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1. 发明申请

WO2010031367A1 LEUCHTMITTEL 审中-公开
标题翻译： LAMPS
公开(公告)号：WO2010031367A1
公开(公告)日：2010-03-25
申请号：PCT/DE2009/001122
申请日：2009-08-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EISSLER, Dieter , HERRMANN, Siegfried
发明人： EISSLER, Dieter , HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L25/075
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L25/0756 , H01L33/44 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Leuchtmittels (10) weist dieses eine erste Gruppe (11) von Halbleiterchips (1) und eine zweite Gruppe (22) von Halbleiterchips (2) auf, wobei die Gruppen (11, 22) jeweils mindestens einen Halbleiterchip (1, 2) umfassen und die erste und die zweite Gruppe (11, 22) von Halbleiterchips (1, 2) wenigstens zum Teil bezüglich einer Hauptabstrahlrichtung (H) des Leuchtmittels (10) lateral nebeneinander angeordnet sind. Weiterhin umfasst das Leuchtmittel (10) eine dritte Gruppe (33) von Halbleiterchips (3), die mindestens einen Halbleiterchip (3) beinhaltet und wobei die dritte Gruppe (33) bezüglich der Hauptabstrahlrichtung (H) der ersten und der zweiten Gruppe (11, 22) nachgeordnet ist. Jede Gruppe (11, 22, 33) von Halbleiterchips (1, 2, 3) ist dazu ausgestaltet, in paarweise voneinander verschiedenen Wellenlängenbereichen elektromagnetische Strahlung (L1, L2, L3), insbesondere im sichtbaren Spektralbereich, zu emittieren. Die von der dritten Gruppe (33) von Halbleiterchips (3) emittierte Strahlung (L3) weist hierbei den kurzwelligsten Wellenlängenbereich auf. Die von der ersten und zweiten Gruppe (11, 22) von Halbleiterchips (1, 2) emittierte Strahlung (L1, L2) gelangt wenigstens teilweise in den wenigstens einen Halbleiterchip (3) der dritten Gruppe (33). Über eine Abstrahlfläche (4) des Leuchtmittels (10) wird eine Mischstrahlung (M) emittiert.
摘要翻译：在发光装置的至少一个实施例中（10）具有在半导体芯片（1）和半导体芯片（2）的第二组（22）的该第一组（11），其中，所述组（11，22）各具有至少（一个半导体芯片1 包括2）和发光装置（10）的第一和2）至少部分的半导体芯片（参照图1，第二组（11，22）相对于发射（H的主方向）横向并置。此外，所述发光装置（10）包括半导体芯片的第三组（33）（3）包括至少一个半导体芯片（3）和相对于所述第一和第二组的主波束方向（H）的第三组（33）（11， 22）被布置在下游。的半导体芯片的每个组（11,22，33）（1，2，3）适于在对电磁辐射（L1，L2，L3）的相互不同的波长范围在可见光谱范围内发射特定。从在这种情况下，半导体芯片（3）所发出的第三组（33）的辐射（L3）的具有波长的最短波长范围。半导体芯片的第一和第二组（11，22）的（1，2）发射的辐射（L1，L2）通过至少部分地进入所述至少一个半导体芯片（3）第三组（33）。混合辐射经由灯泡（10）的辐射表面（4）发出的光（M）。

2. 发明申请

WO2009140947A2 OPTOELEKTRONISCHES MODUL 审中-公开
标题翻译：光电模块
公开(公告)号：WO2009140947A2
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：PCT/DE2009/000679
申请日：2009-05-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EISSLER, Dieter , HERRMANN, Siegfried
发明人： EISSLER, Dieter , HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L27/15 , F21K7/00
CPC分类号： H01S5/0261 , H01L25/167 , H01L27/32 , H01L2924/0002 , H01S5/36 , H01S5/4025 , H01L2924/00
摘要： Ein optoelektronisches Modul (1) umfasst eine Träger-Substratschicht (10) mit verschiedenen Schaltkreisen (200), die in oder auf der Träger-Substratschicht (10) auf Waferlevelebene in Frontend-Prozessen vorstrukturiert worden sind. Auf der Träger-Substratschicht (10) sind Leuchtdioden (100) angeordnet, deren Abstrahlcharakteristik, Helligkeit und Farbe von den in/auf der Träger-Substratschicht (10) integrierten Schaltkreisen (200) gesteuert werden. Durch die Verschaltung mehrerer optoelektronischer Module (1, 2, 3) entstehen Modulanordnungen höchster Packungsdichte mit hervorragenden Eigenschaften in Bezug auf Farbtreue und Dimmbarkeit. Die einzelnen optoelektronischen Module einer derartigen Modulanordnung lassen sich autonom oder gekoppelt, aufeinander oder auf die Umgebung abstimmen.
摘要翻译：一种光电模块（1）包括与各种电路（200），其已在或在前端工艺在晶片级平面载体基板层（10）上被预结构化的载体基板层（10）。在载体基材层（10）是发光二极管（100），布置成控制所述支撑基板层（10）的电路（200）上的集成在/的辐射图案，亮度和颜色。通过互连多个光电模块（1，2，3）中创建模块组件最高密度与色彩保真度和调光方面具有极好的性能。这样的模块化布置的各个光电子模块可以是自主或耦合，坐标，或对周围环境。

