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1. 发明申请

WO2007116768A1 半導体装置の製造方法及び基板処理装置审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法和基板处理装置
公开(公告)号：WO2007116768A1
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：PCT/JP2007/056499
申请日：2007-03-27
申请人：株式会社日立国際電気 , 中嶋定夫 , 前田孝浩 , 前田喜世彦 , 亀田賢治 , 高澤裕真
发明人：中嶋定夫 , 前田孝浩 , 前田喜世彦 , 亀田賢治 , 高澤裕真
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/4405 , B08B7/00
摘要：基板を処理室内に搬入する工程と、形成する薄膜を構成する複数の元素のうちの少なくとも１つの元素を含み、それ単独で膜を堆積させることのできる第１成膜ガス及び前記複数の元素のうちの他の少なくとも１つの元素を含み、それ単独では膜を堆積させることのできない第２成膜ガスを前記処理室内に供給し、基板上に薄膜を形成する工程と、薄膜形成後の基板を前記処理室内より搬出する工程と、前記処理室内および前記第１成膜ガスを供給する供給部内にクリーニングガスを供給するとともに、前記処理室内に供給するクリーニングガスと、前記供給部内に供給するクリーニングガスとの供給流量、濃度、及び種類の少なくともいずれか一つを異ならせて、前記処理室内に付着した第１堆積物、及び前記供給部内に付着し、第１堆積物と化学組成が異なる第２堆積物を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法。
摘要翻译：半导体器件制造方法具有将衬底运送到处理室中的步骤; 通过向处理室供应第一成膜气体，在第一成膜气体上形成薄膜，该第一成膜气体包括构成薄膜的多个元素中的至少一个元素，并且可以仅自身沉积膜;以及第二膜形成气体，其包括元件中的至少一个其它元件，并且不能仅自身沉积膜; 从处理室形成基板，从而形成薄膜的步骤; 以及提供处理室的步骤和用于向第一成膜气体供应清洁气体的供应部分，允许清洁气体的供给流量，浓度和类型中的至少一种与清洁气体的供给流量，浓度和类型不同供应到供应部分中，并且去除附着在处理室中的第一沉积材料和附着在供应部分中的第二沉积材料，并且具有与第一沉积材料不同的化学组成。

2. 发明申请

WO2007108401A1 半導体装置の製造方法および基板処理装置审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法和基板处理装置
公开(公告)号：WO2007108401A1
公开(公告)日：2007-09-27
申请号：PCT/JP2007/055289
申请日：2007-03-15
申请人：株式会社日立国際電気 , 前田孝浩 , 前田喜世彦 , 尾崎貴志 , 吉野昭仁 , 越保信 , 浦野裕司
发明人：前田孝浩 , 前田喜世彦 , 尾崎貴志 , 吉野昭仁 , 越保信 , 浦野裕司
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/30 , C23C16/345 , C23C16/4405 , C23C16/45574 , C23C16/45578 , C23C16/52 , H01L21/3185
摘要：　異なるガス種の処理ガスを複数用いても基板上に良質な成膜特性を維持したまま高い生産性を実現する。　複数枚の基板を処理室内に搬入する工程と、第１の処理ガスの、処理室内に搬入された複数枚の基板が配置される領域外のガス流の上流側への供給と、第２の処理ガスの、処理室内に搬入された複数枚の基板が配置される領域外のガス流の上流側への供給と、第１の処理ガスの、処理室内に搬入された複数枚の基板が配置される領域内のガス流の途中箇所への供給と、処理室内で第１の処理ガスと第２の処理ガスとを反応させて非結晶体を形成し複数枚の基板の主面に薄膜を形成する工程と、薄膜を形成した後の基板を前記処理室より搬出する工程と、を有する。
摘要翻译：即使在使用多种不同类型的处理气体的情况下，也可以在基板上保持优异的成膜特性，从而实现高生产率。半导体器件制造方法具有将多个基板承载到处理室中的过程; 在第一工艺气体的上游设置有将第一工艺气体提供到除了被运送到处理室中的衬底的区域以外的区域中的一个步骤; 将第二处理气体供给到除了搬运到处理室内的基板的区域以外的区域中的气流的上游侧的工序; 将布置在处理室内的基板的区域内的气流的中间部分供给第一处理气体的工序; 通过使第一工艺气体与处理室中的第二工艺气体反应并形成非晶体，在衬底的主表面上形成薄膜的工艺; 以及从处理室在其上形成有薄膜的基板上进行基板的处理。

