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1. 发明申请

WO2019000532A1 电离室、离子植入设备及离子植入方法审中-公开
公开(公告)号：WO2019000532A1
公开(公告)日：2019-01-03
申请号：PCT/CN2017/094413
申请日：2017-07-26
申请人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
发明人：谢锐
IPC分类号： H01J37/32 , H01J27/08 , C23C14/48
CPC分类号： C23C14/48 , H01J37/32412 , H01J37/32449
摘要：本申请公布了一种电离室，应用于离子植入设备，所述电离室包括腔体、送气管及灯丝，所述送气管和所述灯丝位于所述腔体内，所述送气管弯折形成封闭的框体，所述灯丝收容于所述框体内，所述灯丝通电时产生热电子，所述送气管面对所述灯丝的一侧设有出气孔，所述出气孔用于输出离子源气体，所述离子源气体撞击所述热电子，以产生等离子体。本申请还公布了一种离子植入设备和离子植入方法。由于离子源气体与热电子的碰撞均匀，产生于腔体内各位置的等离子体浓度均匀，提高了离子植入效果，在提高等离子体浓度均匀性的过程中减少调节灯丝的电流频率，提高了灯丝的寿命，延长了设备维护周期，降低了显示设备生产成本。

2. 发明申请

WO2018085108A1 RF ION SOURCE WITH DYNAMIC VOLUME CONTROL 审中-公开
标题翻译：具有动态音量控制的RF离子源
公开(公告)号：WO2018085108A1
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：PCT/US2017/058517
申请日：2017-10-26
申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人： KOO, Bon-Woong , HWANG, Yong-Seok , CHUNG, Kyong-Jae
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32458 , H01J27/16 , H01J37/08 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32623 , H01J37/32669 , H01J2237/024 , H01J2237/065 , H01J2237/31701 , H01J2237/327 , H01J2237/3365
摘要： Provided herein are approaches for dynamically modifying plasma volume in an ion source chamber by positioning an end plate and radio frequency (RF) antenna at a selected axial location. In one approach, an ion source includes a plasma chamber having a longitudinal axis extending between a first end wall and a second end wall, and an RF antenna adjacent a plasma within the plasma chamber, wherein the RF antenna is configured to provide RF energy to the plasma. The ion source may further include an end plate disposed within the plasma chamber, adjacent the first end wall, the end plate actuated along the longitudinal axis between a first position and a second position to adjust a volume of the plasma. By providing an actuable end plate and RF antenna, plasma characteristics may be dynamically controlled to affect ion source characteristics, such as composition of ion species, including metastable neutrals.
摘要翻译：本文提供用于通过将端板和射频（RF）天线定位在选定的轴向位置来动态地改变离子源腔室中的等离子体体积的方法。在一种方法中，离子源包括等离子体室，其具有在第一端壁和第二端壁之间延伸的纵向轴线以及与等离子体室内的等离子体相邻的RF天线，其中RF天线被配置为向等离子。离子源还可以包括设置在等离子体腔室内的端板，邻近第一端壁，端板沿着纵轴在第一位置和第二位置之间致动，以调节等离子体的体积。通过提供可致动端板和RF天线，可以动态控制等离子体特性以影响离子源特性，例如离子物质的组成，包括亚稳态中性物质。

3. 发明申请

WO2017176255A1 BORON IMPLANTING USING A CO-GAS 审中-公开
标题翻译：使用CO气体硼的植入
公开(公告)号：WO2017176255A1
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：PCT/US2016/025996
申请日：2016-04-05
申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人： KOO, Bon-Woong , BHOSLE, Vikram M. , FRONTIERO, John A.
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01J37/3244
摘要： An apparatus and methods of improving the ion beam quality of a halogen-based source gas are disclosed. Unexpectedly, the introduction of a noble gas, such as argon or neon, to an ion source chamber may increase the percentage of desirable ion species, while decreasing the amount of contaminants and halogen-containing ions. This is especially beneficial in non-mass analyzed implanters, where all ions are implanted into the workpiece. In one embodiment, a first source gas, comprising a processing species and a halogen is introduced into a ion source chamber, a second source gas comprising a hydride, and a third source gas comprising a noble gas are also introduced. The combination of these three source gases produces an ion beam having a higher percentage of pure processing species ions than would occur if the third source gas were not used.
摘要翻译：公开了一种改善卤素源气体的离子束质量的设备和方法。出乎意料的是，将惰性气体（例如氩气或氖气）引入离子源室可增加所需离子种类的百分比，同时减少污染物和含卤离子的量。这在非质量分析的注入机中是非常有用的，所有离子都注入到工件中。在一个实施方案中，将包含处理物质和卤素的第一源气体引入离子源室中，引入包含氢化物的第二源气体和包含惰性气体的第三源气体。这三种源气体的组合产生的离子束具有比不使用第三种源气体时发生的纯处理物种离子的百分比更高的离子束。

