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1. 发明申请

WO2013034485A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2013034485A1
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：PCT/EP2012/066897
申请日：2012-08-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KATZ, Simeon , GALLER, Bastian , STRASSBURG, Martin , SABATHIL, Matthias , DRECHSEL, Philipp , BERGBAUER, Werner , MANDL, Martin
发明人： KATZ, Simeon , GALLER, Bastian , STRASSBURG, Martin , SABATHIL, Matthias , DRECHSEL, Philipp , BERGBAUER, Werner , MANDL, Martin
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/42 , H01S5/34333
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement (11) angegeben, bei dem die aktive Schicht (10) eine Vielzahl von lateral voneinander beabstandeten Strukturelementen (6) aufweist. Die Strukturelemente (6) weisen jeweils eine Quantententopfstruktur (5) auf, die mindestens eine Barriereschicht (2) aus In x1 Al y1 Ga 1-x1-y1 N mit 0 ≤ x1 ≤ 1, 0 ≤ y1 ≤ 1 und x1 + y1 ≤ 1, und mindestens eine QuantentopfSchicht (1) aus In x2 Al y2 Ga 1-X2-y2 N mit 0 ≤ x2 ≤ 1, 0 ≤ y2 ≤ 1 und x2 + y2 ≤ 1 umfasst.
摘要翻译：本发明提供的光电元件（11），其中具有多个横向间隔开的结构元件的有源层（10）（6）。结构元件（6）的每一个都具有量子鸭阱结构（5），所述至少一个阻挡层（2）与0 <= X1 <= 1，0 <= Y1 <= 1和X1 + Y1 <= 1制成Inx1Aly1Ga1-X1-Y1N的和至少一个量子阱层（1）与由Inx2Aly2Ga1-X2-Y2N的0 <= X 2 <= 1，0 <= Y2 <= 1和X 2 + Y包括<= 1。

2. 发明申请

WO2012025397A1 HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：半导体部件和方法的半导体元件
公开(公告)号：WO2012025397A1
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：PCT/EP2011/063883
申请日：2011-08-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STAUSS, Peter , DRECHSEL, Philipp , HERTKORN, Joachim
发明人： STAUSS, Peter , DRECHSEL, Philipp , HERTKORN, Joachim
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/12
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/12
摘要： Es wird ein Halbleiterbauelement mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) aus einem nitridischen Verbindungshalbleitermaterial auf einem Substrat (1) angegeben, wobei das Substrat (1) eine der Halbleiterschichtenfolge (2) zugewandte Silizium-Oberfläche aufweist und die Halbleiterschichtenfolge (2) einen aktiven Bereich (21) und zwischen dem Substrat (1) und dem aktiven Bereich (21) zumindest eine Zwischenschicht (3) aus einem sauerstoffdotierten AlN-Verbindungshalbleitermaterial aufweist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements angegeben.
摘要翻译：它是（2）由具有半导体层序列的半导体器件的氮化物半导体材料的一衬底（1）上，其中在衬底（1）具有（2）的面向硅表面和半导体层序列（2）的有源区的半导体层序列（21 ），并具有至少一个中间层（3）从所述衬底之间的氧掺杂的AlN化合物半导体材料（1）和所述有源区（21）。此外，提供了一种制造半导体器件的方法。

3. 发明申请

WO2021089264A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR OPTOELEKTRONISCHE HALBLEITERCHIPS 审中-公开
公开(公告)号：WO2021089264A1
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：PCT/EP2020/078010
申请日：2020-10-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： CHEN, Xiaojun , WANG, Heng , NA, Jong Ho , GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro , OFF, Jürgen , DRECHSEL, Philipp , LEHNHARDT, Thomas
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/00 , H01L33/14 , H01L33/24 , H01L33/32
摘要： In einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2), die einen ersten Halbleiterbereich (21) eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine aktive Zone (3) zur Strahlungserzeugung mit einer Multiquantentopfstruktur (33), die aus mehreren Quantentopfschichten (31) und Barriereschichten (32) zusammengesetzt ist, sowie einen zweiten Halbleiterbereich (22) eines zweiten Leitfähigkeitstyps beinhaltet. Eine Vielzahl von Kanälen (4) läuft durch die aktive Zone (3). Der zweite Halbleiterbereich (22) füllt die Kanäle (4) aus und ist für eine seitliche Stromeinprägung in die aktive Zone (3) eingerichtet. Im ersten Halbleiterbereich (21) weisen die Kanäle (4) einen ersten halben Öffnungswinkel (B) auf und in der aktiven Zone (3) einen zweiten halben Öffnungswinkel (A). Der zweite halbe Öffnungswinkel (A) ist größer als 0 und kleiner als der erste halbe Öffnungswinkel (B).