3. 发明申请

WO2005050725A1 半導体装置の製造方法及び基板処理装置审中-公开
标题翻译：制造半导体器件和衬底加工设备的方法
公开(公告)号：WO2005050725A1
公开(公告)日：2005-06-02
申请号：PCT/JP2004/017258
申请日：2004-11-19
申请人：株式会社日立国際電気 , 笠原修 , 前田喜世彦 , 米田秋彦
发明人：笠原修 , 前田喜世彦 , 米田秋彦
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01J37/32834 , C23C16/4401 , H01J2237/022 , H01L21/3185 , Y10S438/935
摘要： Disclosed is a method for producing a semiconductor device wherein particles can be effectively removed from a reaction chamber during the substrate carrying-in step and/or the substrate carrying-out step. In a step for carrying a wafer (200) in a reaction chamber (201) and/or a step for carrying the wafer (200) out from the chamber, air is discharged from the reaction chamber (201) at a higher rate than the air discharging rate during the processing step of wafer (200). During the wafer (200) carrying-in step and/or the wafer (200) carrying-out step, it is preferable to discharge air from the reaction chamber (201) while introducing an inert gas into the chamber.
摘要翻译：公开了一种用于制造半导体器件的方法，其中在衬底进入步骤和/或衬底执行步骤期间可以从反应室中有效地除去颗粒。在用于在反应室（201）中携带晶片（200）和/或用于将晶片（200）从室中输出的步骤的步骤中，空气以比所述反应室（201）更高的速率从反应室（201）排出在晶片（200）的处理步骤期间的排气速率。在晶片（200）携带步骤和/或晶片（200）进行步骤期间，优选在将惰性气体引入室内的同时从反应室（201）排出空气。

4. 发明申请

WO2005020309A1 半導体装置の製造方法および基板処理装置审中-公开
标题翻译：制造半导体器件和衬底加工设备的方法
公开(公告)号：WO2005020309A1
公开(公告)日：2005-03-03
申请号：PCT/JP2004/012214
申请日：2004-08-25
申请人：株式会社日立国際電気 , 尾崎貴志 , 湯浅和宏 , 前田喜世彦
发明人：尾崎貴志 , 湯浅和宏 , 前田喜世彦
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02238 , H01L21/0223 , H01L21/02255 , H01L21/31662 , H01L21/67109
摘要：　本発明の半導体装置の製造方法は、複数枚の基板１を処理室４内に搬入する工程と、処理室４内に搬入された複数枚の基板１よりも上流側から酸素含有ガスを供給する工程と、処理室４内に搬入された複数枚の基板１が存在する領域に対応する途中の少なくとも１箇所から水素含有ガスを供給する工程と、処理室４内で酸素含有ガスと水素含有ガスとを反応させて複数枚の基板１を酸化する工程と、処理後の基板１を処理室４より搬出する工程とを備えている。
摘要翻译：公开了一种半导体器件的制造方法，其包括在处理室（4）中承载多个基板（1）的步骤，从承载的基板（1）的上游侧供给含氧气体的步骤在处理室（4）中，从对应于在基板（1）被放置在处理室（4）的区域内的位置的至少一个位置供给含氢气体的步骤，通过在处理室（4）中使含氧气体与含氢气体反应，以及将由此处理过的基板（1）运送到处理室（4）之外的步骤（1）。

5. 发明申请

WO2008018545A1 基板処理装置及び半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：基板加工设备和半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2008018545A1
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：PCT/JP2007/065616
申请日：2007-08-09
申请人：株式会社日立国際電気 , 前田喜世彦 , 花島建夫 , 長内理尚
发明人：前田喜世彦 , 花島建夫 , 長内理尚
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/455 , H01L21/67126 , H01L21/68792 , Y10S438/914
摘要：基板処理装置は、基板を処理する反応容器と、前記反応容器の開口部側の一端に第１シール部材と第２シール部材とを介して当接することで前記反応容器の開口部を気密に閉塞するシールキャップと、前記反応容器に前記シールキャップが当接することで前記第１シール部材と前記第２シール部材との間の領域に形成される第１ガス流路と、前記シールキャップに設けられ前記第1ガス流路と前記反応容器内とを連通させる第２ガス流路と、前記反応容器に設けられ前記第1ガス流路に第1ガスを供給する第1ガス供給ポートと、前記反応容器に設けられ前記反応容器内に第２ガスを供給する第２ガス供給ポートと、を有し、前記第1ガス供給ポートの前記第1ガス流路との連通部にある先端開口と、前記第２ガス流路の前記第1ガス流路との連通部にある基端開口とが、前記反応容器に前記シールキャップが当接した状態において、互いに離れた位置にある。
摘要翻译：基板处理装置设置有用于处理基板的反应室; 密封帽，其通过第一密封构件和第二密封构件抵靠在开口部侧的反应室的一端，从而气密地密封反应室的开口部; 通过使所述密封盖抵靠所述反应室，形成在所述第一密封构件和所述第二密封构件之间的区域中的第一气体流路; 布置在所述密封帽上的第二气体流动通道，用于使所述第一气体流动通道与所述反应室的内部连通; 第一气体供给口，布置在反应室中，用于向第一气体流动通道供应第一气体; 以及第二气体供给口，其设置在所述反应室中，用于向所述反应室内部供应第二气体。在第一气体供给口与第一气体流路的连通部的前端开口部和与第一气体流路相连通的第二气体流路的连通部的基端开口部在密封帽与反应室抵接的状态下彼此分离的位置处。