3. 发明申请

WO2011080058A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDE LICHTLEITERVORRICHTUNG FÜR DIE BELEUCHTUNG, MODUL MIT EINER SOLCHEN VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLCHEN 审中-公开
标题翻译：辐射光纤装置用于照明模块制造这种这样的装置和方法
公开(公告)号：WO2011080058A1
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：PCT/EP2010/069520
申请日：2010-12-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried , ILLEK, Stefan
发明人： HERRMANN, Siegfried , ILLEK, Stefan
IPC分类号： G02B6/00
CPC分类号： G02B6/0021 , G02B6/0068 , G02B6/0073 , G02B6/0083
摘要： Es ist eine strahlungsemittierende Vorrichtung angegeben, die einen Lichtleiter (2) und zumindest eine Trägerplatte (1) aufweist. Die Trägerplatte (1) bildet eine Hauptebene (11) aus. Zumindest ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (3) ist in oder auf einem herausgebogenen Teil der Trägerplatte (1) angeordnet, wobei eine strahlungsemittierende Oberfläche (32) des Halbleiterbauelements (3) in einem Winkel α zur Hauptebene (11) der Trägerplatte (1) steht. Der Lichtleiter (2) ist auf der dem Halbleiterbauelement (3) zugewandten Seite der Trägerplatte (1) angeordnet. Weiter sind ein Modul mit einer strahlungsemittierenden Vorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Vorrichtung angegeben.
摘要翻译：它是提供一种发射辐射的装置，包括：光导（2）和至少一个承载板（1）。承载板（1）形成的主平面（11）。至少一个发射辐射的半导体部件（3）被布置在或在载体板（1）的弯曲出部件，其中，在对承载板的主平面（11）的角度的所述半导体部件（3）的发射辐射的表面（32）（1）。的光导（2）的半导体元件（3）上侧面向承载板（1）。此外，与发射辐射的装置和制造发射辐射的装置的方法的模块被示出。

4. 发明申请

WO2009076933A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDE VORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：发射辐射的装置
公开(公告)号：WO2009076933A1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/DE2008/002026
申请日：2008-12-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried
发明人： HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L27/15 , H01L25/0756 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Strahlungsemittierende Vorrichtung (40), die aufweist eine erste aktive Halbleiterschicht (12), die zur Emission elektromagnetischer Strahlung und zum direkten Kontakt mit Anschlusselektroden (18, 20) ausgebildet ist, und eine weitere aktive Halbleiterschicht (14), die zur Emission elektromagnetischer Strahlung und zum direkten Kontakt mit Anschlusselektroden (18, 20) ausgebildet ist, wobei die erste aktive Halbleiterschicht (12) und die weitere aktive Halbleiterschicht (14) übereinander gestapelt angeordnet sind.
摘要翻译：辐射发射装置（40）包括被设计为发射电磁辐射和用端子电极直接接触（18，20）的第一有源半导体层（12），以及用于发射电磁辐射的另一半导体有源层（14），和被设计用于与终端电极（18，20）直接接触，所述第一半导体有源层（12）和被布置在其他有源半导体层（14）堆叠在另一个之上。

5. 发明申请

WO2008014750A2 DÜNNFILM-HALBLEITERBAUELEMENT UND BAUELEMENT-VERBUND 审中-公开
标题翻译：薄膜半导体元件和构件
公开(公告)号：WO2008014750A2
公开(公告)日：2008-02-07
申请号：PCT/DE2007/001273
申请日：2007-07-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold
发明人： HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/00 , H01L27/15
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L27/15 , H01L33/385 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Dünnfilm-Halbleiterbauelemen mit einer Trägerschicht und einem auf der Trägerschicht angeordneten Schichtenstapel, der ein Halbleitermaterial enthält und zur Emission von Strahlung vorgesehen ist, wobei auf der Trägerschicht eine zur Kühlung des Halbleiterbauelements vorgesehene Wärmeableitungsschicht aufgebracht ist. Ferner beschreibt die Erfindung einen Bauelement-Verbund.
摘要翻译：
本发明描述了d导航用途nnfilm-Halbleiterbauelemen带Tr的AUML;设置lt和辐射的发射，层的载流子BEAR载体层布置堆叠在载体层和在载体BEAR包含＆AUML的半导体材料设置用于冷却半导体部件的散热层。此外，本发明描述了组件组合。

