装置
公开(公告)号：WO2008123309A1
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：PCT/JP2008/055747
申请日：2008-03-26
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 原正道 , 五味淳 , 横山敦 , 田中利昌 , 前川伸次 , 多賀敏
发明人：原正道 , 五味淳 , 横山敦 , 田中利昌 , 前川伸次 , 多賀敏
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/4481 , C23C16/52
摘要：　本発明は、原料容器内の固体原料を加熱して気化させた原料ガスを消費区域に供給するガス供給方法において、消費区域に連通する処理ガス供給路にキャリアガスを通流させると共に、当該処理ガス供給路内のガス圧力を測定する工程（ａ）と、前記原料容器内の固体原料を加熱して、原料ガスを発生させる工程（ｂ）と、前記工程（ａ）と同じ流量のキャリアガスを前記原料容器内に供給して、このキャリアガスと共に前記原料ガスを前記処理ガス供給路に通流させながら当該処理ガス供給路内のガス圧力を測定する工程（ｃ）と、前記工程（ａ）で取得した圧力測定値と、前記工程（ｃ）で取得した圧力測定値と、キャリアガスの流量と、に基づいて、前記原料ガスの流量を演算する工程（ｄ）と、を備えたことを特徴とするガス供給方法である。
摘要翻译：将原料容器内的固体原料加热蒸发以产生供给到消耗区域的原料气体的气体供给方法。气体供给方法具有使载气流入与消耗区域连通的处理气体供给路径并测量处理气体供给路径中的气体压力的步骤（a）（b）加热包含在原料容器中的固体原料以生产原料气体; 将与步骤（a）中的载气相同流量的载气供给到原料容器并测量处理气体供给路径中的气体压力同时使原料气体与载体一起的步骤（c）气体流到处理气体供应路径; 以及步骤（d），其基于步骤（a）中获得的压力测量值，步骤（c）中获得的压力测量值和载气的流量来计算原料气体的流量。

10. 发明申请

WO2008117582A1 カルボニル原料を使った金属膜の成膜方法、多層配線構造の形成方法、半導体装置の製造方法、成膜装置审中-公开
标题翻译：使用碳材料形成金属膜的方法，形成多层布线结构的方法，制造半导体器件的方法和薄膜形成装置
公开(公告)号：WO2008117582A1
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：PCT/JP2008/052459
申请日：2008-02-14
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 原正道 , 波多野達夫
发明人：原正道 , 波多野達夫
IPC分类号： H01L21/285 , C23C16/16 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/53238 , C23C16/16 , C23C16/45523 , H01L21/28562 , H01L21/76807 , H01L21/76846 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　成膜方法は、被処理基板表面に金属元素のカルボニル原料を気相分子の形で、前記気相分子の分解を抑制する気相成分と共に、前記気相成分の分圧を、前記カルボニル気相原料分子の分解が抑制される第１の分圧に設定して供給する第１の工程と、前記被処理基板表面において前記気相成分の分圧を、前記カルボニル原料の分解が生じる第２の分圧に変化させ、前記被処理基板表面に前記金属元素を堆積させる第２の工程と、よりなることを特徴とする。
摘要翻译：本发明提供一种成膜方法，其特征在于包括：将气相分子形式的金属元素的羰基材料与能够抑制气相分子分解的气相成分一起供给到在将气相成分的分压设定为能够抑制羰基气相材料分子的分解的第一分压的状态下，使对象基板的表面成为第二工序，将目标基板表面上的气相成分分解成第二分压，使第二分压使羰基材料分解，从而将金属元素沉积到目标基板的表面上。

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