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1. 发明申请

WO2003015182A2 STEG-FELDEFFEKTTRANSISTOR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STEG-FELDEFFEKTTRANSISTORS 审中-公开
标题翻译： STEG场效应晶体管和制造BAR-场效应晶体管的方法
公开(公告)号：WO2003015182A2
公开(公告)日：2003-02-20
申请号：PCT/DE2002/002760
申请日：2002-07-26
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HOFMANN, Franz , KRETZ, Johannes , ROESNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas
发明人： HOFMANN, Franz , KRETZ, Johannes , ROESNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/66795
摘要： Der Steg-Feldeffekttransistor weist ein Substrat, einen Steg über dem Substrat, sowie einen Drain-Bereich und einen Source-Bereich ausserhalb des Steges über dem Substrat auf. Der Steg dient als Kanal zwischen Source-Bereich und Drain-Bereich. Source- und Drain-Bereich werden erst nach dem Erzeugen des Gates gebildet.
摘要翻译：鳍状场效应晶体管包括：基板;所述基板上的脊，和一个漏区和脊到基板以外的源极区。脊用作源极区和漏极区之间的沟道。源极和漏极区域中的栅极的形成之后形成。

2. 发明申请

WO2004040668A2 FELDEFFEKTTRANSISTOR-ANORDNUNG UND SCHALTKREIS-ARRAY 审中-公开
标题翻译：场效应晶体管布置和电路阵列
公开(公告)号：WO2004040668A2
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/DE2003/003612
申请日：2003-10-30
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , HÖNLEIN, Wolfgang , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
发明人： GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , HÖNLEIN, Wolfgang , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
IPC分类号： H01L51/20
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C2213/17 , H01L27/283 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0512
摘要： Die Erfindung betrifft eine Feldeffekttransistor-Anordnung und ein Schaltkreis-Array. Die Feldeffekttransistor-Anordnung enthält ein Substrat, eine erste Verdrahtungsebene mit einem ersten Source-/Drain-Bereich auf dem Substrat und eine zweite Verdrahtungsebene mit einem zweiten Source-/Drain-Bereich über der ersten Verdrahtungsebene. Ferner enthält die Feldeffekttransistor-Anordnung mindestens ein vertikales Nanoelement als Kanal-Bereich, das zwischen den Verdrahtungsebenen angeordnet und mit beiden gekoppelt ist. Das Nanoelement ist zumindest teilweise von elektrisch leitfähigem Material als Gate-Bereich umgeben, wobei elektrisch isolierendes Material als Gate-isolierende Schicht zwischen dem Nanoelement und dem elektrisch leitfähigen Material vorgesehen ist.
摘要翻译：本发明涉及一种场效应晶体管装置和电路阵列。所述场效应晶体管器件包括衬底，其具有第一源的第一布线层中的基板和第二布线层上/漏极区与第二源极/漏极区域在所述第一布线电平。此外，场效应晶体管装置包括至少一个垂直nanoelement作为设置在布线层之间，并耦合到沟道区。纳米元件至少部分地由导电材料包围的栅极区域，所述电绝缘材料作为纳米元件和所述导电材料之间的栅绝缘层提供。

3. 发明申请

WO2002084757A1 HETEROSTRUKTUR-BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：异质结构COMPONENT
公开(公告)号：WO2002084757A1
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/DE2002/001362
申请日：2002-04-11
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HOFMANN, Franz , LUYKEN, Richard, Johannes , ROESNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas
发明人： HOFMANN, Franz , LUYKEN, Richard, Johannes , ROESNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas
IPC分类号： H01L51/20
CPC分类号： H01L51/0595 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0587
摘要： Die Erfindung schafft ein Heterostruktur-Bauelement, das in Form einer einzelnen Hetero-Nanoröhre ausgebildet ist, die entlang ihrer Längsrichtung mehrere Bereiche aufweist, in denen sie jeweils eine unterschiedliche Energiebandlücke hat. Insbesondere kann die Hetero-Nanoröhre in einem Bereich entweder isolierend, halbleitend oder metallisch leitend sein, und sie kann je aus einer Kohlenstoff-Nanoröhre oder einer Bornitrid-Nanoröhre gebildet sein. Die Erfindung schafft weiter ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Heterostruktur- bauelements.
摘要翻译：本发明提供一种异质结构装置，其是在具有沿其纵向方向的多个区域，其中它们各自具有不同的能带隙具有单异质纳米管的形式。更具体地，杂纳米管可以是绝缘层，半导体或金属导电的区域中，并且它们可以碳纳米管或一氮化硼纳米管的在每个形成。本发明进一步提供用于制造这样的异质结构的处理设备。

