专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2016018435A1 CHEMICAL VAPOR DEPOSITION-MODIFIED POLYCRYSTALLINE DIAMOND 审中-公开
标题翻译：化学蒸气沉积改性多晶金刚石
公开(公告)号：WO2016018435A1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：PCT/US2014/049474
申请日：2014-08-01
申请人： HALLIBURTON ENERGY SERVICES, INC.
发明人： SAINI, Gagan , LIANG, Qi
IPC分类号： C23C16/27
CPC分类号： E21B10/5735 , C23C16/278 , E21B10/55 , E21B2010/565
摘要： The present disclosure related to polycrystalline diamond (PCD) having chemical vapor deposition (CVD) deposits and to PCD elements and drill bits containing such CVD-modified PCD. The present disclosure further relates to method of forming such materials.
摘要翻译：本公开涉及具有化学气相沉积（CVD）沉积物的多晶金刚石（PCD）和包含这种CVD改性的PCD的PCD元件和钻头。本公开还涉及形成这种材料的方法。

2. 发明申请

WO2012084656A1 CONTROLLING DOPING OF SYNTHETIC DIAMOND MATERIAL 审中-公开
标题翻译：控制合成金刚石材料的掺杂
公开(公告)号：WO2012084656A1
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：PCT/EP2011/072820
申请日：2011-12-14
申请人： ELEMENT SIX LIMITED , COE, Steven Edward , WILMAN, Jonathan James , TWITCHEN, Daniel James , SCARSBROOK, Geoffrey Alan , BRANDON, John Robert , WORT, Christopher John Howard , MARKHAM, Matthew Lee
发明人： COE, Steven Edward , WILMAN, Jonathan James , TWITCHEN, Daniel James , SCARSBROOK, Geoffrey Alan , BRANDON, John Robert , WORT, Christopher John Howard , MARKHAM, Matthew Lee
IPC分类号： H01J37/32 , C30B29/04
CPC分类号： C30B25/14 , C01B32/25 , C23C16/274 , C23C16/278 , C30B25/02 , C30B25/165 , C30B29/04 , H01J37/32192 , H01J37/32449
摘要： A method of manufacturing synthetic CVD diamond material, the method comprising: providing a microwave plasma reactor comprising: a plasma chamber; one or more substrates disposed in the plasma chamber providing a growth surface area over which the synthetic CVD diamond material is to be deposited in use; a microwave coupling configuration for feeding microwaves from a microwave generator into the plasma chamber; and a gas flow system for feeding process gases into the plasma chamber and removing them therefrom, injecting process gases into the plasma chamber; feeding microwaves from the microwave generator into the plasma chamber through the microwave coupling configuration to form a plasma above the growth surface area; and growing synthetic CVD diamond material over the growth surface area, wherein the process gases comprise at least one dopant in gaseous form, selected from a one or more of boron, silicon, sulphur, phosphorous, lithium and beryllium at a concentration equal to or greater than 0.01 ppm and/or nitrogen at a concentration equal to or greater than 0.3 ppm, wherein the gas flow system includes a gas inlet comprising one or more gas inlet nozzles disposed opposite the growth surface area and configured to inject process gases towards the growth surface area, and wherein the process gases are injected towards the growth surface area at a total gas flow rate equal to or greater than 500 standard cm 3 per minute and/or wherein the process gases are injected into the plasma chamber through the or each gas inlet nozzle with a Reynolds number a Reynolds number in a range 1 to 100.
摘要翻译：一种制造合成CVD金刚石材料的方法，所述方法包括：提供微波等离子体反应器，包括：等离子体室; 设置在等离子体室中的一个或多个衬底提供在使用中沉积合成CVD金刚石材料的生长表面区域; 用于将微波从微波发生器馈入等离子体室的微波耦合配置; 以及用于将工艺气体进料到等离子体室中并将其从其中除去的气体流系统，将工艺气体注入到等离子体室中; 通过微波耦合配置将微波从微波发生器馈送到等离子体室中，以在生长表面积之上形成等离子体; 以及在所述生长表面积上生长的合成CVD金刚石材料，其中所述工艺气体包含至少一种气体形式的掺杂剂，其选自硼，硅，硫，磷，锂和铍中的一种或多种，其浓度等于或大于处于浓度等于或大于0.3ppm的0.01ppm和/或氮气，其中所述气体流动系统包括气体入口，所述气体入口包括与生长表面区域相对设置的一个或多个气体入口喷嘴，并且被配置为朝着生长表面注入工艺气体并且其中所述工艺气体以等于或大于500标准立方厘米/分钟的总气体流速向所述生长表面区域注入，和/或其中所述工艺气体通过所述或每个气体入口喷嘴注入所述等离子体室雷诺数雷诺数在1到100之间。