4. 发明申请

WO2017143325A1 ULTRA-THIN CORROSION RESISTANT HARD OVERCOAT FOR HARD DISK MEDIA 审中-公开
标题翻译：用于硬盘介质的超薄型耐腐蚀硬涂层
公开(公告)号：WO2017143325A1
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：PCT/US2017/018606
申请日：2017-02-20
申请人： INTEVAC, INC.
发明人： BLUCK, Terry
IPC分类号： G11B5/84 , C23C14/48 , G11B7/24 , G11B7/254 , G11B5/716 , G11B5/72 , C09K3/18
CPC分类号： G11B5/722 , G11B5/8408 , G11B5/851 , H01J37/3171 , H01J37/3178 , H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J2237/31701 , H01J2237/31705
摘要： A magnetic media disk is fabricated by depositing magnetic layers over the disk, then depositing protective later over the magnetic layer, and then performing ion implant process to implant ions into the protective coating. A system for performing the ion implant of the magnetic media disk includes two ion implant chambers. During operation one chamber performs ion implant and one chamber performs chamber cleaning by maintaining inside a plasma of cleaning gas without a disk present inside the chamber.
摘要翻译：磁介质盘通过在磁盘上沉积磁层，然后在磁层上方沉积保护层，然后执行离子注入工艺以将离子注入到保护层中来制造。用于执行磁介质盘的离子注入的系统包括两个离子注入室。在操作过程中，一个腔室执行离子注入，一个腔室通过维持清洁气体的等离子体内部而不在腔室内存在圆盘来执行腔室清洁。

5. 发明申请

WO2016126846A1 SELECTIVE DEPOSITION UTILIZING MASKS AND DIRECTIONAL PLASMA TREATMENT 审中-公开
标题翻译：选择性沉积利用面膜和方向等离子体处理
公开(公告)号：WO2016126846A1
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：PCT/US2016/016408
申请日：2016-02-03
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： GODET, Ludovic , FAN, Yin , YIEH, Ellie Y. , NEMANI, Srinivas D.
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/28562 , C23C14/04 , C23C14/48 , C23C16/04 , C23C16/45525 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32623 , H01L21/02175 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/2236 , H01L21/265 , H01L21/28568 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/31155 , H01L21/76879
摘要： Methods for selectively depositing different materials at different locations on a substrate are provided. A selective deposition process may form different materials on different surfaces, e.g., different portions of the substrate, depending on the material properties of the underlying layer being deposited on. Ion implantation processes may be used to modify materials disposed on the substrate. The ions modify surface properties of the substrate to enable the subsequent selective deposition process. A substrate having a mask disposed thereon may be subjected to an ion implantation process to modify the mask and surfaces of the substrate exposed by the mask. The mask may be removed which results in a substrate having regions of implanted and non-implanted materials. A subsequent deposition process may be performed to selectively deposit on either the implanted or non-implanted regions of the substrate.
摘要翻译：提供了在衬底上的不同位置选择性地沉积不同材料的方法。取决于沉积在其上的下层的材料性质，选择性沉积工艺可以在不同的表面上形成不同的材料，例如衬底的不同部分。离子注入工艺可用于修饰设置在基底上的材料。离子改变基材的表面性质以使得能够进行随后的选择性沉积工艺。可以对其上设置有掩模的基板进行离子注入工艺以改变由掩模曝光的基板的掩模和表面。可以去除掩模，这导致具有植入和非植入材料区域的基底。可以执行随后的沉积工艺以选择性地沉积在衬底的注入或非注入区域上。

