专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2003094227A1 固体電解質スイッチング素子及びそれを用いたＦＰＧＡ、メモリ素子、並びに固体電解質スイッチング素子の製造方法审中-公开
标题翻译：固体电解质开关装置，使用其的FPGA，存储装置和制造固体电解质开关装置的方法
公开(公告)号：WO2003094227A1
公开(公告)日：2003-11-13
申请号：PCT/JP2003/005393
申请日：2003-04-25
申请人：科学技術振興事業団 , 理化学研究所 , 日本電気株式会社 , 阪本利司 , 青野正和 , 長谷川剛 , 中山知信 , 砂村潤 , 川浦久雄 , 杉林直彦
发明人：阪本利司 , 青野正和 , 長谷川剛 , 中山知信 , 砂村潤 , 川浦久雄 , 杉林直彦
IPC分类号： H01L21/82
CPC分类号： G11C13/0011 , G11C2213/15 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/1633 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A solid electrolyte switching device (10, 10', 20, 20') comprises a first interconnection layer (13) provided on a substrate (11) covered with an insulating layer, an ion supply layer (17) provided on the first interconnection layer (13), a solid electrolyte layer (16) provided on the ion supply layer (17), an interlayer insulating layer (12) covering the first interconnection layer (13), the ion supply layer (17), and the solid electrolyte layer (16) and having a via hole, a counter electrode layer (15) so disposed as to be in contact with the solid electrolyte layer(16) through the via hole, and a second interconnection layer(14) covering the counter electrode layer(15). The on/off state can be arbitrarily set by a threshold voltage applied between the ion supply layer (17) and the counter electrode layer (15). Thus a nonvolatile, low on-resistance switching device is provided.
摘要翻译：固体电解质开关装置（10,10'，20,20'）包括设置在被绝缘层覆盖的基板（11）上的第一互连层（13），设置在第一互连层上的离子供给层（13），设置在离子供给层（17）上的固体电解质层（16），覆盖第一互连层（13）的层间绝缘层（12），离子供给层（17）和固体电解质层（16）并具有通孔，通过通孔设置成与固体电解质层（16）接触的对电极层（15）和覆盖对电极层（14）的第二互连层（14） 15）。开/关状态可以通过施加在离子供给层（17）和对电极层（15）之间的阈值电压来任意设定。因此，提供了非易失性的低导通电阻的开关装置。

2. 发明申请

WO2008114782A1 記録媒体とそれを用いた記録装置、情報の記録及び消去方法审中-公开
标题翻译：记录介质和记录装置以及使用该记录装置的信息记录/擦除方法
公开(公告)号：WO2008114782A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/JP2008/054917
申请日：2008-03-17
申请人：独立行政法人物質・材料研究機構 , 中谷真人 , 中山知信 , 青野正和
发明人：中谷真人 , 中山知信 , 青野正和
IPC分类号： G11B9/14
CPC分类号： G11B9/149 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/152
摘要：　所定のエネルギーによって重合、解重合を繰り返すフラーレン分子の性質を利用した、極めて高密度の記録ができる記録媒体を提供し、従来では不可能視されていた高密度記録を可能にする。
摘要翻译：公开了一种利用富勒烯分子的特性的记录介质，其在施加给定能量时重复聚合和解聚，并且能够进行极高密度记录。记录介质能够实现以前被认为是不可能的高密度记录。

3. 发明申请

WO2003067224A1 走査型プローブ顕微鏡及び試料の表面構造測定方法审中-公开
标题翻译：扫描探针显微镜和样品表面结构测量方法
公开(公告)号：WO2003067224A1
公开(公告)日：2003-08-14
申请号：PCT/JP2003/001168
申请日：2003-02-05
申请人：理化学研究所 , 長谷川剛 , 青野正和 , 中山知信 , 保坂純男
发明人：長谷川剛 , 青野正和 , 中山知信 , 保坂純男
IPC分类号： G01N13/10
CPC分类号： G01Q60/34 , G01Q10/06 , G01Q30/04 , G01Q70/12
摘要： An AFM (atomic force microscope) of a digital probing type for measuring a high aspect structure with high precision. A probe (21), while being vibrated, is made to approach the surface of a specimen. The position of the probe of when a predetermined atomic force is detected in the attractive force region is measured (1). The probe is moved away from the specimen surface (2). The servo system for maintaining the spacing between the probe and the specimen surface at a constant distance is stopped, and the probe, while being separate from the specimen surface, is moved to a measurement point along the specimen surface (3). The frequency of the vibration is, for example, slightly out of the resonance point of the cantilever. From the variation of the vibration amplitude of the cantilever, the atomic force is determined.
摘要翻译：数字探测型AFM（原子力显微镜）用于高精度测量高方位结构。使探头（21）在振动的同时接近样本的表面。测量在吸引力区域中检测到预定的原子力时的探针的位置（1）。探头从样品表面（2）移开。停止用于保持探针与样品表面之间的距离的伺服系统，并且将探头与试样表面分离，沿着试样表面（3）移动到测量点。振动的频率例如略微偏离悬臂的共振点。根据悬臂振动幅度的变化，确定原子力。

