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1. 发明申请

WO2017109734A1 ORGANIC TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTORS 审中-公开
标题翻译：有机隧道场效应晶体管
公开(公告)号：WO2017109734A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/IB2016/057897
申请日：2016-12-21
申请人： KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人： TIETZE, Max Lutz , LUSSEM, Bjorn , LIU, Shiyi
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/10
CPC分类号： H01L51/057 , H01L51/0562 , H01L51/0583 , H01L51/105
摘要： Various examples are provided for organic tunnel field effect transistors (OTFET), and methods thereof. In one example, an OTFET includes a first intrinsic layer (i-layer) of organic semiconductor material disposed over a gate insulating layer; source (or drain) contact stacks disposed on portions of the first i-layer; a second i-layer of organic semiconductor material disposed on the first i-layer surrounding the source (or drain) contact stacks; an n-doped organic semiconductor layer disposed on the second i-layer; and a drain (or source) contact layer disposed on the n-doped organic semiconductor layer. The source (or drain) contact stacks can include a p-doped injection layer, a source (or drain) contact layer, and a contact insulating layer. In another example, a method includes disposing a first i-layer over a gate insulating layer; forming source or drain contact stacks; and disposing a second i-layer, an n-doped organic semiconductor layer, and a drain or source contact.
摘要翻译：提供了用于有机隧道场效应晶体管（OTFET）的各种示例及其方法。在一个示例中，OTFET包括设置在栅极绝缘层上的有机半导体材料的第一本征层（i-层）布置在第一i层的部分上的源极（或漏极）接触堆叠; 设置在围绕所述源极（或漏极）接触堆叠的所述第一i层上的第二i有机半导体材料层; 设置在第二i层上的n掺杂有机半导体层; 以及设置在n掺杂有机半导体层上的漏极（或源极）接触层。源极（或漏极）接触堆叠可以包括p掺杂注入层，源极（或漏极）接触层和接触绝缘层。在另一个示例中，一种方法包括：在栅极绝缘层上设置第一i层; 形成源极或漏极接触堆叠; 以及设置第二i层，n掺杂有机半导体层和漏极或源极接触。

2. 发明申请

WO2015082921A1 PIXEL DRIVER CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：像素驱动电路
公开(公告)号：WO2015082921A1
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：PCT/GB2014/053595
申请日：2014-12-03
申请人： PLASTIC LOGIC LIMITED
发明人： RANKOV, Aleksandra , HARRISON, Charlotte , HORNE, Ian , NORVAL, Shane , HILLS, Jeremy , YAGLIOGLU, Burag
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12 , H01L27/28 , H01L51/05
CPC分类号： H01L27/3274 , H01L27/1251 , H01L27/283 , H01L27/3246 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L29/78642 , H01L51/057 , H01L2227/323 , H01L2251/5338
摘要： A pixel driver circuit having only three conductive layers is described. The pixel driver circuit comprises a vertical driver transistor (26) spanning said three conductive layers, wherein a first of said conductive layers (22) on a first side of a middle conductive layer (32) provides a first source-drain connection (52) of said driver transistor, wherein a third of said conductive layers (34) on the opposite side of said middle conductive layer to said first conductive layer provides a gate connection (54) for said vertical driver transistor, and wherein said middle conductive layer provides a second source-drain connection (50) for said vertical driver transistor. The circuit also comprises a lateral switching transistor (30) with source-drain connections (44,46) in one of said three conductive layers. A dielectric layer (16, 20) is provided between said first and second conductive layers and between said second and third conductive layers, and wherein semiconductor material (18) is provided spanning said first and second source-drain connections of said vertical driver transistor. A pixel display element (12) is coupled to said first source-drain connection of said vertical driver transistor.
摘要翻译：描述仅具有三个导电层的像素驱动器电路。像素驱动器电路包括跨越所述三个导电层的垂直驱动晶体管（26），其中在中间导电层（32）的第一侧上的第一导电层（22）提供第一源极 - 漏极连接（52）的所述驱动晶体管，其中在所述中间导电层相对于所述第一导电层的相对侧上的所述导电层（34）中的第三个为所述垂直驱动晶体管提供栅极连接（54），并且其中所述中间导电层提供用于所述垂直驱动晶体管的第二源极 - 漏极连接（50）。该电路还包括在所述三个导电层之一中具有源极 - 漏极连接（44,46）的横向开关晶体管（30）。在所述第一和第二导电层之间以及所述第二和第三导电层之间提供介电层（16,20），并且其中提供跨越所述垂直驱动晶体管的所述第一和第二源极 - 漏极连接的半导体材料（18）。像素显示元件（12）耦合到所述垂直驱动晶体管的所述第一源极 - 漏极连接。

