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1. 发明申请

WO2007108401A1 半導体装置の製造方法および基板処理装置审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法和基板处理装置
公开(公告)号：WO2007108401A1
公开(公告)日：2007-09-27
申请号：PCT/JP2007/055289
申请日：2007-03-15
申请人：株式会社日立国際電気 , 前田孝浩 , 前田喜世彦 , 尾崎貴志 , 吉野昭仁 , 越保信 , 浦野裕司
发明人：前田孝浩 , 前田喜世彦 , 尾崎貴志 , 吉野昭仁 , 越保信 , 浦野裕司
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/30 , C23C16/345 , C23C16/4405 , C23C16/45574 , C23C16/45578 , C23C16/52 , H01L21/3185
摘要：　異なるガス種の処理ガスを複数用いても基板上に良質な成膜特性を維持したまま高い生産性を実現する。　複数枚の基板を処理室内に搬入する工程と、第１の処理ガスの、処理室内に搬入された複数枚の基板が配置される領域外のガス流の上流側への供給と、第２の処理ガスの、処理室内に搬入された複数枚の基板が配置される領域外のガス流の上流側への供給と、第１の処理ガスの、処理室内に搬入された複数枚の基板が配置される領域内のガス流の途中箇所への供給と、処理室内で第１の処理ガスと第２の処理ガスとを反応させて非結晶体を形成し複数枚の基板の主面に薄膜を形成する工程と、薄膜を形成した後の基板を前記処理室より搬出する工程と、を有する。
摘要翻译：即使在使用多种不同类型的处理气体的情况下，也可以在基板上保持优异的成膜特性，从而实现高生产率。半导体器件制造方法具有将多个基板承载到处理室中的过程; 在第一工艺气体的上游设置有将第一工艺气体提供到除了被运送到处理室中的衬底的区域以外的区域中的一个步骤; 将第二处理气体供给到除了搬运到处理室内的基板的区域以外的区域中的气流的上游侧的工序; 将布置在处理室内的基板的区域内的气流的中间部分供给第一处理气体的工序; 通过使第一工艺气体与处理室中的第二工艺气体反应并形成非晶体，在衬底的主表面上形成薄膜的工艺; 以及从处理室在其上形成有薄膜的基板上进行基板的处理。

2. 发明申请

WO2007116768A1 半導体装置の製造方法及び基板処理装置审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法和基板处理装置
公开(公告)号：WO2007116768A1
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：PCT/JP2007/056499
申请日：2007-03-27
申请人：株式会社日立国際電気 , 中嶋定夫 , 前田孝浩 , 前田喜世彦 , 亀田賢治 , 高澤裕真
发明人：中嶋定夫 , 前田孝浩 , 前田喜世彦 , 亀田賢治 , 高澤裕真
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/4405 , B08B7/00
摘要：基板を処理室内に搬入する工程と、形成する薄膜を構成する複数の元素のうちの少なくとも１つの元素を含み、それ単独で膜を堆積させることのできる第１成膜ガス及び前記複数の元素のうちの他の少なくとも１つの元素を含み、それ単独では膜を堆積させることのできない第２成膜ガスを前記処理室内に供給し、基板上に薄膜を形成する工程と、薄膜形成後の基板を前記処理室内より搬出する工程と、前記処理室内および前記第１成膜ガスを供給する供給部内にクリーニングガスを供給するとともに、前記処理室内に供給するクリーニングガスと、前記供給部内に供給するクリーニングガスとの供給流量、濃度、及び種類の少なくともいずれか一つを異ならせて、前記処理室内に付着した第１堆積物、及び前記供給部内に付着し、第１堆積物と化学組成が異なる第２堆積物を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法。
摘要翻译：半导体器件制造方法具有将衬底运送到处理室中的步骤; 通过向处理室供应第一成膜气体，在第一成膜气体上形成薄膜，该第一成膜气体包括构成薄膜的多个元素中的至少一个元素，并且可以仅自身沉积膜;以及第二膜形成气体，其包括元件中的至少一个其它元件，并且不能仅自身沉积膜; 从处理室形成基板，从而形成薄膜的步骤; 以及提供处理室的步骤和用于向第一成膜气体供应清洁气体的供应部分，允许清洁气体的供给流量，浓度和类型中的至少一种与清洁气体的供给流量，浓度和类型不同供应到供应部分中，并且去除附着在处理室中的第一沉积材料和附着在供应部分中的第二沉积材料，并且具有与第一沉积材料不同的化学组成。

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