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1. 发明申请

WO2012148370A1 SUBSTANTIALLY NON-OXIDIZING PLASMA TREATMENT DEVICES AND PROCESSES 审中-公开
标题翻译：主要的非氧化等离子体处理装置和工艺
公开(公告)号：WO2012148370A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/US2011/000733
申请日：2011-04-27
申请人： AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. , WALDFRIED, Carlo , GEISSBUHLER, Phillip , BERRY, Ivan , LUO, Shijian , HUSEUNOVIC, Armin
发明人： WALDFRIED, Carlo , GEISSBUHLER, Phillip , BERRY, Ivan , LUO, Shijian , HUSEUNOVIC, Armin
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01L21/31138 , H01J37/32357 , H01J37/32477 , H01J37/32504 , H01J37/32844 , H01J37/32935 , Y02C20/30 , Y02P70/605
摘要： Non-oxidizing plasma treatment devices for treating a semiconductor workpiece generally include a substantially non-oxidizing gas source; a plasma generating component in fluid communication with the non-oxidizing gas source; a process chamber in fluid communication with the plasma generating component, and an exhaust conduit centrally located in a bottom wall of the process chamber. In one embodiment, the process chamber is formed of an aluminum alloy containing less than 0.15% copper by weight; In other embodiments, the process chamber includes a coating of a non-copper containing material to prevent formation of copper hydride during processing with substantially non-oxidizing plasma. In still other embodiments, the process chamber walls are configured to be heated during plasma processing. Also disclosed are non- oxidizing plasma processes.
摘要翻译：用于处理半导体工件的非氧化等离子体处理装置通常包括基本上非氧化气体源; 与非氧化性气体源流体连通的等离子体产生部件; 与等离子体产生部件流体连通的处理室和位于处理室的底壁中心的排气导管。在一个实施例中，处理室由含有少于0.15重量％铜的铝合金形成; 在其它实施方案中，处理室包括不含铜的材料的涂层，以防止在基本上非氧化等离子体的处理期间形成氢化铜。在其它实施例中，处理室壁构造成在等离子体处理期间被加热。还公开了非氧化等离子体工艺。

2. 发明申请

WO1991017562A1 PLASMA REACTION CHAMBER HAVING CONDUCTIVE DIAMOND-COATED SURFACES 审中-公开
标题翻译：具有导电金刚石涂层表面的等离子体反应室
公开(公告)号：WO1991017562A1
公开(公告)日：1991-11-14
申请号：PCT/US1990005767
申请日：1990-10-09
申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , DOWNEY, Douglas, John , LIPORACE, James, William
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： C23C16/27 , C23C14/0611 , C23C14/564 , C23C16/278 , C23C16/4404 , H01J37/32504 , H01J2237/3341
摘要： A reactive ion etching chamber is disclosed having conductive diamond-coated wall surfaces (1, 2) to prevent the undesired sputtering of wall particles which can contaminate semiconductor device workpieces undergoing etching within the chamber. The diamond layer is conductive to enable the coated chamber walls to be used as an electrical ground in the reactive ion etching process.
摘要翻译：公开了具有导电金刚石涂覆的壁表面（1,2）的反应离子蚀刻室，以防止可能污染在室内经历蚀刻的半导体器件工件的壁颗粒的不期望的溅射。金刚石层是导电的，以使涂覆的室壁能用作反应离子蚀刻工艺中的电接地。

3. 发明申请

WO2010143525A1 プラズマ処理装置及び方法审中-公开
标题翻译：等离子体加工设备和等离子体处理方法
公开(公告)号：WO2010143525A1
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：PCT/JP2010/058734
申请日：2010-05-24
申请人：三菱重工業株式会社 , 松田竜一 , 吉田和人 , 河野雄一
发明人：松田　竜一 , 吉田　和人 , 河野　雄一
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32577 , C23C16/4404 , C23C16/50 , H01J37/32467 , H01J37/32504 , Y10S156/916
摘要：　真空容器の内部に設置した内筒の内部電位に起因するパーティクルを低減するプラズマ処理装置及び方法を提供する。そのため、金属製の真空チャンバ１１の内部に、表面をアルマイト処理したアルミニウムからなる内筒１５を有し、プラズマ拡散領域に基板を配置して、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、内筒１５の下端部に、真空チャンバ１１と点接触する複数の突起部１５ａを設けると共に、突起部１５ａの先端部１５ｂのアルマイト被覆１６を剥離して、真空チャンバ１１と電気的に導通させた。
摘要翻译：提供了一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，其中由于设置在真空容器内部的内筒的内部电位而产生的颗粒减少。等离子体处理装置在金属真空室（11）的内部，由表面氧化铝构成的内筒（15）在等离子体扩散区域内配置基板，进行等离子体处理。在内筒15的下端设有多个与真空室11相接触的突出部15a，每个的前端部15b的防蚀铝膜16，突出部分（15a）被移除，并且内筒和真空室（11）彼此电连接。