4. 发明申请

WO2017144512A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS UND STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：生产辐射发射型半导体芯片和辐射发射型半导体芯片的方法
公开(公告)号：WO2017144512A1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：PCT/EP2017/054016
申请日：2017-02-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BERGBAUER, Werner , LEHNHARDT, Thomas , OFF, Jürgen , LAHOURCADE, Lise , DRECHSEL, Philipp
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/24
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/0075
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips mit den folgenden Schrittenangegeben: - Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), - epitaktisches Aufwachsen einer Pufferschicht (3) auf das Aufwachssubstrat (1), wobei in der Pufferschicht (3) eine Vielzahl an V-Pits (4) erzeugt wird, - epitaktisches Aufwachsen einer strahlungserzeugenden aktiven Halbleiterschichtenfolge (5) auf die Pufferschicht (3), wobei sich die Struktur der V-Pits (4) in die aktive Halbleiterschichtenfolge (5) fortsetzt, - epitaktisches Aufwachsen einer weiteren Schichtenfolge (9) auf die aktive Halbleiterschichtenfolge (5), wobei sich die Struktur der V-Pits (4) in die weitere Schichtenfolge (9) fortsetzt, - Selektives Entfernen der weiteren Schichtenfolge (9) von den Facetten (8) der V-Pits (4), wobei die weitere Schichtenfolge (9) auf der Hauptfläche (12) der aktiven Halbleiterschichtenfolge (5) verbleibt, und - epitaktisches Aufwachsen einer p-dotierten Halbleiterschicht (15), die die V-Pits (4) vollständig oder teilweise ausfüllt. Weiterhin wird ein Halbleiterchip angegeben, der mit diesem Verfahren hergestellt werden kann.
摘要翻译：
一种用于制造发射辐射的半导体芯片，包括以下步骤指示的方法，包括： - 提供在生长衬底（1）， - 在生长衬底（1）上外延生长的缓冲层（3），（在缓冲层 3）多个V凹点（4）中产生， - 外延生长产生辐射的有源半导体层序列（5）的缓冲层（3），其中，所述V凹点（4）的结构继续在有源半导体层序列中（5）上 - 选择性地去除从晶面上的另外的层序列（9）的 - 在有源半导体层序列（5），其中，所述V凹点（4）的结构继续到另一系列的层（9）的，另外的层序列（9）的外延生长（8）V凹点（4），其中，层的进一步序列（9）在有源半导体层序列（5）的主试BEAR表面（12）上保持，以及 - 外延生长p掺杂哈尔导体层（15），V型凹坑（4）完全或部分填充。此外，指定了一个半导体芯片，可以用这种方法生产。

