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1. 发明申请

WO2016036544A1 VARIOUS STRESS FREE SENSOR PACKAGES USING WAFER LEVEL SUPPORTING DIE AND AIR GAP TECHNIQUE 审中-公开
标题翻译：各种应力消除传感器包装使用水平支持DIE和空气隙技术
公开(公告)号：WO2016036544A1
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：PCT/US2015/046803
申请日：2015-08-25
申请人： APPLE INC.
发明人： HAN, Caleb C. , JIANG, Tongbi , ZHAI, Jun
IPC分类号： B81B7/00
CPC分类号： G01L7/08 , B81B7/0048 , B81B2201/025 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/094 , B81C1/0023 , B81C2203/0792 , G01L9/0045 , G01L9/0048 , G01L19/0618 , G01L19/146 , G01L19/148 , H01L41/094 , H01L41/1136 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/48095 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/94 , H01L2924/1461 , H01L2924/16151 , H01L2924/16195
摘要： Sensor packages and manners of formation are described. In an embodiment, a sensor package includes a supporting die characterized by a recess area and a support anchor protruding above the recess area. A sensor die is bonded to the support anchor such that an air gap exists between the sensor die and the recess area. The sensor die includes a sensor positioned directly above the air gap.
摘要翻译：描述传感器封装和形成方式。在一个实施例中，传感器封装包括支撑模具，其特征在于凹部区域和在凹部区域上方突出的支撑锚固件。传感器模具结合到支撑锚定件，使得在传感器模具和凹部区域之间存在气隙。传感器模具包括位于空气间隙正上方的传感器。

2. 发明申请

WO2008124595A2 POLYSILICON DEPOSITION AND ANNEAL PROCESS ENABLING THICK POLYSILICON FILMS FOR MEMS APPLICATIONS 审中-公开
标题翻译：多晶硅沉积和退火工艺使MEMS应用的薄膜多晶硅薄膜
公开(公告)号：WO2008124595A2
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：PCT/US2008059415
申请日：2008-04-04
申请人： ANALOG DEVICES INC , NUNAN THOMAS KIERAN
发明人： NUNAN THOMAS KIERAN
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00666 , B81B2201/025 , B81C2201/0164 , B81C2201/0167 , B81C2201/0169
摘要： A method of forming a thick polysilicon layer for a MEMS inertial sensor includes forming a first amorphous polysilicon film on a substrate in an elevated temperature environment for a period of time such that a portion of the amorphous polysilicon film undergoes crystallization and grain growth at least near the substrate. The method also includes forming an oxide layer on the first amorphous polysilicon film, annealing the first amorphous polysilicon film in an environment of about 1100°C or greater to produce a crystalline film, and removing the oxide layer. Lastly, the method includes forming a second amorphous polysilicon film on a surface of the crystalline polysilicon film in an elevated temperature environment for a period of time such that a portion of the second amorphous polysilicon film undergoes crystallization and grain growth at least near the surface of the crystalline polysilicon film.
摘要翻译：形成用于MEMS惯性传感器的厚多晶硅层的方法包括在高温环境中在衬底上形成第一非晶多晶硅膜一段时间，使得非晶多晶硅膜的一部分经历结晶并且晶粒生长至少接近底物。该方法还包括在第一非晶多晶硅膜上形成氧化物层，在约1100℃或更高的环境中退火第一非晶多晶硅膜以产生结晶膜，并除去氧化物层。最后，该方法包括在高温环境下在晶体多晶硅膜的表面上形成第二非晶多晶硅膜一段时间，使得第二非晶多晶硅膜的一部分在至少在表面附近发生结晶和晶粒生长晶体多晶硅膜。

3. 发明申请

WO2008069284A1 SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
标题翻译：传感器及其制造方法
公开(公告)号：WO2008069284A1
公开(公告)日：2008-06-12
申请号：PCT/JP2007/073617
申请日：2007-11-29
申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA , KANDORI, Atsushi , MAJIMA, Masao , NAGAE, Kenichi , TAKAI, Yasuyoshi
发明人： KANDORI, Atsushi , MAJIMA, Masao , NAGAE, Kenichi , TAKAI, Yasuyoshi
IPC分类号： G01C19/56 , G01P15/12 , G01P15/14 , G01L9/00 , H01L27/00
CPC分类号： G01C19/5719 , B81B3/0021 , B81B2201/025 , B81B2201/0264 , G01P15/0802 , G01P15/124 , G01P15/125 , G01P2015/0828
摘要： Provided is a sensor including a movably supported movable element and an opposing member. The sensor detects a relative positional relationship between the movable element and the opposing member which are provided with a spacing therebetween The opposing member has an impurity-doped portion which is provided to one of an opposing portion which is opposed to the movable element and an adjoining portion which adjoins the opposing portion. At least a part of the impurity-doped portion is formed on an opposite surface opposite to a surface which is opposed to the movable element, from which opposite surface an electrical wiring is led out.
摘要翻译：提供一种传感器，包括可移动支撑的可移动元件和相对构件。传感器检测可移动元件和相对构件之间的间隔的相对位置关系。相对构件具有杂质掺杂部分，该杂质掺杂部分设置在与可移动元件相对的相对部分中的一个上，邻接相对部分的部分。杂质掺杂部分的至少一部分形成在与可移动元件相对的表面相对的相对表面上，从该导体的相对表面引出电线。