4. 发明申请

WO2004040667A1 NICHTFLÜCHTIGE SPEICHERZELLE, SPEICHERZELLEN-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER NICHTFLÜCHTIGEN SPEICHERZELLE 审中-公开
标题翻译：非易失性存储器单元，存储器单元装置及其制造方法非挥发性记忆体单元
公开(公告)号：WO2004040667A1
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/DE2003/003588
申请日：2003-10-29
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , HÖNLEIN, Wolfgang , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
发明人： GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , HÖNLEIN, Wolfgang , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
IPC分类号： H01L51/20
CPC分类号： H01L29/7888 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C2213/17 , H01L21/28282 , H01L21/84 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L27/1203 , H01L27/28 , H01L29/66833 , H01L29/792 , H01L29/7926 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/057
摘要： Die Erfindung betrifft eine nichtflüchtige Speicherzelle, eine Speicherzellen-Anordnung und ein Verfahren zum Herstellen einer nichtflüchtigen Speicherzelle. Die nichtflüchtige Speicherzelle enthält einen Vertikal-Feldeffekttransistor mit einem als Kanal-Bereich eingerichteten Nanoelement und eine das Nanoelement zumindest teilweise umgebende elektrisch isolierende Schicht als Ladungsspeicherschicht und als Gate-isolierende Schicht. Diese ist derart eingerichtet, dass elektrische Ladungsträger selektiv darin einbringbar oder daraus entfernbar sind, und dass die elektrische Leitfähigkeit des Nanoelements charakteristisch von in der elektrisch isolierenden Schicht eingebrachten elektrischen Ladungsträgern beinflussbar ist.
摘要翻译：本发明涉及一种非易失性存储器单元，存储器单元阵列和制造非易失性存储器单元的方法。非易失性存储器单元包括：具有沟道区的纵向场效应晶体管被设置为一个nanoelement和nanoelement至少部分地包围电绝缘层作为电荷存储层和所述栅绝缘层。这被构造成使得电荷载流子在其中被引入到或选择性地移除，并且所述nanoelement的电导率是引入到所述电绝缘层的电荷载流子beinflussbar的特征。

5. 发明申请

WO2004040644A2 SPEICHERZELLE, SPEICHERZELLEN-ANORDNUNG, STRUKTURIER-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER SPEICHERZELLE 审中-公开
标题翻译：存储器单元，存储器单元布置，结构布置和用于产生存储器单元的方法
公开(公告)号：WO2004040644A2
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/DE2003/003589
申请日：2003-10-29
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , HÖNLEIN, Wolfgang , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
发明人： GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , HÖNLEIN, Wolfgang , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
IPC分类号： H01L21/8239
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C13/0033 , G11C2213/16 , H01L27/10841 , H01L27/10864 , H01L27/10876 , H01L27/283 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0512 , H01L51/057
摘要： Die Erfindung betrifft eine Speicherzelle, eine Speicherzellen-Anordnung, eine Strukturier-Anordnung und ein Verfahren zum Herstellen einer Speicherzelle. Die Speicherzelle hat einen Vertikal-Schalt-Transistor und einen Speicher-Kondensator, wobei der Vertikal-Schalt-Transistor eine halbleitende Nanostruktur aufweist, die auf zumindest einem Teil des Speicher-Kondensators aufgewachsen ist.
摘要翻译：存储器单元，存储器单元布置，构造布置以及用于制造存储器单元的方法技术领域本发明涉及一种存储器单元，存储器单元具有垂直开关晶体管和存储电容器，垂直开关晶体管具有在至少部分存储电容器上生长的半导体纳米结构

