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1. 发明申请

WO2021008742A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE COMPRENANT UNE COUCHE MINCE REPORTEE SUR UN SUPPORT MUNI D'UNE COUCHE DE PIEGEAGE DE CHARGES 审中-公开
公开(公告)号：WO2021008742A1
公开(公告)日：2021-01-21
申请号：PCT/EP2020/058462
申请日：2020-03-26
申请人： SOITEC
发明人： BERTRAND, Isabelle , DROUIN, Alexis , HUYET, Isabelle , BUTAUD, Eric , LOGIOU, Morgane
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/762
摘要： L'invention porte sur procédé de fabrication d'une structure (1) comprenant une couche mince (5) reportée sur un support (2) muni d'une couche de piégeage de charges (3), le procédé comprenant les étapes suivantes : - la préparation du support (2) comprenant la formation de la couche de piégeage (3) sur un substrat de base (6), la couche de piégeage (3) présentant une concentration d'hydrogène inférieure à 10^18 at/cm^3; - l'assemblage du support (2) avec un substrat donneur, par l'intermédiaire d'une couche diélectrique (4) présentant une concentration d'hydrogène inférieure à 10^20 at/cm^3 ou comprenant une barrière prévenant la diffusion de l'hydrogène vers la couche de piégeage (3) ou présentant une faible diffusivité de l'hydrogène; - l'élimination d'une partie du substrat donneur pour former la couche mince (5); le procédé de fabrication exposant la structure (1) à une température inférieure à une température maximale de 1000°C. L'invention concerne également une structure obtenue à l'issu de ce procédé.

2. 发明申请

WO2020200986A1 PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UNE COUCHE MINCE DE MATÉRIAU FERROÉLECTRIQUE 审中-公开
公开(公告)号：WO2020200986A1
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：PCT/EP2020/058460
申请日：2020-03-26
申请人： SOITEC
发明人： DROUIN, Alexis , HUYET, Isabelle , LOGIOU, Morgane
IPC分类号： H01L41/312 , H01L41/337
摘要： L'invention porte sur un procédé de préparation d'une couche mince monodomaine en matériau ferroélectrique. Le procédé comprend une implantation d'espèce légères dans une première face d'un substrat donneur ferroélectrique pour former un plan de fragilisation et définir une première couche entre le plan de fragilisation et la première face du substrat et l'assemblage de la première face du substrat donneur à un substrat support par l'intermédiaire d'une couche d'assemblage diélectrique et la fracture du substrat donneur au niveau du plan de fragilisation. La couche d'assemblage diélectrique (7b) comprend un oxyde présentant une concentration d'hydrogène inférieure à celle de la première couche (3) ou prévenant la diffusion d'hydrogène vers la première couche, ou la couche d'assemblage diélectrique (7b) comprend une barrière prévenant la diffusion d'hydrogène vers la première couche Le procédé de préparation comprend également un traitement thermique de la face libre de la première couche pour faire diffuser l'hydrogène contenu dans la première couche et provoquer la transformation multidomaine d'une portion superficielle de cette première couche, suivi d'un amincissement de la première couche pour en éliminer au moins la portion superficielle.

3. 发明申请

WO2023047037A1 STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE POUR APPLICATIONS OPTOELECTRONIQUES 审中-公开
公开(公告)号：WO2023047037A1
公开(公告)日：2023-03-30
申请号：PCT/FR2022/051695
申请日：2022-09-08
申请人： SOITEC
发明人： FIGUET, Christophe , HUYET, Isabelle
IPC分类号： H01S5/02 , H01S5/183
摘要： L'invention concerne une structure semi-conductrice (150) pour applications optoélectroniques comprenant : - une première couche (10) en un matériau semi-conducteur cristallin, disposée sur - une couche intermédiaire (50) incluant ou adjacente à une interface de collage direct, la couche intermédiaire étant disposée sur - une deuxième couche (40) en un matériau semi-conducteur cristallin, la structure semi-conductrice (150) étant caractérisée en ce que la couche intermédiaire (50) est composée d'un matériau différent de ceux des première (10) et deuxième (40) couches et dont le coefficient d'atténuation est inférieur à 100 et l'indice de réfraction s'écarte de moins de 0,3 de l'indice de réfraction : - d'au moins une sous-couche de la première couche (10), adjacente à la couche intermédiaire (50), et - d'au moins une sous-couche de la deuxième couche (40), adjacente à la couche intermédiaire (50).

