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1. 发明申请

WO2004040668A2 FELDEFFEKTTRANSISTOR-ANORDNUNG UND SCHALTKREIS-ARRAY 审中-公开
标题翻译：场效应晶体管布置和电路阵列
公开(公告)号：WO2004040668A2
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/DE2003/003612
申请日：2003-10-30
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , HÖNLEIN, Wolfgang , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
发明人： GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , HÖNLEIN, Wolfgang , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
IPC分类号： H01L51/20
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C2213/17 , H01L27/283 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0512
摘要： Die Erfindung betrifft eine Feldeffekttransistor-Anordnung und ein Schaltkreis-Array. Die Feldeffekttransistor-Anordnung enthält ein Substrat, eine erste Verdrahtungsebene mit einem ersten Source-/Drain-Bereich auf dem Substrat und eine zweite Verdrahtungsebene mit einem zweiten Source-/Drain-Bereich über der ersten Verdrahtungsebene. Ferner enthält die Feldeffekttransistor-Anordnung mindestens ein vertikales Nanoelement als Kanal-Bereich, das zwischen den Verdrahtungsebenen angeordnet und mit beiden gekoppelt ist. Das Nanoelement ist zumindest teilweise von elektrisch leitfähigem Material als Gate-Bereich umgeben, wobei elektrisch isolierendes Material als Gate-isolierende Schicht zwischen dem Nanoelement und dem elektrisch leitfähigen Material vorgesehen ist.
摘要翻译：本发明涉及一种场效应晶体管装置和电路阵列。所述场效应晶体管器件包括衬底，其具有第一源的第一布线层中的基板和第二布线层上/漏极区与第二源极/漏极区域在所述第一布线电平。此外，场效应晶体管装置包括至少一个垂直nanoelement作为设置在布线层之间，并耦合到沟道区。纳米元件至少部分地由导电材料包围的栅极区域，所述电绝缘材料作为纳米元件和所述导电材料之间的栅绝缘层提供。

2. 发明申请

WO2004040644A3 MEMORY CELL, MEMORY CELL ARRANGEMENT, STRUCTURING ARRANGEMENT AND METHOD FOR PRODUCTION OF A MEMORY CELL 审中-公开
标题翻译：存储单元中，存储器单元装置，纹理安排及其制造方法的存储单元
公开(公告)号：WO2004040644A3
公开(公告)日：2004-08-12
申请号：PCT/DE0303589
申请日：2003-10-29
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , GRAHAM ANDREW , HOFMANN FRANZ , HOENLEIN WOLFGANG , KRETZ JOHANNES , KREUPL FRANZ , LANDGRAF ERHARD , LUYKEN RICHARD JOHANNES , ROESNER WOLFGANG , SCHULZ THOMAS , SPECHT MICHAEL
发明人： GRAHAM ANDREW , HOFMANN FRANZ , HOENLEIN WOLFGANG , KRETZ JOHANNES , KREUPL FRANZ , LANDGRAF ERHARD , LUYKEN RICHARD JOHANNES , ROESNER WOLFGANG , SCHULZ THOMAS , SPECHT MICHAEL
IPC分类号： G11C13/02 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L21/8239 , H01L51/20
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C13/0033 , G11C2213/16 , H01L27/10841 , H01L27/10864 , H01L27/10876 , H01L27/283 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0512 , H01L51/057
摘要： The invention relates to a memory cell, memory cell arrangement, structuring arrangement and method for production of a memory cell. The memory cell has a vertical gate transistor and a memory capacitor, whereby the vertical gate transistor comprises a semiconducting nanostructure, grown on at least part of the memory capacitor.
摘要翻译：本发明涉及一种存储器单元，存储器单元阵列，纹理化装置和一种用于制造存储器单元的方法。该存储单元有一个垂直的开关晶体管和存储电容器，所述具有半导体纳米结构垂直开关晶体管上生长至少存储电容器的一部分。

