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1. 发明申请

WO2012163599A1 HALBLEITERBAUELEMENT UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：半导体部件及相应方法
公开(公告)号：WO2012163599A1
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：PCT/EP2012/057370
申请日：2012-04-23
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SUENNER, Thomas , KADEN, Thomas , GUENTHER, Michael
发明人： SUENNER, Thomas , KADEN, Thomas , GUENTHER, Michael
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0361 , H01L2224/0362 , H01L2224/04026 , H01L2224/05017 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/05557 , H01L2224/06181 , H01L2224/32227 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2924/01005 , H01L2924/01023 , H01L2924/01058 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/35121 , H01L2924/00014 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung schafft ein Halbleiterbauelement und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Das Halbleiterbauelement umfasst einen Halbleiterchip (1) mit einer ersten Hauptseite (RS) und einer zweiten Hauptseite (VS) und einem Rand (R). Mindestens eine der ersten Hauptseite (RS) und der zweiten Hauptseite (VS) weist eine Metallisierungsschicht (MR) zur flächigen Montage des Halbleiterchip (1) auf, wobei die Metallisierungsschicht (MR) in einem umlaufenden Bereich (B) entlang des Randes (R) des Halbleiterchips (1) entfernt oder abgedünnt ist.
摘要翻译：本发明提供一种半导体器件和相应的制造方法。该半导体器件包括半导体芯片（1）与第一主侧（RS）和第二主侧（VS）和轮辋（R）。至少所述第一主侧（RS）和所述第二主侧（VS）中的一个包括一个金属化层（MR）于平面安装半导体芯片（1）表示，在沿边缘的外围区域（B）的金属化层（MR）（R）是（1）被去除或减薄所述半导体芯片的。

2. 发明申请

WO2012092994A1 ELEKTRONISCHE BAUGRUPPE MIT VERBESSERTEM THERMO-MANAGEMENT 审中-公开
标题翻译：具有改进的热管理的电子组件
公开(公告)号：WO2012092994A1
公开(公告)日：2012-07-12
申请号：PCT/EP2011/069955
申请日：2011-11-11
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , GUGEL, Denis , SUENNER, Thomas , KADEN, Thomas , LEHTONEN, Paeivi , BEHRENS, Tim
发明人： GUGEL, Denis , SUENNER, Thomas , KADEN, Thomas , LEHTONEN, Paeivi , BEHRENS, Tim
IPC分类号： H01L23/433 , H01L23/495
CPC分类号： H01L23/49568 , H01L23/4334 , H01L23/49503 , H01L23/49562 , H01L24/32 , H01L2224/32245 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/351 , H01L2924/00
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine elektronische Baugruppe, umfassend ein Leadframe (2), ein Halbleiterbauelement (3), und ein elektrisch leitendes Verbindungselement (4) aus Verbundmaterial (5), wobei das Verbindungselement (4) eine lötbare Metallisierung (6) auf dem Verbundmaterial (5) an einer zum Halbleiterbauelement (3) gerichteten Oberfläche aufweist, wobei eine Wärmeleitfähigkeit des Verbundmaterials (5) des Verbindungselements (4) größer ist als eine Wärmeleitfähigkeit des Halbleiterbauelements (3) und kleiner ist als eine Wärmeleitfähigkeit des Leadframes (2), und wobei das Verbindungselement (4) ausschließlich lokal im Bereich des Halbleiterbauelements (3) vorgesehen ist.
摘要翻译：本发明涉及一种包括引线框架的电子模块（2），半导体元件（3），和一个导电的连接元件（4）的复合材料（5），其中，所述连接元件（4）在该复合材料可焊接的金属化（6）（5）已发送到所述半导体部件（3）的表面，其中，所述连接元件的所述复合材料（5）的热导率（4）比半导体部件（3）的热导率和比所述引线框架（2）的热导率更小，并且其中，所述连接元件（4）设置在半导体元件（3）的区域中仅局部地设置。