6. 发明申请

WO2015152077A1 長尺のガスバリア性積層体およびその製造方法审中-公开
标题翻译：延长气体阻隔层压板及其制造方法
公开(公告)号：WO2015152077A1
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：PCT/JP2015/059728
申请日：2015-03-27
申请人：リンテック株式会社
发明人：岩屋　渉 , 永元　公市 , 永縄　智史 , 鈴木　悠太 , 近藤　健
IPC分类号： B32B7/02 , H01L51/50 , H05B33/02
CPC分类号： C08J7/042 , B05D1/42 , B05D3/12 , B05D3/148 , B05D5/00 , B05D7/04 , B05D7/24 , B05D7/588 , B32B7/02 , B32B27/283 , B32B2307/7242 , C08J7/045 , C08J7/047 , C08J2367/02 , C08J2433/14 , C08J2435/02 , C08J2475/04 , C08J2483/04 , C08J2483/16 , H01B1/04 , H01J37/32412 , H01L51/0024 , H01L51/5253
摘要：　本発明は、基材の一方の側に、機能層が積層されてなり、基材のもう一方の側に、平滑化層及びガスバリア層がこの順に積層されてなる、長尺のガスバリア性積層体であって、基材側とは逆側の機能層の面と、基材側とは逆側の平滑化層の面との静摩擦係数が０．３５～０．８０であることを特徴とする、長尺のガスバリア性積層体とその製造方法である。本発明によれば、ロール状に巻き取る際やロールから繰り出す際の作業性に優れる長尺のガスバリア性積層体とその製造方法が提供される。
摘要翻译：本发明是一种细长的阻气性叠层体，其通过在基板的一侧层叠功能层而在基板的另一侧层叠平滑层和阻气层，其特征在于，功能层的表面与基板侧相反侧的表面与基板侧相反侧的平滑层的表面的静摩擦为0.35〜0.80; 及其制造方法。通过本发明，提供了一种细长的阻气性叠层体，当被卷起成卷状并从辊送出时具有优异的可加工性; 及其制造方法。

7. 发明申请

WO2014165669A2 PULSED GAS PLASMA DOPING METHOD AND APPARATUS 审中-公开
标题翻译：脉冲气体等离子喷涂方法和装置
公开(公告)号：WO2014165669A2
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：PCT/US2014032814
申请日：2014-04-03
申请人： TOKYO ELECTRON LTD , TOKYO ELECTRON US HOLDINGS INC
发明人： VENTZEK PETER , NEMOTO TAKENAO , UEDA HIROKAZU , KOBAYASHI YUUKI , HORIGOME MASAHIRO
IPC分类号： H01L21/223 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L29/66803
摘要： A method and apparatus for doping a surface of a substrate with a dopant, with the dopant being for example phosphine or arsine. The doping is performed with a plasma formed primarily of an inert gas such as helium or argon, with a low concentration of the dopant. To provide conformal doping, preferably to form a monolayer of the dopant, the gas flow introduction location is switched during the doping process, with the gas mixture primarily introduced through a center top port in the process chamber during a first period of time followed by introduction of the gas mixture primarily through peripheral or edge injection ports for a second period of time, with the switching continuing in an alternating fashion as the plasma process.
摘要翻译：一种用掺杂剂掺杂衬底表面的方法和装置，掺杂剂例如是膦或胂。用主要由诸如氦或氩的惰性气体形成的等离子体进行掺杂，掺杂剂浓度低。为了提供适形掺杂，优选地形成掺杂剂的单层，在掺杂过程期间切换气流引入位置，其中气体混合物主要通过处理室中的中心顶端口在第一时间段内引入，随后引入的气体混合物主要通过外围或边缘注入端口持续第二时间段，其中切换以等离子体处理交替的方式继续。

8. 发明申请

WO2014130510A1 METHOD AND SYSTEM FOR PLASMA-ASSISTED ION BEAM PROCESSING 审中-公开
标题翻译：用于等离子体离子束处理的方法和系统
公开(公告)号：WO2014130510A1
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：PCT/US2014/017053
申请日：2014-02-19
申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人： RADOVANOV, Svetlana, B. , GODET, Ludovic , KOO, Bon-Woong
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/452
CPC分类号： H05H3/00 , C23C16/045 , C23C16/452 , C23C16/507 , H01J37/32146 , H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J37/32706
摘要： A system for processing a substrate may include a first chamber operative to define a first plasma and a second chamber adjacent the first chamber, where the second chamber is electrically isolated from the first chamber, and configured to define a second plasma. The system may also include an extraction assembly disposed between the first chamber and second chamber to provide at least plasma isolation between the first plasma and the second plasma, a substrate assembly configured to support the substrate in the second chamber; and a biasing system configured to supply a plurality of first voltage pulses to direct first ions from the first plasma through the second chamber towards the substrate during one time period, and to supply a plurality of second voltage pulses to generate the second plasma and to attract second ions from the second plasma during another time period.
摘要翻译：用于处理衬底的系统可以包括可操作地限定第一等离子体的第一室和邻近第一室的第二室，其中第二室与第一室电隔离，并且被配置为限定第二等离子体。系统还可以包括设置在第一室和第二室之间的提取组件，以在第一等离子体和第二等离子体之间提供至少等离子体隔离;衬底组件，被配置为将衬底支撑在第二室中; 以及偏置系统，被配置为提供多个第一电压脉冲以在一个时间段期间将来自所述第一等离子体的第一离子通过所述第二室朝向所述衬底引导，并且提供多个第二电压脉冲以产生所述第二等离子体并且吸引在另一时间段期间来自第二等离子体的第二离子。

