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1. 发明申请

WO2011117056A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：辐射半导体部件和方法用于产生辐射半导体元器件
公开(公告)号：WO2011117056A1
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：PCT/EP2011/053327
申请日：2011-03-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BERGBAUER, Werner , STRASSBURG, Martin , LUGAUER, Hans-Juergen , RODE, Patrick
发明人： BERGBAUER, Werner , STRASSBURG, Martin , LUGAUER, Hans-Juergen , RODE, Patrick
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/18 , B82Y20/00 , H01L21/02 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02603 , H01L21/02609 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2933/0083
摘要： Es wird ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben mit zumindest einer epitaktisch entlang einer Wachstumsrichtung (91, 92) gewachsenen Halbleiterschichtenfolge (10), die auf einem Gruppe-III-Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basiert und die in Wachstumsrichtung Stickstoff-Polarität aufweist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) in Wachstumsrichtung (91, 92) eine n-dotierte Halbleiterschicht (11) und darüber eine aktive Zone (12) aufweist, wobei die aktive Zone (12) zumindest eine aktive Schicht enthält, die im Betrieb des Halbleiterbauelements elektromagnetische Strahlung abstrahlt, und wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) als Nanostab ausgebildet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eins Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements angegeben.
摘要翻译：它是沿着生长方向外延设有至少一个发射辐射的半导体器件（91，92）生长的半导体层序列（10），它是基于III族氮化物化合物半导体材料和包含在生长氮极性的方向，其特征在于，所述半导体层序列（10）在生长方向（91，92）的n掺杂半导体层（11）和有源区（12），其中，所述有源区（12）至少包含该半导体器件的操作期间发射电磁辐射的有源层之上，并且其中所述半导体层序列（10）被设计为一个纳米棒。此外，用于制备方法中给出一个发射辐射的半导体部件。

2. 发明申请

WO2011144199A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片和方法及其
公开(公告)号：WO2011144199A1
公开(公告)日：2011-11-24
申请号：PCT/DE2011/001025
申请日：2011-04-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BERGBAUER, Werner , HÖPPEL, Lutz , DRECHSEL, Philipp , KÖLPER, Christopher , STRASSBURG, Martin , RODE, Patrick
发明人： BERGBAUER, Werner , HÖPPEL, Lutz , DRECHSEL, Philipp , KÖLPER, Christopher , STRASSBURG, Martin , RODE, Patrick
IPC分类号： H01L31/0236
CPC分类号： H01L33/02 , H01L31/02 , H01L31/02327 , H01L31/02363 , H01L31/18 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/24 , Y02E10/50
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterschichtenstapel (2) und eine Strahlungsaustrittsfläche oder Strahlungseintrittsfläche (3) aufweist. Der Halbleiterschichtenstapel (2) weist eine aktive Schicht (2a) auf, die zur Erzeugung oder zum Empfangen elektromagnetischer Strahlung geeignet ist. Im Halbleiterschichtenstapel (2) und/oder auf der Strahlungsaustrittsfläche oder Strahlungseintrittsfläche (3) ist eine Mehrzahl von Nanostrukturen (4) angeordnet, die zumindest teilweise zumindest eine Substruktur (41, 42) aufweisen. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Halbleiterchips (10) angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有一半导体层堆叠（2）和辐射出射面或辐射入射表面（3）的光电子半导体芯片（10）。半导体层堆叠（2）具有的活性层（2a）中，其适用于生成或接收的电磁辐射。在半导体层堆叠（2）和/或在辐射出射面或辐射入射面（3）包括多个纳米结构（4）被布置为至少部分的至少一个子结构（41,42）。此外，被指定用于制造这样的光电子半导体芯片（10）的方法。

