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1. 发明申请

WO2016162072A1 METHOD FOR MATERIAL DEPOSITION ON A SUBSTRATE, CONTROLLER FOR CONTROLLING A MATERIAL DEPOSITION PROCESS, AND APPARATUS FOR LAYER DEPOSITION ON A SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：用于材料沉积在基材上的方法，用于控制材料沉积过程的控制器和用于在基板上沉积的装置
公开(公告)号：WO2016162072A1
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：PCT/EP2015/057769
申请日：2015-04-09
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , PARK, Hyun Chan , SCHEER, Evelyn , YIM, Dong-Kil
发明人： PARK, Hyun Chan , SCHEER, Evelyn , YIM, Dong-Kil
IPC分类号： C23C14/56 , C23C14/35 , C23C14/34 , H01J37/34
CPC分类号： C23C14/562 , C23C14/3464 , C23C14/352 , H01J37/32376 , H01J37/32733 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/342 , H01J37/3438 , H01J37/3455 , H01J37/347
摘要： The present disclosure relates to a method for material deposition on a substrate, including moving a substrate (10) into a processing zone in a vacuum chamber having an array of at least three sputter cathodes (110, 120), wherein each of the at least three sputter cathodes (110, 120) provides a plasma zone (116, 126) in which a deposition material is supplied during operation of the at least three sputter cathodes (110, 120), and rotating the plasma zone (116, 126) only once around a respective rotational axis (118, 128) from a first rotational position (140, 140) to a second rotational position (144, 144), wherein each plasma zone (116, 126) is directed away from the processing zone in the first rotational position (140, 140), and wherein each plasma zone (116, 126) moves over the processing zone during rotating from the first rotational position (140, 140) to the second rotational position (144, 144).
摘要翻译：本公开涉及一种用于在衬底上材料沉积的方法，包括将衬底（10）移动到具有至少三个溅射阴极（110,120）的阵列的真空室中的处理区域中，其中至少三个溅射阴极（110,120）提供等离子体区域（116,126），其中在至少三个溅射阴极（110,120）的操作期间提供沉积材料，并且仅等离子体区域（116,126）旋转一次围绕从第一旋转位置（140,140）到第二旋转位置（144,144）的相应旋转轴线（118,128），其中每个等离子体区域（116,126）被引导离开处理区域第一旋转位置（140,140），并且其中每个等离子体区域（116,126）在从第一旋转位置（140,140）旋转到第二旋转位置（144,144）期间在处理区域上移动。

2. 发明申请

WO2015067729A1 DEVICE FOR TREATING A SURFACE 审中-公开
标题翻译：用于处理表面的装置
公开(公告)号：WO2015067729A1
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：PCT/EP2014/073998
申请日：2014-11-07
申请人： MAAN RESEARCH & DEVELOPMENT B.V.
发明人： JANSEN, Andreas Willibrordus Maria , SNITJER, Johannes Schelto
IPC分类号： B29C53/14 , H05H1/24 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/50 , B29C59/14 , C23C16/4405 , C23C16/455 , C23C16/45578 , C23C16/52 , C23C16/545 , H01J37/32348 , H01J37/32376 , H05H1/2406 , H05H2001/2412
摘要： The invention relates to a device (1) for treating a surface (2) by moving the device over the surface in a treatment direction (T), which device comprises a number of treatment elements (5) arranged in at least one row, wherein the treatment elements within a row are parallel to each other and wherein the longitudinal axis of each treatment element has at least, in use, a directional component parallel to the treatment direction.
摘要翻译：本发明涉及一种用于通过在处理方向（T）上移动装置在表面上来处理表面（2）的装置（1），该装置包括布置在至少一排中的多个处理元件（5），其中一排中的处理元件彼此平行，并且其中每个处理元件的纵向轴线在使用中至少具有平行于处理方向的方向分量。

