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1. 发明申请

WO2014179968A1 APPARATUS AND METHOD FOR PLATING AND/OR POLISHING WAFER 审中-公开
标题翻译：抛光和/或抛光波形的装置和方法
公开(公告)号：WO2014179968A1
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：PCT/CN2013/075410
申请日：2013-05-09
申请人： ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人： WANG, Jian , JIN, Yinuo , YANG, Hongchao , WANG, Hui
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： C25D7/12 , B24B37/046 , B24B57/02 , C25D17/001 , C25D17/005 , C25D17/06 , C25F3/30 , C25F7/00
摘要： An apparatus and a method for plating and/or polishing wafer. The apparatus includes a wafer chuck, an auxiliary nozzle apparatus(140, 240, 340) and a main nozzle apparatus (180, 208, 380). For plating and/or polishing the wafer,the wafer chuck holds and positions the wafer and horizontally moves and rotates. The auxiliary nozzle apparatus supplies uncharged or charged electrolyte to cover the outer edge of the wafer and the wafer chuck, he main nozzle apparatus supplies charged electrolyte to the surface of the wafer. The present invention can improve the plating and/or polishing uniformity of the outer edge of the wafer and reduce the entire electric resistance of the apparatus and improve the plating and/or polishing rate.
摘要翻译：晶圆电镀和/或抛光的装置和方法。该装置包括晶片卡盘，辅助喷嘴装置（140,240,340）和主喷嘴装置（180,208,380）。为了电镀和/或抛光晶片，晶片卡盘保持并定位晶片并且水平移动和旋转。辅助喷嘴装置提供不带电或带电的电解质以覆盖晶片和晶片卡盘的外边缘，主喷嘴装置将带电电解质提供给晶片表面。本发明可以改善晶片的外边缘的电镀和/或抛光均匀性，并降低装置的整体电阻并提高电镀和/或抛光速率。

2. 发明申请

WO2007109432A3 METHODS AND APPARATUS FOR ELECTROPROCESSING WITH RECESSED BIAS CONTACT 审中-公开
标题翻译：具有凹陷接触的电子加工方法和装置
公开(公告)号：WO2007109432A3
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：PCT/US2007063579
申请日：2007-03-08
申请人： APPLIED MATERIALS INC , WANG YAN , HSU WEI-YUNG , DUBOUST ALAIN , MANENS ANTOINE P
发明人： WANG YAN , HSU WEI-YUNG , DUBOUST ALAIN , MANENS ANTOINE P
IPC分类号： H01L21/44
CPC分类号： B23H5/08 , B24B37/046 , B24B37/20 , C25D17/10 , C25F7/00
摘要： A method and apparatus are provided for electroprocessing with recessed bias contact. In one embodiment, the apparatus includes a platen, a processing pad disposed on the platen and having at least a first aperture and a second aperture formed therethrough, a first electrode positioned under the processing pad and exposed to a polishing surface of the processing pad through the first aperture, wherein an upper surface of the first electrode is recessed from the polishing surface; a plurality of second electrodes exposed to the polishing surface through the second aperture, wherein upper surfaces of the second electrodes are recessed from the polishing surface, and an electrical circuit coupled to the first and second electrodes and configured to bias each of the second electrodes independently relative to the first electrode.
摘要翻译：提供了用于具有凹入式偏置接触的电处理的方法和设备。在一个实施例中，该设备包括台板，设置在台板上并且至少具有穿过其形成的第一孔和第二孔的加工垫，位于加工垫下方并且通过加工垫的抛光表面暴露的第一电极所述第一孔口，其中所述第一电极的上表面从所述抛光表面凹陷; 多个第二电极，所述多个第二电极通过所述第二孔暴露于所述抛光表面，其中所述第二电极的上表面从所述抛光表面凹入;以及电路，所述电路耦合至所述第一电极和所述第二电极并且被配置为独立地偏压所述第二电极相对于第一电极。

