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热词
    • 1. 发明申请
    • PROCEDE DE METALLISATION DE PIECES PLASTIQUES
    • 金属化塑料零件的工艺
    • WO2016071598A1
    • 2016-05-12
    • PCT/FR2015/052753
    • 2015-10-13
    • PEGASTECH
    • BROUZES, Alexandre
    • C23C18/18C23C18/20
    • C23C18/30B29C37/0025B29C45/14C23C18/1603C23C18/1605C23C18/1608C23C18/163C23C18/1641C23C18/2086C23C18/36C23C18/405C25D5/02C25D5/54
    • La présente invention concerne une méthode pour empêcher la métallisation d'un support d'au moins une pièce plastique soumise à un procédé de métallisation, comprenant les étapes successives d'oxydation de la surface de ladite pièce, d'activation de la surface oxydée et de dépôt chimique et/ou électrochimique de métal sur la surface activée, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de mise en contact dudit support, avant ladite étape d'oxydation, avec une solution inhibitrice comprenant au moins un inhibiteur de métallisation spécifique choisi parmi le sulfite de sodium, la thiourée, les thiols, les thioéthers, les composés portant au moins groupe thiol et/ou thiazolyle et leurs mélanges. L'invention concerne également un procédé pour empêcher la métallisation d'un support d'une pièce plastique soumise à un procédé de métallisation, comprenant la mise en contact dudit support et de ladite pièce avec ladite solution inhibitrice, le support étant dans un matériau différent de celui de la pièce.
    • 本发明涉及一种用于防止至少一个经过金属化处理的塑料部件的支撑体的金属化的方法,其包括氧化所述部件的表面,氧化表面的活化和化学和/或电化学的连续步骤 金属沉积在活化表面上,其特征在于,其包括在所述氧化步骤之前使所述载体与包含至少一种选自亚硫酸钠,硫脲,硫醇,硫醚,化合物的特定金属化抑制剂的抑制剂溶液接触的步骤 具有至少一个硫醇和/或噻唑基及其混合物。 本发明还涉及一种用于防止经受金属化处理的塑料部件的支撑体的金属化的方法,包括使所述载体和所述部分与所述抑制剂溶液接触,所述载体由不同于 部分。
    • 3. 发明申请
    • METHOD OF METAL DEPOSITION
    • 金属沉积方法
    • WO2012042203A3
    • 2012-12-27
    • PCT/GB2011001402
    • 2011-09-28
    • UNIV LANCASTERBOXALL COLINBROMLEY MICHAEL
    • BOXALL COLINBROMLEY MICHAEL
    • C23C18/18C23C18/16C23C18/31C23C18/44
    • H01L21/02697C23C18/14C23C18/1601C23C18/1603C23C18/1605C23C18/1642C23C18/1648C23C18/1667C23C18/1851C23C18/1879C23C18/31C23C18/44
    • A method of forming a metal layer on an electrically insulating substrate comprises depositing a photocatalyst layer onto the substrate and depositing a mask layer comprising voids on the substrate, such as a layer of latex microparticles with voids between them, to give an open pore structure to the mask. An electroless plating solution is then provided on the photocatalyst layer, and the photocatalyst layer and electroless plating solution are illuminated with actinic radiation whereby deposition of metal from the electroless plating solution to form a metal layer on the photocatalyst layer is initiated whereby the metal deposits in the voids of the mask layer. The mask layer is subsequently removed to leave a porous metal layer on the substrate. The method allows for deposition of porous metal films with controlled thickness and excellent adhesion onto electrically insulating substrates. The method is suitable for providing metal layers with controlled, regular porosity.
    • 在电绝缘基板上形成金属层的方法包括将光催化剂层沉积到基板上,并在基板上沉积包括空隙的掩模层,例如在它们之间具有空隙的胶乳微粒层,以得到开孔结构以 面具。 然后在光催化剂层上提供无电镀溶液,用光化辐射照射光催化剂层和无电镀溶液,由此开始从无电镀溶液中沉积金属以在光催化剂层上形成金属层,由此金属沉积在 掩模层的空隙。 随后移除掩模层以在衬底上留下多孔金属层。 该方法允许沉积具有可控厚度的多孔金属膜并且在电绝缘基底上具有优异的粘附性。 该方法适用于提供具有可控,规则孔隙度的金属层。