6. 发明申请

WO2004040666A1 VERTIKAL INTEGRIERTES BAUELEMENT, BAUELEMENT-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES VERTIKAL INTEGRIERTEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：垂直集成组件，部件布置和方法产生垂直集成组件
公开(公告)号：WO2004040666A1
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/DE2003/003587
申请日：2003-10-29
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , HÖNLEIN, Wolfgang , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
发明人： GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , HÖNLEIN, Wolfgang , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
IPC分类号： H01L51/20
CPC分类号： H01L29/78642 , B82Y10/00 , H01L27/283 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/66439 , H01L29/66742 , H01L29/66787 , H01L29/775 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0512
摘要： Die Erfindung betrifft ein vertikal integriertes Bauelement, eine Bauelement-Anordnung und ein Verfahren zum Herstellen eines vertikal integrierten Bauelements. Das vertikal integrierte Bauelement hat eine erste elektrisch leitfähige Schicht (101), eine teilweise aus dielektrischem Material ausgebildete Mittel-Schicht (102) auf der ersten elektrisch leitfähigen Schicht, eine zweite elektrisch leitfähige Schicht (103), auf der Mittel-Schicht und eine in ein in die Mittel-Schicht eingebrachtes Durchgangsloch integrierte Nanostruktur (104) mit einem ersten, mit der ersten elektrisch leitfähigen Schicht gekoppelten Endabschnitt und mit einem zweiten, mit der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht gekoppelten Endabschnitt. Die Mittel-Schicht weist zwischen zwei benachbarten dielektrischen Teilschichten (102a, 102b) eine dritte elektrisch leitfähige Schicht (105) auf, deren Dicke geringer ist als die Dicke von zumindest einer der dielektrischen Teilschichten.
摘要翻译：本发明涉及一种垂直整合的部件，一个部件布置和用于制造垂直集成部件的方法。具有在第一导电层（101），由电介质材料中间层（102）的第一导电层上形成的部分的开口，所述中心层上的第二导电层（103）和一个垂直集成部件通孔集成纳米结构（104）具有耦合到所述第一导电层与第二端部以及与所述第二导电层的端部的第一输入引入到中间层。中间层具有两个相邻的电介质子层（102A，102B）的第三导电层（105），其厚度比电介质子层中的至少一个的厚度小之间。

7. 发明申请

WO2004023562A1 HALBLEITERSPEICHER MIT VERTIKALEN SPEICHERTRANSISTOREN UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：带竖存储器晶体管和方法半导体存储器ITS
公开(公告)号：WO2004023562A1
公开(公告)日：2004-03-18
申请号：PCT/EP2003/009295
申请日：2003-08-21
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HOFMANN, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
发明人： HOFMANN, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
IPC分类号： H01L29/792
CPC分类号： H01L21/28282 , H01L29/66833 , H01L29/792 , H01L29/7923 , H01L29/7926
摘要： Die Erfindung betrifft einen Halbleiterspeicher mit einer Vielzahl von Speicherzellen, wobei jede der Speicherzellen umfasst: - eine auf einem Substrat (p-sub) angeordnete Halbleiterschicht (p-well), deren Halbleiteroberfläche zumindest eine Stufe zwischen einem tieferen (10) und einem in Substratnormalenrichtung höheren (12) Halbleiterbereich aufweist; - zumindest einen in dem tieferen Halbleiterbereich (10) ausgebildeten leitfähig dotierten tieferen Kontaktbereich (22, 24) und einen in dem höheren Halbleiterbereich (12) ausgebildeten leitfähig dotierten höheren Kontaktbereich (20) , - zumindest einen Kanalbereich, welcher sich in der Halbleiterschicht (p-well) zwischen dem tieferen (22, 24) und dem höheren Kontaktbereich (20) erstreckt; - zumindest eine zum Einfangen und Abgeben von Ladungsträgern ausgelegte elektrisch isolierende Trapping-Schicht (28), welche an einer an den Kanalbereich angrenzenden Gateoxidschicht (26) angeordnet ist; und - zumindest eine Gateelektrode (32) zur Steuerung der elektrischen Leitfähigkeit des Kanalbereichs, wobei die Gateelektrode (32) bereichsweise an eine an der TrappingSchicht (28) angeordnete Steueroxidschicht (30) und bereichsweise an die an dem Kanalbereich angeordnete Gateoxidschicht (26) angrenzt.
摘要翻译：本发明涉及一种具有多个存储器单元的半导体存储器，每个所述存储器单元包括： - 布置在基片（P-SUB）的半导体层（p阱），半导体表面的至少一个下部（10）之间的步骤和一个在基板的法线方向上的一个具有较高（12）的半导体区域; - 至少在更深的半导体区域中的一个（10）形成的导电掺杂更深接触区域（22，24），并在较高的半导体区域（12）的导电形成较高掺杂接触区（20）， - 至少一个信道区域延伸（在半导体层p -Well）下（22，24之间延伸）和更高的接触区域（20）; - 至少一个设计用于捕集和发光载流子的电绝缘俘获层（28），其设置在邻近所述栅极氧化物层（26）的沟道区的位置; 和 - 用于控制所述沟道区域的导电性，至少一个栅电极（32），其中，所述栅电极（32）相邻的区域，其被布置在在所述俘获层（28）Steueroxidschicht（30）且部分地对设置在所述栅极氧化物层（26）的沟道区域。

