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1. 发明申请

WO2016120579A1 CHARGED PARTICLE INSTRUMENTS 审中-公开
标题翻译：充电颗粒仪
公开(公告)号：WO2016120579A1
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：PCT/GB2015/050173
申请日：2015-01-27
申请人： NANOSCOPE SERVICES LIMITED
发明人： PETO, Lloyd
IPC分类号： H01J37/20 , H01J37/30
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/3002 , H01J2237/006 , H01J2237/20 , H01J2237/206 , H01J2237/208 , H01J2237/31745
摘要： An apparatus is disclosed for use in a charged particle instrument which defines an inner volume therein. The apparatus comprises an adaptor (22) having a first portion adapted for attachment to a part (20) of a gas injection system (18) of a charged particle instrument which is located within an inner volume of such an instrument; and a second portion arranged to receive a tool (24) adapted for interaction with a sample (14) located in the inner volume of such an instrument.
摘要翻译：公开了一种用于在其中限定内容积的带电粒子仪器中的装置。该装置包括适配器（22），其具有适于附接到位于该仪器的内部容积内的带电粒子仪器的气体注入系统（18）的一部分（20）的第一部分; 以及第二部分，其布置成接收适于与位于所述仪器的内部体积中的样品（14）相互作用的工具（24）。

2. 发明申请

WO2016069836A1 ION IMPLANTER COMPRISING INTEGRATED VENTILATION SYSTEM 审中-公开
标题翻译：包含集成通风系统的离子植入体
公开(公告)号：WO2016069836A1
公开(公告)日：2016-05-06
申请号：PCT/US2015/057947
申请日：2015-10-29
申请人： ENTEGRIS, INC.
发明人： OLANDER, W., Karl , TANG, Ying , CHAMBERS, Barry, Lewis , BISHOP, Steven, E.
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/67017 , C23C14/48 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/1825 , H01J2237/31701 , H01L21/26513 , H01L21/67253 , H01L22/20
摘要： An ion implantation system is described, including: an ion implanter comprising a housing defining an enclosed volume in which is positioned a gas box configured to hold one or more gas supply vessels, the gas box being in restricted gas flow communication with gas in the enclosed volume that is outside the gas box; a first ventilation assembly configured to flow ventilation gas through the housing and to exhaust the ventilation gas from the housing to an ambient environment of the ion implanter; a second ventilation assembly configured to exhaust gas from the gas box to a treatment apparatus that is adapted to at least partially remove contaminants from the gas box exhaust gas, or that is adapted to dilute the gas box exhaust gas, to produce a treated effluent gas, the second ventilation assembly comprising a variable flow control device for modulating flow rate of the gas box exhaust gas between a relatively lower gas box exhaust gas flow rate and a relatively higher gas box exhaust gas flow rate, and a motive fluid driver adapted to flow the gas box exhaust gas through the variable flow control device to the treatment apparatus; and a monitoring and control assembly configured to monitor operation of the ion implanter for occurrence of a gas hazard event, and thereupon to responsively prevent gas-dispensing operation of the one or more gas supply vessels, and to modulate the variable flow control device to the relatively higher gas box exhaust gas flow rate so that the motive fluid driver flows the gas box exhaust gas to the treatment apparatus at the relatively higher gas box exhaust gas flow rate. Preferably, in a gas hazard event, the shell exhaust discharge from the housing is also terminated, to facilitate exhausting all gas within the housing, outside as well as inside the gas box, to the treatment unit.
摘要翻译：描述了一种离子注入系统，包括：离子注入机，其包括限定封闭容积的壳体，其中定位有一个配置成容纳一个或多个气体供应容器的气体箱，所述气体箱与被封闭的气体中的气体保持气流连通在气箱外面的体积; 第一通风组件，其构造成使通气气体通过所述壳体并且将所述通气气体从所述壳体排出到所述离子注入机的周围环境; 第二通风组件，其构造成将气体从气体箱排出到处理设备，所述处理设备适于至少部分地从气体箱排气中去除污染物，或者适于稀释气体箱废气，以产生经处理的废气，所述第二通风组件包括可变流量控制装置，所述可变流量控制装置用于调节在相对较低的气体箱排气流量和相对较高的气体箱排气流量之间的气体箱废气的流量，以及适于流动的运动流体驱动气箱废气通过可变流量控制装置到处理装置; 以及监测和控制组件，其被配置为监测用于发生气体危险事件的离子注入机的操作，并且随后响应地防止一个或多个气体供应容器的气体分配操作，并且将可变流量控制装置调制到相对较高的气箱废气流量，使得动力流体驱动器以相对较高的气体箱排气流量将气体箱废气流入处理装置。优选地，在气体危害事件中，从壳体排出的壳体排气也被终止，以便于将壳体内的所有气体以及气箱内部的所有气体排出到处理单元。