3. 发明申请

WO2013110395A1 DIELEKTRISCHES MATERIAL ZUR VERWENDUNG IN ELEKTRISCHEN ENERGIESPEICHERN 审中-公开
标题翻译：介电材料用于电气节能
公开(公告)号：WO2013110395A1
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：PCT/EP2012/074942
申请日：2012-12-10
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , PIRK, Tjalf , SUENNER, Thomas , ECKARDT, Martin , ROELVER, Robert , HERNANDEZ GUILLEN, Francisco
发明人： PIRK, Tjalf , SUENNER, Thomas , ECKARDT, Martin , ROELVER, Robert , HERNANDEZ GUILLEN, Francisco
IPC分类号： H01L49/02 , H01L29/12 , H01G4/002
CPC分类号： H01G4/08 , B82Y10/00 , H01G4/10 , H01G4/1272 , H01G4/33 , H01L28/40 , H01L29/0665 , H01L29/127 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/51 , Y02T10/7022
摘要： Die Erfindung geht aus von einem dielektrisches Material zur Verwendung in elektrischen Energiespeichern (10), das zumindest zwei Nanostrukturen (18, 20, 22, 24) umfasst, die jeweils in einer elektrisch isolierenden Matrix (28) aus einem Material eingebettet sind, das eine größere Bandlücke aufweist als ein Material der Nanostrukturen (18, 20, 22, 24). Es wird vorgeschlagen, dass parallel zu einer Richtung (16) eines von außen anwendbaren elektrischen Feldes eine von Null verschiedene Wahrscheinlichkeit eines Tunnelns von Ladungsträgern zwischen den zwei Nanostrukturen (18, 20, 22, 24) eingestellt ist.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在电能存储（10），所述至少两个纳米结构（18，20，22，24），使用的介电材料的每个中的电绝缘基质（28）嵌入在具有一个材料大的带隙比所述纳米结构（18，20，22，24）的材料。所以建议平行于从外部电场可应用的一个方向（16），两个纳米结构（18，20，22，24）被设置之间的电荷载体隧道非零概率。

4. 发明申请

WO2019219533A1 VERBUNDANORDNUNG AUS DREI GESTAPELTEN FÜGEPARTNERN 审中-公开
公开(公告)号：WO2019219533A1
公开(公告)日：2019-11-21
申请号：PCT/EP2019/062059
申请日：2019-05-10
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： SUENNER, Thomas , SUESKE, Erik , ZIPPRICH, Juergen , SCHIELE, Christian , KRUTSCH, Andreas
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/373
摘要： Die Erfindung betrifft eine Verbundanordnung (1) aus drei gestapelten Fügepartnern (10, 20, 30) und ein korrespondierendes Verfahren zum Verbinden eines Schichtstapels aus drei Fügepartnern (10, 20, 30). Die drei gestapelten Fügepartner (10, 20, 30) sind durch eine obere Lotschicht (3) und durch eine untere Lotschicht (5) stoffschlüssig miteinander verbunden, wobei ein oberer Fügepartner (10) und ein unterer Fügepartner (30) in ihrer Höhe fixiert sind und einen vorgegebenen Abstand (H) zueinander aufweisen, wobei die obere Lotschicht (3) aus einem ersten Lotmittel mit einer ersten Schmelztemperatur zwischen dem oberen Fügepartner (10) und einem mittleren Fügepartner (20) ausgebildet ist, und die zweite Lotschicht (5) aus einem zweiten Lotmittel mit einer höheren zweiten Schmelztemperatur zwischen dem mittleren Fügepartner (20) und dem unteren Fügepartner (30) ausgebildet ist, und wobei der obere Fügepartner (10) eine nach oben offene mit dem ersten Lotmittel gefüllte Lotausgleichsöffnung (14) aufweist, aus welcher das erste Lotmittel zur Anfüllung des Spalts zwischen dem oberen Fügepartner (10) und dem mittleren Fügepartner (20) in den Spalt nachfließt.