3. 发明申请

WO2015012186A1 カーボンナノチューブ複合体、半導体素子およびそれを用いたセンサ审中-公开
标题翻译：碳纳米管复合材料，半导体器件和使用它们的传感器
公开(公告)号：WO2015012186A1
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：PCT/JP2014/069003
申请日：2014-07-17
申请人：東レ株式会社
发明人：村瀬清一郎 , 磯貝和生 , 清水浩二
IPC分类号： C01B31/02 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC分类号： H01L51/0049 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , C08G61/126 , C08G2261/18 , C08G2261/3223 , C08G2261/72 , C08G2261/92 , C08G2261/94 , G01N27/4146 , H01L51/0002 , H01L51/0036 , H01L51/0093 , H01L51/0566 , H01L51/057 , H01L51/105 , Y10S977/746 , Y10S977/75 , Y10S977/847 , Y10S977/932
摘要：　表面の少なくとも一部に有機基が付着したカーボンナノチューブ複合体であって、前記カーボンナノチューブ複合体の少なくとも一部にヒドロキシル基、カルボキシ基、アミノ基、メルカプト基、スルホ基、ホスホン酸基、それらの有機塩もしくは無機塩、ホルミル基、マレイミド基およびスクシンイミド基からなる群より選ばれる少なくとも一つの官能基を含有するカーボンナノチューブ複合体。
摘要翻译：一种碳纳米管复合体，其中有机基团沉积在所述表面的至少一部分上，所述碳纳米管复合材料包含至少一种选自羟基，羧基，氨基，巯基的官能团基团，磺基，膦酸基及其有机盐或无机盐，以及甲酰基，马来酰亚胺基和琥珀酰亚胺基。

4. 发明申请

WO2014085410A1 AMBIPOLAR VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译： AMBIPOLAR垂直场效应晶体管
公开(公告)号：WO2014085410A1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：PCT/US2013/071919
申请日：2013-11-26
申请人： UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.
发明人： RINZLER, Andrew, Gabriel , LIU, Bo , MCCARTHY, Mitchell, Austin
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L51/057 , B82Y10/00 , H01L27/092 , H01L27/283 , H01L29/0673 , H01L29/1606 , H01L29/413 , H01L29/7395 , H01L29/775 , H01L51/0039 , H01L51/0047 , H01L51/0048 , H01L51/0566 , H01L51/102 , H01L51/105
摘要： Various examples are provided for ambipolar vertical field effect transistors (VFETs). In one example, among others, an ambipolar VFET includes a gate layer; a source layer that is electrically percolating and perforated; a dielectric layer; a drain layer; and a semiconducting channel layer. The semiconducting channel layer is in contact with at least a portion of the source layer and at least a portion of the dielectric layer and the source layer and the semiconducting channel layer form a gate voltage tunable charge injection barrier. Another example includes an ambipolar vertical field effect transistor including a dielectric surface treatment layer. The semiconducting channel layer is in contact with at least a portion of the source layer and at least a portion of the dielectric surface treatment layer and where the source layer and the semiconducting channel layer form a gate voltage tunable charge injection barrier.
摘要翻译：为双极性垂直场效应晶体管（VFET）提供了各种示例。在一个实例中，其中双极型VFET包括栅极层; 电渗透和穿孔的源层; 介电层; 一个漏极层; 和半导体沟道层。半导体沟道层与源极层的至少一部分接触，并且介电层的至少一部分以及源极层和半导体沟道层形成栅极电压可调电荷注入势垒。另一个例子包括包括电介质表面处理层的双极性垂直场效应晶体管。半导体沟道层与源极层的至少一部分和介电表面处理层的至少一部分接触，并且其中源极层和半导体沟道层形成栅极电压可调电荷注入势垒。

