在一个示例性导航用途货币形成半导体层序列（2）是基于由AlInGaN和f导航用途为r的光电子半导体芯片（1）并具有给定的顺序在下面的层以从正型N- 可见页面（20）来回： - 一个Vorbarriereschicht（21）由AlGaN构成， - 一个Vorquantentopf（23）由InGaN的具有没有被配置用于产生辐射，第一Bandl桥 - 一个多量子阱结构（3），其具有多个交替的Hauptquantent＆oUML的 ; PFEN（32）具有由InGaN构成的第二Bandl桥和由AlGaN或AlInGaN层，主要屏障层（31），其中所述第二Bandl桥GR＆ouml;道路它比第一Bandl导航用途是CKE和Hauptquantent＆oUML;对于PFE（32） 具有最大强度＆AUML的波长BEAR长度产生辐射;吨包括道路巫妖为365nm和490nm处都配之间，以及 - 由AlGaN构成的电子阻挡层（29），铝的方法，其中的产物 迷你副停止，并通过至少1.3克＆ouml的因子的厚度Vorbarriereschicht（21）的;道路是作为铝含量的产物，其厚度的主要阻挡层（31）。

这是具有包括p型半导体层（1），n型半导体层的半导体层序列（20）的装置（10），（2）和插入的有源区（3），其特征在于： - 被形成在有源区中，所述p型半导体层的一部分，凹部（4）分别到一个主试BEAR具有延伸克刻面（41），其中所述p型区域;在所述有源区SCHR＆AUML的表面（30） 半导体层延伸到所述凹部， - 该装置包括一个阻挡结构（5），其中所述阻挡结构和所述n型半导体层之间的有源区域布置，以及 - 相对于所述p型半导体层和势垒结构，以便执行导航使用HRT组件 在装置的操作中，在主表面上将带正电的电荷载体注入有源区尤其困难，由此注入带正电荷的电荷 撞击到活动区的各个面上。 此外，还规定了生产这种装置的方法。

这是一个基片（1）与沉积侧（10）和针对导航用途的沉积中的一种表示的下侧（11），其中，在所述沉积侧设置有多个结构元件（2）的，和; berliegendenř导航用途 结构元件的布置具有多个起伏区域（4），每个起伏区域具有至少两个结构元件。