3. 发明申请

WO2012013824A1 PROCEDE POUR SYNTHETISER PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR UNE MATIERE, EN PARTICULIER DU DIAMANT, AINSI QU'UN DISPOSITIF POUR L'APPLICATION DU PROCEDE 审中-公开
标题翻译：用于合成材料，特别是金属的化学气相沉积的方法，以及用于施加方法的装置
公开(公告)号：WO2012013824A1
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：PCT/EP2011/063255
申请日：2011-08-01
申请人： DIAROTECH , TELLEZ OLIVA, Horacio
发明人： TELLEZ OLIVA, Horacio
IPC分类号： C23C16/27 , C23C16/52 , C23C16/30
CPC分类号： H01L21/02527 , C23C16/27 , C23C16/278 , C23C16/30 , C23C16/52 , H01L21/02532
摘要： Procédé pour synthétiser par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) une matière, suivant lequel on crée dans une chambre sous vide un plasma au voisinage d'un substrat, et suivant lequel on introduit dans la chambre une substance porteuse de carbone et du H 2 afin de produire dans la chambre un gaz comprenant des substances porteuses d' atomes de carbone réactif sous forme de radicaux ou de molécule insaturée à partir desquels la synthèse de ladite matière sera réalisée, et en ce que les spectres électromagnétiques d'absorption et de diffusion inélastique de la matière solide à synthétiser sont utilisés pour prélever dans ces spectres les fréquences d'absorption qui contribuent aux réactions qui mènent à la formation de la matière solide à synthétiser, et en ce que l'on produit des rayons énergétiques sous forme d'un faisceau de photons porteur de quantités d'énergie déterminée par chacune des fréquences correspondant auxdites fréquences d'absorption et de diffusion élastique, lequel faisceau de photons est injecté dans le plasma où, pour des états énergétiques de la matière solide, une absorption de ces photons ayant l'énergie correspondant à ces états énergétiques est réalisée par ladite substance porteuse des atomes de carbone réactif.
摘要翻译：本发明涉及通过化学气相沉积（CVD）合成材料的方法，根据该方法，在真空室中的基底附近产生等离子体，根据该方法，将含有碳和H 2的物质引入室为了在室中产生气体，所述气体包括含有自由基形式的反应性碳原子的物质或将进行合成所述材料的不饱和分子，其中固体的电磁吸收和非弹性散射光谱将要合成的材料用于从所述光谱中收集有助于导致待合成的固体材料形成的反应的吸收频率，并且能量束以具有量的能量的光子束的形式产生，所述能量由对应于所述吸收和弹性散射频率的每个频率预定，所述光子b eam被注入到等离子体中，其中，对于固体材料的能态，具有对应于所述能态的能量的所述光子被所述含有反应性碳原子的物质吸收。

