发明申请
WO2015023903A1 SILICON IMPLANTATION IN SUBSTRATES AND PROVISION OF SILICON PRECURSOR COMPOSITIONS THEREFOR
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： SILICON IMPLANTATION IN SUBSTRATES AND PROVISION OF SILICON PRECURSOR COMPOSITIONS THEREFOR
- 专利标题（中）：基材中的硅植入物及其提供的硅前驱体组合物
- 申请号：PCT/US2014/051162 申请日：2014-08-14
- 公开(公告)号：WO2015023903A1 公开(公告)日：2015-02-19
- 发明人： TANG, Ying , SWEENEY, Joseph, D. , CHEN, Tianniu , MAYER, James, J. , RAY, Richard, S. , BYL, Oleg , YEDAVE, Sharad, N. , KAIM, Robert
- 申请人： ENTEGRIS, INC.
- 申请人地址： 129 Concord Road Billerica, MA 01821 US
- 专利权人： ENTEGRIS, INC.
- 当前专利权人： ENTEGRIS, INC.
- 当前专利权人地址： 129 Concord Road Billerica, MA 01821 US
- 代理机构： HULTQUIST, Steven, J.
- 优先权： US61/866,918 20130816
- 主分类号： H01L21/265
- IPC分类号： H01L21/265
摘要：
Compositions, systems, and methods are described for implanting silicon and/or silicon ions in a substrate, involving generation of silicon and/or silicon ions from corresponding silicon precursor compositions, and implantation of the silicon and/or silicon ions in the substrate.
摘要（中）：
描述了用于在衬底中注入硅和/或硅离子的组合物，系统和方法，包括从相应的硅前体组合物产生硅和/或硅离子，以及在衬底中注入硅和/或硅离子。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/263 | .....带有高能辐射的 |
| ------------------H01L21/265 | ......产生离子注入的 |