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1. 发明申请

WO2005069361A1 熱処理装置审中-公开
标题翻译：热处理装置
公开(公告)号：WO2005069361A1
公开(公告)日：2005-07-28
申请号：PCT/JP2005/000651
申请日：2005-01-20
申请人：株式会社日立国際電気 , 中村直人 , 中村巌 , 島田智晴 , 諸橋明 , 山▲崎▼ 恵信 , 中嶋定夫
发明人：中村直人 , 中村巌 , 島田智晴 , 諸橋明 , 山▲崎▼ 恵信 , 中嶋定夫
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67303 , H01L21/324 , H01L21/67309
摘要：支持具に支持される基板間のピッチを縮小し、処理枚数を増大させることができる熱処理装置を提供する。熱処理装置１０は、基板７２を処理する反応炉４０と、反応炉４０内で複数枚の基板７２を複数段に支持する支持具３０とを有する。この支持具３０は、基板７２と接触する複数の支持板５８と、この複数の支持板５８を支持する支持片６６とを有し、支持板５８と支持片６６が厚さ方向の少なくとも一部において重なるように構成される。
摘要翻译：一种热处理装置，其中由支撑体支撑的基板之间的间隔减小，使得可以增加待处理的基板的数量。热处理装置（10）具有用于处理基板（72）的反应炉（40）和用于在反应炉（40）中多级支撑基板（72）的支撑件（30）。支撑件（30）具有与用于支撑支撑板（58）的基板（72）和支撑构件（66）接触的支撑板（58）。支撑板（58）和支撑构件（66）在厚度方向的至少一部分上彼此叠置。

2. 发明申请

WO2005031843A1 熱処理装置及び基板の製造方法审中-公开
标题翻译：热处理装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2005031843A1
公开(公告)日：2005-04-07
申请号：PCT/JP2004/014071
申请日：2004-09-27
申请人：株式会社日立国際電気 , 中村巌 , 中村直人 , 中嶋定夫 , 笹島亮太
发明人：中村巌 , 中村直人 , 中嶋定夫 , 笹島亮太
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02164 , H01L21/31662 , H01L21/324
摘要：　本発明は、熱処理中に発生する基板の傷及びスリップ発生を少なくし、高品質な半導体装置や基板を製造することができる熱処理装置及び基板の製造方法を提供することを目的とする。基板７２を支持する支持具３０は、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）からなり、この支持具３０の少なくとも基板７２と接触する部分にはシリコン酸化膜７４が形成されている。シリコン酸化膜７４は、ＯＨ基が含まれ、シリコン酸化膜７４の粘性率を低くしてある。このシリコン酸化膜７４はＯＨ基を含まない雰囲気においてアニール処理が施され、ＯＨ基含有量が少ない薄い膜１０２が形成されるようにしてもよい。
摘要翻译：提供一种能够减少在热处理中可能发生的基板划痕和滑动并能够制造高品质的半导体器件和基板以及制造基板的方法的热处理装置。支撑衬底（72）的支撑工具（30）由碳化硅（SiC）制成。在支撑工具（30）至少与基板（72）接触的部分上形成氧化硅膜（74）。氧化硅膜（74）含有OH基，其粘度降低。在氧化硅膜（74）上，OH基团含量低的薄膜（102）可以通过在无OH基的气氛中退火而形成。

3. 发明申请

WO2005104204A1 熱処理装置审中-公开
标题翻译：热处理装置
公开(公告)号：WO2005104204A1
公开(公告)日：2005-11-03
申请号：PCT/JP2005/005101
申请日：2005-03-22
申请人：株式会社日立国際電気 , 中村巌 , 中村直人 , 中嶋定夫
发明人：中村巌 , 中村直人 , 中嶋定夫
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/67306 , H01L21/324 , H01L21/67109 , H01L21/67309
摘要：　【課題】突起による傷に起因するスリップと平滑にし過ぎるために発生する凝着力に起因するスリップとの両方の発生を防止する。　【解決手段】ウエハを熱処理する処理室と、処理室でウエハを支持するボートとを備えた熱処理装置において、ボートはウエハと接触するウエハホルダと、ウエハホルダを支持する本体部とを有し、ウエハホルダの直径がウエハの直径の６３～７３％であるとともに、ウエハホルダのウエハと接触する部分の表面粗さＲａが、１μｍ～１０００μｍに設定されている。ウエハの変位量が最小になるようにウエハを支持でき、また、その場合におけるウエハホルダの表面の突起による傷に起因するスリップと、ウエハホルダの表面を平滑にし過ぎた場合に発生する凝着力に起因するスリップとの両方を防止できる。
摘要翻译： [问题]为了防止由于突起而导致的滑动和由于过度平滑引起的粘附产生的滑动。解决问题的手段该热处理装置包括用于对晶片进行热处理的处理室和用于将晶片支撑在处理室中的舟皿。船还包括与晶片接触的晶片保持器和支撑晶片保持器的主体部分。晶片保持器的直径为晶片直径的63〜73％，与晶片接触的晶片保持器的部分的表面粗糙度Ra为1〜1000μm。可以支撑晶片以使得晶片的位移量可以最小化，并且在该状态下，由于晶片保持器表面上的突起的损坏而产生的滑动和由于当晶片保持器的表面上产生的粘附产生的滑动可以防止晶片保持器过度平滑。

4. 发明申请

WO2004030073A1 熱処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法审中-公开
标题翻译：热处理系统，制造半导体器件的工艺和生产衬底的工艺
公开(公告)号：WO2004030073A1
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：PCT/JP2003/012353
申请日：2003-09-26
申请人：株式会社日立国際電気 , 中村直人 , 中村巌 , 島田智晴 , 石黒謙一 , 中嶋定夫
发明人：中村直人 , 中村巌 , 島田智晴 , 石黒謙一 , 中嶋定夫
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67306 , H01L21/67098 , H01L21/67309
摘要：　熱処理中に発生する基板のスリップ転位欠陥発生を少なくし、高品質な半導体装置を製造することができる熱処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法を提供することを目的としている。　基板支持体３０は、本体部５６と支持部５８とから構成されている。本体部５６は、多数の載置部６６が平行に延び、この載置部６６に支持部５８が設けられている。この支持部５８に基板６８が載置される。支持部５８は、基板平坦面の面積よりも面積が小さく、前記基板の厚さよりも厚いシリコン製の板から構成されており、熱処理中の変形が小さくなるようにしてある。また、支持部５８は、シリコン製であり、支持部５８の基板載置面には炭化珪素（ＳｉＣ）がコーティングされた層が形成されている。
摘要翻译：热处理系统，半导体器件的制造工艺和制造基板的方法，其中可以通过减少在热处理期间在基板中发生的滑移位错缺陷来制造高质量的半导体器件。衬底支撑件（30）包括主体部分（56）和支撑部件（58）。主体部（56）具有大量平行延伸的安装部（66），支撑部（58）设置在安装部（66）上。基板（68）安装在支撑部件（58）上。每个支撑部分（58）由具有比基板的平面的面积小于衬底的面积的硅板制成，并且其热变形（58）在热处理期间保持减小。支撑部分（58）由硅组成，并且在支撑部分（58）的基板安装表面上形成碳化硅（SiC）涂覆层。

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