4. 发明申请

WO2008090513A3 DIAMOND ELECTRONIC DEVICES INCLUDING A SURFACE AND METHODS FOR THEIR MANUFACTURE 审中-公开
标题翻译：包括表面的金刚石电子器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2008090513A3
公开(公告)日：2009-08-13
申请号：PCT/IB2008050218
申请日：2008-01-22
申请人： ELEMENT SIX LTD , SCARSBROOK GEOFFREY ALAN , FRIEL IAN , BALMER RICHARD STUART , DONALD HEATHER JUNE
发明人： SCARSBROOK GEOFFREY ALAN , FRIEL IAN , BALMER RICHARD STUART
IPC分类号： C30B25/20 , C30B29/04
CPC分类号： C01B31/065 , C01B32/28 , C23C16/27 , C23C16/274 , C23C16/278 , C30B25/105 , C30B25/20 , C30B29/04 , G01N21/87 , G01N21/95 , G01N27/308 , G01N2201/0636 , H01J37/321 , H01J2237/08 , H01J2237/3341 , H01L21/02104 , H01L21/02376 , H01L21/02527 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02634 , H01L21/041 , H01L29/045 , H01L29/1602 , H01L29/167 , H01L29/36 , Y10T428/24355
摘要： The present invention relates to a diamond electronic device comprising a functional surface formed by a planar surface of a single crystal diamond, the planar surface of the single crystal diamond having an Rq of less than 10 nm and at least one of the following characteristics: (a) the surface has not been mechanically processed since formation by synthesis; (b) the surface is an etched surface; (c) a density of dislocations in the diamond breaking the surface is less than 400 cm'2 measured over an area greater than 0.014 cm2; (d) the surface has an Rq less than 1 nm; (e) the surface has regions with a layer of charge carriers immediately below it, such that the regions of the surface are normally termed conductive, such as a hydrogen terminated {100} diamond surface region; (f) the surface has regions with no layer of charge carriers immediately below it, such that these regions of the surface are normally termed insulating, such as an oxygen terminated {100} diamond surface; and (g) the surface has one or more regions of metallization providing electrical contact to the diamond surface beneath these regions.
摘要翻译：金刚石电子器件技术领域本发明涉及一种金刚石电子器件，其包括由单晶金刚石的平面形成的功能表面，所述单晶金刚石的平面表面具有小于10nm的Rq和以下特征中的至少一个：（ a）通过合成形成，表面未被机械加工; （b）表面是蚀刻表面; （c）破碎表面的金刚石中的位错密度小于在大于0.014cm2的面积上测量的400cm 2; （d）表面的Rq小于1nm; （e）表面具有紧邻其下方的电荷载流子层的区域，使得表面的区域通常称为导电的，例如氢封端的{100}金刚石表面区域; （f）表面具有在其正下方没有电荷载体层的区域，使得表面的这些区域通常称为绝缘体，例如氧终止的{100}金刚石表面; 和（g）表面具有一个或多个金属化区域，在这些区域之下提供与金刚石表面的电接触。

5. 发明申请

WO2008090511A1 PLASMA ETCHING OF DIAMOND SURFACES 审中-公开
标题翻译：金刚石表面的等离子体蚀刻
公开(公告)号：WO2008090511A1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/IB2008/050215
申请日：2008-01-22
申请人： ELEMENT SIX LIMITED , DONALD, Heather June , LEE, Chee-Leong , GU, Erdan , SCARSBROOK, Geoffrey Alan , FRIEL, Ian , DAWSON, Martin David
发明人： LEE, Chee-Leong , GU, Erdan , SCARSBROOK, Geoffrey Alan , FRIEL, Ian , DAWSON, Martin David
IPC分类号： C23C14/58 , C23C14/02 , C30B25/02 , C30B29/04 , H01L21/04 , H01L29/16
CPC分类号： C01B32/28 , C23C16/27 , C23C16/274 , C23C16/278 , C30B25/105 , C30B25/20 , C30B29/04 , G01N21/87 , G01N21/95 , G01N27/308 , G01N2201/0636 , H01J37/321 , H01J2237/08 , H01J2237/3341 , H01L21/02104 , H01L21/02376 , H01L21/02527 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02634 , H01L21/041 , H01L29/045 , H01L29/1602 , H01L29/167 , H01L29/36 , Y10T428/24355
摘要： The present invention relates to a method of producing a diamond surface including the steps of providing an original diamond surface, subjecting the original diamond surface to plasma etching to remove at least 2 nm of material from the original surface and produce a plasma etched surface, the roughness R q of the plasma etched surface at the location of the etched surface where the greatest depth of material has been removed satisfying at least one of the following conditions: R q of the plasma etched surface is less than 1.5 times the roughness of R q of the original surface, or R q of the plasma etched surface is less than 1 nm.
摘要翻译：本发明涉及一种制备金刚石表面的方法，包括以下步骤：提供原始金刚石表面，使原始金刚石表面进行等离子体蚀刻以从原始表面去除至少2nm的材料并产生等离子体蚀刻表面，在蚀刻表面的最大深度材料被去除的位置处的等离子体蚀刻表面的粗糙度R q达到满足以下条件中的至少一个条件：R≡Q 等离子体蚀刻表面小于原始表面的R q的粗糙度的1.5倍，或者等离子体蚀刻表面的R q小于1nm。

