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    • 1. 发明申请
    • MEMS YAW-RATE SENSOR WITH MAGNETIC DETECTION
    • 带有磁检测的MEMS转向传感器
    • WO2017060130A3
    • 2017-06-01
    • PCT/EP2016073005
    • 2016-09-27
    • EPCOS AG
    • BESSON MARCUSOSTRICK BERNHARD
    • G01C19/5747G01C19/5712G01C19/5769
    • G01C19/5747G01C19/5712G01C19/5769
    • The invention relates to a MEMS yaw-rate sensor (1) which comprises a main part (2), a first primary mass (3) designed to implement a primary oscillation relative to the main part (2), a first secondary mass (6) connected to said first primary mass (3) by a suspension mechanism (7) such that the primary movement of the first primary mass (3) incites a primary movement of the first secondary mass (6) and a secondary movement of the first secondary mass (6) is permitted relative to the first primary mass (3), a first magnetic field-generating element (9) and a first magnet-sensitive element (8), one of which is arranged on the main part (2) and the other arranged on the first primary mass (3), wherein the first magnet-sensitive element (8) is designed to determine the primary movement of the first primary mass (3) relative to the main part (2), and a second magnetic field-generating element (11) and a second magnet-sensitive element (10), one of which is arranged on the main part (2) or on the first primary mass (3) and the other arranged on the first secondary mass (6), wherein the second magnet-sensitive element (10) is designed to determine the secondary movement of the first secondary mass (6) relative to the first primary mass (3).
    • 本发明涉及(1),包括其适合于一个主摆动相对于基体的基体(2),第一主质量块(3)的MEMS率传感器(2)以执行第一辅块(6) 是在这样的悬挂器连接到所述第一初级质量块(3)(7),所述第一主质量块(3)的主运动刺激(6)的第一辅块和第一辅块的次级运动的主运动(6)相对于所述第一主质量( 3)是允许的,第一磁场生成元件(9)和第一磁敏感元件(8),其(在主体2)布置的一个和布置在(第一初级质量3),其中,所述第一磁体敏感元件( 用于确定所述第一主质量块(3)相对于所述基体(2)的主运动的第一磁场产生元件(11)和第二磁场产生元件(11)以及第二磁场产生元件 Ives的元件(10),其在所述基体之一(2)或所述第一主质量的(3)并且被置于一个在所述第一辅块(6)的顶部上,其中,用于确定所述第一的二次运动第二磁体敏感元件(10) 次质量(6)相对于第一主质量(3)具有。
    • 2. 发明申请
    • 멤스 자이로스코프에 사용되는 멤스 링크 기구
    • 用于MEMS陀螺仪的MEMS链路机制
    • WO2017003148A1
    • 2017-01-05
    • PCT/KR2016/006876
    • 2016-06-28
    • 주식회사 신성씨앤티
    • 송기무윤근중강정식김용국한승오송현주
    • G01C19/574G01C19/5769G01C19/5783
    • G01C19/5747B81B7/02G01C19/5621G01C19/5712G01C19/574G01C19/5769G01C19/5783
    • 바닥 웨이퍼기판에 대해 평행하게 배치되는 프레임과, 상기 프레임에 가진 방향의 움직임과 외부의 각속도가 입력될 때 코리올리 힘에 의해 변위가 감지되는 센서질량체와, 상기 센서질량체의 변위를 감지하는 적어도 하나의 감지전극을 포함하는 멤스 기반의 자이로스코프에서, 상기 센서 질량체를 구성하는 선대칭 형태의 2개의 질량체 유닛의 역위상 움직임을 보장하기 위한 멤스 역위상 링크 기구가 제공된다. 이러한 멤스 역위상 링크 기구는, 움직임을 갖지 않는 중앙 앵커와 연결되는 적어도 2개의 앵커 연결부와, 상기 적어도 2개의 앵커 연결부와 연결되며 상기 멤스 역위상 링크 기구의 중심을 기준으로 서로 간에 180도 회전 대칭인 형태로 상기 2개의 질량체 유닛에 각각 연결되는 적어도 2개의 링크 아암을 포함한다.