8. 发明申请

WO2004023557A2 HALBLEITERSPEICHER MIT VERTIKALEN SPEICHERTRANSISTOREN IN EINER ZELLENFELDANORDNUNG MIT 1-2F2 - ZELLEN 审中-公开
标题翻译：在WITH 1-2F <2>一种电池技术领域的排列方式垂直存储器晶体管半导体存储器 - 细胞
公开(公告)号：WO2004023557A2
公开(公告)日：2004-03-18
申请号：PCT/EP2003/009296
申请日：2003-08-21
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HOFMANN, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
发明人： HOFMANN, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L29/7926 , H01L21/28282 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L29/66833 , H01L29/792 , H01L29/7923
摘要： Die Erfindung betrifft einen Halbleiterspeicher mit einer Vielzahl von Speicherzellen, wobei jede der Speicherzellen vier vertikale Speichertransistoren mit Trapping-Schichten umfaßt. Die höheren Kontaktbereiche sind in einer sich schräg zu den Zeilen und Spalten des Zellenfeldes erstreckenden höheren Halbleiterbereichen ausgebildet, wobei die Gateelektrode vorzugsweise an den Stufenseitenflächen des höheren Halbleiterbereichs geführt wird. Eine Speicherdichte von 1-2F 2 pro Bit ist so erzielbar.
摘要翻译：本发明涉及一种具有多个存储器单元的半导体存储器，每个所述存储器单元包括与存储器捕集层四个垂直晶体管。在倾斜于延伸更高半导体区域中的单元阵列的行和列形成在较高的接触区，所述栅极电极优选在较高的半导体区域的工序侧区域进行。 1-2F <2>的每比特的存储密度是可以实现的。