5. 发明申请

WO2013149947A1 A METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR AND AN ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：生产有机场效应晶体管和有机场效应晶体管的方法
公开(公告)号：WO2013149947A1
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：PCT/EP2013/056738
申请日：2013-03-28
申请人： NOVALED AG , TECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDEN
发明人： ZAKHIDOV, Alexander , LÜSSEM, Björn , LEO, Karl , KLEEMANN, Hans
IPC分类号： H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/10
CPC分类号： H01L51/057 , B82Y10/00 , H01L51/0002 , H01L51/0016 , H01L51/0018 , H01L51/0046 , H01L51/0055 , H01L51/102 , H01L51/105
摘要： A method for producing an organic field effect transistor is disclosed, the method comprising steps of providing a gate electrode (1) and a gate insulator (2) assigned to the gate electrode (1) for electrical insulation on a substrate, depositing a first organic semiconducting layer (3) on the gate insulator (2), generating a first electrode (4) and an electrode insulator (5) assigned to the first electrode (4) for electrical insulation on the first organic semiconducting layer (3), depositing a second organic semiconducting layer (6) on the first organic semiconducting layer (3) and the electrode insulator (5), and generating a second electrode (7) on the second organic semiconducting layer (6), wherein at least one of the step of generating the first electrode (4) and the electrode insulator (5) on the first organic semiconducting layer (3) and the step of generating the second electrode (7) on the second organic semiconducting layer (6) comprises a step of photo-lithographic structuring on the first and the second organic semiconducting layer (3, 6), respectively. Furthermore, an organic field effect transistor and an electronic switching device are provided.
摘要翻译：公开了一种用于制造有机场效应晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：提供分配给栅电极（1）的栅电极（1）和栅极绝缘体（2），用于在基板上进行电绝缘，沉积第一有机在所述栅极绝缘体（2）上的半导体层（3），产生分配给所述第一电极（4）以在所述第一有机半导体层（3）上进行电绝缘的第一电极（4）和电极绝缘体（5）在第一有机半导体层（3）和电极绝缘体（5）上的第二有机半导体层（6），以及在第二有机半导体层（6）上产生第二电极（7），其中至少一个步骤在第一有机半导体层（3）上产生第一电极（4）和电极绝缘体（5），并且在第二有机半导体层（6）上产生第二电极（7）的步骤包括光刻 structu 环在第一和第二有机半导体层（3,6）上。此外，提供有机场效应晶体管和电子开关器件。

6. 发明申请

WO2012078759A3 ACTIVE MATRIX DILUTE SOURCE ENABLED VERTICAL ORGANIC LIGHT EMITTING TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：有源矩阵稀释源使能垂直有机发光晶体管
公开(公告)号：WO2012078759A3
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：PCT/US2011063745
申请日：2011-12-07
申请人： UNIV FLORIDA , RINZLER ANDREW GABRIEL , MCCARTHY MITCHELL AUSTIN , LIU BO
发明人： RINZLER ANDREW GABRIEL , MCCARTHY MITCHELL AUSTIN , LIU BO
IPC分类号： H01L51/05 , H01L29/786
CPC分类号： H01L51/5203 , B82Y99/00 , H01L27/3262 , H01L27/3274 , H01L29/1606 , H01L29/7827 , H01L51/0045 , H01L51/0048 , H01L51/057 , H01L51/102 , H01L51/5296
摘要： Various embodiments are provided for dilute source enabled vertical organic light emitting transistors. In various embodiments, a display panel includes an array of pixels. In one embodiment, among others, at least one pixel includes a switching transistor and a driving transistor coupled to the switching transistor, where the driving transistor is configured to emit light responsive to activation by the switching transistor. The driving transistor may be a dilute source enabled vertical organic light emitting transistor (DS- VOLET). The switching transistor may include a dilute source enabled vertical-field effect transistor (DS-VFET). In another embodiment, a double dilute source enabled vertical-field effect transistor (DS-VFET) includes a first DS-VFET coupled to a second DS-VFET.
摘要翻译：提供各种实施例用于稀释源使垂直有机发光晶体管。在各种实施例中，显示面板包括像素阵列。在一个实施例中，至少一个像素包括开关晶体管和耦合到开关晶体管的驱动晶体管，其中驱动晶体管被配置为响应于开关晶体管的激活而发光。驱动晶体管可以是稀释源使能的垂直有机发光晶体管（DS-VOLET）。开关晶体管可以包括稀释源极垂直场效应晶体管（DS-VFET）。在另一个实施例中，双稀释源使能垂直场效应晶体管（DS-VFET）包括耦合到第二DS-VFET的第一DS-VFET。

