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1. 发明申请

WO2014024627A1 発光装置および発光装置の製造方法审中-公开
标题翻译：发光装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2014024627A1
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：PCT/JP2013/068966
申请日：2013-07-11
申请人：シャープ株式会社
发明人：幡　俊雄 , 英賀谷　誠 , 石崎　真也 , 松田　誠 , 名田　智一 , 植村　豊徳
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/60
CPC分类号： H01L33/60 , G03F9/7073 , G03F9/7076 , G03F9/708 , G03F9/7084 , H01L23/544 , H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2223/54426 , H01L2223/54473 , H01L2223/54486 , H01L2224/45144 , H01L2224/48137 , H05K1/0269 , H05K3/12 , H05K3/28 , H05K2201/09918 , H05K2201/09936 , H01L2924/00
摘要：　発光装置(10)は、基板(11)上に、発光素子(12)と、導電体配線(14)と、アライメントマーク(18)とが形成されているものであり、アライメントマーク(18)と導電体配線(14)とが印刷法により形成されている。
摘要翻译：在基板（11）上形成发光元件（12），导电布线（14）和对准标记（18），通过印刷形成对准标记（18）和导电布线（14）。

2. 发明申请

WO2016134654A1 一种掩模版传输装置及传输方法审中-公开
公开(公告)号：WO2016134654A1
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：PCT/CN2016/074407
申请日：2016-02-24
申请人：上海微电子装备有限公司
发明人：姜晓玉 , 王长刚
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00
CPC分类号： G03F9/7073 , G03F7/20 , G03F9/00
摘要：一种掩模版传输装置，包括一掩模版、一掩模台（4）以及一机械手（2），机械手（2）用于支撑和传输掩模版并将其交接到掩模台（4）上，还包括：第一组标记（52）和第二组标记（53），位于掩模版上；一预对准部件（3），位于掩模台（4）的一侧，用于在掩模版交接过程中探测第一组标记（52）以进行第一次预对准，以及探测第二组标记（53）以进行第二次预对准；一控制单元，用于根据第一次预对准结果调整掩模版和掩模台（4）的相对位置，避免掩模版和掩模台（4）相撞，以及根据第二次预对准结果调整掩模版和掩模台（4）的相对位置，使得掩模版和掩模台（4）的相对位置在设定范围之内。还公开了一种掩模版传输方法。

3. 发明申请

WO2013136921A1 IMPRINT APPARATUS, MOLD, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE 审中-公开
标题翻译： IMPRINT APPARATUS，MOLD，IMPRINT METHOD，AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE
公开(公告)号：WO2013136921A1
公开(公告)日：2013-09-19
申请号：PCT/JP2013/054060
申请日：2013-02-13
申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人： SHIODE, Yoshihiro
IPC分类号： H01L21/027 , B29C59/02
CPC分类号： G03F7/0002 , B29C59/002 , B29C59/022 , B29C2059/023 , G03F9/7073 , G03F9/708 , G03F9/7084 , G03F9/7088
摘要： The present invention provides an imprint apparatus which transfers a pattern onto a substrate by using a mold including a first surface with a pattern region where an unevenness pattern is formed, and a second surface opposite to the first surface, the mold including a first pattern group formed between the second surface and a surface of a convex portion in the unevenness pattern, or on the second surface, the apparatus comprising a second pattern group, a detection unit configured to detect a mark group formed by light having passed through the first pattern group and the second pattern group, and a calculation unit configured to calculate a position deviation between the first pattern group and the second pattern group from the mark group detected by the detection unit.
摘要翻译：本发明提供一种压印装置，其通过使用包括具有形成有凹凸图案的图案区域的第一表面的模具和与第一表面相对的第二表面将图案转印到基板上，模具包括第一图案组形成在所述第二表面和所述凹凸图案中的凸部的表面之间或所述第二表面上，所述装置包括第二图案组，所述检测单元被配置为检测由穿过所述第一图案组的光形成的标记组和第二图案组，以及计算单元，被配置为从由检测单元检测到的标记组中计算第一图案组和第二图案组之间的位置偏差。

