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1. 发明申请

WO2014206117A1 降低二维晶体材料接触电阻的方法和设置审中-公开
公开(公告)号：WO2014206117A1
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：PCT/CN2014/073586
申请日：2014-03-18
申请人：中国科学院微电子研究所
发明人：贾昆鹏 , 粟雅娟 , 朱慧珑 , 赵超
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/027
CPC分类号： H01L29/1606 , H01L21/0415 , H01L21/043 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L21/283 , H01L21/28512 , H01L21/28568 , H01L21/324 , H01L21/426 , H01L21/441 , H01L21/477 , H01L29/16 , H01L29/167 , H01L29/24 , H01L29/45
摘要：提供了一种降低二维晶体材料接触电阻的方法和设置。一示例方法可以包括：在二维晶体材料层上形成接触材料层；进行离子注入；以及进行热退火。

2. 发明申请

WO2015087439A1 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2015087439A1
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：PCT/JP2013/083458
申请日：2013-12-13
申请人：三菱電機株式会社
发明人：川瀬　祐介 , 金田　和徳 , 湊　忠玄
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L21/0415 , H01L21/26513 , H01L21/324 , H01L29/0821 , H01L29/0847 , H01L29/167 , H01L29/66333
摘要：　第１主面と第２主面とを有する半導体基板の該第２主面に、加速エネルギの異なる複数回のイオン注入で第１導電型不純物を注入し、該半導体基板に第１不純物領域を形成する第１工程と、該第２主面に、該複数回のイオン注入よりも低い加速エネルギで第２導電型不純物をイオン注入し、該半導体基板に、該第１不純物領域との間に不純物が注入されない無注入領域を残すように第２不純物領域を形成する第２工程と、該第１導電型不純物でバッファ層を形成し、該第２導電型不純物でコレクタ層を形成し、該バッファ層と該コレクタ層の間に該第１導電型不純物と該第２導電型不純物が拡散しない無拡散領域を残すように該半導体基板に熱処理を施す熱処理工程と、該コレクタ層に接するコレクタ電極を形成する工程と、を備える。
摘要翻译：在本发明中，提供以下：第一步骤，其中在具有第一主表面的半导体衬底的第二主表面中注入使用不同加速能量的多次离子注入的第一导电类型杂质，从而在半导体衬底中形成第一杂质区; 第二步骤，其中使用比多个离子注入低的加速能量将第二导电类型杂质注入第二主表面，从而在半导体衬底中形成第二杂质区域，使得在第一杂质区域和第二杂质区域保留了不注入杂质的非注入区域; 使用第一导电型杂质形成缓冲层的热处理步骤，使用第二导电型杂质形成集电极层，并对半导体基板进行热处理，使得非扩散区域其中第一导电类型杂质和第二导电类型杂质不扩散在缓冲层和集电层之间; 并且形成与集电体层接触的集电极的步骤。

3. 发明申请

WO2013103929A1 DIAMOND SEMICONDUCTOR SYSTEM AND METHOD 审中-公开
标题翻译：金刚石半导体系统和方法
公开(公告)号：WO2013103929A1
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：PCT/US2013/020433
申请日：2013-01-06
申请人： AKHAN TECHNOLOGIES, INC.
发明人： KHAN, Adam
IPC分类号： C30B29/04 , C30B31/00 , H01L29/00
CPC分类号： H01L21/0415 , H01L21/02085 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02444 , H01L21/02488 , H01L21/02527 , H01L21/02573 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/043 , H01L21/2053 , H01L21/3065 , H01L29/06 , H01L29/1602 , H01L29/1606 , H01L29/6603 , H01L29/66045 , H01L29/7781 , H01L29/78 , H01L29/868 , H01L31/028 , H01L33/005 , H01L33/34 , Y02E10/547
摘要： Disclosed herein is a new and improved system and method (1200) for fabricating monolithically integrated diamond semiconductor. The method may include the steps of seeding the surface of a substrate material (1204), forming a diamond layer upon the surface of the substrate material (1206); and forming a semiconductor layer within the diamond layer (1208), wherein the diamond semiconductor of the semiconductor layer has n-type donor atoms (306) and a diamond lattice (304), wherein at least.16% of the donor atoms (306) contribute conduction electrons with mobility greater than 770 cm 2 /Vs to the diamond lattice (304) at 100 kPa and 300K.
摘要翻译：本文公开了一种用于制造单片集成金刚石半导体的新的和改进的系统和方法（1200）。该方法可以包括以下步骤：将衬底材料（1204）的表面接合，在衬底材料（1206）的表面上形成金刚石层; 以及在所述金刚石层（1208）内形成半导体层，其中所述半导体层的所述金刚石半导体具有n型施主原子（306）和金刚石晶格（304），其中至少16％的所述施主原子）在100kPa和300K下向金刚石晶格（304）贡献具有大于770cm 2 / Vs的迁移率的传导电子。