4. 发明申请

WO99003313A1 PLASMA PROCESSING APPARATUS 审中-公开
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：WO99003313A1
公开(公告)日：1999-01-21
申请号：PCT/GB1998/001802
申请日：1998-07-08
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32504 , H01J37/32862 , H01J2237/0266 , H05H1/46
摘要： A slotted conducting cylinder (11) surrounds a reactor chamber body (10) and is in turn surrounded by an antenna (12). The cylinder (11) can be grounded during normal operation of the plasma processing apparatus, but when RF driven it serves to enhance capacitive coupling with the plasma causing the inner surface (16) of the body (10) to become charged and hence the plasma will sputter clean the inner surface (16).
摘要翻译：开槽的导电圆筒（11）围绕反应室主体（10），并由天线（12）围绕。气缸（11）在等离子体处理装置的正常操作期间可以接地，但是当RF驱动时，其用于增强与等离子体的电容耦合，使得主体（10）的内表面（16）变得带电，因此等离子体将溅射清洁内表面（16）。

5. 发明申请

WO2011117945A1 スパッタリング装置及び電子デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：电子设备的溅射装置和制造方法
公开(公告)号：WO2011117945A1
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：PCT/JP2010/007140
申请日：2010-12-08
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 山口述夫 , 真下公子 , 長澤慎也
发明人：山口述夫 , 真下公子 , 長澤慎也
IPC分类号： C23C14/00 , H01L21/31
CPC分类号： C23C14/34 , C23C14/564 , H01J37/32477 , H01J37/32504 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/3447
摘要：　本発明の課題は、排気チャンバーへの堆積膜付着を防止し、パーティクルの発生を抑制することにある。スパッタリング装置１は、排気チャンバー８内に設けられ、退避状態のシャッター１９を収納するとともに、排気チャンバーに取り付け可能なシャッター収納部２３と、排気チャンバー８の排気口の少なくとも一部を覆い、シャッター収納部２３の開口部の周囲の少なくとも一部に形成されているシールド部材４０ａ、４０ｂと、を備える。
摘要翻译：公开了一种溅射装置，其阻止沉积膜粘附到排气室，并且抑制颗粒产生。溅射装置（1）设置有：可拆卸地设置在排气室（8）中并容纳闸门（19）的快门容纳单元（23）; 以及覆盖所述排气室（8）的排气出口的至少一部分并且形成在所述活门容纳单元（23）的所述开口的周围的至少一部分上的屏蔽构件（40a，40b）。