3. 发明申请

WO2016022458A1 METHOD FOR SAFE CONTROL OF GAS DELIVERY TO AN ELECTRON MICROSCOPE SAMPLE HOLDER 审中-公开
标题翻译：气体输送到电子显微镜样品架的安全控制方法
公开(公告)号：WO2016022458A1
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：PCT/US2015/043381
申请日：2015-08-03
申请人： PROTOCHIPS, INC.
发明人： GARDINER, Daniel S. , DAMIANO JR., John , NACKASHI, David P. , CARPENTER, William Bradford , RIVENBARK, James , UEBEL, Mark , ZAPATA III, Michael , THOMAS, Rebecca , WALDEN II, Franklin Stampley
IPC分类号： H01J37/02 , H01J37/20 , H01J37/26
CPC分类号： G05B9/02 , G01M3/3272 , G05D7/0635 , H01J37/18 , H01J37/20 , H01J2237/006 , H01J2237/182 , H01J2237/2002 , H01J2237/2007 , H01J2237/2802
摘要： The present disclosure relates to a gas delivery system comprising an environmental electron microscope sample holder with at least one inlet port and at least one outlet port, wherein the at least one inlet port is communicatively connected to a tank Tl, preferably with gas compatible tubing, and the at least one outlet port is communicatively connected to a tank T2, preferably with gas compatible tubing, such that at least one gas can travel from tank Tl through the sample holder to tank T2; and at least one pressure sensor and at least one valve, wherein the at least one pressure sensor is monitored using controls software with logic that is programmed to identify a leak in the system, and the controls software will signal the closure of the at least one valve if a leak is detected.
摘要翻译：本公开涉及一种气体输送系统，其包括具有至少一个入口端口和至少一个出口端口的环境电子显微镜样品保持器，其中所述至少一个入口端口连通地连接到罐T1，优选地与气体相容的管道连接，并且所述至少一个出口端口连通地连接到罐T2，优选地与气体相容的管道连通，使得至少一个气体可以从罐T1行进通过样品保持器到罐T2; 以及至少一个压力传感器和至少一个阀，其中使用具有被编程为识别系统中的泄漏的逻辑的控制软件来监测所述至少一个压力传感器，并且所述控制软件将用信号通知所述至少一个如果检测到泄漏阀门。

4. 发明申请

WO2016022427A2 GCIB NOZZLE ASSEMBLY 审中-公开
标题翻译： GCIB喷嘴组件
公开(公告)号：WO2016022427A2
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：PCT/US2015043203
申请日：2015-07-31
申请人： TEL EPION INC
发明人： GWINN MATTHEW C , FREYTSIS AVRUM , BECKER ROBERT K
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/305 , H01J2237/006 , H01J2237/0206 , H01J2237/061 , H01J2237/0812 , H01J2237/0822 , H01J2237/3151
摘要： A nozzle assembly used for performing gas cluster ion beam (GCIB) etch processing of various materials is described. In particular, the nozzle assembly includes two or more conical nozzles that are aligned such that they are both used to generate the same GCIB. The first conical nozzle may include the throat that initially forms the GCIB and the second nozzle may form a larger conical cavity that may be appended to the first conical nozzle. A transition region may be disposed between the two conical nozzles that may substantially cylindrical and slightly larger than the largest diameter of the first conical nozzle.
摘要翻译：描述了用于执行各种材料的气体簇离子束（GCIB）蚀刻处理的喷嘴组件。特别地，喷嘴组件包括两个或更多个对齐的锥形喷嘴，使得它们都用于产生相同的GCIB。第一锥形喷嘴可以包括最初形成GCIB的喉部，并且第二喷嘴可以形成可以附加到第一锥形喷嘴的较大的锥形腔。过渡区域可以设置在两个圆锥形喷嘴之间，所述两个圆锥形喷嘴可以基本上圆柱形并且略大于第一锥形喷嘴的最大直径。