4. 发明申请

WO01059817A1 METHOD FOR TREATING A DIAMOND SURFACE AND CORRESPONDING DIAMOND SURFACE 审中-公开
标题翻译：用于处理金刚石表面和相应的金刚石表面的方法
公开(公告)号：WO01059817A1
公开(公告)日：2001-08-16
申请号：PCT/FR2001/000360
申请日：2001-02-07
IPC分类号： C30B29/04 , C30B33/04 , H01J9/02 , H01L21/04 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/0415 , H01L21/043 , Y10T428/24917 , Y10T428/30 , Y10T428/31678
摘要： The invention concerns a method for treating a surface and a corresponding diamond surface (5A). The method consists in producing ions each having at least three positive charges and in emitting a beam of said ions towards a diamond surface, so as to make at least one surface zone conductive under the effect of the ions. Advantageously, conductive islands (6) are thus formed having a diameter less than 150 nm, which are then preferably used as reservoir for an electron (having a diameter less than 10 nm) or as reservoirs for re-powering cold cathodes. The invention is applicable to microelectronics and for making cold cathodes.
摘要翻译：本发明涉及一种用于处理表面和相应的金刚石表面（5A）的方法。该方法包括产生各自具有至少三个正电荷的离子并且将所述离子的束发射到金刚石表面，以使至少一个表面区在离子的作用下导电。有利地，导电岛（6）因此形成为具有小于150nm的直径，然后优选用作电子（具有小于10nm的直径）的储存器，或用作为冷阴极重新供电的储存器。本发明适用于微电子学和制造冷阴极。

5. 发明申请

WO2013019435A1 DIAMOND SEMICONDUCTOR SYSTEM AND METHOD 审中-公开
标题翻译：金刚石半导体系统和方法
公开(公告)号：WO2013019435A1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/US2012/047673
申请日：2012-07-20
申请人： AKHAN TECHNOLOGIES, INC. , KHAN, Adam
发明人： KHAN, Adam
IPC分类号： C30B29/04 , C30B31/00
CPC分类号： H01L21/0405 , H01L21/0415 , H01L21/22 , H01L29/1602 , H01L29/6603 , H01L29/868 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Disclosed herein is a new and improved system and method for fabricating diamond semiconductors. The system may include a diamond material (200) having n-type donor atoms (306) and a diamond lattice (304), wherein.16% of the donor atoms (306) contribute conduction electrons with mobility greater than 770 cm2/Vs to the diamond lattice (304) at 100 kPa and 300K. The method (100) of fabricating diamond semiconductors may include the steps of selecting a diamond material (200) having a diamond lattice (304); introducing a minimal amount of acceptor dopant atoms to the diamond lattice (304) to create ion tracks; introducing substitutional dopant atoms to the diamond lattice (304) through the ion tracks; and annealing the diamond lattice (304).
摘要翻译：本文公开了一种用于制造金刚石半导体的新的和改进的系统和方法。该系统可以包括具有n型供体原子（306）和金刚石晶格（304）的金刚石材料（200），其中16％的供体原子（306）贡献具有大于770cm 2 / Vs的迁移率的传导电子，金刚石晶格（304）在100kPa和300K。制造金刚石半导体的方法（100）可包括选择具有金刚石晶格（304）的金刚石材料（200）的步骤。将最少量的受主掺杂剂原子引入金刚石晶格（304）以产生离子轨道; 通过离子轨迹将取代的掺杂剂原子引入金刚石晶格（304）; 并退火金刚石晶格（304）。