4. 发明申请

WO2009054507A1 光電場増幅素子とそれを用いたプローブ审中-公开
标题翻译：光电放大元件和使用它的探头
公开(公告)号：WO2009054507A1
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：PCT/JP2008/069366
申请日：2008-10-24
申请人：独立行政法人科学技術振興機構 , 独立行政法人物質・材料研究機構 , 新ヶ谷義隆 , 中山知信 , 青野正和
发明人：新ヶ谷義隆 , 中山知信 , 青野正和
IPC分类号： G01N21/65 , B82B1/00
CPC分类号： G01N21/658
摘要：　本発明の光電場増幅素子は、導電層と絶縁層とが積層されてなるナノロッドからなることを特徴とする。特に、酸化タングステンナノロッドからなる光電場増幅素子の場合には微結晶の集合ではなく、結晶構造自体によって高い増強効果が発現するので、再現性よく、安定してラマン散乱の増強効果が得られる。また、この光電場増幅素子を用いたセンサーによれば、従来不可能であった様々な高精度分析が可能となる。
摘要翻译：光电放大元件由纳米棒组成。在每个纳米棒中，层叠导电层和绝缘层。特别是在由氧化钨纳米棒构成的光电场放大元件的情况下，通过不是精细的晶体组件而是通过晶体结构本身表现出高的增强效果。因此，以优异的重复性稳定地获得拉曼散射的增强效果。使用光电放大元件的传感器可以执行不能进行的各种高精度分析。

5. 发明申请

WO2009031662A1 表面増強赤外吸収センサーとその製造方法审中-公开
标题翻译：表面增强红外吸收传感器和表面增强红外吸收传感器的方法
公开(公告)号：WO2009031662A1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：PCT/JP2008/066107
申请日：2008-09-05
申请人：独立行政法人物質・材料研究機構 , 長尾忠昭 , エンダースドミニク , 中山知信 , 青野正和
发明人：長尾忠昭 , エンダースドミニク , 中山知信 , 青野正和
IPC分类号： G01N21/27 , G01N21/35
CPC分类号： G01N21/35 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , G01N21/553 , G01N21/554 , G01N21/658 , Y10T428/24612
摘要：　本発明の表面増強赤外吸収センサーの製造方法は、溶液中に分散した金属ナノ粒子を基板表面に吸着させ、あるいは吸着した金属ナノ粒子を溶液中で成長させることにより製膜し、前記基板の金属ナノ薄膜が配置されている側とは反対側の面から赤外光を照射し、前記基板から染み出したエバネッセント波を検出して表面増強赤外吸収シグナルをその場モニターしながら、表面増強赤外吸収活性度を調整することにより、前記金属ナノ薄膜を扁平かつ分断された島状に成長させることを特徴とする。この手法によれば、より簡便・安価に製造でき、より高感度で再現性にすぐれた表面増強赤外吸収（ＳＥＩＲＡ）センサーの製造技術が提供される。
摘要翻译：本发明提供一种表面增强型红外线吸收传感器的制造方法，其特征在于，将分散在溶液中的金属纳米粒子吸附在基材表面上，或者使吸附的金属纳米粒子在溶液中生长，从而形成膜，从远离金属纳米薄膜的一侧的基板的光，检测从基板渗出的ev逝波，并且在原位监测表面增强的红外吸收信号的同时调节表面增强的红外吸收活性，由此金属纳米薄电影以扁平和分裂的岛屿的形式种植。根据上述方法，可以以更简单且更具成本效益的方式制造具有更高灵敏度和优异再现性的表面增强红外吸收（SEIRA）传感器。

6. 发明申请

WO2009020210A1 スイッチング素子とその用途审中-公开
标题翻译：切换元件及其应用
公开(公告)号：WO2009020210A1
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：PCT/JP2008/064328
申请日：2008-08-08
申请人：独立行政法人物質・材料研究機構 , 長谷川剛 , 青野正和 , 矢野史子 , 寺部一弥 , 鶴岡徹 , 海老原知子 , 小川琢治 , 田中啓文 , 日野貴美
发明人：長谷川剛 , 青野正和 , 矢野史子 , 寺部一弥 , 鶴岡徹 , 海老原知子 , 小川琢治 , 田中啓文 , 日野貴美
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/10 , H01L27/28 , H01L49/00 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/4206 , H01L45/085 , H01L45/1213 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/14 , H01L51/0053 , H01L51/0591 , Y02E10/549
摘要：　イオン伝導体を含む第一電極４と、導電体からなる第二電極５とを備え、イオン伝導体からの金属イオンの析出により第一電極４と第二電極５との間を物理的かつ電気的に接続させる微小スイッチング素子であって、第一電極４と第二電極５との間に、光を受けてキャリアを発生する光応答膜９が当該電極間を埋めるように配置されていることを特徴とする。これにより、特性のバラツキが小さく、動作不良が生じにくい微小スイッチング素子が提供される。
摘要翻译：精细的开关元件设置有包括离子导体的第一电极（4）和由电导体构成的第二电极（5）。开关元件通过从离子导体析出金属离子物理地和电连接第一电极（4）和第二电极（5）。开关元件的特征在于，在第一电极（4）和第二电极（5）之间布置有通过接收光产生载流子的光学响应膜（9），以填充电极之间的空间。因此，提供了具有小的特性波动并且不容易产生操作故障的精细开关元件。