6. 发明申请

WO2006085925A3 SYNTHESIS OF A SELF ASSEMBLED HYBRID OF ULTRANANOCRYSTALLINE DIAMOND AND CARBON NANOTUBES 审中-公开
标题翻译：自组装超声波金刚石和碳纳米管混合物的合成
公开(公告)号：WO2006085925A3
公开(公告)日：2007-09-07
申请号：PCT/US2005020596
申请日：2005-06-10
申请人： UNIV CHICAGO , XINGCHENG XIAO , CARLISLE JOHN A , AUCIELLO ORLANDO , ELAM JEFFREY W , GRUEN DIETER M
发明人： XINGCHENG XIAO , CARLISLE JOHN A , AUCIELLO ORLANDO , ELAM JEFFREY W , GRUEN DIETER M
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/27
CPC分类号： C23C16/278 , B82Y30/00 , C23C16/26 , C23C16/274
摘要： A material of carbon nanotubes and diamond bonded together. A method of producing carbon nanotubes and diamond covalently bonded together is disclosed with a substrate on which is deposited nanopart: iLcles of a suitable catalyst on a surface of the substrate. A diamond seeding material is deposited on the surface of the substrate, and then the substrate is exposed to a hydrogen poor plasma for a time sufficient to grow carbon nanotubes and diamond covalently bonded together.
摘要翻译：碳纳米管和金刚石的材料结合在一起。公开了一种生产碳纳米管和共价结合在一起的金刚石的方法，其上沉积有在基材表面上的合适催化剂的纳米颗粒。将金刚石种子材料沉积在衬底的表面上，然后将衬底暴露于不合氢的等离子体中足以使碳纳米管和金刚石共价键合在一起的时间。

7. 发明申请

WO00001867A1 METHOD FOR SYNTHESIZING N-TYPE DIAMOND HAVING LOW RESISTANCE 审中-公开
标题翻译：用于合成具有低电阻的N型金刚石的方法
公开(公告)号：WO00001867A1
公开(公告)日：2000-01-13
申请号：PCT/JP1999/003383
申请日：1999-06-24
IPC分类号： B01J3/06 , C23C14/06 , C23C16/27 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/04 , H01L21/203 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/278 , C23C14/0611 , C23C16/27 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/04
摘要： A method for synthesizing a transparent n-type diamond having low resistance which comprises concurrently doping at least one n-type dopant selected from among N, P and As, and a p-type dopant such as H to thereby form a donor-acceptor pair, in the synthesis of a diamond by vapor phase growth, sputtering, or high-pressure and high-temperature synthesis method.
摘要翻译：一种合成具有低电阻的透明n型金刚石的方法，其包括同时掺杂至少一种选自N，P和As的n型掺杂剂和诸如H的p型掺杂剂，从而形成供体 - 受体对，通过气相生长，溅射或高压高温合成方法合成金刚石。