4. 发明申请

WO2015189001A1 LITHOGRAPHIC APPARATUS AND EXPOSURE METHOD 审中-公开
标题翻译：平面设备和曝光方法
公开(公告)号：WO2015189001A1
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：PCT/EP2015/060537
申请日：2015-05-13
申请人： ASML NETHERLANDS B.V.
发明人： KRAMER, Pieter, Jacob , GILIJAMSE, Rogier , LAMMERS, Niels , SLOTBOOM, Daan, Maurits
IPC分类号： G03F9/00
CPC分类号： G03F9/7046 , G03F7/70141 , G03F7/70483 , G03F7/70525 , G03F7/706 , G03F7/70633 , G03F7/70775 , G03F9/7003 , G03F9/7049 , G03F9/7073
摘要： An exposure method is described, the method comprising the steps of a) transferring a first pattern onto each of a plurality of target portions of a substrate, the first pattern including at least one alignment mark; b) measuring a position of a plurality of alignment marks and determining an alignment mark displacement (dx, dy) for each of the plurality of alignment marks as a difference between a respective predetermined nominal position of the alignment mark and the respective measured position of the alignment mark; c) fitting a mathematical model to the plurality of alignment mark displacements to obtain a fitted mathematical model, d) determining a position of the first pattern in each of the plurality of target portions, based on the fitted mathematical model; e) transferring a second pattern onto each of the plurality of target portions, using the determined position of the first pattern in each of the plurality of target portions, wherein the mathematical model comprises polynomials Z1 and Z2: Z1 = r 2 cos(2 θ ) Z2 = r 2 sin(2 θ ) in polar coordinates (r, θ) or Z1 = x 2 - y Z 2= xy in Cartesian coordinates (x, y).
摘要翻译：描述了一种曝光方法，所述方法包括以下步骤：a）将第一图案转印到基板的多个目标部分中的每一个上，所述第一图案包括至少一个对准标记; b）测量多个对准标记的位置，并确定多个对准标记中的每一个的对准标记位移（dx，dy），作为对准标记的相应预定标称位置与相应测量位置之间的差对准标记 c）将数学模型拟合到所述多个对准标记位移以获得拟合的数学模型，d）基于所拟合的数学模型确定所述多个目标部分中的每一个中的所述第一图案的位置; e）使用所述多个目标部分中的每一个中的所述第一图案的确定位置将第二图案转移到所述多个目标部分中的每一个上，其中所述数学模型包括多项式Z1和Z2：Z1 = r 2 cos（2θ） Z2 = r 2 sin（2θ）极坐标（r，θ）或Z1 = x 2 -y Z 2 = xy在笛卡尔坐标（x，y）。

5. 发明申请

WO2007121010A3 TRANSISTOR AND METHOD WITH DUAL LAYER PASSIVATION 审中-公开
标题翻译：具有双层钝化的晶体管和方法
公开(公告)号：WO2007121010A3
公开(公告)日：2009-01-15
申请号：PCT/US2007063775
申请日：2007-03-12
申请人： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC , GREEN BRUCE M , HENRY HALDANE S
发明人： GREEN BRUCE M , HENRY HALDANE S
IPC分类号： H01L29/06
CPC分类号： H01L29/0657 , G03F9/7073 , G03F9/7076 , G03F9/708 , G03F9/7084 , H01L23/544 , H01L29/2003 , H01L29/812 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2223/5446 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor layer (34) is formed on a substrate (32) and covered by a first passivation layer (PL-1) (56). PL-1 (56) and part (341) of the semiconductor layer (34) are etched to form a device mesa (35). A second passivation layer (PL-2) (59) is formed over PL-1 (56) and exposed edges (44) of the mesa (35). Vias (90, 92, 93) are etched through PL-1 (56) and PL-2 (59) to the semiconductor layer (34) where source (40), drain (42) and gate are formed. Conductors (41, 43, 39) are applied in the vias (90, 92, 93). Interconnections (45, 47) over the edges (44) of the mesa (35) couple other circuit elements. PL-1 (56) avoids adverse surface states (52) near the gate and PL-2 (59) insulates edges (44) of the mesa (35) from overlying interconnections (45, 47) to avoid leakage currents (46). An opaque alignment mark (68) is desirably formed to facilitate alignment when using transparent semiconductors (34).
摘要翻译：半导体层（34）形成在基板（32）上并被第一钝化层（PL-1）（56）覆盖。半导体层（34）的PL-1（56）和部分（341）被蚀刻以形成器件台面（35）。在台面（35）的PL-1（56）和暴露边缘（44）上形成第二钝化层（PL-2）（59）。通过PL-1（56）和PL-2（59）将通孔（90,92,93）蚀刻到形成源极（40），漏极（42）和栅极的半导体层（34）。导体（41,43,39）被施加在通孔（90,92,93）中。台面（35）的边缘（44）之间的互连（45,47）耦合其他电路元件。 PL-1（56）避免栅极附近的不利表面状态（52），并且PL-2（59）使台面（35）的边缘（44）与上覆互连（45,47）绝缘，以避免泄漏电流（46）。期望形成不透明对准标记（68），以便在使用透明半导体（34）时促进对准。