3. 发明申请

WO2004059738A1 FIN-FELDEFFEKTTRANSISTOR-SPEICHERZELLE, FIN-FELDEFFEKTTRANSISTOR-SPEICHERZELLEN-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER FIN-FELDEFFEKTTRANSISTOR-SPEICHERZELLE 审中-公开
标题翻译：鳍式场效晶体管存储单元，其制造鳍式场效晶体管存储单元鳍式场效晶体管存储单元装置和方法
公开(公告)号：WO2004059738A1
公开(公告)日：2004-07-15
申请号：PCT/EP2003/014473
申请日：2003-12-18
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , DREESKORNFELD, Lars , HARTWICH, Jessica , HOFMANN, Franz , KRETZ, Johannes , SPECHT, Michael
发明人： DREESKORNFELD, Lars , HARTWICH, Jessica , HOFMANN, Franz , KRETZ, Johannes , SPECHT, Michael
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L29/42384 , H01L21/28282 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L29/66795 , H01L29/66833 , H01L29/785 , H01L29/792
摘要： Die Erfindung betrifft eine Fin-Feldeffekttransistor-Speicherzelle (200), eine Fin-Feldeffekttransistor-Speicherzellen-Anordnung und ein Verfahren zum Herstellen einer Fin-Feldeffekttransistor-Speicherzelle. Die Fin-Feldeffekttransistor-Speicherzelle enthält einen ersten (201) und einen zweiten (202) Source-/Drain-Bereich sowie einen Gate-Bereich. Ferner weist die Speicherzelle eine den Kanal-Bereich aufweisende Halbleiter-Finne (204) zwischen dem ersten und dem zweiten Source-/Drain-Bereich auf. Darüber hinaus ist eine Ladungsspeicherschicht (207, 208) bereitgestellt, die zumindest teilweise auf dem Gate-Bereich angeordnet ist. Ein Wortleitungs-Bereich (205, 206) ist auf zumindest einem Teil der Ladungsspeicherschicht angeordnet. Die Ladungsspeicherschicht ist derart eingerichtet, dass mittels Anlegens vorgebbarer elektrischer Potentiale an die Fin-Feldeffekttransistor-Speicherzelle in die Ladungsspeicherschicht elektrische Ladungsträger selektiv einbringbar oder daraus entfernbar sind.
摘要翻译：本发明涉及一种鳍式场效应晶体管存储器单元（200），鳍式场效应晶体管存储器单元装置和用于制造鳍式场效应晶体管存储器单元的方法。所述鳍式场效应晶体管存储器单元包括：第一（201）和第二（202）源极/漏极区和栅极区。此外，所述存储器单元包括具有第一和第二源极/漏极区域之间的半导体鳍片（204）的沟道区。此外，电荷存储层（207，208）被设置为至少部分地布置在所述栅极区。字线区域（205，206）设置在所述电荷存储层的至少一部分。电荷存储层被设置为使得，通过施加预定的电势被选择性地引入或可拆卸地连接到在所述电荷存储层的电荷载流子的鳍式场效应晶体管存储器单元的装置。

4. 发明申请

WO2004040667A1 NICHTFLÜCHTIGE SPEICHERZELLE, SPEICHERZELLEN-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER NICHTFLÜCHTIGEN SPEICHERZELLE 审中-公开
标题翻译：非易失性存储器单元，存储器单元装置及其制造方法非挥发性记忆体单元
公开(公告)号：WO2004040667A1
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/DE2003/003588
申请日：2003-10-29
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , HÖNLEIN, Wolfgang , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
发明人： GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , HÖNLEIN, Wolfgang , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
IPC分类号： H01L51/20
CPC分类号： H01L29/7888 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C2213/17 , H01L21/28282 , H01L21/84 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L27/1203 , H01L27/28 , H01L29/66833 , H01L29/792 , H01L29/7926 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/057
摘要： Die Erfindung betrifft eine nichtflüchtige Speicherzelle, eine Speicherzellen-Anordnung und ein Verfahren zum Herstellen einer nichtflüchtigen Speicherzelle. Die nichtflüchtige Speicherzelle enthält einen Vertikal-Feldeffekttransistor mit einem als Kanal-Bereich eingerichteten Nanoelement und eine das Nanoelement zumindest teilweise umgebende elektrisch isolierende Schicht als Ladungsspeicherschicht und als Gate-isolierende Schicht. Diese ist derart eingerichtet, dass elektrische Ladungsträger selektiv darin einbringbar oder daraus entfernbar sind, und dass die elektrische Leitfähigkeit des Nanoelements charakteristisch von in der elektrisch isolierenden Schicht eingebrachten elektrischen Ladungsträgern beinflussbar ist.
摘要翻译：本发明涉及一种非易失性存储器单元，存储器单元阵列和制造非易失性存储器单元的方法。非易失性存储器单元包括：具有沟道区的纵向场效应晶体管被设置为一个nanoelement和nanoelement至少部分地包围电绝缘层作为电荷存储层和所述栅绝缘层。这被构造成使得电荷载流子在其中被引入到或选择性地移除，并且所述nanoelement的电导率是引入到所述电绝缘层的电荷载流子beinflussbar的特征。