3. 发明申请

WO2007109432A2 METHODS AND APPARATUS FOR ELECTROPROCESSING WITH RECESSED BIAS CONTACT 审中-公开
标题翻译：用于接触偏压接触电极的方法和装置
公开(公告)号：WO2007109432A2
公开(公告)日：2007-09-27
申请号：PCT/US2007/063579
申请日：2007-03-08
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , WANG, Yan , HSU, Wei-Yung , DUBOUST, Alain , MANENS, Antoine P.
发明人： WANG, Yan , HSU, Wei-Yung , DUBOUST, Alain , MANENS, Antoine P.
IPC分类号： C25C7/02 , B23H5/06
CPC分类号： B23H5/08 , B24B37/046 , B24B37/20 , C25D17/10 , C25F7/00
摘要： A method and apparatus are provided for electroprocessing with recessed bias contact. In one embodiment, the apparatus includes a platen, a processing pad disposed on the platen and having at least a first aperture and a second aperture formed therethrough, a first electrode positioned under the processing pad and exposed to a polishing surface of the processing pad through the first aperture, wherein an upper surface of the first electrode is recessed from the polishing surface; a plurality of second electrodes exposed to the polishing surface through the second aperture, wherein upper surfaces of the second electrodes are recessed from the polishing surface, and an electrical circuit coupled to the first and second electrodes and configured to bias each of the second electrodes independently relative to the first electrode.
摘要翻译：提供了一种用于具有凹陷偏压接触的电处理的方法和装置。在一个实施例中，该装置包括压板，设置在压板上并具有至少第一孔和穿过其中形成的第二孔的处理垫，位于处理垫下方并暴露于处理垫的抛光表面的第一电极，所述第一孔径，其中所述第一电极的上表面从所述抛光表面凹陷; 通过第二孔暴露于抛光表面的多个第二电极，其中第二电极的上表面从抛光表面凹陷，以及耦合到第一和第二电极并被配置为独立地偏置每个第二电极的电路相对于第一电极。

4. 发明申请

WO2007094869A2 ELECTROCHEMICAL METHOD FOR ECMP POLISHING PAD CONDITIONING 审中-公开
标题翻译：用于ECMP抛光垫调节的电化学方法
公开(公告)号：WO2007094869A2
公开(公告)日：2007-08-23
申请号：PCT/US2006060346
申请日：2006-10-30
申请人： APPLIED MATERIALS INC , WANG YOU , TSAI STAN D , KARUPPIAH LAKSH , DIAO JIE , JIA RENHE , YILMAZ ALPAY
发明人： WANG YOU , TSAI STAN D , KARUPPIAH LAKSH , DIAO JIE , JIA RENHE , YILMAZ ALPAY
CPC分类号： B23H5/08 , B24B37/042 , B24B37/046 , B24B53/017 , C25F1/00 , H01L21/32125
摘要： A method for conditioning an Ecmp pad is provided. In one embodiment, a method for electrochemically processing a substrate includes the steps of providing an electrical bias voltage between the top surface of the pad assembly and an electrode, and electrochemically removing contaminants from the top surface of the pad.
摘要翻译：提供了一种调节Ecmp垫的方法。在一个实施例中，用于电化学处理衬底的方法包括以下步骤：在衬垫组件的顶表面和电极之间提供电偏置电压，以及电化学去除衬垫顶表面的污染物。

5. 发明申请

WO2006041889A3 CONDUCTIVE PAD DESIGN MODIFICATION FOR BETTER WAFER-PAD CONTACT 审中-公开
标题翻译：导电垫设计修改更好的晶片接触
公开(公告)号：WO2006041889A3
公开(公告)日：2006-08-03
申请号：PCT/US2005035768
申请日：2005-10-05
申请人： APPLIED MATERIALS INC , MAVLIEV RASHID A , KARUPPIAH LAKSHMANAN
发明人： MAVLIEV RASHID A , KARUPPIAH LAKSHMANAN
IPC分类号： B24B37/04 , B24B37/22 , B24B37/24 , H01L21/321
CPC分类号： B24B37/22 , B23H5/08 , B24B37/046 , B24B37/245 , H01L21/32125
摘要： An apparatus and method for manufacturing and refurbishing a conductive polishing pad assembly for performing an electrochemical process on a substrate is disclosed. The conductive polishing pad assembly is formed using a contact surface as a foundation that is coated with a metallic coating to create a conductive contact surface. In one embodiment, the metallic coating is a high purity tin/zinc alloy that is sprayed on the contact surface. The contact surface contains abrasive particles while the metallic coating provides at least conductive qualities to the contact surface.
摘要翻译：公开了一种用于制造和翻新导电抛光垫组件的设备和方法，用于在基底上进行电化学处理。导电抛光垫组件使用接触表面作为基础形成，所述基础涂覆有金属涂层以形成导电接触表面。在一个实施例中，金属涂层是喷涂在接触表面上的高纯度锡/锌合金。接触表面包含磨粒，而金属涂层为接触表面提供至少导电性质。

