会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 5. 发明申请
    • ADAPTER MIT EINGEBETTETEN FILTERBAUELEMENTEN FÜR SENSOREN
    • 随着嵌入式滤波元件用于传感器适配器
    • WO2016120268A1
    • 2016-08-04
    • PCT/EP2016/051571
    • 2016-01-26
    • CONTINENTAL TEVES AG & CO. OHG
    • RAUKOPF, SvenjaSCHILLINGER, JakobSCHULMEISTER, Michael
    • G01D11/24
    • G01D11/245B81B2201/02G01P1/026H01R13/6658H01R13/6683H01R43/16H01R43/24
    • Die Erfindung betrifft ein Bauteil (65) für einen Sensor (28) mit einem Sensorelement (35) und einer Ausgangsschnittstelle (67) zum Ausgeben eines von einer physikalischen Größe (20) abhängigen elektrischen Signals aus dem Sensorelement (35) an der Ausgangsschnittstelle (67), umfassend: - eine Schaltung mit wenigstens einem ersten Signalpfad (70) zum Empfangen des elektrischen Signals (42) vom Sensorelement (35) und zum Leiten des elektrischen Signals (42) an die Ausgangsschnittstelle (67) und einen vom ersten Signalpfad (70) verschiedenen zweiten Signalpfad (70) zum Leiten des elektrischen Signals (42) an die Ausgangsschnittstelle (67), - wobei eine Aktivität des ersten Signalpfades (70) oder des zweiten Signalpfades (70) von einer Lage des Bauteils (65) in dem Sensor (28) abhängig ist.
    • 本发明涉及一种用于传感器(28)与传感器元件(35)和输出接口(67)的组件(65),用于输出的物理量中的一个(20)取决于从所述输出接口在所述传感器元件(35)的电信号(67 ),包括: - 至少包括用于从传感器元件(35)接收所述电信号(42)和用于从所述第一信号路径70传导的电信号(42)到输出接口(67)和一个(第一信号路径(70)的电路 用于传导所述电信号(42)到输出接口(67),)不同的第二信号路径(70) - ,其中所述第一信号路径(70)或从所述部件(65)中的传感器的位置处的第二信号路径(70)的活性 (28)依赖。
    • 6. 发明申请
    • MICRO ELECTRO-MECHANICAL STRAIN DISPLACEMENT SENSOR AND USAGE MONITORING SYSTEM
    • 微机电应变传感器和使用监测系统
    • WO2016092475A1
    • 2016-06-16
    • PCT/IB2015/059451
    • 2015-12-09
    • OKULOV, Paul D.
    • OKULOV, Paul D.
    • B81B7/00G01L1/00
    • G01L1/005B81B7/00B81B2201/02G01L1/00G01L1/04G01L1/044G01M5/0033G01M5/0083
    • A low power consumption multi-contact micro electro-mechanical strain/displacement sensor and miniature autonomous self-contained systems for recording of stress and usage history with direct output suitable for fatigue and load spectrum analysis are provided. In aerospace applications the system can assist in prediction of fatigue of a component subject to mechanical stresses as well as in harmonizing maintenance and overhauls intervals. In alternative applications, i.e. civil structures, general machinery, marine and submarine vessels, etc., the system can autonomously record strain history, strain spectrum or maximum values of the strain over a prolonged period of time using an internal power supply or a power supply combined with an energy harvesting device. The sensor is based on MEMS technology and incorporates a micro array of flexible micro or nano-size cantilevers. The system can have extremely low power consumption while maintaining precision and temperature/humidify independence.