5. 发明申请

WO2004040644A2 SPEICHERZELLE, SPEICHERZELLEN-ANORDNUNG, STRUKTURIER-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER SPEICHERZELLE 审中-公开
标题翻译：存储器单元，存储器单元布置，结构布置和用于产生存储器单元的方法
公开(公告)号：WO2004040644A2
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/DE2003/003589
申请日：2003-10-29
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , HÖNLEIN, Wolfgang , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
发明人： GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , HÖNLEIN, Wolfgang , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
IPC分类号： H01L21/8239
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C13/0033 , G11C2213/16 , H01L27/10841 , H01L27/10864 , H01L27/10876 , H01L27/283 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0512 , H01L51/057
摘要： Die Erfindung betrifft eine Speicherzelle, eine Speicherzellen-Anordnung, eine Strukturier-Anordnung und ein Verfahren zum Herstellen einer Speicherzelle. Die Speicherzelle hat einen Vertikal-Schalt-Transistor und einen Speicher-Kondensator, wobei der Vertikal-Schalt-Transistor eine halbleitende Nanostruktur aufweist, die auf zumindest einem Teil des Speicher-Kondensators aufgewachsen ist.
摘要翻译：存储器单元，存储器单元布置，构造布置以及用于制造存储器单元的方法技术领域本发明涉及一种存储器单元，存储器单元具有垂直开关晶体管和存储电容器，垂直开关晶体管具有在至少部分存储电容器上生长的半导体纳米结构

6. 发明申请

WO03005369A3 MOLECULAR ELECTRONICS ARRANGEMENT AND METHOD FOR PRODUCING A MOLECULAR ELECTRONICS ARRANGEMENT 审中-公开
标题翻译：分子电子装置和生产分子电子装置的方法
公开(公告)号：WO03005369A3
公开(公告)日：2003-04-17
申请号：PCT/DE0202379
申请日：2002-07-01
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HARTWICH JESSICA , KRETZ JOHANNES , LUYKEN RICHARD JOHANNES , ROESNER WOLFGANG
发明人： HARTWICH JESSICA , KRETZ JOHANNES , LUYKEN RICHARD JOHANNES , ROESNER WOLFGANG
IPC分类号： B82B1/00 , G11C11/21 , G11C13/02 , H01L51/00 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L51/20
CPC分类号： G11C13/0019 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , H01L51/0048 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0093 , H01L51/0595
摘要： The invention relates to a molecular electronics arrangement comprising a substrate, at least one first strip conductor having a surface and being arranged in or on the substrate, a spacer which is arranged on the surface of the at least one first strip conductor and which partially covers the surface of the at least one first strip conductor, and at least one second strip conductor which is arranged on the spacer and comprises a surface which faces the surface of the at least one first strip conductor in a plane manner. The spacer partially covers the surface of the at least one second strip conductor, and defines a pre-determined distance between the at least one first strip conductor and the at least one second strip conductor. The inventive molecular electronics arrangement also comprises molecular electronics molecules which are arranged between a free region of the surface of the at least one first strip conductor and a free region of the surface of the at least one second strip conductor, the length of said molecules being essentially equal to the distance between the at least one first strip conductor and the at least one second strip conductor. The invention also relates to a method for producing a molecular electronics arrangement.
摘要翻译：本发明涉及一种分子电子装置的至少一个第一互连配置间隔物的表面上具有基片，至少一个第一互连，其具有表面和被布置在衬底中或上，一个其中至少一个的表面上第一导体部分覆盖，设置在间隔件第二互连，其具有表面，该表面至少相对的第一配线面的表面，其中所述间隔，所述至少一个第二互连的表面部分地覆盖至少一个，并且其中，由所述间隔件的装置的预定所述至少一个第一互连和所述至少限定一个第二导体轨道之间的距离，以及之间的至少一个第一互连件的表面的暴露部分和所述至少一个第二表面的未覆盖区域导体排列的分子电子分子，其长度基本上等于至少一个第一导体迹线和至少一个第二导体迹线之间的距离。此外，提供了用于制造分子电子器件的方法。