5. 发明申请

WO2013045355A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN NITRID-VERBINDUNGSHALBLEITER-BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电氮化物半导体组分
公开(公告)号：WO2013045355A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/068617
申请日：2012-09-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STAUSS, Peter , DRECHSEL, Philipp
发明人： STAUSS, Peter , DRECHSEL, Philipp
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/12 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements angegeben, bei dem eine Pufferschicht (2) aus einem Aluminium enthaltenden Nitrid-Verbindungshalbleiter auf die Siliziumoberfläche eines Aufwachssubstrats (1) aufgewachsen wird. Nachfolgend werden eine Verspannungsschichtstruktur (11) zur Erzeugung einer kompressiven Spannung und eine funktionelle Halbleiterschichtenfolge (12), welche eine aktive Schicht (9) aufweist, aufgewachsen. Die Verspannungsschichtstruktur (11) umfasst eine erste GaN- Halbleiterschicht (4) und eine zweite GaN-Halbleiterschicht (7), wobei in die erste GaN-Halbleiterschicht (4) eine Maskierungsschicht (5) eingebettet ist, zwischen der ersten GaN-Halbleiterschicht (4) und der zweiten GaN- Halbleiterschicht (7) eine AI (Ga) N-Zwischenschicht (6) zur Erzeugung einer kompressiven Spannung angeordnet ist, und die Verspannungsschichtstruktur (11) keine weiteren Al(Ga)N- Zwischenschichten (6) enthält.
摘要翻译：公开的是用于制造光电子氮化物半导体器件，其特征在于，缓冲层（2）包括在生长衬底（1）的硅表面上形成含铝氮化物半导体生长的方法。接着，应力衬垫结构（11）用于产生一个压缩应力，并且具有有源层的功能性半导体层序列（12）（9）中生长。应变层结构（11）包括第一GaN半导体层（4）和第二GaN半导体层（7），其中在所述第一GaN半导体层（4）掩蔽层（5）被嵌入，（第一GaN半导体层4之间）和所述第二GaN半导体层（7）的Al（Ga）N系的中间层是用于产生压缩应力和应力衬垫结构（11布置（6））没有进一步的Al（Ga）N系中间层（6）。

6. 发明申请

WO2017198776A1 BAUELEMENT MIT ERHÖHTER EFFIZIENZ UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：提高效率的组分及其生产方法
公开(公告)号：WO2017198776A1
公开(公告)日：2017-11-23
申请号：PCT/EP2017/062000
申请日：2017-05-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LEHNHARDT, Thomas , BERGBAUER, Werner , OFF, Jürgen , LAHOURCADE, Lise , DRECHSEL, Philipp
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/00 , H01L33/04 , H01L33/24
摘要： Es wird ein Bauelement (10) mit einer Halbleiterschichtenfolge (20) aufweisend eine p-leitende Halbleiterschicht (1), eine n-leitende Halbleiterschicht (2) und eine dazwischenliegende aktive Zone (3), wobei: - im Bereich der aktiven Zone, seitens der p-leitenden Halbleiterschicht, Vertiefungen (4) gebildet sind, die jeweils zu einer Hauptfläche (30) der aktiven Zone schräg verlaufende Facetten (41) aufweisen, wobei sich die p-leitende Halbleiterschicht in die Vertiefungen hinein erstreckt, - das Bauelement eine Barrierestruktur (5) aufweist, wobei die aktive Zone zwischen der Barrierestruktur und der n-leitenden Halbleiterschicht angeordnet ist, und - das Bauelement hinsichtlich der p-leitenden Halbleiterschicht und der Barrierestruktur derart ausgeführt ist, dass im Betrieb des Bauelements eine Injektion positiv geladener Ladungsträger über die Hauptfläche in die aktive Zone gezielt erschwert ist, wodurch eine Injektion positiv geladener Ladungsträger über die Facetten in die aktive Zone begünstigt ist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Bauelements angegeben.
摘要翻译：
这是具有包括p型半导体层（1），n型半导体层的半导体层序列（20）的装置（10），（2）和插入的有源区（3），其特征在于： - 被形成在有源区中，所述p型半导体层的一部分，凹部（4）分别到一个主试BEAR具有延伸克刻面（41），其中所述p型区域;在所述有源区SCHR＆AUML的表面（30）半导体层延伸到所述凹部， - 该装置包括一个阻挡结构（5），其中所述阻挡结构和所述n型半导体层之间的有源区域布置，以及 - 相对于所述p型半导体层和势垒结构，以便执行导航使用HRT组件在装置的操作中，在主表面上将带正电的电荷载体注入有源区尤其困难，由此注入带正电荷的电荷撞击到活动区的各个面上。此外，还规定了生产这种装置的方法。