3. 发明申请

WO2013024235A1 PLASMA PROCESSING APPARATUS 审中-公开
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：WO2013024235A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：PCT/GB2011/051548
申请日：2011-08-16
申请人： P2I LTD , KING, Charles Edmund
发明人： KING, Charles Edmund
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/509
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32165 , H01J37/32376 , H01J2237/3323 , H01J2237/3325
摘要： The present invention relates to an apparatus (10) for plasma processing an article(12), the apparatus comprisingra chamber(14) for receiving an article to be processed; electrode means (16) for generating an electricand/or magneticfield in said chamberwhen energised by alternating electrical energyfor establishing a plasma in said chamber so that said article can be processed; andvarying frequency generatingmeans (20) for generating alternating electrical energy for transmission tothe electrode means, said alternating electrical energy being generated at a plurality of different frequencies in succession, one frequency after another frequency, thereby producing a succession of standing waves in said chamber of a plurality of different wavelengths.
摘要翻译：本发明涉及一种用于等离子体处理物品（12）的设备（10），该设备包括用于接收待处理物品的室（14）电极装置（16），用于当通过交替的电能激发时在所述室中产生电和/或磁场，以在所述室中建立等离子体，使得可以处理所述制品; 和用于产生用于传输到电极装置的交替电能的变化频率产生装置（20），所述交替电能以多个不同的频率连续产生，一个频率再次频率，从而在所述腔室中产生一系列驻波多个不同的波长。

4. 发明申请

WO2007081202A1 METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLED DEPOSITION OF MATERIAL BY MEANS OF PLASMA ON A THREE-DIMENSIONAL SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：通过等离子体在三维基板上控制材料沉积的方法和装置
公开(公告)号：WO2007081202A1
公开(公告)日：2007-07-19
申请号：PCT/NL2007/000010
申请日：2007-01-10
申请人： OTB GROUP B.V. , EVERS, Marinus Franciscus Johannes , DINGS, Franciscus Cornelius , BRIËR, Peter
发明人： EVERS, Marinus Franciscus Johannes , DINGS, Franciscus Cornelius , BRIËR, Peter
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/04 , C23C16/52 , H05H1/24
CPC分类号： C23C16/04 , C23C16/50 , C23C16/513 , C23C16/52 , H01J37/32055 , H01J37/32376 , H01J37/32935
摘要： A method for depositing a material layer on a substrate surface, wherein the substrate is introduced into a process chamber, wherein the material layer is applied by at least one movable plasma source, wherein the position and the angular position of the plasma source with respect to the substrate are controlled by a control, wherein, for the purpose of coating a substrate with a three-dimensional surface, the control receives measurement data from a measuring arrangement, which measures a curve of the three-dimensional substrate surface at the location to be deposited, wherein, depending on those measurement data, the control controls the position of the plasma source with respect to the deposition location so that the material to be deposited is applied to the respective location in a desired manner. The invention further relates to an apparatus for applying a material layer to a substrate surface utilizing the above-described method and to a substrate, provided with a surface with at least one layer of material deposited thereon, wherein the layer has been deposited utilizing the above-described method and/or has been manufactured with the aid of an above-described apparatus.
摘要翻译：一种用于在衬底表面上沉积材料层的方法，其中所述衬底被引入到处理室中，其中所述材料层由至少一个可移动等离子体源施加，其中所述等离子体源的位置和角位置相对于通过控制来控制衬底，其中，为了涂覆具有三维表面的衬底，控制器从测量装置接收测量数据，其测量在该位置处的三维衬底表面的曲线其中，取决于这些测量数据，控制器控制等离子体源相对于沉积位置的位置，使得待沉积的材料以期望的方式施加到相应的位置。本发明还涉及一种利用上述方法将材料层施加到衬底表面上的装置，以及设置有沉积有至少一层材料的表面的衬底，其中使用上述方法沉积该层描述的方法和/或已经借助于上述装置制造。