5. 发明申请

WO2015142177A1 TRANSFERRABLE SYSTEM FOR USE IN IN-SITU EXPERIMENTS IN A MICROSCOPE 审中-公开
标题翻译：用于微型计算机实验的可转换系统
公开(公告)号：WO2015142177A1
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：PCT/NL2015/050177
申请日：2015-03-19
申请人： TECHNISCHE UNIVERSITEIT DELFT
发明人： ZANDBERGEN, Hendrik Willem
IPC分类号： H01J37/20
CPC分类号： H01J37/20 , G02B21/34 , H01J37/26 , H01J2237/006 , H01J2237/2003 , H01J2237/2006 , H01J2237/204 , H01J2237/206
摘要： The present invention is in the field of a transferrable system for use in in-situ experiments in a microscope and spectrometer, use of said transferrable system, and a microscope or spectrometer comprising said transferrable system, wherein the microscope is selected from an electron microscope, an IR-microscope, a Raman-microscope, X-ray micro- scope, and an optical microscope, such as a TEM, a SEM, a transmission mode SEM, and combinations thereof.
摘要翻译：本发明涉及用于显微镜和光谱仪的原位实验的可转移系统的领域，所述可转移系统的使用以及包括所述可转移系统的显微镜或光谱仪，其中显微镜选自电子显微镜， IR显微镜，拉曼显微镜，X射线显微镜和TEM显微镜，SEM，透射模式SEM及其组合。

6. 发明申请

WO2015023903A1 SILICON IMPLANTATION IN SUBSTRATES AND PROVISION OF SILICON PRECURSOR COMPOSITIONS THEREFOR 审中-公开
标题翻译：基材中的硅植入物及其提供的硅前驱体组合物
公开(公告)号：WO2015023903A1
公开(公告)日：2015-02-19
申请号：PCT/US2014/051162
申请日：2014-08-14
申请人： ENTEGRIS, INC.
发明人： TANG, Ying , SWEENEY, Joseph, D. , CHEN, Tianniu , MAYER, James, J. , RAY, Richard, S. , BYL, Oleg , YEDAVE, Sharad, N. , KAIM, Robert
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/265 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J2237/006 , H01J2237/08 , H01L21/26506 , H01L21/26546
摘要： Compositions, systems, and methods are described for implanting silicon and/or silicon ions in a substrate, involving generation of silicon and/or silicon ions from corresponding silicon precursor compositions, and implantation of the silicon and/or silicon ions in the substrate.
摘要翻译：描述了用于在衬底中注入硅和/或硅离子的组合物，系统和方法，包括从相应的硅前体组合物产生硅和/或硅离子，以及在衬底中注入硅和/或硅离子。

7. 发明申请

WO2015016039A1 イオンミリング装置、及びイオンミリング装置を用いた加工方法审中-公开
标题翻译：离子切割装置和使用离子切割装置的处理方法
公开(公告)号：WO2015016039A1
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：PCT/JP2014/068527
申请日：2014-07-11
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：上野　敦史 , 高須　久幸 , 武藤　宏史
IPC分类号： H01J37/16 , H01J37/18 , H01J37/20 , H01J37/30
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J37/20 , H01J37/3053 , H01J2237/006 , H01J2237/06 , H01J2237/08 , H01J2237/182 , H01J2237/1825 , H01J2237/184 , H01J2237/2001 , H01J2237/2002 , H01J2237/31749
摘要：本発明のイオンミリング装置は、真空室（１０５）と、当該真空室内の真空排気を行う排気装置（１０１）と、前記真空室内にてイオンビームが照射される試料（１０２）を支持する試料台（１０３）と、前記真空室内を加熱する加熱装置（１０７）と、前記真空室内に熱媒体としてのガスを導入するガス源（１０６）と、当該ガス源を制御する制御装置（１１０）とを備え、当該制御装置は、前記加熱装置による加熱時に、前記真空室内の圧力が所定の状態となるように、前記ガス源を制御する。これにより、試料を冷却してイオンミリングを行った後に大気開放する際に生じる結露等を抑制するための温度制御を、短時間で行うことが可能となる。
摘要翻译：该离子研磨装置设置有真空室（105），用于抽空真空室内部的排气装置（101），用于支撑在真空室内照射的样品（102）的样品台（103）用于加热真空室内部的加热器（107），用于将作为加热介质的气体引入真空室的气体源（106），以及用于控制气体源的控制器（110），控制器气体源，使得真空室内部压力在加热器加热期间处于预定状态。这使得能够在短时间内控制在冷却和离子研磨样品之后在大气释放下发生的冷凝等的抑制。