4. 发明申请

WO2015106854A1 MIKROMECHANISCHE DRUCKSENSORVORRICHTUNG UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译： MICRO机械压力传感器装置及相应方法
公开(公告)号：WO2015106854A1
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：PCT/EP2014/074748
申请日：2014-11-17
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： CLASSEN, Johannes
IPC分类号： G01L9/00 , B81C1/00
CPC分类号： G01L9/0042 , B81B7/0061 , B81B7/02 , B81B2201/025 , B81B2201/0264 , B81C1/00246 , G01L9/0073 , H01L2224/11
摘要： Die Erfindung schafft eine mikromechanische Drucksensorvorrichtung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Die mikromechanische Drucksensorvorrichtung umfasst einen ASIC-Wafer (1) mit einer Vorderseite (VS) und einer Rückseite (RS), eine auf der Vorderseite (VS) gebildeten Umverdrahtungseinrichtung (1a) mit einer Mehrzahl von Leiterbahnebenen (LB0, LB1, LB2) und dazwischenliegenden Isolationsschichten (I), eine über einer obersten Leiterbahnebene (LB0) der Mehrzahl von Leiterbahnebenen (LB0, LB1, LB2) gebildeten strukturierten Isolationsschicht (6), eine auf der Isolationsschicht (6) gebildeten mikromechanischen Funktionsschicht (2; 2"), welche einen mit Druck beaufschlagbaren Membranbereich (M; Μ'; M") über einer Aussparung (A1; A1 ") der Isolationsschicht (6) als eine erste Druckdetektionselektrode aufweist, und eine in der obersten Leiterbahnebene (LB0) beanstandet vom Membranbereich (M; M'; M") in der Aussparung (A1; A1") gebildeten zweiten Druckdetektionselektrode (7; 7"), welche vom Membranbereich (M; Μ'; M") elektrisch isoliert ist. Der Membranbereich (M; Μ'; M") ist durch ein oder mehrere erste Kontaktstöpsel (P1, P2; P1", P2") mit der obersten Leiterbahnebene (LB0) elektrisch verbunden, welche durch den Membranbereich (M; Μ'; M") und durch die Isolationsschicht (6) geführt sind.
摘要翻译：本发明提供了一种微机械压力传感器装置和相应的制造方法。微机械压力传感器装置包括（1）具有前侧（VS）和后侧（RS），一个上形成再布线（1A）与多个导体路径平面（LB0，LB1，LB2）和中间体的前侧（VS）的ASIC晶片所述多个导体路径平面（LB0，LB1，LB2）的绝缘层（I），一个在顶部导体电平（LB0）来形成结构化的绝缘层（6），一个绝缘层（6）上形成的微机械的功能层（2; 2“），其具有 “;通过的凹部;（M“（A1; A1加压膜部分MΜ）‘）的所述绝缘层作为第一压力检测电极，并在最上面的导体轨道平面（LB0）反对（6）（从隔膜区域M; M’ ; M “）在所述凹部（A1; A1” 形成第二压力检测电极）（7; 7 “），其（从隔膜区域M;Μ“; M”）电从膜片区域（M ;.Μ绝缘'; M“）是通过或多个第一接触插塞（P1，P2的; P1”，P2" ）（与最上面的导体轨道平面LB0）电连接，其（通过膜区域M;Μ“; M“）和（通过绝缘层6）被引导。

5. 发明申请

WO2012122878A1 集成惯性传感器与压力传感器及其形成方法审中-公开
公开(公告)号：WO2012122878A1
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：PCT/CN2012/071494
申请日：2012-02-23
申请人：迈尔森电子(天津)有限公司 , 柳连俊
发明人：柳连俊
IPC分类号： G01P15/125 , G01P3/44 , G01L1/14 , B81B3/00 , B81C1/00
CPC分类号： G01P15/02 , B81B7/02 , B81B2201/025 , B81B2201/0264 , G01C19/574 , G01C19/5769 , G01P15/0802 , G01P15/125 , H01L29/84

