本发明涉及一种方法 用于分离形成结构（S）的一部分的至少两个基底（S1，S2），所述结构（S）包括至少两个平行于所述结构（S）的主面延伸的分离界面（I1，I2） 所述结构沿着从所述界面选择的界面（I1），这两个衬底中的至少一个旨在用于使用 ＆Agrave; 被使用＆oacute; 在电子器件，光学器件，光电子器件和/或光电器件中，所述分离是通过在所述衬底之间插入刀片（B） （S1，S2）和通过所述刀片施加两个基底的应变力的作用，特征; 其中： - 为分离选择一个敏感接口（I1）; 应力腐蚀，也就是说; 所述过滤力和能够分解存在的硅氧烷（Si-O-Si）键的流体的组合作用; 所述接口（I1）， - 所述滑动，选择包含的第r区域Dé损坏至少所述接口（I1）的A RDé区域péRIPHé美国（R1）的至少一部分的插入之前 插入刀片（B）的方式 即所述周边区域（R1）中的断裂能量低于叶片插入区域中的其他界面的能量，因此可以启动 根据在损伤区域（R1）中选择的界面（I1）放置衬底（S1，S2），然后 - 在所述衬底之间的间隙中施加流体（S1， S2），同时继续插入所述刀片，以便 通过应力下的腐蚀来降低所选界面（I1）的破裂能量。