6. 发明申请

WO2006049225A1 半導体装置の製造方法および基板処理装置审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法和基板处理装置
公开(公告)号：WO2006049225A1
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：PCT/JP2005/020239
申请日：2005-11-02
申请人：株式会社日立国際電気 , 尾崎貴志 , 笠原修 , 野田孝暁 , 前田喜世彦 , 森谷敦 , 坂本農
发明人：尾崎貴志 , 笠原修 , 野田孝暁 , 前田喜世彦 , 森谷敦 , 坂本農
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/54 , C23C16/4408 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02046 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/67017 , H01L21/67109
摘要：　基板への熱ダメージやサーマルバジェットの増大を防止しつつ基板と薄膜との間に低酸素・炭素密度で高品質な界面を形成する。　ウエハを反応炉内に搬入するステップと、反応炉内でウエハに対して前処理を行うステップと、反応炉内で前処理がなされたウエハに対して本処理を行うステップと、本処理後のウエハを反応炉より搬出するステップとを有し、前処理ステップ終了後、本処理開始までの間であって、少なくとも反応炉内を真空排気する際は、反応炉内に常に水素ガスを供給し続ける。
摘要翻译：在基板和薄膜之间以低氧/碳密度形成高质量界面，同时防止对基板的热损伤并增加热量预算。半导体器件制造方法具有将晶片搬入反应炉的步骤，对反应炉内的晶片进行预处理的步骤，对在反应炉中进行了预处理的晶片进行主要处理的步骤以及在主处理之后从反应炉进行晶片的步骤。在完成预处理和开始主处理之间的期间，至少在对反应炉进行抽真空时，将氢气不间断地连续地供给至反应炉。

7. 发明申请

WO2004075272A1 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：基板加工装置及其半导体装置的制造方法
公开(公告)号：WO2004075272A1
公开(公告)日：2004-09-02
申请号：PCT/JP2004/001996
申请日：2004-02-20
申请人：株式会社日立国際電気 , 尾崎貴志 , 谷山智志 , 宇波博志 , 前田喜世彦 , 森田慎也 , 高島義和 , 久門佐多雄
发明人：尾崎貴志 , 谷山智志 , 宇波博志 , 前田喜世彦 , 森田慎也 , 高島義和 , 久門佐多雄
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4409 , C23C16/4401 , C30B25/08
摘要： CVD装置はウエハ(1)を処理する反応炉(39)と、反応炉(39)を気密に閉塞するシールキャップ(20)と、シールキャップ(20)と対向するアイソレーションフランジ(42)と、シールキャップ(20)とアイソレーションフランジ(42)と反応炉(39)内の壁面とで形成される小部屋(43)と、小部屋(43)に第1ガスを供給する供給管(19b)と、小部屋(43)に設けられ第1のガスを反応炉(39)内に流出させる流出経路(42a)と、流出経路(42a)から下流側に設けられ反応炉(39)内に第2ガスを供給する供給管(19a)と、を有する。炉口部等の低温部へのNH 4 Cl等の副生成物の付着を防止でき、半導体デバイス製造の歩留まりを向上できる。
摘要翻译： CVD装置具有用于处理晶片（1）的反应炉（39）; 用于气密密封反应炉（39）的密封盖（20），与密封盖（20）相对的隔离凸缘（42）; 由密封帽（20），隔离凸缘（42）和反应室（39）中的壁表面形成的小室（43）; 用于将第一气体供给到小室（43）的进料管（19b）; 设置在所述小室（43）中并使所述第一气体流出到所述反应炉（39）中的流出通道（42a）; 以及设置在流出通道（42a）的下游侧并将第二气体供给到反应炉（39）中的进料管（19a）。在该装置中，可以防止诸如NH 4 Cl的副产物粘附到包括炉开口的低温部分，并且这增加了半导体器件生产的屈服百分比。

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