6. 发明申请

WO2007121010A2 TRANSISTOR AND METHOD WITH DUAL LAYER PASSIVATION 审中-公开
标题翻译：具有双层钝化的晶体管和方法
公开(公告)号：WO2007121010A2
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：PCT/US2007/063775
申请日：2007-03-12
申请人： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. , GREEN, Bruce M. , HENRY, Haldane S.
发明人： GREEN, Bruce M. , HENRY, Haldane S.
IPC分类号： H01L29/00
CPC分类号： H01L29/0657 , G03F9/7073 , G03F9/7076 , G03F9/708 , G03F9/7084 , H01L23/544 , H01L29/2003 , H01L29/812 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2223/5446 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要： Semiconductor devices (61) and methods (80-89, 100) are provided with dual passivation layers (56, 59). A semiconductor layer (34) is formed on a substrate (32) and covered by a first passivation layer (PL-I) (56). PL-I (56) and part (341) of the semiconductor layer (34) are etched to form a device mesa (35). A second passivation layer (PL-2) (59) is formed over PL-I (56) and exposed edges (44) of the mesa (35). Vias (90, 92, 93) are etched through PL-I (56) and PL-2 (59) to the semiconductor layer (34) where source (40), drain (42) and gate are to be formed. Conductors (41, 43, 39) are applied in the vias (90, 92, 93) for ohmic contacts for the source-drain (40, 42) and a Schottky contact (39) for the gate. Interconnections (45, 47) over the edges (44) of the mesa (35) couple other circuit elements. PL-I (56) avoids adverse surface states (52) near the gate and PL-2 (59) insulates edges (44) of the mesa (35) from overlying interconnections (45, 47) to avoid leakage currents (46). An opaque alignment mark (68) is desirably formed at the same time as the device (61) to facilitate alignment when using transparent semiconductors (34).
摘要翻译：半导体器件（61）和方法（80-89,100）设置有双重钝化层（56,59）。半导体层（34）形成在基板（32）上并被第一钝化层（PL-I）（56）覆盖。半导体层（34）的PL-I（56）和部分（341）被蚀刻以形成器件台面（35）。在PL-I（56）和台面（35）的暴露边缘（44）之间形成第二钝化层（PL-2）（59）。通过PL-I（56）和PL-2（59）将通孔（90,92,93）蚀刻到要形成源极（40），漏极（42）和栅极的半导体层（34）。导体（41,43,39）被施加在通孔（90,92,93）中，用于源极漏极（40,42）的欧姆接触和用于栅极的肖特基接触（39）。台面（35）的边缘（44）之间的互连（45,47）耦合其他电路元件。 PL-I（56）避免栅极附近的不利表面状态（52），并且PL-2（59）使台面（35）的边缘（44）与上覆的互连（45,47）绝缘，以避免泄漏电流（46）。在使用透明半导体（34）时，期望与器件（61）同时形成不透明对准标记（68）以便于对准。