3. 发明申请

WO2012052257A2 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片和方法及其
公开(公告)号：WO2012052257A2
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：PCT/EP2011/066687
申请日：2011-09-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BERGBAUER, Werner , RODE, Patrick , STRASSBURG, Martin
发明人： BERGBAUER, Werner , RODE, Patrick , STRASSBURG, Martin
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/12 , B82Y40/00 , H01L33/0025 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/50 , H01L33/502 , H01L33/508 , H01L33/62 , H01L2224/48463
摘要： Es ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Halbleiterschichtenstapel (1) aus einem nitridischen Verbindungshalbleitermaterial auf einem Trägersubstrat (2) angegeben, wobei das Trägersubstrat (2) eine Oberfläche (2a) aufweist, die Silizium enthält. Der Halbleiterschichtenstapel (1) weist eine Ausnehmung (3) auf, die sich von einer Rückseite (1e) des Halbleiterschichtenstapels (1) durch eine aktive Schicht (1a) zu einer Schicht (1b) eines ersten Leitfähigkeitstyps erstreckt. Die Schicht (1b) des ersten Leitfähigkeitstyps ist mittels einer ersten elektrischen Anschlussschicht (4), welche die Rückseite (1e) zumindest stellenweise bedeckt, durch die Ausnehmung (3) hindurch elektrisch angeschlossen. Eine Schicht (1c) eines zweiten Leitfähigkeitstyps ist mittels einer zweiten elektrischen Anschlussschicht (5), die an der Rückseite (1e) angeordnet ist, elektrisch angeschlossen. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterchips (10) angegeben.
摘要翻译：它是具有载体衬底（2）上由氮化物化合物半导体材料构成的半导体层堆叠（1），其中所述载体基片（2）具有一表面（2A）的光电子半导体芯片（10），其中包含硅。半导体层堆叠（1）具有从后方侧延伸的凹部（3）通过的有源层（1a）的第一导电类型的层（1b）中的半导体层堆叠（1）的（1E）。由在由凹部（3）覆盖的地方通过至少背面侧（1E）电连接的第一电连接层（4）的装置中的第一导电类型的层（1b）中。由布置在后侧（1E）的第二电连接层（5），电连接的装置的第二导电类型的层（1c）中。此外，被指定用于制造这样的半导体芯片（10）的方法。

4. 发明申请

WO2013034485A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2013034485A1
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：PCT/EP2012/066897
申请日：2012-08-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KATZ, Simeon , GALLER, Bastian , STRASSBURG, Martin , SABATHIL, Matthias , DRECHSEL, Philipp , BERGBAUER, Werner , MANDL, Martin
发明人： KATZ, Simeon , GALLER, Bastian , STRASSBURG, Martin , SABATHIL, Matthias , DRECHSEL, Philipp , BERGBAUER, Werner , MANDL, Martin
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/42 , H01S5/34333
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement (11) angegeben, bei dem die aktive Schicht (10) eine Vielzahl von lateral voneinander beabstandeten Strukturelementen (6) aufweist. Die Strukturelemente (6) weisen jeweils eine Quantententopfstruktur (5) auf, die mindestens eine Barriereschicht (2) aus In x1 Al y1 Ga 1-x1-y1 N mit 0 ≤ x1 ≤ 1, 0 ≤ y1 ≤ 1 und x1 + y1 ≤ 1, und mindestens eine QuantentopfSchicht (1) aus In x2 Al y2 Ga 1-X2-y2 N mit 0 ≤ x2 ≤ 1, 0 ≤ y2 ≤ 1 und x2 + y2 ≤ 1 umfasst.
摘要翻译：本发明提供的光电元件（11），其中具有多个横向间隔开的结构元件的有源层（10）（6）。结构元件（6）的每一个都具有量子鸭阱结构（5），所述至少一个阻挡层（2）与0 <= X1 <= 1，0 <= Y1 <= 1和X1 + Y1 <= 1制成Inx1Aly1Ga1-X1-Y1N的和至少一个量子阱层（1）与由Inx2Aly2Ga1-X2-Y2N的0 <= X 2 <= 1，0 <= Y2 <= 1和X 2 + Y包括<= 1。