7. 发明申请

WO2011128932A1 有機半導体装置及び有機半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：有机半导体器件及制造有机半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2011128932A1
公开(公告)日：2011-10-20
申请号：PCT/JP2010/002658
申请日：2010-04-13
申请人：パナソニック株式会社 , 受田高明
发明人：受田高明
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/312 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/057
摘要：　有機半導体層の劣化を防止することができる有機半導体装置を提供する。　基板(１１)と、基板上に形成されたゲート電極(１２)と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜(１３)と、ゲート絶縁膜上に形成されたドレイン電極(１４)と、ドレイン電極を囲うように形成された環状のソース電極(１５)と、ゲート絶縁膜上であってソース電極によって囲われた領域に形成された有機半導体層(１７)と、ゲート絶縁膜上であってソース電極の外側に形成された導電性ガイド部材(１６)と、導電性ガイド部材によって囲われた領域に形成された保護膜(１８)とを具備する。
摘要翻译：公开了防止有机半导体层劣化的有机半导体器件。有机半导体器件设置有：衬底（11）; 形成在所述基板上的栅电极（12）形成在所述栅电极上的栅极绝缘膜（13）形成在所述栅极绝缘膜上的漏极电极; 环形源电极（15），其形成为围绕所述漏电极; 形成在所述栅极绝缘膜上的所述有机半导体层（17），所述栅极绝缘膜位于由所述源极电极包围的区域中; 形成在所述栅极绝缘膜上的导电引导构件（16），所述导电引导构件位于所述源极电极的外侧; 以及形成在由导电引导构件包围的区域中的保护膜（18）。

8. 发明申请

WO2009101982A1 縮合環化合物及びその製造方法、重合体、これらを含む有機薄膜、並びに、これを備える有機薄膜素子及び有機薄膜トランジスタ审中-公开
标题翻译：熔融环化合物，其制备方法，聚合物，含有该化合物和/或聚合物的有机薄膜，以及有机薄膜器件和有机薄膜晶体管，每个包含有机薄膜
公开(公告)号：WO2009101982A1
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：PCT/JP2009/052319
申请日：2009-02-12
申请人：国立大学法人大阪大学 , 住友化学株式会社 , 三浦雅博 , 佐藤哲也 , 劒隼人 , 熊谷淳 , 上田将人
发明人：三浦雅博 , 佐藤哲也 , 劒隼人 , 熊谷淳 , 上田将人
IPC分类号： C07D495/04 , C08G61/00 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC分类号： H01L51/0074 , C07D333/62 , C07D495/04 , C07D495/22 , C08G61/12 , C08G61/126 , C08G2261/312 , C08G2261/3142 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/51 , C08G2261/91 , C08G2261/92 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/057 , H01L51/424
摘要：　本発明は、十分な電荷輸送性を発揮し得るとともに、溶媒に対する優れた溶解性を有する縮合環化合物を提供することを目的とする。本発明の縮合環化合物は、下記一般式（１）で表されるものである。【化１】［式中、Ｒ１１及びＲ１２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アルキル部分の炭素数が３以上であるアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい１価の複素環基又はシアノ基を示し、Ｒ１１及びＲ１２の少なくとも一方は水素原子ではない。Ｒ１３及びＲ１４は、１価の基を示し、ｍ及びｎは、０～２の整数である。Ｙ１１、Ｙ１２、Ｙ１３及びＹ１４は、Ｓ、Ｏ、Ｎ、Ｓｅ、Ｔｅ又は二重結合を含む所定の２価の基であり、Ｙ１１及びＹ１２はこれを含む環が５員環となるように、Ｙ１３及びＹ１４は、これを含む環が５又は６員環となるように選択される。］
摘要翻译：公开了具有足够的电荷输送性能的稠环化合物，同时在溶剂中具有优异的溶解性。具体公开的是由通式（1）表示的稠环化合物。（1）[式（1）中，R 11和R 12分别表示烷基部分中的氢原子，烷基，烷氧基，烷硫基，烷基氨基，碳原子数3以上的烷氧基羰基，任选取代的芳基，任选取代的一价杂环基或氰基，并且至少R 11或R 12不是氢原子; R 13和R 14各自表示一价基团; m和n各自表示0-2的整数; Y 11，Y 12，Y 13和Y 14各自表示S，O，N，Se，Te或含有双键的特定二价基团; 选择Y11和Y12使得含有Y11和Y12的基团成为五元环; 并且选择Y13和Y14，使得含有Y13和Y14的基团成为五元或六元环。