6. 发明申请

WO2009031285A1 慣性力センサ审中-公开
标题翻译： INERTIA力传感器
公开(公告)号：WO2009031285A1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：PCT/JP2008/002359
申请日：2008-08-29
申请人：パナソニック株式会社 , 大越偉生 , 三谷朋弘
发明人：大越偉生 , 三谷朋弘
IPC分类号： G01C19/56 , G01P9/04 , G01P15/08
CPC分类号： G01P1/003 , B81B7/0058 , B81B2201/025 , B81C1/0023 , G01C19/5607 , G01P1/023 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要：　振動型の角速度検出素子（３２）と、この角速度検出素子（３２）から出力される出力信号を処理するＩＣ（３４）と、信号処理用のコンデンサ（３６）と、これら角速度検出素子（３２）およびＩＣ（３４）およびコンデンサ（３６）を収納するパッケージ（３８）とを備え、この角速度検出素子（３２）およびＩＣ（３４）は防振部を介してパッケージ（３８）に収納されるとともに、この防振部は、角速度検出素子（３２）を積層したＩＣ（３４）が載置された載置部（４０）と、載置部（４０）の外方に分離して配置されるとともに配線パターン（４２）を介して載置部（４０）と接続された外方部（４４）とを有するＴＡＢテープ（４６）からなる慣性力センサを提供する。
摘要翻译：惯性力传感器设有振动型角速度检测元件（32）; 用于处理从角速度检测元件（32）输出的输出信号的IC（34）; 用于信号处理的电容器（36）; 以及用于存储角速度检测元件（32），IC（34）和电容器（36）的封装（38）。角速度检测元件（32）和IC（34）通过防振部分存储在包装（38）中。防振部分由具有放置部分（40）和外部部分（44）的TAB带（46）组成。在放置部上放置有角速度检测元件（32）层叠的IC（34）。外部部分分别设置在放置部分（40）的外部，并通过布线图案（42）连接到放置部分（40）。

7. 发明申请

WO2005095997A1 FORCE SENSOR 审中-公开
标题翻译：力传感器
公开(公告)号：WO2005095997A1
公开(公告)日：2005-10-13
申请号：PCT/EP2004/014570
申请日：2004-12-22
申请人： ETH ZÜRICH , HIEROLD, Christofer , JUNGEN, Alain , STAMPFER, Christoph
发明人： HIEROLD, Christofer , JUNGEN, Alain , STAMPFER, Christoph
IPC分类号： G01P15/08
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B2201/025 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , G01L1/005 , G01P15/123 , Y10S977/724 , Y10S977/953 , Y10S977/956
摘要： The resolution and the signal-to-noise ration of known force sensors as e.g. capacitive force sensors decrease when scaling them down. To solve this problem there is a solution presented by the usage of a nanostructure as e.g. a carbo nanotube, which is mechanically deformed by a force to be measured. The proposed force sensors comprises a support with two arms carrying the carbon nanotube. The main advantage of this force sensor is a very high sensitivity as the conductance of carbon nanotubes changes several orders of magnitude when a mechanical deformation arises.
摘要翻译：已知的力传感器的分辨率和信噪比例如例如电容式力传感器在缩小时会降低。为了解决这个问题，存在通过使用纳米结构作为例如，碳纳米管，其被测量的力机械变形。所提出的力传感器包括具有携带碳纳米管的两个臂的支撑件。这种力传感器的主要优点是非常高的灵敏度，因为当机械变形出现时，碳纳米管的电导变化几个数量级。

8. 发明申请

WO2004097895A2 A METHOD OF ADDING MASS TO MEMS STRUCTURES 审中-公开
标题翻译：将质量添加到MEMS结构的方法
公开(公告)号：WO2004097895A2
公开(公告)日：2004-11-11
申请号：PCT/US2004011867
申请日：2004-04-16
申请人： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC , MCNEIL ANDREW C , LI GARY , O'BRIEN GARY J
发明人： MCNEIL ANDREW C , LI GARY , O'BRIEN GARY J
IPC分类号： B32B9/00 , B32B15/04 , C23F1/00 , G01P3/00 , G01P9/04 , G01P15/08 , H01L20060101 , H01L
CPC分类号： B81B3/0078 , B81B2201/025 , G01P15/08 , G01P15/0802 , G01P15/0888 , G01P2015/0814 , Y10T428/24917
摘要： A proof mass (11) for a MEMS device is provided herein. The proof mass comprises a base (13) comprising a semiconductor material, and at least one appendage (15) adjoined to said base by way of a stem (21). The appendage (15) comprises a metal (17) or other such material that may be disposed on a semiconductor material (19). The metal increases the total mass of the proof mass (11) as compared to a proof mass of similar dimensions made solely from semiconductor materials, without increasing the size of the proof mass. At the same time, the attachment of the appendage (15) by way of a stem (21) prevents stresses arising from CTE differentials in the appendage from being transmitted to the base, where they could contribute to temperature errors.
摘要翻译：本文提供了用于MEMS器件的检测质量（11）。检测质量块包括一个包括半导体材料的基底（13）和至少一个通过杆（21）与所述底座邻接的附属物（15）。附件（15）包括可以设置在半导体材料（19）上的金属（17）或其他这样的材料。与仅由半导体材料制成的类似尺寸的检验质量相比，金属与总体质量（11）相比增加，而不增加检测质量。同时，通过杆（21）附接附件（15）可防止附件中产生的CTE差异的应力传输到基座，在那里它们可能导致温度误差。