7. 发明申请

WO02092505A3 NANOTUBE ARRAY AND METHOD FOR PRODUCING A NANOTUBE ARRAY 审中-公开
标题翻译：碳纳米管安排和方法制造纳米管安排
公开(公告)号：WO02092505A3
公开(公告)日：2003-02-27
申请号：PCT/EP0205433
申请日：2002-05-16
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , GRAHAM ANDREW , HOFMANN FRANZ , KRETZ JOHANNES , KREUPL FRANZ , LUYKEN RICHARD JOHANNES , ROESNER WOLFGANG
发明人： GRAHAM ANDREW , HOFMANN FRANZ , KRETZ JOHANNES , KREUPL FRANZ , LUYKEN RICHARD JOHANNES , ROESNER WOLFGANG
IPC分类号： B82B3/00 , C01B31/02 , G01N27/12 , G11C13/02 , H01L29/06 , H01L51/00 , H01L51/30 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L51/0048 , B82Y10/00 , C01B32/05 , G01N27/127 , G11C13/025 , H01L51/0595
摘要： The invention relates to a nanotube array, comprising a substrate, a catalyst layer having one or more partial areas on the surface of the substrate and at least one nanotube parallel to the surface of the substrate on the surface of the catalyst layer. The nanotube array also has an electrically insulating layer between the substrate and the nanotubes and a topography such that the end segments of the at least one nanotube rest on the electrically insulating layer while its central segment rests freely. The invention also relates to a method for the production of said nanotube array.
摘要翻译：本发明涉及一种纳米管装置，其包括催化剂层布置的纳米管的表面上的衬底，包括一个或多个子区域的催化剂层，在衬底的表面上和至少一个平行于衬底的表面上。纳米管组件还包括基板，并且具有使得所述至少一个纳米管搁在其端部上的电绝缘层上，并在其中间部分露出的形貌纳米管之间的电绝缘层。本发明还涉及一种用于制造纳米管阵列。