8. 发明申请

WO2014136314A1 アークプラズマ成膜装置审中-公开
标题翻译： ARC等离子体膜形成装置
公开(公告)号：WO2014136314A1
公开(公告)日：2014-09-12
申请号：PCT/JP2013/079261
申请日：2013-10-29
申请人：株式会社島津製作所
发明人：鈴木　正康 , 森元　陽介
IPC分类号： C23C14/32
CPC分类号： H01J37/32669 , C23C14/325 , H01J37/32055 , H01J37/32357 , H01J37/32568 , H01J37/32596 , H01J37/3266 , H01J37/32899 , H01J2237/002 , H01J2237/006 , H01J2237/06375 , H01J2237/152 , H01J2237/162 , H01J2237/327 , H01J2237/3326
摘要：　処理対象の基板が格納される成膜チャンバーと、ターゲットの少なくとも一部が格納され、成膜チャンバーに連結するプラズマチャンバーと、ターゲットと成膜チャンバーとの間に少なくとも１箇所の屈曲部を有して連続する磁力線を発生させる、非磁性金属からなる外皮によって被覆されてプラズマチャンバー内に配置された複数の中空コイルとを備え、アーク放電によりプラズマチャンバー内で生成されたターゲット材料に由来するイオンを含むプラズマが、中空コイルの内側を通過してターゲットから基板まで輸送される。
摘要翻译：该电弧等离子体成膜装置具备：成膜室，其中存储有待处理的基板; 等离子体室，其连接到成膜室，并且其中存储有至少一部分靶; 并且位于等离子体室中的多个中空线圈被包含非磁性金属的外涂层覆盖，产生连续的磁力线，并且具有位于靶和成膜之间的一个或多个弯曲部分室。其中，作为电弧放电的结果，由靶材料产生并产生于等离子体室内的等离子体含有的离子通过中空线圈的内部从目标物传送到基板。

9. 发明申请

WO2014036064A1 SILICON-CONTAINING DOPANT COMPOSITIONS, SYSTEMS AND METHODS OF USE THEREOF FOR IMPROVING ION BEAM CURRENT AND PERFORMANCE DURING SILICON ION IMPLANTATION 审中-公开
标题翻译：含硅含量的组合物，系统及其使用方法，用于改善离子束电流和硅离子植入过程中的性能
公开(公告)号：WO2014036064A1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：PCT/US2013/056958
申请日：2013-08-28
申请人： PRAXAIR TECHNOLOGY, INC.
发明人： SINHA, Ashwini, K. , BROWN, Lloyd, Anthony , CAMPEAU, Serge, Marius
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/08
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006
摘要： A dopant gas composition, a system and method thereof for improving beam current during silicon ion implantation are provided. The silicon ion implant process involves utilizing a first silicon-based co-species and a second species. The second species is selected to have an ionization cross-section higher than that of the first silicon-based species at an operating arc voltage of an ion source utilized during generation and implantation of active silicon ions species. The active silicon ions produce an improved beam current characterized by maintaining or increasing the beam current level without incurring degradation of the ion source when compared to a beam current generated solely from SiF4.
摘要翻译：提供了一种用于在硅离子注入期间改善束电流的掺杂剂气体组合物，其系统及其方法。硅离子注入工艺涉及利用第一硅基共种和第二种。在生成和注入活性硅离子物质期间使用的离子源的操作电弧电压下，选择第二种类具有高于第一硅类物质的离子化横截面。活性硅离子产生改进的束电流，其特征在于与仅从SiF 4产生的束电流相比，保持或增加束电流水平，而不会导致离子源的劣化。

10. 发明申请

WO2013148462A1 TECHNIQUE FOR PROCESSING A SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：处理基板的技术
公开(公告)号：WO2013148462A1
公开(公告)日：2013-10-03
申请号：PCT/US2013/033310
申请日：2013-03-21
申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人： KOO, Bon-Woong , WHITE, Richard M. , RADOVANOV, Svetlana B. , DANIELS, Kevin M. , COBB, Eric R. , PITMAN, David W.
IPC分类号： C23C14/48 , H01J37/317
CPC分类号： H01L21/265 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , H01J2237/0825
摘要： Techniques for processing a substrate are disclosed. In one exemplary embodiment, the technique may be realized as a method for processing a substrate, the method comprising: ionizing first material and second material in an ion source chamber of an ion source, the first material being boron (B) containing material, the second material being one of phosphorous (P) containing material and arsenic (As) containing material; generating first ions containing B and second ions containing one of P and As; and extracting the first and second ions from the ion source chamber and directing the first and second ions toward the substrate.
摘要翻译：公开了用于处理衬底的技术。在一个示例性实施例中，该技术可以被实现为用于处理衬底的方法，所述方法包括：离子源的离子源室中的第一材料和第二材料的电离，所述第一材料是含硼（B）的材料，第二材料是含磷（P）的材料和含砷（As）的材料之一; 产生含有B的第一离子和含有P和As之一的第二离子; 以及从所述离子源室中提取所述第一和第二离子并将所述第一和第二离子引向所述衬底。

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