    • 提供了一种用于补偿基于MEMS的陀螺仪的传感器质量体中的两个轴对称质量单元的反相运动的反相MEMS连杆机构,包括:相对于底部上的晶片衬底水平布置的框架; 传感器质量体,其中当在框架中输入外部角速度和激励方向的移动时,通过科里奥利力感测到相位变化; 以及用于感测传感器质量体的相位变化的至少一个感测电极。 这种反相MEMS连杆机构包括:至少两个连接到不动的中心锚的锚连接部分; 以及至少两个连接臂,其连接到所述至少两个锚固连接部分,并且分别相对于所述反相MEMS连杆机构的中心以180度旋转对称的方式分别连接到所述两个质量单元。
    • 4. 发明申请
    • MICROMECHANICAL GYROSCOPE STRUCTURE
    • 微机械结构
    • WO2016108151A1
    • 2016-07-07
    • PCT/IB2015/059910
    • 2015-12-23
    • MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
    • RINKIÖ, Marcus
    • G01C19/5712
    • G01C19/5712G01C25/00
    • A microelectromechanical gyroscope structure, and a method for manufacturing a microelectromechanical gyroscope structure, comprising a seismic mass and a spring structure suspending the seismic mass to a body element with a suspension structure. The spring structure allows a primary oscillation motion about a primary axis that is aligned with the plane of the seismic mass, and a secondary oscillation motion where at least part of the seismic mass moves in a second direction, perpendicular to the direction of the primary oscillation motion. The spring structure is attached to the seismic mass at both sides of the suspension structure and said spring structure is in torsional motion about the primary axis that is common with the primary oscillation motion. The structure of the gyroscope enables mechanical compensation of a quadrature error of the seismic mass by etching a compensation groove on the top face of the seismic mass.
    • 一种微机电陀螺仪结构,以及一种用于制造微机电陀螺仪结构的方法,其包括将地震块和弹簧结构悬挂在具有悬挂结构的主体元件上。 弹簧结构允许围绕与主体轴对准的主轴的主振荡运动,以及次震动,其中至少部分地震质量沿垂直于主振荡方向的第二方向移动 运动。 弹簧结构附着在悬架结构两侧的地震块上,而弹簧结构围绕主轴与主振荡运动相同的扭转运动。 陀螺仪的结构可以通过蚀刻地震块顶面的补偿槽来对地震质量的正交误差进行机械补偿。
    • 5. 发明申请
    • A QUADRATURE COMPENSATION METHOD FOR MEMS GYROSCOPES AND A GYROSCOPE SENSOR
    • 用于MEMS陀螺仪和陀螺仪传感器的四次补偿方法
    • WO2016097127A1
    • 2016-06-23
    • PCT/EP2015/080195
    • 2015-12-17
    • ACREO SWEDISH ICT AB
    • ANDERSSON, GertSVENSSON, ErikSTOEW, BorysHEDENSTIERNA, Nils
    • G01C19/5712
    • G01C19/5712
    • The present invention relates to a gyroscope sensor (102) for detecting a rotational motion about a sensitivity axis (104) and comprising means for quadrature compensation. The gyroscope sensor comprises a total inertial mass (105) comprising a first inertial mass (106) and a second inertial mass (108) physically attached to each other and arranged such that a rotation of the first inertial mass about a detection axis caused by the coriolis force when the gyroscope sensor is subjected to a rotation about a sensitivity axis. The gyroscope further comprises a first drive structure having a displaceable drive frame which may cause a respective of the first or second inertial mass to rotate about the detection axis in order to compensate for quadrature errors originating from faulty coupling between a drive mode and a sense mode of the gyroscope sensor.