5. 发明申请

WO2009106063A1 MONOLITHISCHER, OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN 审中-公开
标题翻译：铁板一块，光电子半导体本体和方法生产同样
公开(公告)号：WO2009106063A1
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：PCT/DE2009/000267
申请日：2009-02-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , SINGER, Frank , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , STRASSBURG, Martin
发明人： ENGL, Karl , SINGER, Frank , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , STRASSBURG, Martin
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/00
CPC分类号： H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Ein optoelektronischer Halbleiterkörper umfasst eine Halbleiterschichtenfolge, die in wenigstens zwei elektrisch isolierte Teilsegmente unterteilt ist. In jedem Teilbereich weist die Halbleiterschichtenfolge aktive Schicht auf. Des Weiteren sind wenigstens drei elektrische Kontaktpads vorgesehen. Eine erste Leitungsebene kontaktiert ein erstes der wenigstens zwei Teilsegmente sowie das erste Kontaktpad. Eine zweite Leitungsebene kontaktiert das zweite der wenigstens zwei Teilsegmente und ein zweites Kontaktpad. Eine dritte Leitungsebene verbindet beide Teilsegmente miteinander und kontaktiert das dritte Kontaktpad. Des Weiteren sind die Leitungsebenen jeweils einer ersten Hauptseite gegenüber angeordnet, wobei die erste Hauptseite zur Emission erzeugter elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist.
摘要翻译：的光电子半导体本体包括被分成至少两个电隔离的子部分的半导体层序列。在每一个局部区域，所述有源层上的半导体层序列。此外，提供至少三个电接触垫。第一导管平面通过第一所述至少两个子节段的接触，并且所述第一接触垫。第二条线平面由所述至少两个部分中的第二接触，第二接触垫。第三导管平面连接两个子段对于彼此和所述第三接触垫接触。此外，导体平面分别设置在第一主侧相对的，提供一种用于电磁辐射的发射产生的第一页。

6. 发明申请

WO2009039812A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER 审中-公开
标题翻译：光电子半导体本体
公开(公告)号：WO2009039812A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001424
申请日：2008-08-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RODE, Patrick , ENGL, Karl , STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias
发明人： RODE, Patrick , ENGL, Karl , STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/007 , H01L33/40 , H01L33/58 , H01L2933/0091
摘要： Ein optoelektronischer Halbleiterkörper (10) umfasst ein Substrat (11) mit einer Vorderseite (12) zur Emission von elektromagnetischer Strahlung (S). Der optoelektronischer Halbleiterkörper (10) weist eine Halbleiterschichtenfolge (14) auf, die an einer Rückseite (13) des Substrats (11) angeordnet ist und eine zur Erzeugung der elektromagnetischen Strahlung (S) geeignete aktive Schicht (19) aufweist. Weiter umfasst der optoelektronischer Halbleiterkörper (10) eine erste und eine zweite elektrische Anschlussschicht (15, 16), die an einer vom Substrat (11) abgewandten ersten Fläche (17) der Halbleiterschichtenfolge (14) angeordnet sind.
摘要翻译：的光电子半导体本体（10）包括具有用于发射电磁辐射（S）的前表面（12）的基板（11）。所述光电子半导体本体（10）具有的半导体层序列（14），其在所述基板的后侧（13）（11）被布置和用于产生电磁辐射（S），其具有适当的活性层（19）。此外，光电子半导体本体（10）包括第一和背离半导体层序列（14）的所述衬底（11）第一表面（17）离开的第二电连接层（15，16）被布置。

7. 发明申请

WO2009155897A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTES UND EIN OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件和光电子器件
公开(公告)号：WO2009155897A1
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/DE2009/000810
申请日：2009-06-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RODE, Patrick , STRASSBURG, Martin , ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz
发明人： RODE, Patrick , STRASSBURG, Martin , ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/14 , H01L33/22 , H01L33/62 , H01L2224/48
摘要： Bei einem Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes wird ein Aufwachssubstrat (10) mit einem ersten thermischen Ausdehnungskoeffizienten bereitgestellt. Auf diesen wird eine mehrlagige Bufferschichtenfolge (11) aufgebracht. Anschließend wird eine Schichtenfolge (2) epitaktisch abgeschieden, die einen zu dem ersten thermischen Ausdehnungskoeffizienten unterschiedlichen zweiten thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist. Weiterhin umfasst sie eine zur Emission elektromagnetischer Strahlung aktive Schicht. Anschließend wird ein Trägersubstrat (15) auf der epitaktisch abgeschiedenen Schichtenfolge (2) aufgebracht. Das Aufwachssubstrat (10) wird entfernt und die mehrlagige Bufferschichtenfolge (11) zur Erhöhung einer Auskopplung elektromagnetischer Strahlung strukturiert (17). Schließlich wird die epitaktisch abgeschiedene Schichtenfolge (2) kontaktiert.
摘要翻译：在用于制造光电子器件的方法，在生长衬底（10）上设置有第一热膨胀系数。在这些中，多层缓冲层序列（11）被施加。随后，层序列（2）的外延沉积，其具有不同的热膨胀系数与第一第二热膨胀系数。此外，它包括一个有源电磁辐射发射层。接着，在该外延沉积层序列（2）的载体基片（15）被施加。在生长衬底（10）被去除并用于增加耦合输出的电磁辐射的多层缓冲层序列（11），被构造（17）。最后，外延沉积的层序列（2）接触。