6. 发明申请

WO2004024394A1 CONTROL OF REMOVAL PROFILE IN ELECTROCHEMICALLY ASSISTED CMP 审中-公开
标题翻译：电化学辅助CMP中的去除特性的控制
公开(公告)号：WO2004024394A1
公开(公告)日：2004-03-25
申请号：PCT/US2003/029230
申请日：2003-09-15
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： SUN, Lizhong , CHEN, Liang-Yuh , NEO, Siew , LIU, Feng, Q. , DUBOUST, Alain , TSAI, Stan, D. , MAVLIEV, Rashid, A.
IPC分类号： B24B37/04
CPC分类号： B24B37/046 , B23H5/06 , B23H5/08 , B24B37/042 , B24B49/16 , H01L21/32125
摘要： Aspects of the invention generally provide a method and apparatus for polishing a substrate using electrochemical deposition techniques. In one aspect, an apparatus for polishing a substrate (104) comprises a counter-electrode (166) and a pad (160) positioned between a substrate (104) and the counter-electrode (166) and a pad (160) positioned between a substrate (104) and the counter-electrode (166). The counter-electrode (166) and/or the pad (160) each comprise a plurality of electrically isolated zones (924, 926, 628, 424, 426, 428). An electrical connector is separately coupled to each of the conductive elements. Separate bias may be applied in each of the electrically isolated zones. A substrate having a material layer may be moved in a relative motion from the counter-electrode (166), the pad (160), or both. Determining the separate biases may comprise determining a time that at least one portion of the material layer is associated with each of the zones of the counter-electrode (166).
摘要翻译：本发明的各方面通常提供使用电化学沉积技术来抛光衬底的方法和装置。一方面，一种用于抛光衬底（104）的设备包括位于衬底（104）和对电极（166）之间的对电极（166）和焊盘（160）以及位于基板（104）和对置电极（166）。对电极（166）和/或焊盘（160）各自包括多个电隔离区域（924,926,628,424,426,428）。电连接器分别耦合到每个导电元件。可以在每个电隔离区域中分别施加偏压。具有材料层的基板可以相对运动地从对电极（166），焊盘（160）或两者移动。确定单独的偏压可以包括确定材料层的至少一部分与对电极（166）的每个区域相关联的时间。

7. 发明申请

WO0241369A3 ELECTROPOLISHING AND CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION 审中-公开
标题翻译：电化学和化学机械平面化
公开(公告)号：WO0241369A3
公开(公告)日：2004-01-08
申请号：PCT/US0143368
申请日：2001-11-20
申请人： RODEL INC
发明人： BANERJEE GAUTAM , COOK LEE MELBOURNE
IPC分类号： B23H5/08 , B24B37/04 , C25F3/30 , H01L21/321 , H01L21/3213 , H01L21/00 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/3212 , B23H5/08 , B24B37/046 , C25F3/30 , H01L21/32125 , H01L21/32134
摘要： Removing metal from a semiconductor substrate by dissolving ions of the metal into an electrolyte, comprising the steps of: applying a voltage across a polishing pad and the substrate, while an electropolishing electrolyte is dispensed at an interface of the substrate and the polishing pad, and while pooling the electrolyte about the substrate by the polishing pad.
摘要翻译：通过将金属的离子溶解到电解质中，从半导体衬底去除金属，包括以下步骤：在电抛光电解质分配在衬底和抛光垫的界面处，在抛光垫和衬底之间施加电压，以及同时通过抛光垫将电解液围绕衬底汇集。

8. 发明申请

WO2003068883A1 ANIONIC ABRASIVE PARTICLES TREATED WITH POSITIVELY-CHARGED POLYELECTROLYTES FOR CMP 审中-公开
标题翻译：用于CMP的正电荷聚电解质处理的阴离子磨料颗粒
公开(公告)号：WO2003068883A1
公开(公告)日：2003-08-21
申请号：PCT/US2003/003930
申请日：2003-02-10
申请人： CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION
发明人： CHERIAN, Isaac, K. , CARTER, Phillip, W. , CHAMBERLAIN, Jeffrey, P. , MOEGGENBORG, Kevin, J. , BOLDRIDGE, David, W.
IPC分类号： C09G1/16
CPC分类号： C09K3/1454 , B24B37/044 , B24B37/046 , C09G1/02 , C09K3/1436
摘要： The invention provides chemical-mechanical polishing systems, and methods of polishing a substrate using the polishing systems, comprising (a) an abrasive, (b) a liquid carrier, and (c) a positively charged polyelectrolyte with a molecular weight of about 15,000 or more, wherein the abrasive comprises particles that are electrostatically associated with the positively charged polyelectrolyte.
摘要翻译：本发明提供化学机械抛光系统以及使用抛光系统抛光衬底的方法，其包括（a）研磨剂，（b）液体载体和（c）分子量为约15,000的带正电荷的聚电解质或其中磨料包含与带正电荷的聚电解质静电相关的颗粒。