5. 发明申请

WO2013017495A1 INSTALLATION ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D'UN OBJET PAR DES GÉNÉRATEURS DE PLASMA 审中-公开
标题翻译：用等离子体发生器处理物体的工具和工艺
公开(公告)号：WO2013017495A1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/EP2012/064577
申请日：2012-07-25
申请人： VALEO VISION , BRASSIER, Marc , MORET, Frédéric , BRETAGNOL, Frédéric
发明人： BRASSIER, Marc , MORET, Frédéric , BRETAGNOL, Frédéric
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/458 , H05H1/24 , H05H1/44
CPC分类号： C23C14/3442 , C23C16/513 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32376 , H01J37/32422 , H01J37/32431 , H01J37/32899 , H01J37/32935
摘要： Cette installation (10) de traitement d'une surface d'un objet (14) comprend une chambre à vide (12), dans laquelle l'objet (14) est destiné à être placé et des moyens de traitement (32) en communication avec la chambre à vide (12) de la surface de l'objet (14) comprenant au moins deux générateurs de plasma (34). L'installation (10) comprend également des moyens de contrôle (46) de chaque générateur (34) indépendamment de tout autre générateur (34). Ces moyens de contrôle (46) comportent des moyens d'activation/ désactivation (48) du générateur (34). L'invention concerne également un procédé de traitement d'une surface d'un objet (14).
摘要翻译：用于处理物体（14）的表面的该工具（10）包括其中要放置物体（14）的真空室（12）和与真空室（14）连通的处理装置（32） 12）包含物体（14）的表面，包括至少两个等离子体发生器（34）。工具（10）还包括用于独立于任何其它发电机（34）控制每个发电机（34）的装置（46）。这些控制装置（46）包括用于启动/停用发电机（34）的装置（48）。本发明还涉及一种处理物体（14）的表面的方法。

6. 发明申请

WO2010038372A1 表面処理装置审中-公开
标题翻译：表面处理设备
公开(公告)号：WO2010038372A1
公开(公告)日：2010-04-08
申请号：PCT/JP2009/004634
申请日：2009-09-16
申请人：積水化学工業株式会社 , 梅岡尚 , 八木沢博史 , 真弓聡
发明人：梅岡尚 , 八木沢博史 , 真弓聡
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/304
CPC分类号： H01J37/32376 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32761 , H01J37/32834 , H01L21/3065 , H01L21/67051 , H01L21/6776
摘要：　表面処理用の処理槽に設けた、被処理物の出し入れ用の開口でのガスの流れを安定させる。　被処理物９を搬送方向に沿って搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。開口１３，１４を、互いに上記搬送方向と直交する対向方向に対向距離Ｄを隔てて対向する一対の整流面１７，１８によって画成する。開口１３，１４の上記搬送方向に沿う奥行きＬを、対向距離Ｄの２倍以上とし、好ましくは６倍以上とする。
摘要翻译：为了进出待处理对象的目的而布置在表面处理槽上的开口中的气体流动是稳定的。待处理对象（9）从搬入口（13）沿传送方向被搬送到处理槽（10）中，并且布置在处理空间（19）中。处理气体从供给系统（30）供给到处理空间（19），处理对象物（9）的表面。然后，从进出口（14）进行待处理对象（9）。气体通过空气释放系统（40）从处理罐（10）的内部释放。开口（13,14）由一对流动整流面（17,18）限定，所述一对流动矫正面（17,18）在与传送方向正交的相对方向上面对着相对的距离（D）。开口（13,14）在传送方向上的深度（L）设定为相对方向（D）的两倍以上，优选为六倍以上。

7. 发明申请

WO2010007135A1 PROCESS AND INSTALLATION FOR SURFACE PREPARATION BY DIELECTRIC BARRIER DISCHARGE 审中-公开
标题翻译：电介质放电的表面处理工艺及其安装
公开(公告)号：WO2010007135A1
公开(公告)日：2010-01-21
申请号：PCT/EP2009/059158
申请日：2009-07-16
申请人： AGC FLAT GLASS EUROPE S.A. , TIXHON, Eric , LECLERCQ, Joseph , MICHEL, Eric
发明人： TIXHON, Eric , LECLERCQ, Joseph , MICHEL, Eric
IPC分类号： B08B7/00
CPC分类号： B08B7/0035 , H01J37/32009 , H01J37/32348 , H01J37/32376 , H05H1/2406 , H05H2001/2412
摘要： A process for surface preparation of a substrate (2), which comprises introducing or running a substrate (2) into a reaction chamber (6, 106). A dielectric barrier (14, 114) is placed between electrodes (1, 10, 110). A high-frequency electrical voltage is generated, to generate filamentary plasma (12, 112). Molecules (8, 108) are introduced into the reaction chamber (6, 106). Upon contact with the plasma, they generate active species typical of reacting with the surface of the substrate. An adjustable inductor (L) placed in parallel with the inductor of the installation is employed to reduce the phase shift between the voltage and the current generated and to increase the time during which the current flows in the plasma (12, 112).
摘要翻译：一种用于表面制备基底（2）的方法，其包括将基底（2）引入或运行到反应室（6,106）中。介电阻挡层（14,114）被放置在电极（1,10,110）之间。产生高频电压，以产生丝状等离子体（12,112）。将分子（8,108）引入反应室（6,106）中。与等离子体接触时，它们产生典型的与基底表面反应的活性物质。采用与设备的电感并联放置的可调电感器（L）来减小所产生的电压和电流之间的相移并增加电流在等离子体（12,112）中流动的时间。