7. 发明申请

WO2006103937A1 走査型プローブ顕微鏡システム审中-公开
标题翻译：扫描探针显微镜系统
公开(公告)号：WO2006103937A1
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：PCT/JP2006/305203
申请日：2006-03-16
申请人：独立行政法人理化学研究所 , 齋藤彰 , 青野正和 , 桑原裕司 , 丸山淳平 , 真鍋賢
发明人：齋藤彰 , 青野正和 , 桑原裕司 , 丸山淳平 , 真鍋賢
IPC分类号： G01N13/12 , G01B21/30 , G01N13/10 , G01N23/223
CPC分类号： G01N23/225 , G01Q30/02 , G01Q60/12
摘要：　原子スケールの空間分解能により元素を同定することを可能にするものであり、測定対象に対してビーム径が１ｍｍよりも小径である高輝度単色Ｘ線を照射するＸ線照射手段と、上記測定対象に対向して配置される探針と、上記探針を介してトンネル電流を検出して処理するための処理手段と、測定対象と上記探針と上記測定対象に対する高輝度単色Ｘ線の入射位置とを相対的に移動するための走査手段とを備える走査型プローブ顕微鏡とを有する。
摘要翻译：能够识别具有原子销售空间分辨率的元件的扫描探针显微镜系统包括：X射线照射装置，用于对具有小于1mm的光束直径的高亮度单色X射线照射测量对象; 设置成与测量对象相对的探针; 用于检测和处理通过探头的隧道电流的处理装置; 以及扫描探针显微镜，其具有用于将测量对象，探针和高亮度单色X射线的入射位置相对移动到测量对象的扫描装置。

8. 发明申请

WO2003081632A1 ３次元イオン散乱分光法及び分光装置审中-公开
标题翻译：三维离子散射光谱法和光谱仪器
公开(公告)号：WO2003081632A1
公开(公告)日：2003-10-02
申请号：PCT/JP2003/003502
申请日：2003-03-24
申请人：理化学研究所 , 小林峰 , 青野正和
发明人：小林峰 , 青野正和
IPC分类号： H01J37/252
CPC分类号： G01N23/20 , H01J37/252
摘要： A pulse ion beam (4) is applied from a pulse ion beam source (1) to a sample (3) contained in a vacuum chamber (2), so that scattering particles scattering from the sample (3) are detected by a 3-dimensional detection device. The 3-dimensional detection device includes a 3-dimensional detector (5), a pre-stage electric circuit (6), and a computer (7), and is configured so as to simultaneously obtain information on the energy of the scattering particles (information on the flying time) and the total 3-dimensional information on the total of 2-dimensional position information on the scattering particles. This enables analysis of a detailed structure in a short time as compared to the conventional method and suppresses damage to the sample by the beam application.
摘要翻译：脉冲离子束（4）从脉冲离子束源（1）施加到包含在真空室（2）中的样品（3），使得从样品（3）散射的散射颗粒被3- 尺寸检测装置。三维检测装置包括三维检测器（5），前级电路（6）和计算机（7），并且被配置为同时获得关于散射粒子的能量的信息关于飞行时间的信息）以及关于散射粒子的二维位置信息的总和的总体三维信息。与传统方法相比，这能够在短时间内分析详细结构，并且通过光束施加来抑制对样品的损伤。

9. 发明申请

WO2003028124A1 固体電解質を用いた電気素子审中-公开
标题翻译：包含固体电解质的电气设备
公开(公告)号：WO2003028124A1
公开(公告)日：2003-04-03
申请号：PCT/JP2002/009759
申请日：2002-09-24
申请人：科学技術振興事業団 , 理化学研究所 , 日本電気株式会社 , 阪本利司 , 青野正和 , 長谷川剛 , 中山知信 , 寺部一弥 , 川浦久雄 , 杉林直彦
发明人：阪本利司 , 青野正和 , 長谷川剛 , 中山知信 , 寺部一弥 , 川浦久雄 , 杉林直彦
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/16 , H01L45/1633
摘要： A switch comprising a transistor for selecting a storage cell and a solid electrolyte. In a storage cell, a metal is formed over a drain diffusion layer of a field−effect transistor fabricated on the surface of a semiconductor substrate. A solid electrolyte the carriers of which are the metal is formed on the metal. The solid electrolyte is in contact with the metal with a space therebetween, and the metal is connected to a common ground line. The source of the field−effect transistor is connected to a column address line, and the gate of the transistor is connected to the row address line.
摘要翻译：一种开关，包括用于选择存储单元和固体电解质的晶体管。在存储单元中，在制造在半导体衬底的表面上的场效应晶体管的漏极扩散层上形成金属。在金属上形成载体为金属的固体电解质。固体电解质与金属接触，其间具有空间，并且金属连接到公共接地线。场效应晶体管的源极连接到列地址线，并且晶体管的栅极连接到行地址线。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式