5. 发明申请

WO2017133941A1 MOLDMODUL, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES MOLDMODULS UND MOLDWERKZEUG FÜR DIE MOLDUMSPRITZUNG EINES MOLDMODULS 审中-公开
标题翻译：模具模块，用于制造模具模块的方法和用于模具模具的模具成型的模具工具
公开(公告)号：WO2017133941A1
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：PCT/EP2017/051506
申请日：2017-01-25
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： MICHELS, Daniel , AYDOGMUS, Irfan , SUENNER, Thomas , KLUTHE, Christian , MESSNER, Oliver , LEMM, Alexander , WEHRMANN, Frank , KOVACS, Vince
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/56
CPC分类号： H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49572
摘要： Die Erfindung betrifft eine Moldmodul (1) mit mindestens einem elektronischen und/oder elektrischen Bauteil (3), welches von einer Moldmasse (30) umgeben ist, und mindestens einem am Modulrand angeordneten Einpresskontakt (20), welcher einen Kontaktierungsbereich (22) mit einer von beiden Oberflächen zugänglichen Einpressöffnung (24) aufweist, sowie ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Moldmoduls (1) und ein Moldwerkzeug für die Moldumspritzung eines solchen Moldmoduls (1). Hierbei ist die Moldmasse (30) im Bereich des mindestens einen Einpresskontaktes (20) abgesetzt und bildet auf beiden Ober- flächen des Einpresskontaktes (20) jeweils einen Moldkragen (32) aus, welcher den korrespondierenden Einpresskontakt (20) bereichsweise umschließt und bei der Kontaktierung auftretende Einpresskräfte aufnimmt und oberhalb und unterhalb der korrespondierende Einpressöffnung (24) jeweils einen Raum (34) freilässt, wobei der Einpresskontakt (20) auf beiden Oberflächen um die Einpressöffnung (24) eine Verprägungszone (26) aufweist, welche den Kontaktierungsbereich (22) von der Moldmasse (30) trennt.
摘要翻译：
本发明涉及一种Moldmodul（1）与至少一个电子和/或电气部件（3），其通过模制化合物（30）所包围，和至少一个布置在模块边界压入式触头（20），其中一个接触区域（22）与具有开口2个表面BEAR（24）中的一个，以及用于制造的方法，例如一个Moldmoduls（1）和用于导航中使用的模制工具;陈列车BEAR nglichen压入＆oUML R，使得Moldmoduls的Moldumspritzung（1）。这里，模制化合物（30）在至少一个压入配合触点（20）和形成于两个上FL＆AUML的区域偏移;压配合触点（20）各自具有的陈一个Moldkragen（32），从该相应的压入式触头（20）部分地包围ROAD吨在每种情况下开口（24）的空间（34）Freil叶片，其中，所述压入两个表面＆AUML上的接触（20）;和所述接触Einpresskr＆TribeBASE期间发生的接收和上述和相应的压入及oUML下面陈钳紧＆oUML;开口（24）将接触区域（22）与模塑料（30）分开的压缩区（26）