9. 发明申请

WO2003051577A1 ABRASIVE ARTICLE FOR THE DEPOSITION AND POLISHING OF A CONDUCTIVE MATERIAL 审中-公开
标题翻译：用于导电材料沉积和抛光的磨料文章
公开(公告)号：WO2003051577A1
公开(公告)日：2003-06-26
申请号：PCT/US2002/032864
申请日：2002-10-15
申请人： 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY
发明人： LUGG, Paul S.,
IPC分类号： B24B37/04
CPC分类号： B24B37/26 , B24B37/046 , B24B57/02 , B24D3/28 , Y10T428/24322 , Y10T428/24355 , Y10T428/24479
摘要： An abrasive article (12) is described. The article (12) is suitable for the deposition and mechanical polishing of a conductive material, and comprises: a polishing layer having a textured surface (102) comprising a binder and a second surface opposite the textured surface (102), the polishing layer further comprising a first channel (104) extending therethrough; a backing (118) having a first backing surface and a second backing surface, the first backing surface associated with the second surface of the polishing layer, the backing (118) comprising a second channel (140, 148) coextensive with the first channel (104) and extending through the backing from the first backing surface to the second backing surface; the first channel (104) and the second channel (140, 148) dimensioned with respect to one another so that the textured surface (102) of the polishing layer is outside of a line of sight (a).
摘要翻译：描述了磨料制品（12）。所述制品（12）适用于导电材料的沉积和机械抛光，并且包括：抛光层，其具有包括粘合剂的纹理表面（102）和与纹理表面（102）相对的第二表面，所述抛光层进一步包括延伸穿过其中的第一通道（104）具有第一背衬表面和第二背衬表面的背衬（118），所述第一背衬表面与所述抛光层的第二表面相关联，所述背衬（118）包括与所述第一通道共同延伸的第二通道（140,148） 104）并且通过所述背衬从所述第一背衬表面延伸到所述第二背衬表面; 所述第一通道（104）和所述第二通道（140,148）相对于彼此尺寸设定，使得所述抛光层的纹理表面（102）在视线（a）的外侧。

10. 发明申请

WO2013084934A1 固体酸化物の加工方法及びその装置审中-公开
标题翻译：制造固体氧化物的方法及其装置
公开(公告)号：WO2013084934A1
公开(公告)日：2013-06-13
申请号：PCT/JP2012/081504
申请日：2012-12-05
申请人：国立大学法人大阪大学
发明人：山内　和人
IPC分类号： B23H3/04 , B23H3/00 , C25F3/00
CPC分类号： C25F3/16 , B24B37/046 , C30B29/16
摘要：　レアアースをはじめ、研磨剤や砥粒を一切使用せず、またフッ化水素等の取り扱いが難しく、環境負荷の大きな溶液を一切使用せず、光学ガラス材料などの固体酸化物を、加工変質層を導入することなく加工することが可能な固体酸化物の加工方法及びその装置を提供する。　水１の存在下で、酸素を介して１種又は以上の元素が結合した固体酸化物を被加工物とし、水分子が解離して固体酸化物を構成する酸素元素と他の元素のバックボンドを切って吸着し、加水分解による分解生成物の生成を助ける触媒物質を加工基準面（３）として用い、水の存在下で、被加工物（５）と加工基準面とを接触若しくは極接近させて配し、加工基準面の電位をＨ2及びＯ2 が発生しない範囲とし、被加工物と加工基準面とを相対運動させて、分解生成物を被加工物表面から除去する。
摘要翻译：提供一种固体氧化物的制造方法及其制造方法，能够在不引入机械加工影响层的情况下机械加工光学玻璃材料或其他固体氧化物，而不用稀土或其他抛光剂或磨粒，并且不使用难以处理或具有大的环境影响的氟化氢或溶液。一种或多种元素已经通过氧键结合的固体氧化物在水的存在下用作加工对象（1）。水分子被解离，并且氧元素的背键和构成固体氧化物的其它元素被切割和吸附。作为加工基准面（3），使用促进水解生成的分解物的催化剂材料。加工对象（5）和加工基准面在水的存在下接触或非常接近。加工基准面的电位设定在不产生H2和O2的范围内。使加工对象和加工基准面相对移动，以从加工对象的表面去除分解产物。

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