6. 发明申请

WO2007016908A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERBAUELEMENTEN UND DÜNNFILM-HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于生产半导体元件和薄膜半导体元件
公开(公告)号：WO2007016908A1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：PCT/DE2006/001367
申请日：2006-08-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold
发明人： HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L33/0079 , H01L2221/68363 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/12036 , H01L2924/181 , Y02P20/582 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, wobei ein ein Halbleitermaterial enthaltender Schichtenverbund (6) auf einem Aufwachssubstrat (1) ausgebildet wird, eine flexible Trägerschicht auf den Schichtenverbund (6) aufgebracht wird, die flexible Trägerschicht zu einer selbsttragenden Trägerschicht (2) ausgehärtet wird und das Aufwachssubstrat (1) abgelöst wird. Alternativ kann die Trägerschicht (2) eine Grundschicht (2b) und eine auf dem Schichtenverbund haftende Haftschicht (2a) aufweisen.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产半导体器件的方法，其中（6）的生长衬底（1），柔性支撑层到层复合材料（6）被施加上形成含有层叠体的半导体材料，所述柔性支撑层，以形成自支撑的载体层（2）被固化和生长衬底（1）被分离。替代地，载体层（2），基极层（2b）和所述层压粘附层（2A）上的粘合剂具有。

7. 发明申请

WO2010040342A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
标题翻译： OPTO电子元件
公开(公告)号：WO2010040342A1
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：PCT/DE2009/001391
申请日：2009-10-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BOGNER, Georg , HERRMANN, Siegfried , ZEILER, Thomas , ENGL, Karl
发明人： BOGNER, Georg , HERRMANN, Siegfried , ZEILER, Thomas , ENGL, Karl
IPC分类号： H01L25/075
CPC分类号： H01L25/0753 , F21K9/00 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils (1) umfasst dieses einen planaren Grundkörper (2) und zumindest eine Gruppe (30) mit wenigstens zwei Grundelementen (3), wobei jedes Grundelement (3) mit einem optoelektronischen Halbleiterelement (4) gestaltet ist. Die Grundelemente (3) sind auf einer Montagefläche (5) an einer Oberseite (31) des Grundkörpers (2) angebracht. Weiterhin sind die Grundelemente (3) der Gruppe (30) in einer Reihe lateral benachbart auf der Montagefläche (5) angeordnet und elektrisch in Serie geschaltet. Wenigstens zwei Grundelemente (3) der Gruppe (30) sind einstückig ausgeführt. Die Gruppe (30) der Grundelemente (3) ist über Feder- und/oder Druckkontakte (6) mit dem Grundkörper (2) elektrisch kontaktiert.
摘要翻译：在光电子器件中的至少一个实施例中（1）包括所述一个平面基体（2）和至少一组（30）与至少两个基体单元（3），每个基体部件（3）的光电子半导体元件（4）被设计。基本元件（3）在基体的上侧（31）安装在安装面（5）（2）。此外，所述组（30）的基本要素（3）是在横向相邻于安装表面（5）和串联电连接的一排。的组（30）的至少两个基本元件（3）一体制成。底座元件的组（30）（3）可以是弹簧和/或压力接触件（6）在基体（2）的电接触。

8. 发明申请

WO2010034274A1 STRAHLUNG EMITTIERENDE VORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：发射装置
公开(公告)号：WO2010034274A1
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：PCT/DE2009/001116
申请日：2009-08-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried
发明人： HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L25/075
CPC分类号： H01L25/0756 , F21K9/00 , F21V29/70 , F21V29/89 , F21Y2103/10 , F21Y2115/10 , H01L33/20 , H01L33/58 , H01L33/648 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform der Strahlung emittierenden Vorrichtung (1) umfasst diese mindestens zwei optoelektronische Halbleiterchips (2), wobei die Halbleiterchips (2) in einem Stapel (3) übereinander angeordnet sind. Eine Hauptabstrahlung der Vorrichtung (1) erfolgt bezüglich einer Längsachse (A) des Stapels (3) lateral. Ein Abstand (D) zwischen zwei benachbarten Halbleiterchips (2) in Richtung der Längsachse (A) beträgt mindestens 1 mm.
摘要翻译：在发射辐射的装置的至少一个实施例中（1），包括所述至少两个光电子半导体芯片（2），其中所述半导体芯片（2）的叠层（3）被布置在另一个之上。所述装置（1）的主辐射相对于进行到堆栈（3）横向的纵向轴线（A）。在所述纵向轴线（A）的方向上的两个相邻的半导体芯片（2）之间的距离（D）为至少1毫米。