9. 发明申请

WO0210684A2 THREE-AXES SENSOR AND A METHOD OF MAKING SAME 审中-公开
标题翻译：三轴传感器及其制造方法
公开(公告)号：WO0210684A2
公开(公告)日：2002-02-07
申请号：PCT/US0124200
申请日：2001-07-30
申请人： HRL LAB LLC , KUBENA RANDALL L , CHANG DAVID T
发明人： KUBENA RANDALL L , CHANG DAVID T
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , B81C3/00 , G01C19/5656 , G01P15/08 , G01P15/18 , H01H1/00 , H01H59/00 , H01L41/08 , G01C19/00
CPC分类号： B81C3/002 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81C2201/019 , B81C2203/036 , B81C2203/058 , G01C19/5656 , G01P15/0802 , G01P15/0894 , G01P15/18 , G01P2015/084 , G01P2015/0842 , H01H1/0036 , H01H59/0009
摘要： A three axis MEM tunneling/capacitive sensor and method of making same. Cantilevered beamstructures for at least two orthogonally arranged sensors and associated mating structures aredefined on a first substrate or wafer, the at least two orthogonally arranged sensors havingorthogonal directions of sensor sensitivity. A resonator structure of at least a third sensor is alsodefined, the third sensor being sensitive in a third direction orthogonal to the orthogonal directions of sensor sensitivity of the two orthogonally arranged sensors and the resonatorstructure having a mating structure thereon. Contact structures for at least two orthogonallyarranged sensors are formed together with mating structures on a second substrate or wafer, themating structures on the second substrate or wafer being of a complementary shape to the matingstructures on the first substrate or wafer. The mating structures of the first substrate aredisposed in a confronting relationship with the mating structures of the second substrate orwafer. A eutectic bonding layer associated with one of the mating structures facilitates bondingbetween the respective mating structures. At least a portion of the first substrate or wafer is removed to release the cantilevered beam structures and the resonator structure.
摘要翻译：三轴MEM隧道/电容传感器及其制造方法。用于至少两个正交布置的传感器和相关联的配合结构的悬臂梁结构被定义在第一衬底或晶片上，所述至少两个正交布置的传感器具有传感器灵敏度的正交方向。至少第三传感器的谐振器结构被编码，第三传感器在垂直于两个正交布置的传感器的传感器灵敏度的正交方向的第三方向和在其上具有匹配结构的谐振器结构的敏感。至少两个正交分布的传感器的接触结构与第二衬底或晶片上的配合结构一起形成，第二衬底或晶片上的主题结构与第一衬底或晶片上的匹配结构互补形状。第一衬底的配合结构以与第二衬底或第二衬底的配合结构相对的关系表示。与一个配对结构相关联的共晶粘合层便于各个配合结构之间的结合。去除第一衬底或晶片的至少一部分以释放悬臂梁结构和谐振器结构。

10. 发明申请

WO2013045168A1 MIKROMECHANISCHE SENSORVORRICHTUNG MIT BEWEGLICHEM GATE UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：与滑门以及相应方法，微机械传感器装置
公开(公告)号：WO2013045168A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/065942
申请日：2012-08-15
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , FEYH, Ando
发明人： FEYH, Ando
IPC分类号： G01P15/08 , G01P15/12 , G01L9/00
CPC分类号： H01L29/84 , B81B3/0021 , B81B2201/025 , B81B2201/0264 , G01L9/0098 , G01P15/0802 , G01P15/124 , H01L21/02532 , H01L21/30604 , H01L29/16 , H01L29/4916 , H01L29/66568
摘要： Die Erfindung schafft eine eine mikromechanische Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Die Sensorvorrichtung mit beweglichem Gate umfasst einen Feldeffekt-Transistor (2) mit einem beweglichen Gate (7), welches durch einen Hohlraum (11) von einem Kanalbereich (K) getrennt ist, wobei der Kanalbereich (K) von einer Gateisolationsschicht (3) bedeckt ist.
摘要翻译：本发明提供了一种微机械传感器装置，包括一个可动闸门和一个相应的制造方法。具有可移动门的传感器装置包括一个场效应晶体管（2）具有可动门（7），它是由一沟道区域（K）的一个腔（11）分离，其特征在于，覆盖栅极绝缘层的沟道区域（K）（3）是。

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