6. 发明申请

WO2012157679A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2012157679A1
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：PCT/JP2012/062532
申请日：2012-05-16
申请人：ローム株式会社 , 明田正俊 , 横辻悠太
发明人：明田　正俊 , 横辻　悠太
IPC分类号： H01L29/47 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/063 , H01L21/0415 , H01L21/046 , H01L21/26546 , H01L29/0611 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/08 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/36 , H01L29/66143 , H01L29/66212 , H01L29/872
摘要：　本発明の半導体装置は、ワイドバンドギャップ半導体からなる半導体層と、前記半導体層の表面に接しているショットキー電極とを含み、前記半導体層は、前記半導体層の前記表面を形成するドリフト層と、前記ドリフト層の表層部に形成され、前記ドリフト層よりも高い抵抗を有する高抵抗層とを含み、前記高抵抗層は、前記半導体層の前記表面から不純物イオンを注入した後、１５００℃未満のアニール処理をすることによって形成される。
摘要翻译：该半导体器件包括包括宽带隙半导体的半导体层和与半导体层的表面接触的肖特基电极。半导体层包括：形成半导体层表面的漂移层; 以及形成在漂移层的表层部分上并具有比漂移层更高的电阻的高电阻层。通过从半导体层的表面注入杂质离子，然后在低于1500℃的退火处理形成高电阻层。

7. 发明申请

WO2006076354A2 DIAMOND MEDICAL DEVICES 审中-公开
标题翻译：金刚石医疗器械
公开(公告)号：WO2006076354A2
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：PCT/US2006/000808
申请日：2006-01-11
申请人： APOLLO DIAMOND, INC. , LINARES, Robert, C. , DOERING, Patrick, J. , LINARES, Bryant , GENIS, Alfred, R. , DROMESHAUSER, William, W.
发明人： LINARES, Robert, C. , DOERING, Patrick, J. , LINARES, Bryant , GENIS, Alfred, R. , DROMESHAUSER, William, W.
IPC分类号： H01L21/203 , B81B1/00 , B81C1/00 , C30B25/02
CPC分类号： C30B31/22 , B81C1/00047 , H01L21/0415 , H01L21/042
摘要： Masked and controlled ion implants, coupled with annealing or etching are used in CVD formed single crystal diamond to create structures for both optical applications, nanoelectromechanical device formation, and medical device formation. Ion implantation is employed to deliver one or more atomic species into and beneath the diamond growth surface in order to form an implanted layer with a peak concentration of atoms at a predetermined depth beneath the diamond growth surface. The composition is heated in a non-oxidizing environment under suitable conditions to cause separation of the diamond proximate the implanted layer. Further ion implants may be used in released structures to straighten or curve them as desired. Boron doping may also be utilized to create conductive diamond structures.
摘要翻译：在CVD形成的单晶金刚石中使用掩蔽和控制的离子植入物，与退火或蚀刻相结合，以产生用于光学应用，纳米机电装置形成和医疗装置形成的结构。使用离子注入将一种或多种原子物质输送到金刚石生长表面中和其下方，以便在金刚石生长表面下方的预定深度处形成具有原子峰值浓度的注入层。在合适的条件下，在非氧化环境中加热组合物，使金刚石在植入层附近分离。另外的离子植入物可以用于释放的结构中，以根据需要矫直或曲线。也可以利用硼掺杂来形成导电金刚石结构。

8. 发明申请

WO1997007534A1 A PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SHALLOWLY DOPED REGIONS USING DOPANT COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OF HIGH SOLID SOLUBILITY 审中-公开
标题翻译：一种使用含有高固体溶解性元素的掺杂化合物制备具有较低掺杂区域的半导体器件的方法
公开(公告)号：WO1997007534A1
公开(公告)日：1997-02-27
申请号：PCT/US1996000732
申请日：1996-01-19
申请人： ADVANCED MATERIAL ENGINEERING RESEARCH , LING, Peiching , TIEN, Tien
发明人： ADVANCED MATERIAL ENGINEERING RESEARCH
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/26506 , C23C14/48 , H01J2237/08 , H01J2237/31701 , H01L21/0415 , H01L21/2236 , H01L21/26513 , H01L21/2656 , H01L21/2658 , H01L29/0847 , H01L29/167 , H01L29/6659 , H01L29/7833
摘要： A method for manufacturing shallowly doped semiconductor devices (10, 12). In the preferred embodiment, the method includes the steps of: (a) providing a substrate (21) where the substrate material is represented by the symbol Es (element of the substrate); and (b) implanting the substrate (21) with an ion compound represented by the symbol ElxEdy, where El represents an element having high solubility in the substrate material with minimal detrimental chemical or electrical effects and can be the same element as the substrate element, Ed (dopant element) represents an element which is an electron acceptor or donor having high solubility limit in the substrate material, and x and y indicate the number of respective El and Ed atoms in the ion compound.
摘要翻译：一种制造浅掺杂半导体器件（10,12）的方法。在优选实施例中，该方法包括以下步骤：（a）提供衬底（21），其中衬底材料由符号Es（衬底的元件）表示; 和（b）用由符号ElxEdy表示的离子化合物注入衬底（21），其中E1表示在衬底材料中具有高溶解度的元素，具有最小的不利的化学或电学效应，并且可以是与衬底元件相同的元件， Ed（掺杂剂元素）表示作为在基板材料中具有高溶解度极限的电子受体或供体的元素，x和y表示离子化合物中各自的El和Ed原子的数量。