9. 发明申请

WO2012013500A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电半导体器件和光电半导体器件
公开(公告)号：WO2012013500A1
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：PCT/EP2011/061987
申请日：2011-07-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERRMANN, Siegfried
发明人： HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L27/15
CPC分类号： H01L31/02 , H01L22/14 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils mit den folgenden Schritten angegeben: - Anordnen eines Halbleiterschichtenstapels (101) mit einem pn-Übergang (104) auf einem Substrat (100), - laterales Strukturieren des Halbleiterschichtenstapels (101) in eine Vielzahl von Paaren erster Halbleiterkörper (1) und zweiter Halbleiterkörper (2), die in lateraler Richtung (1) beabstandet zueinander sind, - Ablösen des Substrats (100) von den Paaren erster Halbleiterkörper (1) und zweiter Halbleiterkörper (2), - Aufbringen zumindest eines Paars erster Halbleiterkörper (1) und zweiter Halbleiterkörper (2) auf einen Anschlussträger (3), der elektrische Anschlussstellen (4) und/oder zumindest eine Leiterbahn (5) aufweist, - elektrisches Verbinden der Halbleiterkörper (1) eines Paars erster Halbleiterkörper (1) und zweiter Halbleiterkörper (2) mittels der Anschlussstellen (3) und/oder der zumindest einen Leiterbahn (4), derart dass der pn-Übergang (104) des ersten Halbleiterkörpers (1) zum pn-Übergang (104) des zweiten Halbleiterkörpers (2) antiparallel geschaltet ist.
摘要翻译：公开的是用于制造光电子半导体器件，包括以下步骤的方法： - 在多个对半导体层堆叠（101）的横向图样 - 布置与基板（100）上的pn结（104）的半导体层堆叠（101），第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）在横向方向（1）彼此间隔开， - 剥离对第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）中，在基板（100） - 将至少一对第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）的连接载体（3），电连接点（4）和/或至少一个导体轨道（5）， - 电连接所述半导体主体（1）的一对第一半导体本体（1）的和第二半导体本体（2）由所述连接点（3）和/或所述至少一个导体轨迹的装置（4），使得pn结（ 104）在所述第一半导体本体（1）到所述第二半导体本体（2）的pn结（104）的连接反并联。

10. 发明申请

WO2011039023A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2011039023A1
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：PCT/EP2010/062733
申请日：2010-08-31
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MÜLLER, Klaus , SPATH, Günter , HERRMANN, Siegfried , GÜNTHER, Ewald, Karl, Michael , BRUNNER, Herbert
发明人： MÜLLER, Klaus , SPATH, Günter , HERRMANN, Siegfried , GÜNTHER, Ewald, Karl, Michael , BRUNNER, Herbert
IPC分类号： H01L33/48 , H01L25/075 , H01L25/16 , H01L33/62 , H01L33/54 , H01L33/00
CPC分类号： H01L31/0224 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/0079 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/4554
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, mit - einem Träger (1), der eine erste Hauptfläche (Ia) aufweist, - zumindest einem substratlosen optoelektronischen Halbleiterchip (2), und - einer Kontaktmetallisierung (3a, 3b), wobei - der Träger (1) elektrisch isolierend ist, - der zumindest eine optoelektronische Halbleiterchip (2) mittels eines Verbindungsmaterials (4), insbesondere eines Lotmaterials, an der ersten Hauptfläche (Ia) des Trägers (1) befestigt ist, - die Kontaktmetallisierung (3a, 3b) zumindest einen Bereich der ersten Hauptfläche (Ia) bedeckt, der frei vom optoelektronischen Halbleiterchip (2) ist, und - die Kontaktmetallisierung (3a, 3b) elektrisch leitend mit dem optoelektronischen Halbleiterchip (2) verbunden ist.
摘要翻译：本发明提供一种光电器件，包括： - （1），具有第一主表面（Ia）中的载体， - 至少一个衬底的光电子半导体芯片（2），以及 - 接触金属化（3A，3B），其特征在于， - 所述支撑件（1 ）是电绝缘的， - 其连接至少一个光电子半导体芯片（2）通过粘结材料的装置（4），在所述载体（1），的第一主表面（Ia）的特定的焊料材料 - 接触金属化物（3A，3B）的至少一个所述第一主表面（Ia）的覆盖，这是免费的光电子半导体芯片（2）的，与面积 - 接触金属化部（3a，3b）的导电连接到光电子半导体芯片（2）。

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