    • 提供了一种低功耗多接点微机电应变/位移传感器和用于记录应力和使用历史的微型自主独立系统,其直接输出适用于疲劳和负载频谱分析。 在航空应用中,系统可以帮助预测受到机械应力的部件的疲劳以及协调维护和检修间隔。 在民用结构,通用机械,海洋和潜艇等替代应用中,系统可以使用内部电源或电源自动记录应变历史,应变谱或长期应变的最大值 结合能量收集装置。 该传感器基于MEMS技术,并结合了微阵列的柔性微型或纳米级悬臂。 该系统可以具有极低的功耗,同时保持精度和温度/加湿独立性。
    • 7. 发明申请
    • PRECISE DEFINITION OF TRANSDUCER ELECTRODES
    • 传感器电极精密定义
    • WO2013191618A1
    • 2013-12-27
    • PCT/SE2013/050678
    • 2013-06-12
    • SILEX MICROSYSTEMS AB
    • ÅGREN, Peter
    • B81B7/02B81B5/00G02B26/08H01L21/30H01L21/768H01L23/522
    • G02B26/0841B81B3/0021B81B3/0045B81B2201/02B81B2201/03B81B2203/04B81C1/00357B81C1/00619G01D5/24G02B26/085H01L23/481H01L23/5225H01L2924/0002H01L2924/00
    • The present invention relates to a semiconductor device, comprising a semiconductor substrate (10) having a first (12a) and a second (12b) side. There is provided at least one via (15) extending through said substrate (10) having first (16a) and second (16b) end surfaces, said first end surface (16a) constituting an transducer electrode for interacting with a movable element (14) arranged at the first side (12a) of the substrate (10). A shield (17) is provided on and covers at least part of the first side (12a) of the substrate (10), the shield/mask (17) comprising a conductive layer (19a) and an insulating material layer (19b) provided between the substrate (10) and the conductive layer (19a). The mask has an opening (18) exposing only a part of the first surface (16a) of the via. Preferably the opening (18) in the mask is precisely aligned with the movable element, and the area of the opening is accurately defined.
    • 本发明涉及一种半导体器件,包括具有第一(12a)和第二(12b)侧的半导体衬底(10)。 提供至少一个延伸穿过具有第一(16a)和第二(16b)端面的所述基板(10)的通孔(15),所述第一端面(16a)构成用于与可移动元件(14)相互作用的换能器电极, 布置在基板(10)的第一侧(12a)处。 在衬底(10)的第一侧(12a)的至少一部分上设置有屏蔽(17),所述屏蔽/掩模(17)包括导电层(19a)和绝缘材料层(19b) 在所述基板(10)和所述导电层(19a)之间。 掩模具有仅露出通孔的第一表面(16a)的一部分的开口(18)。 优选地,掩模中的开口(18)与可移动元件精确对准,并且开口的区域被精确地限定。
    • 8. 发明申请
    • 3D MEMS MAGNETOMETER AND ASSOCIATED METHODS
    • 3D MEMS磁铁计及相关方法
    • WO2016090467A1
    • 2016-06-16
    • PCT/CA2015/051259
    • 2015-12-02
    • MOTION ENGINE INC.
    • BOYSEL, Robert Mark
    • G01R33/02
    • G01R33/0286B81B2201/02G01R33/0206
    • A micro-electro-mechanical system (MEMS) magnetometer is provided for measuring magnetic field components along three orthogonal axes. The MEMS magnetometer includes a top cap wafer, a bottom cap wafer and a MEMS wafer having opposed top and bottom sides bonded respectively to the top and bottom cap wafers. The MEMS wafer includes a frame structure and current-carrying first, second and third magnetic field transducers. The top cap, bottom cap and MEMS wafer are electrically conductive and stacked along the third axis. The top cap wafer, bottom cap wafer and frame structure together form one or more cavities enclosing the magnetic field transducers. The MEMS magnetometer further includes first, second and third electrode assemblies, the first and second electrode assemblies being formed in the top and/or bottom cap wafers. Each electrode assembly is configured to sense an output of a respective magnetic field transducer induced by a respective magnetic field component.
    • 提供微机电系统(MEMS)磁力计,用于沿三个正交轴测量磁场分量。 MEMS磁力计包括顶盖晶片,底盖晶片和具有分别结合到顶盖和底盖晶片的相对的顶面和底面的MEMS晶片。 MEMS晶片包括框架结构和载流的第一,第二和第三磁场换能器。 顶盖,底盖和MEMS晶片是导电的并且沿着第三轴线堆叠。 顶盖晶片,底盖晶片和框架结构一起形成包围磁场换能器的一个或多个空腔。 MEMS磁强计进一步包括第一和第三电极组件,第一和第二电极组件形成在顶盖和/或底盖晶片中。 每个电极组件被配置为感测由相应的磁场分量感应的相应磁场换能器的输出。