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1. 发明申请

WO2017129481A1 SUBSTRAT MIT STRUKTURELEMENTEN UND HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：具有结构元素和半导体元素的衬底
公开(公告)号：WO2017129481A1
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：PCT/EP2017/051154
申请日：2017-01-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GOTSCHKE, Tobias , BERGBAUER, Werner , LEHNHARDT, Thomas , ZINI, Lorenzo , DRECHSEL, Philipp
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02647 , H01L21/0242 , H01L21/0254
摘要： Es wird ein Substrat (1) mit einer Abscheideseite (10) und einer der Abscheide gegenüberliegenden Rückseite (11) angegeben, wobei an der Abscheideseite eine Mehrzahl von Strukturelementen (2) angeordnet ist und eine Anordnung der Strukturelemente eine Mehrzahl von Häufungsbereichen (4) mit jeweils zumindest zwei Strukturelementen aufweist.
摘要翻译：
这是一个基片（1）与沉积侧（10）和针对导航用途的沉积中的一种表示的下侧（11），其中，在所述沉积侧设置有多个结构元件（2）的，和; berliegendenř导航用途结构元件的布置具有多个起伏区域（4），每个起伏区域具有至少两个结构元件。

2. 发明申请

WO2017129485A1 SUBSTRAT MIT STRUKTURELEMENTEN UND HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：具有结构元素和半导体元素的衬底
公开(公告)号：WO2017129485A1
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：PCT/EP2017/051168
申请日：2017-01-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GOTSCHKE, Tobias , ROSSBACH, Georg
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02647
摘要： Es wird ein Substrat (1) mit einer Abscheideseite (10) und einer der Abscheideseite gegenüberliegenden Rückseite (11) angegeben, wobei an der Abscheideseite erste Strukturelemente und zweite Strukturelemente angeordnet sind und die ersten Strukturelemente und die zweiten Strukturelemente bereichsweise übereinander angeordnet sind. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement (8) mit einem solchen Substrat angegeben.
摘要翻译：
这是一个基片（1）与沉积侧（10）和一个针对导航用途的沉积侧的指示的下侧（11），所述第一结构元件和第二结构元件被设置在沉积侧，并且所述第一，berliegendenř导航用途结构元件和第二结构元件被布置在一个在另一个之上的区域中。此外，用这种衬底指定半导体元件（8）。

3. 发明申请

WO2014173825A1 HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER ZWISCHENSCHICHT 审中-公开
标题翻译：用中间层半导体部件
公开(公告)号：WO2014173825A1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：PCT/EP2014/057947
申请日：2014-04-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MEYER, Tobias , PETER, Matthias , OFF, Jürgen , WALTER, Alexander , GOTSCHKE, Tobias , LEIRER, Christian
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/325 , H01L33/0025 , H01L33/025 , H01L33/12 , H01L33/22
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer Schichtenfolge mit einer p-dotierten Schicht, mit einer n-dotierten Schicht und mit einer zwischen der n-dotierten Schicht und der p-dotierten Schicht angeordneten aktiven Zone zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung, wobei die n-dotierte Schicht wenigstens GaN aufweist, wobei in der n-dotierten Schicht eine Zwischenschicht angeordnet ist, wobei die Zwischenschicht Al x Ga 1-x N aufweist, wobei 0
摘要翻译：本发明涉及一种方法，以及具有的光电子半导体器件用p型掺杂层的层序列，用n型掺杂层和具有设置在所述n型掺杂层和用于产生电磁辐射的p掺杂层有源区，其中间 n型掺杂层的至少的GaN，其中的中间层被设置在n掺杂层，其中所述中间层的AlxGa1-XN，其中0