9. 发明申请

WO2009036071A2 NANOTUBE ENABLED, GATE-VOLTAGE CONTROLLED LIGHT EMITTING DIODES 审中-公开
标题翻译： NANOTUBE ENABLED，GATE-VOLTAGE CONTROLLED LED发光二极管
公开(公告)号：WO2009036071A2
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/US2008075866
申请日：2008-09-10
申请人： UNIV FLORIDA , RINZLER ANDREW GABRIEL , LIU BO , MCCARTHY MITCHELL AUSTIN , REYNOLDS JOHN ROBERT , SO FRANKY
发明人： RINZLER ANDREW GABRIEL , LIU BO , MCCARTHY MITCHELL AUSTIN , REYNOLDS JOHN ROBERT , SO FRANKY
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L51/5296 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0048 , H01L51/0558 , H01L51/057 , H01L51/102 , H01L51/5203 , Y10S977/701 , Y10S977/742 , Y10S977/762 , Y10S977/767 , Y10S977/932 , Y10S977/936 , Y10S977/937 , Y10S977/938
摘要： Embodiments of the invention relate to vertical field effect transistor that is a light emitting transistor. The light emitting transistor incorporates a gate electrode for providing a gate field, a first electrode comprising a dilute nanotube network for injecting a charge, a second electrode for injecting a complementary charge, and an electroluminescent semiconductor layer disposed intermediate the nanotube network and the electron injecting layer. The charge injection is modulated by the gate field. The holes and electrons, combine to form photons, thereby causing the electroluminescent semiconductor layer to emit visible light. In other embodiments of the invention a vertical field effect transistor that employs an electrode comprising a conductive material with a low density of states such that the transistors contact barrier modulation comprises barrier height lowering of the Schottky contact between the electrode with a low density of states and the adjacent semiconductor by a Fermi level shift.
摘要翻译：本发明的实施例涉及作为发光晶体管的垂直场效应晶体管。发光晶体管包括用于提供栅极场的栅电极，包括用于注入电荷的稀释纳米管网络的第一电极，用于注入互补电荷的第二电极和设置在纳米管网络之间的电致发光半导体层和电子注入层。电荷注入由栅极场调制。空穴和电子结合形成光子，从而使电致发光半导体层发射可见光。在本发明的其它实施例中，采用包括具有低密度状态的导电材料的电极的垂直场效应晶体管，使得晶体管接触势垒调制包括具有低密度状态的电极之间的肖特基接触的势垒高度降低;以及相邻的半导体通过费米能级移位。

10. 发明申请

WO2008025989A3 ORGANIC ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
标题翻译：有机电子设备
公开(公告)号：WO2008025989A3
公开(公告)日：2008-08-28
申请号：PCT/GB2007003283
申请日：2007-08-30
申请人： CAMBRIDGE DISPLAY TECH , WHITING GREGORY , SMITH EUAN
发明人： WHITING GREGORY , SMITH EUAN
IPC分类号： H01L51/10
CPC分类号： H01L51/057 , H01L27/283 , H01L27/3244 , H01L51/0036
摘要： This invention generally relates to organic electronic devices and to methods for their fabrication. More particularly we will describe organic thin film transistor (TFT) structures and their fabrication. An organic electronic device, the device comprising: a substrate supporting a first electrode; a spacer structure over said substrate; a second electrode over said spacer structure and at a height above said first electrode; and a layer of organic semiconducting material over said first and second electrodes to provide a conducting channel between said first and second electrodes; and wherein a majority of said first electrode is laterally positioned to one side of said channel and a majority of said second electrode is laterally positioned to the other side of said channel.
摘要翻译：本发明一般涉及有机电子器件及其制造方法。更具体地说，我们将描述有机薄膜晶体管（TFT）结构及其制造。一种有机电子器件，所述器件包括：支撑第一电极的衬底; 所述衬底上的间隔结构; 所述间隔结构上方的第二电极和位于所述第一电极上方的高度; 以及在所述第一和第二电极上方的有机半导体材料层，以在所述第一和第二电极之间提供导电通道; 并且其中所述第一电极的大部分横向地定位在所述通道的一侧，并且所述第二电极的大部分横向定位于所述通道的另一侧。

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