7. 发明申请

WO2017129481A1 SUBSTRAT MIT STRUKTURELEMENTEN UND HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：具有结构元素和半导体元素的衬底
公开(公告)号：WO2017129481A1
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：PCT/EP2017/051154
申请日：2017-01-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GOTSCHKE, Tobias , BERGBAUER, Werner , LEHNHARDT, Thomas , ZINI, Lorenzo , DRECHSEL, Philipp
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02647 , H01L21/0242 , H01L21/0254
摘要： Es wird ein Substrat (1) mit einer Abscheideseite (10) und einer der Abscheide gegenüberliegenden Rückseite (11) angegeben, wobei an der Abscheideseite eine Mehrzahl von Strukturelementen (2) angeordnet ist und eine Anordnung der Strukturelemente eine Mehrzahl von Häufungsbereichen (4) mit jeweils zumindest zwei Strukturelementen aufweist.
摘要翻译：
这是一个基片（1）与沉积侧（10）和针对导航用途的沉积中的一种表示的下侧（11），其中，在所述沉积侧设置有多个结构元件（2）的，和; berliegendenř导航用途结构元件的布置具有多个起伏区域（4），每个起伏区域具有至少两个结构元件。

8. 发明申请

WO2015158658A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SCHICHTSTRUKTUR ALS PUFFERSCHICHT EINES HALBLEITERBAUELEMENTS SOWIE SCHICHTSTRUKTUR ALS PUFFERSCHICHT EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：一种用于生产层结构半导体组件的缓冲层和层结构的半导体元件的缓冲层
公开(公告)号：WO2015158658A1
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：PCT/EP2015/057972
申请日：2015-04-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： DRECHSEL, Philipp , BERGBAUER, Werner , OFF, Jürgen , STAUSS, Peter
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02458 , H01L21/02107 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/32
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Schichtstruktur (10) als Pufferschicht eines Halbleiterbauelements angegeben, umfassend die folgenden Schritte: a) Bereitstellen eines Trägers (1), der eine Silizium-Oberfläche (1a) aufweist, b) Abscheiden einer ersten Schichtenfolge (2), die eine Ankeimschicht (21), die Aluminium und Stickstoff enthält, umfasst, auf der Silizium-Oberfläche (1a) des Trägers (1) entlang einer Stapelrichtung (H), die senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des Trägers (1) verläuft, c) dreidimensionales Wachstum einer 3D-GaN-Schicht (3), die mit Galliumnitrid gebildet ist, auf eine der Silizium-Oberfläche (la) abgewandte Deckfläche (2a) der ersten Schichtenfolge (2), d) zweidimensionales Wachstum einer 2D-GaN-Schicht (4), die mit Galliumnitrid gebildet ist, auf den der Silizium-Oberfläche (1a) abgewandten Außenflächen (3a) der 3D-GaN-Schicht (3).
摘要翻译：提供了一种方法用于制造层结构（10）作为半导体装置的一个缓冲层，其包括以下步骤：包括：a）提供载体（1）具有硅表面（1a）中，b）中沉积第一层序列（2）它包括含所述载体的硅表面（1a）的铝和氮的籽晶层（21）（1）沿层叠方向（H），这是在垂直于载体的主延伸平面（1）中，c）（3）形成的3D型GaN层的三维生长与氮化镓，来自第一系列的层（2）中，d）（在2D-GaN层的二维生长的顶面（2A）面向离开的硅表面（Ia）的 4）其与氮化镓，外表面（该硅表面1A）从（3A背向）所述3D-GaN层（3）形成。