8. 发明申请

WO2004053190A1 METHOD AND APPARATUS FOR TREATING A SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：用于处理基板的方法和装置
公开(公告)号：WO2004053190A1
公开(公告)日：2004-06-24
申请号：PCT/NL2003/000886
申请日：2003-12-12
申请人： OTB GROUP B.V. , DINGS, Franciscus, Cornelius , EVERS, Marinus, Franciscus, Johanus , HOMPUS, Michael, Adrianus, Theodorus , BIJKER, Martin, Dinant
发明人： DINGS, Franciscus, Cornelius , EVERS, Marinus, Franciscus, Johanus , HOMPUS, Michael, Adrianus, Theodorus , BIJKER, Martin, Dinant
IPC分类号： C23C16/50
CPC分类号： H01J37/32376 , C23C16/04 , C23C16/50 , C23C16/513
摘要： A method for treating a surface of at least one substrate, wherein the at least one substrate is placed in a process chamber, wherein the pressure in the process chamber is relatively low, wherein a plasma is generated by at least one plasma source, wherein, during the treatment, at least one plasma source (3) and/or at least one optionally provided treatment fluid supply source is moved relative to the substrate surface. The invention further provides an apparatus for treating a surface of at least one substrate, wherein the apparatus is provided with a process chamber and at least one plasma source, wherein the at least one plasma source (3) and/or at least one optionally provided treatment fluid supply source is movably arranged.
摘要翻译：一种用于处理至少一个衬底的表面的方法，其中所述至少一个衬底被放置在处理室中，其中处理室中的压力相对较低，其中通过至少一个等离子体源产生等离子体，其中，在处理期间，相对于衬底表面移动至少一个等离子体源（3）和/或至少一个任选提供的处理流体供应源。本发明还提供了一种用于处理至少一个基底的表面的装置，其中所述装置设置有处理室和至少一个等离子体源，其中所述至少一个等离子体源（3）和/或至少一个等离子体源处理液供应源可移动地布置。