6. 发明申请

WO2019219536A1 KONTAKTANORDNUNG, ELEKTRONIKBAUGRUPPE UMFASSEND DIE KONTAKTANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR AUSBILDUNG DER KONTAKTANORDNUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2019219536A1
公开(公告)日：2019-11-21
申请号：PCT/EP2019/062063
申请日：2019-05-10
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： SUENNER, Thomas , ZIPPRICH, Juergen , SCHIELE, Christian
IPC分类号： H01L23/492 , H01L21/60 , H01L23/488
摘要： Eine Kontaktanordnung (100) weist einen Schichtstapel von drei übereinander angeordneten Fügepartnern (10, 20, 30) auf, wobei der mittlere Fügepartner (20) mit jeweils einer Schicht aus einem verfestigten Lotmittel (40) mit dem darüberliegenden und mit dem darunterliegenden Fügepartner (30, 10) stoffverbunden ist. Dabei weist der darüberliegende und/oder der darunterliegende Fügepartner (30, 10) jeweils eine dem mittleren Fügepartner (20) zugewandte ebene und lötbare Seitenoberfläche (30.1, 10.2) auf. Ferner ist innerhalb dieser jeweiligen Seitenoberfläche (30.1, 10.2) ein flächenkleinerer Teilbereich als Verbindungsfläche (21, 23) der Lotschicht (40) ausgebildet, wobei zur Zentrierung des mittleren Fügepartners (20) während eines geschmolzenem Zustands des Lotmittels (40) zumindest innerhalb einer der beiden Seitenoberflächen (30.1, 10.2) und in einem Abstand zu deren jeweiligen Außenkanten (60.32, 60.33, 60.34) zumindest ein Begrenzungselement (60, 60.3a, 60.3b) (eine Formerhöhung, eine Formvertiefung oder Formaussparung, insbesondere in Form eines Langloches, oder eine Außenkante (60.34, 60.32, 60.33) der Seitenoberfläche (30.1)) für einen Lötmeniskus der Lotschicht (40) ausgebildet ist und dort die Verbindungsfläche (21, 23) der Lotschicht (40) über zumindest einen Außenkonturabschnitt definiert abschließt. In einem Verfahren zur Ausbildung einer solchen Kontaktanordnung (100) werden der darüberliegende und der darunterliegende Fügepartner (30, 10) in einer festen Lageposition fixiert und die Anordnung (100) wird temperaturbehandelt, wobei das Lotmittel (40) in einen geschmolzenen Zustand gebracht wird und der mittlere Fügepartner (20) schwimmend mittels des geschmolzenen Lotmittels (40) getragen wird, wobei dann eine definierte Vorzugsposition des mittleren Fügepartners (20) relativ zum darüberliegenden und darunterliegenden Fügepartner (30, 10) eingenommen wird, indem ein Lötmeniskus der Lotschicht (40) durch mindestens das eine innerhalb zumindest einer der Seitenoberflächen (30.1, 10.2) ausgebildete Begrenzungselement (60, 60.3a, 60.3b) begrenzt wird und dort die Verbindungsfläche (21, 23) der Lotschicht (40) über zumindest einen Außenkonturabschnitt definiert abgeschlossen wird. Der mittlere Fügepartner (20) ist beispielsweise ein elektrisches und/oder elektronisches Bauelement (70), insbesondere ein Leistungshalbleiter, der darunterliegende Fügepartner (10) ist beispielsweise ein Schaltungsträger (80) und der darüberliegende Fügepartner (30) ist ein Metallclip (90). Alternativ ist der mittlere Fügepartner (20) als Wärmesenke vorgesehen, beispielsweise ein Metallelement oder ein unbestücktes Keramiksubstratelement.

