专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2006104072A1 熱処理装置及び基板の製造方法审中-公开
标题翻译：热处理装置和基板制造方法
公开(公告)号：WO2006104072A1
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：PCT/JP2006/306086
申请日：2006-03-27
申请人：株式会社日立国際電気 , 諸橋明 , 中嶋定夫 , 中村巌 , 山▲崎▼ 恵信 , 笹島亮太
发明人：諸橋明 , 中嶋定夫 , 中村巌 , 山▲崎▼ 恵信 , 笹島亮太
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/67109
摘要：高精度なプロセス処理および高い安全性を実現することができる熱処理装置及び基板の製造方法を提供する。熱処理装置１０は、基板を処理する反応管４２と、反応管４２を支持するマニホールド４４と、反応管４２の周囲に設けられ反応管４２内を加熱するヒータ４６とを有し、反応管４２とマニホールド４４は、連続した平面同士が接触することにより当接しており、反応管４２とマニホールド４４との当接部を外部から覆うようにカバー部材７２が設けられ、カバー部材７２には、カバー部材７２と反応管４２とマニホールド４４との間に形成される空間部７４に連通するガス供給ポート７６及び排気ポート７８の少なくとも一方が設けられている。
摘要翻译：提供了能够实现高精度处理和高安全性的热处理装置和基板制造方法。热处理装置（10）包括用于处理基板的反应饼（42），用于支撑反应管（42）的歧管（44）和布置在反应管（42）周围的加热器（46），以便加热反应管（42）的内部。反应管（42）通过连续平面的接触与歧管（44）邻接。反作用管（42）和歧管（44）之间的邻接部分被覆盖件（72）覆盖。盖构件（72）具有与盖构件（72），反应管（42）之间形成的空间（74）连通的气体供给口（76）和排气口（78）中的至少一个，歧管（44）。

2. 发明申请

WO2006030857A1 熱処理装置及び基板の製造方法审中-公开
标题翻译：热处理设备和基板制造方法
公开(公告)号：WO2006030857A1
公开(公告)日：2006-03-23
申请号：PCT/JP2005/017040
申请日：2005-09-15
申请人：株式会社日立国際電気 , 島田智晴 , 諸橋明 , 山▲崎▼ 恵信 , 横澤光治郎
发明人：島田智晴 , 諸橋明 , 山▲崎▼ 恵信 , 横澤光治郎
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/22 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/67109
摘要：ノズルを精度良くアダプタに設けてノズルが他の部品と干渉するのを防止すると共に、ノズルの熱膨張による破損のおそれを少なくすることができる熱処理装置を提供する。熱処理装置１０は、基板５４を処理する反応管４２と、この反応管４２を支持する石英製のアダプタ４４と、このアダプタ４４に接続され反応管４２内に処理ガスを供給するノズル６６と、反応管４２の外部に設けられ反応管４２内を加熱するヒータ４６とを有する。ノズル６６は反応管４２内部におけるアダプタ４４の上面に接続され、ノズル６６の少なくともアダプタ４４と接続される部分は石英製であり、その他の部分は炭化珪素製である。
摘要翻译：一种热处理设备，其中喷嘴精确地设置在适配器上以防止喷嘴干扰其它部件，并且可以减少由于喷嘴的热膨胀而导致的破裂的可能性。热处理装置（10）设有用于处理基板（54）的反应管（42），用于支撑反应管（42）的石英接头（44），连接到适配器（44）的喷嘴）和用于在反应管（42）内供给处理气体的加热器（46），以及设置在反应管（42）的外侧的加热器（46）。喷嘴（66）在反应管（42）中连接到适配器（44）的上平面，至少一部分是喷嘴（66）并与适配器（44）连接的部分由石英其他喷嘴部分由碳化硅制成。

3. 发明申请

WO2005069361A1 熱処理装置审中-公开
标题翻译：热处理装置
公开(公告)号：WO2005069361A1
公开(公告)日：2005-07-28
申请号：PCT/JP2005/000651
申请日：2005-01-20
申请人：株式会社日立国際電気 , 中村直人 , 中村巌 , 島田智晴 , 諸橋明 , 山▲崎▼ 恵信 , 中嶋定夫
发明人：中村直人 , 中村巌 , 島田智晴 , 諸橋明 , 山▲崎▼ 恵信 , 中嶋定夫
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67303 , H01L21/324 , H01L21/67309
摘要：支持具に支持される基板間のピッチを縮小し、処理枚数を増大させることができる熱処理装置を提供する。熱処理装置１０は、基板７２を処理する反応炉４０と、反応炉４０内で複数枚の基板７２を複数段に支持する支持具３０とを有する。この支持具３０は、基板７２と接触する複数の支持板５８と、この複数の支持板５８を支持する支持片６６とを有し、支持板５８と支持片６６が厚さ方向の少なくとも一部において重なるように構成される。
摘要翻译：一种热处理装置，其中由支撑体支撑的基板之间的间隔减小，使得可以增加待处理的基板的数量。热处理装置（10）具有用于处理基板（72）的反应炉（40）和用于在反应炉（40）中多级支撑基板（72）的支撑件（30）。支撑件（30）具有与用于支撑支撑板（58）的基板（72）和支撑构件（66）接触的支撑板（58）。支撑板（58）和支撑构件（66）在厚度方向的至少一部分上彼此叠置。

4. 发明申请

WO2007018142A1 基板処理装置、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：基板加工装置，加工基板的方法和制造半导体装置的方法
公开(公告)号：WO2007018142A1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：PCT/JP2006/315482
申请日：2006-08-04
申请人：株式会社日立国際電気 , 山▲崎▼ 恵信 , 中村巌 , 笹島亮太
发明人：山▲崎▼ 恵信 , 中村巌 , 笹島亮太
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/22 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67109
摘要： Disclosed is a substrate processing apparatus wherein the temperature in a reaction tube can be controlled accurately. Specifically disclosed is a substrate processing apparatus comprising a reaction tube (42) in which a substrate is processed, a heater (46) for heating the substrate in the reaction tube (42), a cooling air channel (72) for flowing a cooling air (70) along the outer side of the reaction tube (42), and a thermocouple (82) for detecting the temperature around the reaction tube (42). The thermocouple (82) is covered with a protective tube (86) and arranged within the cooling air channel (72) in which the cooling air (70) is circulated, and a cover member (88) is provided on the outside of protective tube (86) for blocking the flow of the cooling air (70) toward the protective tube (86).
摘要翻译：公开了一种基板处理装置，其中可以精确地控制反应管中的温度。具体公开了一种基板处理装置，包括：反应管（42），其中处理基板;加热器（46），用于加热反应管（42）中的基板;冷却空气通道（72），用于使冷却空气（70），以及用于检测反应管（42）周围的温度的热电偶（82）。热电偶（82）被保护管（86）覆盖，并布置在冷却空气（70）循环的冷却空气通道（72）内，并且在保护管的外侧设置盖构件（88）（86），用于阻止冷却空气（70）朝向保护管（86）的流动。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式