7. 发明申请

WO2017108453A1 METHODS OF CONTROLLING A PATTERNING PROCESS, DEVICE MANUFACTURING METHOD, CONTROL SYSTEM FOR A LITHOGRAPHIC APPARATUS AND LITHOGRAPHIC APPARATUS 审中-公开
标题翻译：光刻设备的控制方法，设备制造方法，光刻设备和光刻设备的控制系统
公开(公告)号：WO2017108453A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/EP2016/080484
申请日：2016-12-09
申请人： ASML NETHERLANDS B.V.
发明人： SLOTBOOM, Daan, Maurits , KUPERS, Michiel
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00
CPC分类号： G03F7/70525 , G03F7/705 , G03F7/70633 , G03F9/7073
摘要： Performance measurement targets are used to measure performance of a lithographic process after processing a number of substrates. In a set-up phase, the method selects an alignment mark type and alignment recipe from among a plurality of candidate mark types by reference to expected parameters of the patterning process. After exposing a number of test substrates using the patterning process, a preferred metrology target type and metrology recipe are selected by comparing measured performance (e.g. overlay) of performance of the patterning process measured by a reference technique. Based on the measurements of position measurement marks and performance measurement targets after actual performance of the patterning process, the alignment mark type and/or recipe may be revised, thereby co-optimizing of the alignment marks and metrology targets. Alternative run-to-run feedback strategies may also be compared during subsequent operation of the process.
摘要翻译：性能测量目标用于在处理多个衬底之后测量光刻工艺的性能。在设置阶段，该方法通过参考构图过程的预期参数从多个候选标记类型中选择对准标记类型和对准配方。在使用图案化工艺曝光多个测试衬底之后，通过比较由参考技术测量的图案化工艺的性能的测量性能（例如，重叠）来选择优选的度量目标类型和度量配方。基于在图案化过程的实际执行之后对位置测量标记和性能测量目标的测量结果，可以修改对准标记类型和/或配方，从而共同优化对准标记和度量目标。另外的运行反馈策略也可以在流程的后续操作中进行比较。

8. 发明申请

WO2017009166A1 LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD 审中-公开
标题翻译： LITHOGRAPHIC装置和装置制造方法
公开(公告)号：WO2017009166A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：PCT/EP2016/066109
申请日：2016-07-07
申请人： ASML NETHERLANDS B.V.
发明人： BIJNEN, Franciscus, Godefridus, Casper , HULSEBOS, Edo, Maria
IPC分类号： G03F9/00
CPC分类号： G03F9/7046 , G03F7/70258 , G03F7/705 , G03F9/7069 , G03F9/7073 , G03F9/7088
摘要： A lithographic apparatus is described, the apparatus comprising: an illumination system configured to condition a radiation beam; a support constructed to support a patterning device, the patterning device being capable of imparting the radiation beam with a pattern in its cross-section to form a patterned radiation beam; a substrate table constructed to hold a substrate; and a projection system configured to project the patterned radiation beam onto a target portion of the substrate, wherein the apparatus further comprises an alignment system configured to perform, for one or more alignment marks that are present on the substrate: - a plurality of alignment mark position measurements for the alignment mark by applying a respective plurality of different alignment measurement parameters, thereby obtaining a plurality of measured alignment mark positions for the alignment mark; the apparatus further comprising a processing unit, the processing unit being configured to: - determine, for each of the plurality of alignment mark position measurements, a positional deviation as a difference between an expected alignment mark position and a measured alignment mark position, the measured alignment mark position being determined based on the respective alignment mark position measurement; - define a set of functions as possible causes for the positional deviations, the set of functions including a substrate deformation function representing a deformation of the substrate, and at least one mark deformation function representing a deformation of the one or more alignment marks; - generating a matrix equation PD = M*F whereby a vector PD comprising the positional deviations is set equal to a weighted combination, represented by a weight coefficient matrix M, of a vector F comprising the substrate deformation function and the at least one mark deformation function, whereby weight coefficients associated with the at least one mark deformation function vary depending on applied alignment measurement; - determining a value for the weight coefficients of the matrix M; - determining an inverse or pseudo-inverse matrix of the matrix M, thereby obtaining a value for the substrate deformation function as a weighted combination of the positional deviations. - applying the value of the substrate deformation function to perform an alignment of the target portion with the patterned radiation beam.
摘要翻译：描述了光刻设备，该设备包括：照明系统，被配置为调节辐射束; 构造成支撑图案形成装置的支撑件，所述图案形成装置能够在其横截面中赋予辐射束图案以形成图案化的辐射束; 构造成保持基板的基板台; 以及投影系统，被配置为将所述图案化的辐射束投影到所述基板的目标部分上，其中所述装置还包括对准系统，所述对准系统被配置为对存在于所述基板上的一个或多个对准标记执行： - 多个对准标记通过施加相应的多个不同的对准测量参数来对准标记的位置测量，从而获得用于对准标记的多个测量的对准标记位置; 所述装置还包括处理单元，所述处理单元被配置为：对于所述多个对准标记位置测量中的每一个，确定作为预期对准标记位置和测量到的对准标记位置之间的差的位置偏差，基于相应的对准标记位置测量来确定对准标记位置; - 定义一组函数作为位置偏差的可能原因，所述函数集合包括表示基板变形的基板变形函数以及表示所述一个或多个对准标记的变形的至少一个标记变形函数; - 产生矩阵方程PD = M * F，由此将包括位置偏差的矢量PD设置为等于由权重系数矩阵M表示的加权组合，该加权组合包括基底变形函数和至少一个标记变形功能，由此与所述至少一个标记变形函数相关联的权重系数根据所施加的对准测量而变化; - 确定矩阵M的权重系数的值; - 确定矩阵M的逆矩阵或伪逆矩阵，从而获得基底变形函数的值作为位置偏差的加权组合。 - 施加基板变形函数的值以执行目标部分与图案化的辐射束的对准。