6. 发明申请

WO99010913A1 AN APPARATUS AND METHOD FOR ALLOWING A STABLE POWER TRANSMISSION INTO A PLASMA PROCESSING CHAMBER 审中-公开
标题翻译：用于允许稳定的电力传输到等离子体处理室的装置和方法
公开(公告)号：WO99010913A1
公开(公告)日：1999-03-04
申请号：PCT/US1998/016903
申请日：1998-08-14
IPC分类号： C23C14/54 , C23C16/505 , C23C16/511 , H01J37/32 , H01L21/302
CPC分类号： H01J37/32504
摘要： An assembly for allowing stable power transmission into a plasma processing chamber comprising a dielectric member; and at least one material deposition support assembly secured to the dielectric member for receiving and supporting the deposition of materials during processing of a substrate and a chamber having a controlled environment and containing a plasma of a processing gas. A plasma reactor for processing substrates having a reactor chamber including a chamber sidewall and a dielectric window supported by the chamber sidewall. A plurality of deposition support members is coupled to an inside surface of the dielectric window for receiving and supporting a deposition of materials during processing of substrates. In an alternative embodiment of the invention, the plurality of deposition support members is connected to a liner assembly instead of to the dielectric window. The liner assembly is supported by the chamber sidewall. A pedestal is disposed in the reactor chamber for supporting substrates, such as semiconductor wafers, in the reacting chamber. The plasma reactor also includes a processing power source, a processing power gas-introducing assembly for introducing processing gas into the reactor chamber, and a processing power-transmitting member for transmitting power into the reactor interior to aid in sustaining a plasma from the processing gas within the reacting chamber. A method for adjusting the density of plasma contained in a chamber wherein substrates are to be processed. A method of processing (e.g. etching or depositing) a metal layer disposed on a substrate.
摘要翻译：一种用于允许稳定的电力传输到包括电介质构件的等离子体处理室中的组件; 以及固定到电介质构件的至少一个材料沉积支撑组件，用于在衬底和具有受控环境的腔室的处理过程中接收和支撑材料的沉积并且包含处理气体的等离子体。一种用于处理基板的等离子体反应器，其具有包括室侧壁和由室侧壁支撑的电介质窗的反应室。多个沉积支撑构件联接到电介质窗口的内表面，用于在衬底的处理期间接收和支撑材料的沉积。在本发明的替代实施例中，多个沉积支撑构件连接到衬垫组件而不是电介质窗口。衬套组件由腔室侧壁支撑。基座设置在反应室中，用于在反应室中支撑诸如半导体晶片的衬底。等离子体反应器还包括处理电源，用于将处理气体引入反应室的处理能力气体引入组件和用于将动力传送到反应器内部以帮助维持来自处理气体的等离子体的处理能力传递部件在反应室内。一种用于调节包含在其中将要处理衬底的腔室中的等离子体的密度的方法。处理（例如蚀刻或沉积）设置在基板上的金属层的方法。

7. 发明申请

WO2017091334A1 PRE-COATED SHIELD FOR USE IN VHF-RF PVD CHAMBERS 审中-公开
标题翻译：用于VHF-RF PVD室的预涂膜屏蔽
公开(公告)号：WO2017091334A1
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：PCT/US2016/060231
申请日：2016-11-03
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： LIU, Zhendong , HOU, Wenting , LEI, Jianxin , YOUNG, Donny , LU, William M.
IPC分类号： C23C14/56 , C23C14/34 , C23C14/50
CPC分类号： C23C4/134 , C23C14/34 , C23C14/564 , C23C16/4404 , C23C16/45525 , C23C16/50 , C23C18/1646 , C23C18/1689 , C23C18/31 , C23C18/48 , C25D3/02 , C25D5/48 , C25D7/00 , C25D17/00 , H01J37/32477 , H01J37/32504 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/3476
摘要： Implementations of the present disclosure relate to an improved shield for use in a processing chamber. In one implementation, the shield includes a hollow body having a cylindrical shape that is substantially symmetric about a central axis of the body, and a coating layer formed on an inner surface of the body. The coating layer is formed the same material as a sputtering target used in the processing chamber. The shield advantageously reduces particle contamination in films deposited using RF-PVD by reducing arcing between the shield and the sputtering target. Arcing is reduced by the presence of a coating layer on the interior surfaces of the shield.
摘要翻译：本公开的实施方式涉及用于处理室中的改进的屏蔽。在一个实施方式中，护罩包括具有圆柱形形状的中空主体，该中空主体关于主体的中心轴线基本对称，以及形成在主体的内表面上的涂层。涂层由与处理室中使用的溅射靶相同的材料形成。通过减少屏蔽和溅射靶材之间的电弧，屏蔽有利地减少了使用RF-PVD沉积的膜中的粒子污染。由于屏蔽罩内表面有涂层，电弧会减少。