9. 发明申请

WO2015098237A1 縦型半導体装置审中-公开
标题翻译：垂直型半导体器件
公开(公告)号：WO2015098237A1
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：PCT/JP2014/077090
申请日：2014-10-09
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：青井　佐智子 , 渡辺　行彦 , 斎藤　順 , 鈴木　巨裕
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/0623 , H01L21/0415 , H01L29/0619 , H01L29/063 , H01L29/0634 , H01L29/0638 , H01L29/66068 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813
摘要：【課題】半導体装置２の周辺領域６の耐圧を高める。【解決手段】周辺領域６では、半導体基板の表面に臨む位置に、リサーフ領域３２とガードリング３０・・を形成し、さらにドリフト領域１４の中間深さにドリフト領域１４と反対導電型のフローティング領域４０を形成する。フローティング領域４０は、最内周のガードリング３０ａより内側の位置から半導体基板の外周８に向けて連続的に延びている。リサーフ領域３２とドリフト領域１４の界面から空乏層が広がるとともにドリフト領域１４とフローティング領域４０の界面からも空乏層が広がり、周辺領域６での耐圧が向上する。
摘要翻译： [问题]提高半导体器件（2）的周边区域（6）的电压公差。在周边区域（6）中，在与半导体基板的表面相对的位置形成有减小的表面场区域（32），保护环（30）等。在漂移区域（14）的中间深度处，形成有具有与漂移区域（14）相反的导电类型的浮动区域（40）。浮动区域（40）从最内圆周保护环（30a）向内朝向半导体衬底的外圆周（8）连续延伸。耗尽层从减小的表面场区域（32）和漂移区域（14）之间的边界延伸，并且耗尽层从漂移区域（14）和浮动区域（40）之间的边界延伸。由于这种结构，外围区域（6）的电压公差提高。

10. 发明申请

WO2014199614A1 ＳｉＣ半導体素子の製造方法审中-公开
标题翻译：制造硅碳化硅半导体元件的方法
公开(公告)号：WO2014199614A1
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：PCT/JP2014/003048
申请日：2014-06-06
申请人：学校法人関西学院
发明人：金子　忠昭 , 大谷　昇 , 萩原　健太
IPC分类号： H01L21/28 , C30B19/12 , C30B25/20 , C30B29/36 , C30B31/22 , C30B33/12 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/265 , H01L21/302 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02529 , C30B29/36 , C30B31/22 , H01L21/02019 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/0262 , H01L21/02623 , H01L21/02658 , H01L21/0415 , H01L21/046 , H01L21/0475 , H01L21/0485 , H01L21/049 , H01L21/302 , H01L21/30625 , H01L21/3065 , H01L21/324 , H01L21/67109 , H01L21/67757 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L29/045 , H01L29/1608
摘要：　この半導体素子の製造方法では、基板（７０）に機械的研磨を行うことで生じた変質層を、当該基板（７０）をＳｉ蒸気圧下で加熱することで除去する。その後、エピタキシャル層形成工程、イオン注入工程、イオン活性化工程、及び第２除去工程を行う。第２除去工程では、イオン活性化工程が行われた基板（７０）の表面のイオン注入不足部分、及び、マクロステップバンチングを、当該基板（７０）をＳｉ蒸気圧下で加熱することで除去する。その後、基板（７０）に電極を形成する電極形成工程を行う。
摘要翻译：在该半导体元件的制造方法中，通过在硅蒸汽压力的存在下加热所述基板（70）来除去对基板（70）进行机械研磨而制造的改性层。然后进行外延层形成步骤，离子注入步骤，离子激活步骤和第二去除步骤。在第二去除步骤中，在离子激活步骤之后，通过在硅蒸汽压力的存在下加热衬底（70）来去除衬底（70）的表面的宏步骤聚束和离子注入缺陷部分。之后，进行在基板（70）上形成电极的电极形成工序。

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