7. 发明申请

WO2019219535A1 ENTWÄRMUNGSANORDNUNG FÜR EIN HALBLEITERLEISTUNGSMODUL 审中-公开
公开(公告)号：WO2019219535A1
公开(公告)日：2019-11-21
申请号：PCT/EP2019/062062
申请日：2019-05-10
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： SUENNER, Thomas , KAISER, Alexander , ZIPPRICH, Juergen , SCHIELE, Christian
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/373
摘要： Die Erfindung betrifft eine Entwärmungsanordnung (20) für ein Halbleiterleistungsmodul, mitdrei gestapelten Fügepartnern (24, 26, 28), welche durch eine erste Lotschicht (22A) und durch eine zweite Lotschicht (22B) stoffschlüssig miteinander verbunden sind, sowie ein korrespondierendes Halbleiterleistungsmodul mit mindestens einer solchen Entwärmungsanordnung (20) und ein Verfahren zum Verbinden eines Schichtstapels aus drei Fügepartnern (24, 26, 28) einer solchen Entwärmungsanordnung (20). Hierbei ist die erste Lotschicht (22A) zwischen einem elektrisch leitenden ersten Fügepartner (24) und einem elektrisch isolierenden mittleren Fügepartner (26) ausgebildet, und die zweite Lotschicht (22B) ist zwischen dem elektrisch isolierenden mittleren Fügepartner (26) und einem elektrisch leitenden zweiten Fügepartner (28) ausgebildet, wobei der erste Fügepartner (24) eine zu entwärmende erste Leiterbahn (24A) ist, an welcher ein erstes Spannungspotential anliegt, wobei der zweite Fügepartner (28) eine als Wärmesenke wirkende zweite Leiterbahn (28A) ist, an welcher ein vom ersten Spannungspotential verschiedenes zweites Spannungspotential anliegt, und wobei der mittlere Fügepartner (26) eine elektrisch isolierende Zwischenschicht (26A) ist, welche einen elektrisch isolierten Wärmeableitpfad zwischen dem ersten Fügepartner (24) und dem zweiten Fügepartner (28) ausbildet.

8. 发明申请

WO2013131690A1 VERFAHREN ZUM BILDEN EINES KONTAKTS AUF EINEM HALBLEITERSUBSTRAT UND HALBLEITERVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：方法的接点上的半导体基板及半导体装置
公开(公告)号：WO2013131690A1
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：PCT/EP2013/051684
申请日：2013-01-29
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： SUENNER, Thomas , GRIEB, Michael
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/04
CPC分类号： H01L29/41775 , H01L21/0485 , H01L21/28518 , H01L21/32051 , H01L21/321 , H01L21/32135 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/78
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bilden eines Kontakts auf einem Halbleitersubstrat (50) mit den Schritten, Aufbringen mindestens eines Metalls (66) auf mindestens eine freiliegende Teilfläche(68) einer Außenseite des Halbleitersubstrats (50) und/oder einer auf das Halbleitersubstrat (50) aufgebrachten Schicht, wobei die Teilfläche (68) von mindestens einem Randbereich (70) einer Isolierschicht (58) umrahmt wird, und wobei der mindestens eine Randbereich (70) der Isolierschicht (58) zumindest teilweise mit dem mindestens einen Metall (66) bedeckt wird, Erhitzen des Halbleitersubstrats (50), wodurch das auf die mindestens eine Teilfläche (68) aufgebrachte mindestens eine Metall (66) mit mindestens einem Halbleitermaterial der mindestens einen Teilfläche (68) zu einem Halbleiter-Metall-Material als Endmaterial oder Weiterverarbeitungsmaterial des mindestens einen Kontakts reagiert, und Ausführen eines Ätzschritts unter Verwendung eines Ätzmaterials mit einer höheren Ätzrate für das mindestens eine Metall (66) als für das Halbleiter-Metall-Material. Des Weiteren betrifft die Erfindung eine Halbleitervorrichtung.
摘要翻译：本发明涉及一种形成在半导体衬底（50）上的接触的方法，包括（50）和/或（半导体衬底50上的半导体基板的外侧面中的至少一个暴露的表面部分（68）将至少一种金属（66）的步骤）施加的绝缘层（58）的层，其中，所述部分表面（68）包围的（至少一个边缘区域70），并且其中所述绝缘层的至少一个边缘区域（70）（58）至少部分地覆盖所述至少一个金属（66）是，加热所述半导体衬底（50），由此，所述至少一个部分的表面（68）施加至少一种金属（66）与所述至少一个部分的表面（68）的半导体金属材料作为最终或进一步处理材料的至少一个半导体材料的至少响应一个接触，并且使用具有较高的蚀刻的蚀刻材料进行蚀刻的步骤率为至少一种金属（66）比用于半导体 - 金属材料。此外，本发明涉及一种半导体器件。