9. 发明申请

WO2016146376A1 BAUELEMENT MIT EINER MEHRFACHQUANTENTOPFSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译：具有更多量子阱结构COMPONENT
公开(公告)号：WO2016146376A1
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：PCT/EP2016/054312
申请日：2016-03-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MEYER, Tobias , LEHNHARDT, Thomas , PETER, Matthias , ASAKO, Hirai , OFF, Jürgen , DRECHSEL, Philipp , STAUSS, Peter
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/2228 , H01S5/309 , H01S5/3216 , H01S5/34
摘要： Es wird ein Bauelement (10) mit einer Halbleiterschichtenfolge angegeben, die eine p-leitende Halbleiterschicht (1), eine n-leitende Halbleiterschicht (2) und eine zwischen der p-leitenden Halbleiterschicht und der n-leitenden Halbleiterschicht angeordnete aktive Zone (3) aufweist, wobei die aktive Zone eine Mehrfachquantentopfstruktur aufweist, die von der p-leitenden Halbleiterschicht zur n-leitenden Halbleiterschicht hin eine Mehrzahl von p-seitigen Barriereschichten (32p) mit dazwischenliegenden Quantentopfschichten (31) und eine Mehrzahl von n-seitigen Barriereschichten (32n) mit dazwischenliegenden Quantenschichten (31) aufweist. In der Halbleiterschichtenfolge seitens der p-leitenden Halbleiterschicht sind Vertiefungen (4) gebildet, die Flanken aufweisen, wobei die Quantentopfschichten und/oder die n-sowie p-seitigen Barriereschichten zumindest bereichsweise konform zu den Flanken der Vertiefungen verlaufen. Die inseitigen Barriereschichten weisen eine größere mittlere Schichtdicke auf als die p-seitigen Barriereschichten.
摘要翻译：它与半导体层序列，设备（10），其包括p型半导体层中指定（1）中，n型半导体层（2）和，设置在所述p型半导体层和n型半导体层有源区（3）之间，其中，所述有源区域包括p型半导体层向多个p侧的阻挡层（32P）与中间量子阱层（31）的n型半导体层的多量子阱结构和多个n侧阻挡层（32N）具有中间量子层（31）。在由p型半导体层的凹陷的半导体层序列（4）被形成为具有侧面，其中，所述量子阱层和/或n和p侧的阻挡层至少部分地延伸符合凹部的侧壁。所述inseitigen阻挡层具有平均厚度比所述p侧势垒层大。

10. 发明申请

WO2015128319A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSCHICHTENFOLGE UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：一种用于生产半导体层序列和光电半导体器件
公开(公告)号：WO2015128319A1
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：PCT/EP2015/053818
申请日：2015-02-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERTKORN, Joachim , BERGBAUER, Werner , DRECHSEL, Philipp
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/12 , H01L33/20
CPC分类号： H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/58
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge angegeben, das die folgenden Schritte aufweist: - Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (50) mit einer Aufwachsfläche (51) an einer Aufwachsseite (50a), - Aufwachsen einer ersten nitridischen Halbleiterschicht (10) an der Aufwachsseite, - Aufwachsen einer zweiten nitridischen Halbleiterschicht (20) auf die erste nitridische Halbleiterschicht (10), wobei die zweite nitridische Halbleiterschicht (20) zumindest eine Öffnung (21) aufweist oder zumindest eine Öffnung (21) in der zweiten nitridischen Halbleiterschicht (20) erzeugt wird oder während des Aufwachsens zumindest eine Öffnung (21) in der zweiten nitridischen Halbleiterschicht (20) entsteht, - Entfernen zumindest eines Teils der ersten nitridischen Halbleiterschicht (10) durch die Öffnungen (21) in der zweiten nitridischen Halbleiterschicht (20), - Aufwachsen einer dritten nitridischen Halbleiterschicht (30) auf die zweite nitridische Halbleiterschicht (20), wobei die dritte nitridische Halbleiterschicht (30) die Öffnungen (21) zumindest stellenweise überdeckt.
摘要翻译：提供了一种用于制造半导体层序列，其包括以下步骤的方法： - 提供在Aufwachsseite部（50a），其具有生长面（51），在生长衬底（50） - 生长在Aufwachsseite的第一氮化物半导体层（10）， - 第一氮化物半导体层（10），其中，所述第二氮化物半导体层（20）具有至少一个开口（21）或上述第二氮化物半导体层中的至少一个开口（21）上生长第二氮化物半导体层（20）（20）中产生，或第二氮化物半导体层（20）中的至少一个开口（21）的生长过程中产生的， - 去除至少通过所述第二氮化物半导体层（20）在开口（21）的第一氮化物半导体层（10）的一部分， - 生长第三第二氮化物半导体层上的氮化物半导体层（30）（20），其中，所述第三氮化物半导体层（30），至少所述开口（21）局部地覆盖。

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