    • 本发明涉及一种用于检测关于灵敏度轴(104)的旋转运动并包括用于正交补偿的装置的陀螺仪传感器(102)。 陀螺仪传感器包括总惯性质量(105),其包括彼此物理连接的第一惯性质量(106)和第二惯性质量(108),并布置成使得第一惯性质量块围绕由 当陀螺传感器经受围绕感光度轴的旋转时的科里奥利力。 陀螺仪还包括具有位移驱动框架的第一驱动结构,其可以使得相应的第一或第二惯性质量围绕检测轴线旋转,以便补偿源自驱动模式和感测模式之间的故障耦合的正交误差 的陀螺仪传感器。
    • 8. 发明申请
    • 角速度センサ
    • 角速度传感器
    • WO2015033587A1
    • 2015-03-12
    • PCT/JP2014/052201
    • 2014-01-31
    • 日立オートモティブシステムズ株式会社
    • 山中 聖子鄭 希元林 雅秀
    • G01C19/5712B81B3/00H01L29/84
    • G01C19/5712G01C19/574
    •  x軸方向周りの角速度、あるいは、y軸方向周りの角速度を検出できる面内角速度センサの性能向上を図る。 角速度センサ素子が形成された半導体チップCHP1は、デバイス層DLとキャップ層CAPLとを含む。デバイス層DLには、支持基板1Sの厚さ方向を含むzx平面内で振動可能な励振素子105と、zx平面に垂直なxy平面内に含まれる回転軸周りに角速度が印加された際、角速度に起因して発生するコリオリ力に基づくxy平面内の変位を静電容量の変化として捉える検出部とが形成されている。キャップ層CAPLには、励振素子105をzx平面内で振動させるための電圧が印加される駆動用固定電極106b、107bが形成されている。
    • 本发明增强了能够检测围绕x轴方向的角速度和围绕y轴方向的角速度的面内角速度传感器的性能。 其中形成有角速度传感器元件的半导体芯片(CHP1)包括器件层(DL)和盖层(CAPL)。 器件层(DL)在其中形成有能够在包括支撑衬底(1S)的厚度方向的zx平面内振动的振动元件(105)和能够捕获作为电容变化的检测单元, 垂直于zx平面的xy平面中的位移由由围绕在xy平面中的旋转轴线施加的角速度产生的科里奥利力引起。 盖层(CAPL)具有固定的施加电压的驱动电极(106b,107b),用于使振动元件(105)在zx平面内振动。
    • 10. 发明申请
    • 角速度センサ及びその製造方法
    • 角速度传感器及其制造方法
    • WO2014119609A1
    • 2014-08-07
    • PCT/JP2014/051929
    • 2014-01-29
    • 富士フイルム株式会社
    • 直野 崇幸中野 琢磨
    • G01C19/5783
    • G01C19/5712G01C19/56G01C25/00G01P15/09G01P15/097
    •  ダイヤフラム部(12)を構成する1層以上の振動板層(21,22)を薄膜形成技術によって形成する。角速度センサ(10)の構造体の寸法と、材料の弾性パラメータから計算される共振振動モードの共振周波数をfキロヘルツ、錘部(14)の質量をMミリグラム、ダイヤフラム部(12)の周長をrメートル、圧電体層(32)にかかる応力をσ p パスカル、膜厚をt p メートル、下部電極と振動板層(21,22)とを含む複数層で構成される振動板部分における錘部(14)の側から数えて第n番目の層にかかる応力をσ n パスカル、膜厚をt n メートルとしたとき(nは自然数)、T eff =r(σ p t p +Σσ n t n )/Mで表されるT eff が、{(-0.36f 2 +210)/33}≦T eff ≦{(0.44f 2 +210)/33}を満たす。
    • 通过薄膜形成技术形成构成隔膜部分(12)的一个或多个隔膜层(21,22)。 当根据角速度传感器(10)的结构的尺寸和其材料的弹性参数计算的共振振动模式中的共振频率被定义为f [kHz]时,重量部分(14)的质量为 定义为M [mg],膜片部分(12)的周长定义为r [m],施加到压电层(32)的应力定义为&sgr; p [Pa],其厚度定义为 在由包括下电极和隔膜层(21,22)的多个层组成的隔膜部分中,从配重部分(14)侧向第n层施加的应力被定义为 &sgr; n [Pa],其厚度定义为tn [m](n是自然数),Teff = r(&sgr; ptp +&Sgr;&sgr; ntn)/ M表示的Teff满足{(-0.36 F2 + 210)/ 33}≤Teff≤{(0.44f2 + 210)/ 33}。