4. 发明申请

WO2016202853A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES NITRID-HALBLEITERBAUELEMENTS UND NITRID-HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于生产氮化物半导体元件及氮化物半导体元件
公开(公告)号：WO2016202853A1
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：PCT/EP2016/063744
申请日：2016-06-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GOTSCHKE, Tobias , GALLER, Bastian , OFF, Jürgen , BERGBAUER, Werner , LEHNHARDT, Thomas
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/12 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/12
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Nitrid- Halbleiterbauelements (100) angegeben, umfassend die Schritte : - Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1) mit einer Aufwachsoberfläche (10), die durch eine ebene Fläche (11) mit einer Vielzahl dreidimensional ausgeformter Oberflächenstrukturen (12) auf der ebenen Fläche (11) gebildet wird, - Aufwachsen einer Nitrid-basierten Halbleiterschichtenfolge (30) auf der Aufwachsoberfläche (10), wobei das Aufwachsen selektiv auf einer Anwachsfläche (13) des Aufwachssubstrats beginnt, und wobei die Anwachsfläche (13) kleiner als 45 % der Aufwachsoberfläche (10) ist. Weiterhin wird ein mit dem Verfahren herstellbares Nitrid- Hableiterbauelement (100) beschrieben.
摘要翻译：一种用于制造规定的氮化物半导体装置（100），包括以下步骤的方法： - 提供生长衬底（1）具有由平坦表面（11），具有多个三维成型的表面结构限定的生长表面（10）（12）形成在平坦表面（11）上， - 在所述生长表面（10），其中，选择性地在Anwachsfläche生长基底的生长（13）开始，并且其中生长的氮化物系半导体层序列（30）的Anwachsfläche（13）小于是生长表面（10）的45％。此外，该方法的氮化物Hableiterbauelement（100）中的可生产进行说明。

5. 发明申请

WO2016050432A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL VON HALBLEITERCHIPS UND HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：用于生产半导体芯片和半导体芯片的各种
公开(公告)号：WO2016050432A1
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：PCT/EP2015/069958
申请日：2015-09-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GOTSCHKE, Tobias , OFF, Jürgen , PERZLMAIER, Korbinian
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L21/02639 , C30B25/04 , C30B25/18 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/78 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/32
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterchips (10) angegeben, mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), das eine Aufwachsfläche (1a) aufweist, die mit Saphir gebildet ist, - Aufbringen eines Maskenmaterials (2) auf die Aufwachsfläche (1a) des Aufwachssubstrats (1), - Strukturieren des Maskenmaterials (2) zu einer mehrfach zusammenhängenden Maskenschicht (21) durch Einbringen von Öffnungen (22) in das Maskenmaterial (2), wobei am Boden (23) zumindest mancher der Öffnungen (22) die Aufwachsfläche (1a) freigelegt wird, - Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (3) in die Öffnungen (22) und auf die Maskenschicht (21), - Vereinzeln zumindest der Halbleiterschichtenfolge (3) zu einer Vielzahl von Halbleiterchips (10), wobei jeder Halbleiterchip (10) laterale Abmessungen (L) aufweist und die lateralen Abmessungen (L) groß sind gegen einen mittleren Abstand (A) der Öffnungen (22) zur nächstliegenden Öffnung.
摘要翻译：提供了一种制造多个半导体芯片（10），其包括以下步骤的方法： - 提供其与蓝宝石形成在生长衬底（1），具有生长面（1a）中， - 将掩模材料（2）至生长基底的生长表面（1A）（1）， - 通过在掩模材料（2）提供的开口（22），图案化所述掩模材料（2）多连通掩模层（21），其中，至少一些所述开口的底部（23）（22）生长表面（1A）被暴露， - （3）在开口（22）和所述掩模层（21）上施加半导体层序列， - 分离出至少半导体层序列（3）的多个半导体芯片（10），其中每一个半导体芯片（10）具有相对于所述开口（22）到最近的开口的平均距离（a）的横向尺寸（L）和横向尺寸（L）都大。

6. 发明申请

WO2014111298A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2014111298A1
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：PCT/EP2014/050238
申请日：2014-01-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MEYER, Tobias , PETER, Matthias , WEBER, Michaela , GOTSCHKE, Tobias , OFF, Jürgen
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/50 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/502 , H01L33/08 , H01L33/22 , H01L33/30 , H01L33/508 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip, aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (130) mit einer aktiven Zone (135) zum Erzeugen einer Lichtstrahlung und eine Konversionsstruktur (120, 125). Die Konversionsstruktur (120, 125) weist Konversionsbereiche (121, 126, 221) zum Konvertieren der erzeugten Lichtstrahlung auf, zwischen denen nichtkonvertierende Bereiche (122, 127, 222) angeordnet sind. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips.
摘要翻译：本发明涉及一种光电子半导体芯片包括具有用于产生光辐射和一个转换结构（120，125）的有源区（135）的半导体层序列（130）。转换结构（120，125）包括转换区域（121，126，221），用于将nichtkonvertierende区域（122，127，222）被布置在它们之间产生的光辐射。本发明还涉及一种制造光电半导体芯片的方法。

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