4. 发明申请

WO2019002080A1 PROCÉDÉ DE TRANSFERT D'UNE COUCHE MINCE SUR UN SUBSTRAT SUPPORT PRÉSENTANT DES COEFFICIENTS DE DILATATION THERMIQUE DIFFÉRENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2019002080A1
公开(公告)日：2019-01-03
申请号：PCT/EP2018/066552
申请日：2018-06-21
申请人： SOITEC
发明人： HUYET, Isabelle , CHARLES-ALFRED, Cédric , LANDRU, Didier , DROUIN, Alexis
IPC分类号： H01L21/762
摘要： Procédé de transfert d'une couche mince (3) constituée d'un premier matériau sur un substrat support (7) constitué d'un deuxième matériau, le premier et le deuxième matériau présentant des coefficients de dilatation thermique différents. Le procédé de transfert de la couche mince (3) comporte la fourniture d'un substrat donneur (1) composé de l'assemblage d'une couche épaisse formé du premier matériau (la) et d'un substrat manipulateur (lb), le coefficient de dilatation thermique du substrat manipulateur (lb) étant similaire à celui du substrat support (7) et le substrat donneur (1) présentant une face principale (4) du côté de la couche épaisse (la); l'introduction d'espèces légères dans la couche épaisse (la) pour y générer un plan de fragilisation (2) et définir la couche mince (3) entre le plan de fragilisation (2) et la face principale (4) du substrat donneur (1); l'assemblage de la face principale (4) du substrat donneur avec une face (6) du substrat support (7); le détachement de la couche mince (3) au niveau du plan de fragilisation (2), le détachement comprenant l'application d'un traitement thermique.

5. 发明申请

WO2023084164A1 PROCEDE DE PREPARATION D'UNE COUCHE MINCE EN MATERIAU FERROELECTRIQUE 审中-公开
公开(公告)号：WO2023084164A1
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：PCT/FR2022/051837
申请日：2022-09-28
申请人： SOITEC
发明人： BELHACHEMI, Djamel , CAULMILONE, Raphaël , HUYET, Isabelle , KONONCHUK, Oleg
IPC分类号： H10N30/082 , H10N30/072 , H10N30/853
摘要： L'invention concerne un procédé de préparation d'une couche mince (3) en matériau ferroélectrique, le procédé comprenant une étape de fourniture de la couche mince (3), la couche mince (3) exposant une première face libre (8). Le procédé comprend également une étape d'amincissement par gravure ionique, et définie par des paramètres de gravure. Selon l'invention les paramètres de gravure sont choisis pour que la face libre (8) de la couche mince (3) présente une rugosité qui n'excède pas une valeur seuil à l'issue de l'étape d'amincissement.

6. 发明申请

WO2022180321A1 PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DU RÉSIDU D'UN SUBSTRAT DONNEUR AYANT SUBI UN PRÉLÈVEMENT D'UNE COUCHE PAR DÉLAMINATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2022180321A1
公开(公告)日：2022-09-01
申请号：PCT/FR2022/050260
申请日：2022-02-14
申请人： SOITEC
发明人： HUYET, Isabelle , CAPELLO, Luciana
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/762
摘要： L'invention porte sur un procédé de préparation du résidu (1') d'un substrat donneur, le résidu (1') comprenant, sur une zone périphérique (13) d'une face principale (10), une couronne périphérique. Le procédé comprend : une première étape d'enlèvement d'une partie au moins de la couronne périphérique; une deuxième étape de traitement de la face principale (10) du résidu (1') visant à éliminer une couche superficielle; une troisième étape de rectification, postérieure à la deuxième étape, de la zone périphérique (13) de la face principale (10) du résidu (1'), la troisième étape de rectification visant à réduire l'élévation de la zone périphérique (13).

7. 发明申请

WO2018002504A1 STRUCTURE HYBRIDE POUR DISPOSITIF A ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE 审中-公开
标题翻译：声表面波装置的混合结构
公开(公告)号：WO2018002504A1
公开(公告)日：2018-01-04
申请号：PCT/FR2017/051701
申请日：2017-06-26
申请人： SOITEC
发明人： GAUDIN, Gweltaz , HUYET, Isabelle
IPC分类号： H01L41/08 , H03H9/02 , H03H9/25
摘要： L'invention concerne une structure hybride (100) pour dispositif à ondes acoustiques de surface comprenant une couche utile (10) de matériau piézoélectrique présentant une première face (1) libre et une deuxième face (2) disposée sur un substrat support (20) dont le coefficient de dilatation thermique est inférieur à celui de la couche utile (10). La structure hybride (100) est remarquable en ce qu'elle comprend : • une couche de piégeage (30) interposée entre la couche utile (10) et le substrat support (20); 15 • au moins une interface fonctionnelle (31) de rugosité déterminée entre la couche utile (10) et la couche de piégeage (30).
摘要翻译：本发明涉及用于装置的混合结构（100）。一种声表面波器件，包括垫é廖内PIéZOé电动PR E的有用层（10）的感觉Premi＆egrave;重面（1）自由和第二＆egrave;面对我（2），设置在支撑基板上é（20 ），其热膨胀系数小于5％; （10）的那些。混合结构（100）的显着之处在于它包括：·介于有用层（10）和支撑衬底（20）之间的镀层（30）; 至少一个用于粗糙度和功能的功能接口（31）; 终止于有用层（10）和石膏层（30）之间。

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