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    • 3. 发明申请
    • ENTSCHICHTUNGSVERFAHREN FÜR HARTE KOHLENSTOFFSCHICHTEN
    • 去层用于硬质涂层
    • WO2012167886A1
    • 2012-12-13
    • PCT/EP2012/002305
    • 2012-05-31
    • OERLIKON TRADING AG, TRÜBBACHRAMM, JürgenWIDRIG, Beno
    • RAMM, JürgenWIDRIG, Beno
    • C23G5/00
    • C23G5/00
    • Verfahren zum Entschichten von Kohlenstoffschichten, insbesondere von ta-C Schichten von Substratoberflächen von Werkzeugen und Bauteilen. Das zu entschichtende Substrat wird demgemäß auf einen Substrathalter in einer Vakuumkammer angeordnet, die Vakuumkammer wird mit mindestens einem den Abtransport von Kohlenstoff in Gasform unterstützendem Reaktivgas beschickt und eine Niederspannungsplasmaentladung wird in der Vakuumkammer zur Anregung des Reaktivgases und somit zur Unterstützung der erforderlichen chemischen Reaktion bzw. Reaktionen zum Entschichten der beschichteten Substrat erzeugt. Dabei ist die Niederspannungsplasmaentladung eine Gleichstrom-Niedervoltbogenentladung, die zu entschichtenden Substratoberflächen im Wesentlichen werden ausschließlich mit Elektronen beschossen und als Reaktivgas werden Sauerstoff, Stickstoff und Wasserstoff verwendet.
    • 一种用于汽提的碳层,特别是工具和组件基板表面的TA-C层的方法。 的被剥离基板被相应配置的基板支架上在真空室中,真空室中的至少一种加入气态形式支持反应气体中去除碳和低电压等离子放电在所述真空室的反应气体的激发,并因此支持所需的化学反应或 创建用于经涂覆的基材的剥离反应。 低压等离子体放电为直流低电压电弧放电,与电子轰击被剥离仅基底表面并基本上作为反应气体,氧,氮和氢被使用。