8. 发明申请

WO2014072458A1 ELECTROLYTIC CELL EQUIPPED WITH MICROELECTRODES 审中-公开
标题翻译：电解槽配有微电极
公开(公告)号：WO2014072458A1
公开(公告)日：2014-05-15
申请号：PCT/EP2013/073356
申请日：2013-11-08
申请人： INDUSTRIE DE NORA S.P.A.
发明人： GULLÁ, Andrea Francesco
IPC分类号： C25B1/13 , C25B1/26 , C25B1/30 , C25B11/04
CPC分类号： C25B11/02 , C23C14/18 , C23C16/06 , C23C16/278 , C23C16/511 , C25B1/13 , C25B1/26 , C25B1/30 , C25B11/0405
摘要： The invention relates to an electrolytic cell equipped with microelectrodes for the generation of un-separated products and the method for obtaining it. The cell and the microelectrodes of the present invention are obtained using a technology for the production of microelectromechanical systems (MEMS). The anodic and cathodic microelectrodes have an electrocatalytic coating and are mutually intercalated at an interelectrodic gap lower than 300 micrometres.
摘要翻译：本发明涉及一种装有用于产生未分离产物的微电极的电解槽及其获得方法。使用用于生产微机电系统（MEMS）的技术获得本发明的电池和微电极。阳极和阴极微电极具有电催化涂层，并且相互插入在低于300微米的电极间隙处。

9. 发明申请

WO2009114130A2 PROCESS AND APPARATUS FOR DIAMOND SYNTHESIS 审中-公开
标题翻译：用于金刚石合成的方法和设备
公开(公告)号：WO2009114130A2
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：PCT/US2009/001528
申请日：2009-03-10
申请人： MICHIGAN STATE UNIVERSITY , FRAUNHOFER USA , ASMUSSEN, Jes , GROTJOHN, Timothy , REINHARD, Donnie , RAMAMURTI, Rahul , YARAN, M., Kagan , SCHUELKE, Thomas , BECKER, Michael , KING, David
发明人： ASMUSSEN, Jes , GROTJOHN, Timothy , REINHARD, Donnie , RAMAMURTI, Rahul , YARAN, M., Kagan , SCHUELKE, Thomas , BECKER, Michael , KING, David
IPC分类号： C23C16/27 , H05H1/46 , B32B9/00
CPC分类号： C30B25/105 , C23C16/274 , C23C16/278 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B29/04 , H01J37/32192 , Y10T428/30
摘要： The present invention relates to a microwave plasma deposition process and apparatus for producing diamond, preferably as single crystal diamond (SCD). The process and apparatus enables the production of multiple layers of the diamond by the use of an extending device to increase the length and the volume of a recess in a holder containing a SCD substrate as layers of diamond are deposited. The diamond is used for abrasives, cutting tools, gems, electronic substrates, heat sinks, electrochemical electrodes, windows for high power radiation and electron beams, and detectors.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造金刚石的微波等离子体沉积方法和装置，优选为单晶金刚石（SCD）。该工艺和装置能够通过使用延伸装置来制造多层金刚石，以随着金刚石层的沉积而增加包含SCD衬底的保持器中的凹部的长度和体积。钻石用于研磨剂，切割工具，宝石，电子基板，散热片，电化学电极，用于高功率辐射和电子束的窗口以及检测器。

10. 发明申请

WO2008141850A1 ALUMINUM GEAR WITH HARD CARBON COATING 审中-公开
标题翻译：铝碳钢与硬碳涂层
公开(公告)号：WO2008141850A1
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：PCT/EP2008/052626
申请日：2008-03-04
申请人： NV BEKAERT SA , PALMERS, Johan
发明人： PALMERS, Johan
IPC分类号： C23C28/00 , F16H55/06 , F16H1/00 , C23C16/02 , C23C16/27
CPC分类号： F16H55/06 , C23C16/0281 , C23C16/27 , C23C16/278 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/343 , F16H55/30
摘要： A gear (10) has been adapted to transmit power in a car or a motor bike and has been made of an aluminium alloy. The gear (10) comprises teeth (14), which are at least partially covered with a layered coating (20, 22, 24). The layered coating comprises an intermediate coating (22) and a hard carbon coating (24) on top of the intermediate coating. The intermediate coating comprises a metal layer with at least one element of group IVB, group VB or group VIB.
摘要翻译：齿轮（10）已经适于在汽车或摩托车中传递动力，并且已经由铝合金制成。齿轮（10）包括齿（14），其至少部分地被分层涂层（20,22,24）覆盖。分层涂层在中间涂层的顶部包括中间涂层（22）和硬碳涂层（24）。中间涂层包括具有IVB族，VB族或VIB族组的至少一种元素的金属层。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式