9. 发明申请

WO2015193053A1 LITHOGRAPHIC APPARATUS, OBJECT POSITIONING SYSTEM AND DEVICE MANUFACTURING METHOD 审中-公开
标题翻译：平面设备，对象定位系统和设备制造方法
公开(公告)号：WO2015193053A1
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：PCT/EP2015/061193
申请日：2015-05-21
申请人： ASML NETHERLANDS B.V.
发明人： DE WIT, Paul , DE VOS, Youssef , HEMPENIUS, Peter , KEMPER, Nicolaas , RIJS, Robertus, Mathijs, Gerardus , VAN DER MEULEN, Frits , BOERE, Stijne
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F9/7073 , G03F7/20 , G03F7/70725 , G03F7/70875 , G03F7/70891 , G03F7/709
摘要： The invention relates to providing a temperature conditioning system for a lithographic apparatus. Temperature variations in an object cause object deformation which prevents the object being accurately positioned. Temperature condition systems use conduit systems, provided with fluid, in or on the object to control the temperature of the object to reduce object deformation. In this way, parts of the object can be more accurately positioned. However, acceleration of the object and the temperature conditioning system induces variation in pressure within the fluid inside the conduit system on or in the object, which may also cause object deformation. To provide an improved conduit system, the lithographic apparatus further comprises a control system which is used to control the movement of the object based on measurements indicating pressure variation in the conduit.
摘要翻译：本发明涉及提供一种用于光刻设备的温度调节系统。物体中的温度变化导致物体变形，从而防止物体被精确定位。温度条件系统使用在物体中或物体上提供流体的管道系统来控制物体的温度以减少物体变形。以这种方式，可以更准确地定位物体的部分。然而，物体和温度调节系统的加速度导致管道系统内部或物体内的流体内的压力变化，这也可能导致物体变形。为了提供改进的导管系统，光刻设备还包括控制系统，其用于基于指示导管中的压力变化的测量来控制物体的移动。

10. 发明申请

WO2013103024A1 炭化珪素半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：硅碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2013103024A1
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：PCT/JP2012/066697
申请日：2012-06-29
申请人：三菱電機株式会社 , 綾淳 , 川上剛史 , 渡邊寛 , 中木義幸
发明人：綾　淳 , 川上　剛史 , 渡邊　寛 , 中木　義幸
IPC分类号： H01L29/47 , H01L21/027 , H01L29/06 , H01L29/872
CPC分类号： G03F9/7073 , H01L23/544 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0661 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/66212 , H01L29/872 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　終端領域の耐圧低下を抑えつつ、製造時におけるマスク数の削減およびアライメントマークの検出精度向上を図ることが可能な炭化珪素半導体装置を提供する。半導体装置は、ＳｉＣエピタキシャル層２に形成された半導体素子（ショットキーバリアダイオード）と、ＳｉＣエピタキシャル層２の表面部における半導体素子の外周に形成された不純物領域である終端領域８（ガードリング）と、終端領域８の上面に形成されたリセス１０とを備える。リセス１０は、極浅く形成され、その深さは５０ｎｍ以下である。
摘要翻译：本发明提供一种碳化硅半导体器件，其能够减少用于制造的掩模的数量，并且可以在抑制后端区域中的耐电压降低的同时提高对准标记检测的精度。半导体器件设置有形成在SiC外延层（2）上的半导体元件（肖特基势垒二极管），形成在半导体器件的外周上的杂质区域的后端区域（8）（保护环）在所述SiC外延层（2）的表面上形成有形成在所述后端区域（8）的上表面的凹部（10）。凹部（10）形成为非常浅，深度为50nm以下。

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