8. 发明申请

WO2009106069A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN 审中-公开
标题翻译：光电子半导体本体和方法生产同样
公开(公告)号：WO2009106069A1
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：PCT/DE2009/000281
申请日：2009-02-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , STRASSBURG, Martin
发明人： ENGL, Karl , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , STRASSBURG, Martin
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/00
CPC分类号： H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： Ein optoelektronischer Halbleiterkörper umfasst eine im Wesentlichen flächige Halbleiterschichtenfolge (20) mit einer ersten und einer zweiten Hauptseite, die eine zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (22, 22') aufweist. Weiterhin umfasst der Halbleiterkörper zumindestens einen die aktive Schicht der Halbleiterschichtenfolge durchtrennenden Graben zur Unterteilung der aktiven Schicht der Halbleiterschichtenfolge in wenigstens zwei elektrisch isolierte aktive Teilschichten (22, 22'). Eine auf einer zweiten Hauptseite angeordnete erste und zweite Anschlussschicht (410, 411, 460) dient zur Kontaktierung der aktiven Teilschichten. Hierbei sind die ersten und zweiten Anschlussschichten zur Kontaktierung der wenigstens zwei aktiven Teilschichten derart miteinander elektrisch leitend verbunden, dass die aktiven Teilschichten eine Serienschaltung bilden.
摘要翻译：的光电子半导体本体包括具有第一和第二主侧，所述一个适于产生电磁辐射活性层（22，22“）基本上平坦的半导体层序列（20）具有。此外，半导体本体上的至少包括所述半导体层序列的有源层通过在至少两个电隔离的有源层部分（22，22“）将所述半导体层序列的有源层分离沟槽。装置设置在第二主第一和第二连接层（410，411，460）被用于接触有源子层。这里，对于至少两个活性亚层接触所述第一和第二连接层，以便相互连接导电的，该活性子层形成的串联电路。

9. 发明申请

WO2009015645A2 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINEM SCHICHTENSTAPEL 审中-公开
标题翻译：具有层堆栈的光电子器件
公开(公告)号：WO2009015645A2
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：PCT/DE2008/001225
申请日：2008-07-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AHLSTEDT, Magnus , BADER, Stefan , BAUR, Johannes , SABATHIL, Matthias , STRASSBURG, Martin , ZEHNDER, Ulrich
发明人： AHLSTEDT, Magnus , BADER, Stefan , BAUR, Johannes , SABATHIL, Matthias , STRASSBURG, Martin , ZEHNDER, Ulrich
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/02 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/46
摘要： Optoelektronisches Bauelement (20) mit einem Schichtenstapel (10), der zumindest folgendes umfasst: eine Schichtenfolge, die eine Halbleiterleuchtdiode (5) darstellt und zumindest eine erste Leuchtdiodenschicht (2), eine zweite Leuchtdiodenschicht (4) und eine optisch aktive Zone (3) zwischen der ersten (2) und der zweiten Leuchtdiodenschicht (4) umfasst, wobei die beiden Leuchtdiodenschichten (2, 4) jeweils aus einem III-V-Halbleiter-material gebildet sind, das jeweils mindestens eines der Elemente Aluminium, Gallium und Indium und jeweils mindestens eines der Elemente Stickstoff, Phosphor und Arsen enthält, und wobei die erste Leuchtdiodenschicht (2) eine n-dotierte Schicht und die zweite Leuchtdiodenschicht (4) eine p-dotierte Schicht ist, eine silberhaltige metallische Schicht (9) und eine Zwischenschicht (8) aus einem transparenten leitfähigen Oxid, die zwischen der Halbleiterleuchtdiode (15) und der metallischen Schicht (9) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Schicht (9) und die Zwischenschicht (8) auf derjenigen Seite der Halbleiterleuchtdiode (15) angeordnet sind, der die p-dotierte zweite Leuchtdiodenschicht (4) zugewandt ist, und dass zwischen der zweiten Leuchtdiodenschicht (4) und der Zwischenschicht (8) zumindest eine hochdotierte erste Halbleiterschicht (7) angeordnet ist, deren Dotierstoffkonzentration größer ist als die Dotierstoffkonzentration der zweiten Leuchtdiodenschicht (4).
摘要翻译：
包括一个叠层（10），至少包括所述的光电子器件（20）：一个层序列，这是一种半导体发光二极管（5）和至少一个第一发光二极管（2），第二发光层（4）和光学活性区域（3）的第一（2）和第二发光层（4），其中所述两个发光层（2,4）分别由III-V族半导体材料，其在每种情况下中的至少一个的形成之间包括元素铝，镓和铟和元素氮，磷中的至少一种和砷包含HOLDS，并且其中，所述第一发光层（2）的n型掺杂层和第二发光层（4）p型掺杂的层，含银设置在半导体发光二极管（15）和金属层（9）之间的透明导电氧化物的金属层（9）和中间层（8） ichnet在于，所述金属层（9）和所述中间层（8）上的半导体发光二极管的那侧（15）被布置成面对所述p型第二发光层（4），并且所述第二发光层（4）之间和中间层（8）设置有至少一个掺杂浓度大于第二发光二极管层（4）的掺杂浓度的高掺杂第一半导体层（7）