9. 发明申请

WO2010113544A1 絶縁体介装型プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：绝缘子等离子体处理装置
公开(公告)号：WO2010113544A1
公开(公告)日：2010-10-07
申请号：PCT/JP2010/051936
申请日：2010-02-10
申请人：株式会社フェローテック , 椎名祐一
发明人：椎名　祐一
IPC分类号： C23C14/24 , H05H1/48
CPC分类号： H01J37/32422 , C23C14/325 , C23C14/564 , H01J37/32055 , H01J37/32357 , H01J37/32376 , H01J37/32669 , H01J37/32871
摘要：　プラズマに混入する帯電ドロップレット及び中性ドロップレットをより効率的に除去でき、高純度プラズマによる成膜等の表面処理精度の向上を図る。　プラズマ発生部Ａとプラズマ輸送管Ｂとプラズマ処理部Ｃを含むプラズマ処理装置において、プラズマ輸送管の始端側と終端側に絶縁体ＩＳ及び絶縁体ＩＦを介し、プラズマ輸送管Ｂをプラズマ発生部Ａとプラズマ処理部Ｃから電気的に独立させた絶縁体介装型プラズマ処理装置を構成する。プラズマ輸送管Ｂを中間絶縁体ＩＩ１を介して複数の小輸送管Ｂ０１、Ｂ２３に分割し、各小輸送管を電気的に独立させる。プラズマ輸送管又は複数の小輸送管を電気的浮動状態にし、又は輸送管用バイアス電源ＥＢ０１、ＥＢ２３を接続して、プラズマ輸送管又は小輸送管の電位をＧＮＤ、可変正電位又は可変負電位に設定可能にする。又、小輸送管を屈曲状に連接して幾何学的構造でドロップレットを除去する。
摘要翻译：通过高纯度等离子体可以更有效地消除混合在等离子体中的电荷液滴和中性液滴，以提高沉积等的表面处理精度。一种等离子体处理装置，包括等离子体产生部分（A），等离子体输送管（B）和等离子体处理部分（C），其中等离子体输送管（B）电绝缘等离子体发生部分（A）和等离子体处理部分（C）构造在等离子体输送管的前缘侧和端边缘侧，其间插入有绝缘体（IS）和绝缘体（IF）。等离子体输送管（B）被分成多个小型输送管（B01，B23），其间插入有中间绝缘体（II1），以引起每个小输送管的电独立性。等离子体输送管或多个小输送管进入电浮动状态，或输送管偏压电源（EB01，EB23）连接到等离子体输送管或小输送管，以便能够设定等离子体输送管或小输送管对GND，可变正电位或可变负电位的电位。此外，小的输送管以弯曲的形式连续地安装，以消除几何结构中的液滴。

10. 发明申请

WO2008110151A3 METHOD AND DEVICE FOR THE PLASMA-ASSISTED SURFACE TREATMENT OF LARGE-VOLUME COMPONENTS 审中-公开
标题翻译：方法和装置等离子为基础的FINISH大批量零件
公开(公告)号：WO2008110151A3
公开(公告)日：2009-11-19
申请号：PCT/DE2008000410
申请日：2008-03-10
申请人： LAURE PLASMATECHNOLOGIE GMBH D , LAURE STEFAN
发明人： LAURE STEFAN
IPC分类号： C23C4/10 , C23C4/12 , C23C14/56 , C23C16/455 , H01J37/32 , H05H1/42
CPC分类号： H05H1/46 , C23C4/134 , C23C16/455 , C23C16/509 , C23C16/517 , F26B5/048 , F26B2210/12 , H01J37/32091 , H01J37/32376 , H01J37/3244
摘要： The invention relates to a method and a device for the plasma-assisted surface treatment of large-volume components. The component (1) is arranged in a vacuum chamber and the vacuum chamber (3) evacuated. The component (1) is connected to at least one resonant circuit (7) comprising a high-frequency generator (5), and the inductance and/or the capacitance of the resonant circuit (7) is adapted to the component (1). The high-frequency generator is switched on and the plasma ignited. At least one nitrogen oxide is introduced into the vacuum chamber (3) as a working gas and/or as a carrier gas. The reaction of the nitrogen oxide in the plasma burning on the surface of the component generates electromagnetic radiation and/or free electrons. To this end, the device is provided with a vacuum chamber (3), at least one resonant circuit (7) comprising a high-frequency generator (5), the capacitance and inductance of the resonant circuit (7) being adjustable, at least one connection (8) for connecting the resonant circuit (7) to the component (1), and a device (17) for introducing nitrogen oxide into the vacuum chamber (3).
摘要翻译：已提出了一种方法和用于大体积部件的等离子辅助的表面处理的装置。在这种情况下，组分（1）被放置在一个真空室（3）和抽空真空腔室（3）。组分（1）被连接到至少一个振荡电路（7）配有高频发生器（5），并且电感和/或谐振电路的电容（7）适于将所述组分（1）。高频发生器（5）的接通和等离子体被点燃。至少一个氮氧化物被引入作为工作气体和/或作为载气到真空腔室（3）。由氮氧化物在燃烧组件等离子体电磁辐射和/或自由电子的表面上的反应产生的。该装置是用于此目的的配有真空室（3），具有至少一个振荡电路（7）配有高频发生器（5），其中，所述谐振电路的电容和电感（7），用于连接所述谐振电路是可调节的至少一个连接器（8）（7）与所述组分（1）和装置（17）用于将氮氧化物到真空腔室（3）。

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