8. 发明申请

WO2016130787A1 INTERCONNECT STRUCTURES AND METHODS OF FORMATION 审中-公开
标题翻译：互连结构和形成方法
公开(公告)号：WO2016130787A1
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：PCT/US2016/017523
申请日：2016-02-11
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： CHENG, Yana , CAO, Yong , GUGGILLA, Srinivas , KESAPRAGADA, Sree Rangasai , TANG, Xianmin , PADHI, Deenesh
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L23/53238 , C23C14/0036 , C23C14/0676 , C23C14/352 , H01J37/32504 , H01J37/3408 , H01J37/3455 , H01L21/02145 , H01L21/02266 , H01L21/76802 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L23/53223 , H01L23/53266 , H01L23/5329 , H01L23/53295
摘要： Interconnect structures and methods of formation of such interconnect structures are provided herein. In some embodiments, a method of forming an interconnect includes: depositing a silicon-aluminum oxynitride (SiAION) layer atop a first layer of a substrate, wherein the first layer comprises a first feature filled with a first conductive material; depositing a dielectric layer over the silicon-aluminum oxynitride (SiAION) layer; and forming a second feature in the dielectric layer and the silicon-aluminum oxynitride (SiAION) layer to expose the first conductive material.
摘要翻译：本文提供互连结构和形成这种互连结构的方法。在一些实施例中，形成互连的方法包括：在衬底的第一层的顶部沉积硅 - 铝氮氧化物（SiAION）层，其中第一层包括填充有第一导电材料的第一特征; 在硅 - 铝氮氧化物（SiAION）层上沉积介电层; 以及在介电层和硅 - 铝氧氮化物（SiAION）层中形成第二特征以露出第一导电材料。

9. 发明申请

WO2010025104A2 PROCESS KIT SHIELDS AND METHODS OF USE THEREOF 审中-公开
标题翻译：工艺套件及其使用方法
公开(公告)号：WO2010025104A2
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：PCT/US2009054741
申请日：2009-08-24
申请人： APPLIED MATERIALS INC , SOMMERS JOSEPH F , MILLER KEITH A
发明人： SOMMERS JOSEPH F , MILLER KEITH A
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/687
CPC分类号： H01J37/32495 , C23C14/35 , C23C14/564 , C23C16/4404 , C23C16/4407 , H01J37/32477 , H01J37/32504 , H01J37/3408
摘要： Process kit shields for use in a process chamber and methods of use thereof are provided herein. In some embodiments, the process kit shield may include a body having a wall comprising a first layer and a second layer bonded to the first layer, wherein the first layer comprises a first material resistant to a cleaning chemistry utilized to remove material disposed on the first layer during processing, and wherein the second layer comprises a second material different than the first material and having a coefficient of thermal expansion substantially similar to that of the first material. In some embodiments, the process kit shield may be disposed in a process chamber having a processing volume and a non-processing volume. The process kit shield may be disposed between the processing volume and the non-processing volume
摘要翻译：在处理室中使用的工艺组件护罩及其使用方法在本文中提供。在一些实施例中，处理套件屏蔽件可以包括具有壁的主体，该主体包括第一层和结合到第一层的第二层，其中第一层包含耐洗涤化学物质的第一材料，用于去除设置在第一层上的材料层，并且其中第二层包括与第一材料不同的第二材料，并且具有基本上类似于第一材料的热膨胀系数。在一些实施例中，处理套件屏蔽可以设置在具有处理量和非处理量的处理室中。处理套件屏蔽可以设置在处理量和非处理量之间

10. 发明申请

WO1997042648A1 RECESSED COIL FOR GENERATING A PLASMA 审中-公开
标题翻译：用于产生等离子体的回路线圈
公开(公告)号：WO1997042648A1
公开(公告)日：1997-11-13
申请号：PCT/US1997008008
申请日：1997-05-08
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： APPLIED MATERIALS, INC. , SUBRAMANI, Anantha , FORSTER, John , STIMSON, Bradley, O. , EDELSTEIN, Sergio , GRUNES, Howard , TEPMAN, Avi , XU, Zheng
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32504 , H01J37/321 , H01J37/32623 , H01J37/32651 , H01J37/34
摘要： A recessed coil for a plasma chamber in a semiconductor fabrication system is provided. Recessing the coil reduces deposition of material onto the coil which in turn leads to a reduction in particulate matter shed by the coil onto the workpiece.
摘要翻译：提供了一种用于半导体制造系统中的等离子体室的凹陷线圈。嵌入线圈减少了材料在线圈上的沉积，这又导致线圈在工件上脱落的颗粒物质的减少。

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