10. 发明申请

WO2011113638A1 LASERDIODENANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER LASERDIODENANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：激光二极管及其制造方法的激光二极管组件，
公开(公告)号：WO2011113638A1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：PCT/EP2011/051282
申请日：2011-01-31
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL, Alfred , STRASSBURG, Martin
发明人： LELL, Alfred , STRASSBURG, Martin
IPC分类号： H01S5/40 , H01S5/042 , H01S5/323 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/4043 , H01S5/0224 , H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/2059 , H01S5/3013 , H01S5/3095 , H01S5/323 , H01S5/32341 , H01S5/34313 , H01S5/405 , H01S5/4087 , H01S5/4093 , H01S2301/173
摘要： Es handelt sich um eine Laserdiodenanordnung mit mindestens einem Halbleitersubstrat (2; 2x, 2y), mit mindestens zwei Laserstapeln (30, 31, 32) mit jeweils einer aktiven Zone (6, 12, 18) und mit mindestens einer Zwischenschicht (9, 15; 56, 58). Die Laserstapel (30, 31, 32) und die Zwischenschicht (9, 15; 56, 58) sind monolithisch auf das Halbleitersubstrat (2; 2x, 2y) aufgewachsen. Die Zwischenschicht (9, 15; 56, 58) ist zwischen den Laserstapeln (30, 31, 32) angeordnet. Die aktive Zone (6) des ersten Laserstapel (30) ist von der aktiven Zone (12, 18) des mindestens einen weiteren Laserstapels (31, 32) getrennt ansteuerbar. Die Zwischenschicht kann als Tunneldiode (9, 15) aufweisen, die insbesondere einen elektrischen Durchlassbereich innerhalb einer Stromblende (55, 57) darstellen kann. Alternativ kann die Zwischenschicht (4009, 4015) einen Isolator aufweisen. Die aktiven Zonen (6, 12, 18) sind insbesondere so ausgelegt, dass Laserdioden aus verschiedenen Laserstapeln (30, 31, 32) elektromagnetische Strahlung in voneinander verschiedenen Wellenlängenbereichen emittieren.
摘要翻译：有一个激光二极管阵列与至少一个半导体衬底（2; 2X，2Y），具有至少两个激光叠层（30，31，32），每个具有有源区（6,12，18）和至少一个中间层（9，15 ; 56，58）。激光堆（30，31，32）和中间层（9，15; 56，58）是整体地在半导体基板上（2; 2X，2Y）生长。布置在所述激光叠层（30，31，32）之间;所述中间层（56，58 9，15）。从所述至少一个另外的激光堆（31，32）的有源区（12，18）与第一激光叠层（30）的有源区（6）可分别控制。该中间层可以被用作隧道二极管（9，15），其尤其可以是一个当前的光圈（55，57）内的电通带。可替换地，中间层（4009，4015）有一个绝缘体。有源区（6,12，18）是特别设计了不同的激光叠层（30，31，32）在相互不同的波长范围发射的电磁辐射，使得激光二极管。

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