8. 发明申请

WO2003005369A2 MOLEKULARELEKTRONIK-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER MOLEKULARELEKTRONIK-ANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：分子电子器件及其制造方法分子电子器件
公开(公告)号：WO2003005369A2
公开(公告)日：2003-01-16
申请号：PCT/DE2002/002379
申请日：2002-07-01
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HARTWICH, Jessica , KRETZ, Johannes , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang
发明人： HARTWICH, Jessica , KRETZ, Johannes , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang
IPC分类号： G11C13/02
CPC分类号： G11C13/0019 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , H01L51/0048 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0093 , H01L51/0595
摘要： Die Erfindung betrifft eine Molekularelektronik-Anordnung mit einem Substrat, mindestens einer ersten Leiterbahn, die eine Oberfläche aufweist, und die in bzw. auf dem Substrat angeordnet ist, einem auf der Oberfläche der mindestens einen ersten Leiterbahn angeordneten Abstandshalter, der die Oberfläche der mindestens einen ersten Leiterbahn teilweise bedeckt, mindestens einer auf dem Abstandshalter angeordneten zweiten Leiterbahn, die eine Oberfläche aufweist, die der Oberfläche der mindestens einen ersten Leiterbahn flächig gegenüberliegt, wobei der Abstandshalter die Oberfläche der mindestens einen zweiten Leiterbahn teilweise bedeckt, und wobei mittels des Abstandshalters ein vorgegebener Abstand zwischen der mindestens einen ersten Leiterbahn und der mindestens einen zweiten Leiterbahn definiert ist, sowie zwischen einem freiliegenden Bereich der Oberfläche der mindestens einen ersten Leiterbahn und einem freiliegenden Bereich der Oberfläche der mindestens einen zweiten Leiterbahn angeordneten molekularelektronischen Molekülen, deren Länge im wesentlichen gleich dem Abstand zwischen der mindestens einen ersten Leiterbahn und der mindestens einen zweiten Leiterbahn ist. Ferner ist ein Verfahren zum Herstellen einer Molekularelektronik-Anordnung bereitgestellt.
摘要翻译：本发明涉及一种分子电子装置的至少一个第一互连配置间隔物的表面上具有基片，至少一个第一互连，其具有表面和被布置在衬底中或上，一个其中至少一个的表面上第一导体部分覆盖，设置在间隔件第二互连，其具有表面，该表面至少相对的第一配线面的表面，其中所述间隔，所述至少一个第二互连的表面部分地覆盖至少一个，并且其中，由所述间隔件的装置的预定所述至少一个第一互连和所述至少限定一个第二导体轨道之间的距离，以及之间的至少一个第一互连件的表面的暴露部分和所述至少一个第二表面的未覆盖区域导体线路设置的分子电子分子，其长度基本上等于所述至少一个第一互连和所述至少一个第二互连之间的距离。此外，提供了一种用于制造分子电子装置的方法。

9. 发明申请

WO03015182A3 FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCING A FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译： STEG场效应晶体管和方法，用于制造鳍式场效晶体管
公开(公告)号：WO03015182A3
公开(公告)日：2003-08-07
申请号：PCT/DE0202760
申请日：2002-07-26
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HOFMANN FRANZ , KRETZ JOHANNES , ROESNER WOLFGANG , SCHULZ THOMAS
发明人： HOFMANN FRANZ , KRETZ JOHANNES , ROESNER WOLFGANG , SCHULZ THOMAS
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/66795
摘要： The invention relates to a fin field effect transistor that comprises a substrate, a fin structure above the substrate, as well as a drain region and a source region outside the fin structure above the substrate. The fin structure serves as a channel between the source region and the drain region. Source and drain region are formed once the gate has been produced.
摘要翻译：鳍状场效应晶体管包括：基板;所述基板上的脊，和一个漏区和脊到基板以外的源极区。脊用作源极区和漏极区之间的沟道。源极和漏极区域中的栅极的形成之后形成。

10. 发明申请

WO2003015182A2 STEG-FELDEFFEKTTRANSISTOR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STEG-FELDEFFEKTTRANSISTORS 审中-公开
标题翻译： STEG场效应晶体管和制造BAR-场效应晶体管的方法
公开(公告)号：WO2003015182A2
公开(公告)日：2003-02-20
申请号：PCT/DE2002/002760
申请日：2002-07-26
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HOFMANN, Franz , KRETZ, Johannes , ROESNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas
发明人： HOFMANN, Franz , KRETZ, Johannes , ROESNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/66795
摘要： Der Steg-Feldeffekttransistor weist ein Substrat, einen Steg über dem Substrat, sowie einen Drain-Bereich und einen Source-Bereich ausserhalb des Steges über dem Substrat auf. Der Steg dient als Kanal zwischen Source-Bereich und Drain-Bereich. Source- und Drain-Bereich werden erst nach dem Erzeugen des Gates gebildet.
摘要翻译：鳍状场效应晶体管包括：基板;所述基板上的脊，和一个漏区和脊到基板以外的源极区。脊用作源极区和漏极区之间的沟道。源极和漏极区域中的栅极的形成之后形成。

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