9. 发明申请

WO2021013915A1 ELEKTRISCHES UND/ODER ELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND KONTAKTANORDNUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2021013915A1
公开(公告)日：2021-01-28
申请号：PCT/EP2020/070758
申请日：2020-07-23
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： HEMMERT, Reiner , SUENNER, Thomas , SCHIELE, Christian
IPC分类号： H01L23/495 , H05K3/32
摘要： Ausgegangen wird von einem elektrischen und/oder elektronischen Bauelement mit zumindest einem elektrischen Außenanschlusskontakt. Dieser ist als eine einseitig angebundene Anschlussfahne zur elektrischen Kontaktierung mit einem Kontaktierungspartner ausgebildet. Die Anschlussfahne weist dabei für die elektrische Kontaktierung eine Verbindungsseite mit einer ebenen Verbindungsfläche auf. Das freiliegende Ende der Anschlussfahne weist einen Biegeschenkel auf, welcher zur Verbindungsseite hin um einen Kompensationswinkel aus der Ebene gebogen ist. Der Biegeschenkel weist dabei die Verbindungsfläche auf. Ferner ist die Anschlussfahne derart nachgiebig ausgebildet, dass bei einem von der Verbindungsseite her Kraft beaufschlagten Anlagenkontakt eines zumindest in diesem Bereich ebenen Kontaktierungspartners auf das freie Ende des Biegeschenkels eine Lageorientierung der Verbindungsfläche zumindest entgegen des Kompensationswinkels bis zu einer spaltfreien Anlage der Verbindungsfläche an den ebenen Kontaktierungspartner anpassbar ist.

10. 发明申请

WO2016113080A1 KONTAKTANORDNUNG UND LEISTUNGSMODUL 审中-公开
标题翻译：联系安排和电源模块
公开(公告)号：WO2016113080A1
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：PCT/EP2015/080726
申请日：2015-12-21
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： SCHOENKNECHT, Andreas , AYDOGMUS, Irfan , ADAM, Boris , HIRSCH, Michele , SUENNER, Thomas , KLUTHE, Christian , MESSNER, Oliver , SINN, Peter
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/34 , H01L25/07
CPC分类号： H01L24/48 , H01L23/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L24/84 , H01L25/072 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/37032 , H01L2224/37147 , H01L2224/37155 , H01L2224/40225 , H01L2224/40245 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/48491 , H01L2224/73271 , H01L2224/84801 , H01L2224/8484 , H01L2224/8485 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14252 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： Die Erfindung betrifft eine Kontaktanordnung zumindest eines Leistungshalbleiters mit einem Schaltungsträger (10) einer Schaltung. Der zumindest eine Leistungshalbleiter (20) weist dabei eine Oberseite und eine Unterseite auf und ist mit der Unterseite mit dem Schaltungsträger (10) verbunden. Ferner ist auf der Oberseite des zumindest einen Leistungshalbleiters (20) mittelbar oder unmittelbar ein elektrisches und/oder elektronisches Bauelement (40) angeordnet. Das elektrische und/oder elektronische Bauelement (40) ist ein Temperatursensor, welcher ausgebildet ist, eine Temperatur des Leistungshalbleiters (20) zu ermitteln und ein Temperatursignal bereitzustellen, welches als Regelgröße für einen maximalen Strom in dem zumindest einem Leistungshalbleiter dient.
摘要翻译：本发明涉及一种接触装置具有至少一个功率半导体电路的电路基板（10）。在这种情况下，至少一个功率半导体（20）具有一顶部和一底部，并连接到电路载体（10）的下侧。此外，电场和/或电子元件（40）被设置在直接或间接地至少一个功率半导体（20）的顶部。电气和/或电子元件（40）是温度传感器，其被设计成确定所述功率半导体（20）的温度，并且提供其中至少用作一个最大电流的功率半导体控制变量的温度信号。

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