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    • 2. 发明申请
    • 光学部材およびその製造方法
    • 光学部件及其制造方法
    • WO2005096037A1
    • 2005-10-13
    • PCT/JP2005/006318
    • 2005-03-31
    • 日本ゼオン株式会社大見 忠弘棚橋 直樹林 昌彦
    • 大見 忠弘棚橋 直樹林 昌彦
    • G02B5/18
    • G02B1/118G02B5/008
    •  表面に微細構造を有し、かつ隣接する微細構造の間隔が50~1,000nmである基材の表層部に、該基材の内層部よりもフッ素原子含有量が多い相がある、光の回折現象を利用した光学部材。好ましくは、前記微細構造がモスアイ構造であり、また、前記基材の屈折率が1.4~1.9であり、前記微細構造が前記基材表面の法線方向に伸びる微細突起であり、かつ該突起はその先端に向かって細くなっている。この光学部材は、表面に微細構造を有し、かつ隣接する微細構造の間隔が50~1,000nmである基材の表面を、フッ素ガスを含有する雰囲気に曝す工程を含む方法によって製造される。
    • 在光学构件的表面上,在相邻的精细结构之间以50-1,000nm的间隔设置精细结构。 在表面层部分中,设置比基材的内层部分含有更多的氟原子的相,并且光学部件使用光的衍射现象。 优选的是,微细结构是蛾眼结构,基材的折射系数为1.4〜1.9,细结构是在基材表面的法线方向上延伸的微细的突出部, 前沿。 该光学部件是通过以下方法制造的:一种方法,该方法包括:在含有氟气体的气氛中,在相邻的精细结构之间以50-1,000nm的间隔在表面上具有微细结构的表面露出的方法 。
    • 8. 发明申请
    • 均熱装置および有機膜成膜装置
    • 热平衡器和有机膜成型设备
    • WO2009125497A1
    • 2009-10-15
    • PCT/JP2008/057205
    • 2008-04-11
    • 国立大学法人東北大学東芝三菱電機産業システム株式会社大見 忠弘北野 真史山蔭 久明山田 義人
    • 大見 忠弘北野 真史山蔭 久明山田 義人
    • C23C14/24C23C14/12
    • C23C14/243C23C14/12C23C14/228
    •  この均熱装置は、内部に作動流体が充填され、被加熱材料を加熱して気化させる加熱ブロック(1)を有する容器構造体と、容器構造体の底部に配置されている加熱手段(6)と、容器構造体の外側と内側とを連通する材料供給管(11)とを備える。加熱ブロック(1)には、被加熱材料が流動する流路としての、材料供給管(11)に接続され水平方向に延びる主ヘッダ管(12)と、主ヘッダ管(12)から分岐し上下方向へ延びる立上り管(14)とが形成されており、また、作動流体が冷却されて凝縮する凝縮路としての、立上り管(14)の両側に形成され水平方向に延びる凝縮孔(10)と、立上り管(14)の下側に形成された凝縮穴(16)とが形成されている。凝縮孔(10)と凝縮穴(16)との間に主ヘッダ管(12)が配置されている。
    • 一种热均衡器,其包括具有加热块(1)的容器结构,所述加热块能够加热待加热的材料并使其蒸发,加工工作流体; 设置在容器结构的底部上的加热装置(6) 以及实现容器结构的外部和内部之间的连通的材料供给管(11)。 加热块(1)设置有主集管(12),作为用于流动的流动通道,该流动通道连接到材料供应管(11)并且在水平方向上延伸并且具有提升管 (14),其从所述主集管(12)分支并在垂直方向上延伸。 此外,加热块设置有作为冷凝通道的冷凝孔(10),用于冷却和冷凝位于提升管(14)两侧的工作流体,并在水平方向上延伸并具有冷凝槽( 16)位于提升管(14)的下侧。 主集管(12)设置在冷凝孔(10)和冷凝槽(16)之间。
    • 10. 发明申请
    • 回転マグネットスパッタ装置
    • 旋转磁铁溅射装置
    • WO2009110404A1
    • 2009-09-11
    • PCT/JP2009/053815
    • 2009-03-02
    • 国立大学法人東北大学東京エレクトロン株式会社大見 忠弘後藤 哲也松岡 孝明
    • 大見 忠弘後藤 哲也松岡 孝明
    • C23C14/35C23C14/34H01L21/31
    • C23C14/35H01J37/3405H01J37/3447H01J37/3455H01J37/3497
    •  プラズマ遮蔽部材とグランドに接続された外壁とを備え、プラズマ遮蔽部材と外壁間に、直列共振回路、及び、並列共振回路を有する回転マグネットスパッタ装置が得られる。直列共振回路は、共振周波数においてのみ非常に低いインピーダンスを有し、並列共振回路は、共振周波数においてのみ非常に高いインピーダンスを有する。このような構造とすることにより、基板RF電力とプラズマ遮蔽部材との間のインピーダンスが非常に高くなり、被処理基板10とプラズマ遮蔽部材との間でのプラズマ発生を抑制することができる。また、ターゲットとグランドとの間は、直列共振回路が設けられているため、被処理基板がターゲットの下を通過する領域のみに効率よくRF電力が供給され、セルフバイアス電圧が発生する。
    • 旋转磁体溅射装置设置有等离子体阻挡构件和连接到地面的外壁,并且该装置在等离子体阻挡构件和外壁之间具有串联谐振电路和并联谐振电路。 串联谐振电路仅具有谐振频率的极低阻抗,并联谐振电路只有谐振频率具有极高的阻抗。 利用这种结构,衬底RF功率和等离子体阻挡构件之间的阻抗变得非常高,并且可以抑制待处理衬底(10)和等离子体阻挡构件之间的等离子体的产生。 由于串联谐振电路配置在目标和地之间,所以RF功率仅被有效地提供给基板通过目标以下的区域,并且产生自偏压。