9. 发明申请

WO2014093527A1 TRANSFER CHAMBER AND METHOD OF USING TRANSFER CHAMBER 审中-公开
标题翻译：传送室和使用传送室的方法
公开(公告)号：WO2014093527A1
公开(公告)日：2014-06-19
申请号：PCT/US2013/074462
申请日：2013-12-11
申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人： WEBB, Aaron P. , CARLSON, Charles T. , FORDERHASE, Paul , WEAVER, William T. , VOPAT, Robert B.
IPC分类号： H01L21/67 , H01J37/317
CPC分类号： H01L31/18 , H01J37/3171 , H01J37/3178 , H01J37/32412 , H01L21/67155 , H01L21/67173 , H01L21/67184 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T29/49718
摘要： An ion implanter and method for facilitating expeditious performance of maintenance on a component of the ion implanter in a manner that reduces downtime while increasing throughput of the ion implanter. The ion implanter includes a process chamber, a transfer chamber connected to the process chamber, a first isolation gate configured to controllably seal the transfer chamber from the process chamber, and a second isolation gate configured to controllably seal the transfer chamber from an atmospheric environment, wherein a component of the ion implanter can be transferred between the process chamber and the transfer chamber for performing maintenance on the component outside of the process chamber. Performing maintenance on a component of the ion implanter includes the steps of transferring the component from the process chamber to the transfer chamber, sealing the transfer chamber, venting the transfer chamber to atmospheric pressure, an opening the transfer chamber to an atmospheric environment.
摘要翻译：一种离子注入机和方法，用于以减少停机时间同时提高离子注入机的产量的方式促进对离子注入机部件的维护的快速性能。离子注入机包括处理室，连接到处理室的传送室，构造成可以将传送室从处理室可控地密封的第一隔离栅和被配置为可控制地将传送室与大气环境密封的第二隔离栅，其中所述离子注入机的部件可以在所述处理室和所述传送室之间传送，以对所述处理室外的部件执行维护。对离子注入机的部件执行维护包括将部件从处理室传送到传送室，密封传送室，将传送室排出到大气压力，将传送室打开到大气环境的步骤。

10. 发明申请

WO2014046003A1 イオン注入装置审中-公开
标题翻译：离子植入装置
公开(公告)号：WO2014046003A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/JP2013/074675
申请日：2013-09-12
申请人：リンテック株式会社
发明人：永縄　智史 , 後藤　大輔 , 剱持　卓
IPC分类号： C23C14/48 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3171 , C23C14/48 , C23C14/562 , H01J37/32 , H01J37/32412 , H01J37/3244 , H01J37/3277 , H01J2237/006 , H01J2237/18 , H01J2237/31701 , H05H1/46 , H05H2001/485
摘要：　イオン注入装置は、真空チャンバ１１と、フィルム３が外周部の一部に巻き付けられる電極ロール１３と、電極ロールに電圧を印加する電圧印加手段２３と、真空チャンバ内にイオン注入ガスを導入するためのガス吹出口を有するガス導入部を備え、ガス導入部と排気口が、電極ロールの軸方向において、電極ロールを挟んで対向して設けられている。
摘要翻译：一种离子注入装置，其具有真空室（11），在其外周部分的一部分卷绕有薄膜（3）的部分上的电极辊（13），向所述真空室施加电压的电压施加装置（23）电极辊和气体引入单元，其具有用于将离子注入气体引入到真空室中的气体吹出口，其中气体导入单元和排气口在电极辊的轴向上相对设置，电极在它们之间滚动。

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