9. 发明申请

WO2004023556A1 WORT- UND BITLEITUNGSANORDNUNG FÜR EINEN FINFET- HALBLEITERSPEICHER 审中-公开
标题翻译： WORD和位线的FinFET半导体存储器
公开(公告)号：WO2004023556A1
公开(公告)日：2004-03-18
申请号：PCT/EP2003/009294
申请日：2003-08-21
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HOFMANN, Franz , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
发明人： HOFMANN, Franz , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11568 , H01L27/115 , H01L29/66833 , H01L29/785 , H01L29/792
摘要： Die Erfindung betrifft einen Halbleiterspeicher mit einer Vielzahl voneinander beabstandeter Rippen (FIN) aus Halbleitermaterial, wobei in jeder der Rippen (FIN) eine Vielzahl von Kanalbereichen und Kontaktbereichen (S/D) ausgebildet ist; - einer Vielzahl von Wortleitungen (WL); - einer Vielzahl von Speicherschichten (14), wobei zwischen jedem der Kanalbereiche und der Wortleitung (WL) zumindest eine der Speicherschichten (14) angeordnet ist; und - einer Vielzahl von Bitleitungen (BL), wobei - die Längsachsen von ersten Bitleitungsteilstücken (22) parallel zu einer ersten ((BL1)) und die Längsachsen von zweiten Bitleitungsteilstücken (24) parallel zu einer zweiten ((BL2)) Bitleitungsrichtung verlaufen, wobei die zweite Bitleitungsrichtung ((BL2)) gegenüber der ersten Bitleitungsrichtung ((BL1)) verdreht ist; und - jede der Bitleitungen (BL) mit einer Vielzahl der Kontaktbereiche (S/D) elektrisch verbunden ist, wobei zwischen zwei mit einer der Bitleitungen (BL) verbundenen Kontaktbereichen (S/D) derselben Rippe (FIN) ein nicht mit dieser Bitleitung (BL) verbundener Kontaktbereich (S/D) angeordnet ist.
摘要翻译：形成，本发明涉及一种具有多个由半导体材料制成的间隔开的翼片（FIN）的半导体存储器，其中，在每个所述翅片（FIN）多个沟道区和接触区（S / D）中的; - 多条字线（WL）; 设置在多个存储层（14），其中每一个之间的沟道区和字线（WL）的存储层中的至少一个（14）的 - ; 以及 - 多个位线（BL），其中 - 所述第一位线部分的纵向轴线（22）平行于第一（（BL1））和所述第二位线部分的纵向轴线（24）平行于第二（（BL2））位线的方向，其中，所述第二位线方向（（BL2））相反的第一位线方向（（BL1））旋转; 以及 - 每一个具有多个接触区（S / D）的位线（BL）的电连接，其中两个之间，所述的位线（BL）连接到相同的鳍（FIN）的接触区域（S / D）的非（与该位线 BL）连接到所述接触区域（S / D）被布置。

10. 发明申请

WO2002070733A1 VERFAHREN ZUM ERFASSEN VON MAKROMOLEKULAREN BIOPOLYMEREN MITTELS MINDENSTENS EINER MIT EINEM FÄNGERMOLEKÜL VERSEHENEN NANOPARTIKEL 审中-公开
标题翻译：用于检测大分子生物聚合物由至少一个使用一个滴水分子方法提供的纳米粒子
公开(公告)号：WO2002070733A1
公开(公告)日：2002-09-12
申请号：PCT/DE2002/000759
申请日：2002-03-01
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , LUYKEN, Johannes, R. , HOFMANN, Franz , LANDGRAF, Erhard , SCHULZ, Thomas
发明人： LUYKEN, Johannes, R. , HOFMANN, Franz , LANDGRAF, Erhard , SCHULZ, Thomas
IPC分类号： C12Q1/00
CPC分类号： G01N33/54346 , C12Q1/003 , C12Q1/6816 , C12Q1/6834 , G01N27/3276 , G01N33/5438 , C12Q2565/607 , C12Q2563/155
摘要： Eine Einheit zum Immobilisieren von makromolekularen Biopolymeren ist ein Nanopartikel. Die Einheit zum Immobilisieren wird mit Fängermolekülen versehen, die makromolekulare Biopolymere binden können. Eine zu untersuchende Probe wird mit der Einheit zum Immobilisieren in Kontakt gebracht, wobei die zu untersuchende Probe die zu erfassenden makromolekularen Biopolymere enthalten kann. In der zu untersuchenden Probe enthaltene makromolekulare Biopolymere werden an den Fängermolekülen gebunden und die makromolekularen Biopolymere werden mittels eines durch eine Markierung ausgesandten Signals erfasst.
摘要翻译：一种用于固定生物聚合物大分子单元是纳米颗粒。该固定单元设置有能够结合大分子的生物聚合物的捕获分子。将待测试的样品与固定部接触，接触与所述待测定样品可含有待检测的大分子生物聚合物。包含要被检查的样品中的生物聚合物的大分子结合至捕捉分子和大分子的生物聚合物是由一个由标记信号发射的装置来检测。

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