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1. 发明申请

WO2006035512A1 データ再生装置、再生方法、データ圧縮装置及び圧縮方法审中-公开
标题翻译：数据再现装置，再现方法，数据压缩装置和压缩方法
公开(公告)号：WO2006035512A1
公开(公告)日：2006-04-06
申请号：PCT/JP2004/014675
申请日：2004-09-29
申请人：大見忠弘 , 小谷光司 , 竹内宏次 , 中山貴裕
发明人：大見忠弘 , 小谷光司 , 竹内宏次 , 中山貴裕
IPC分类号： H04N1/411
CPC分类号： H04N19/94
摘要：２×２のコードブックにおいて、すべてのとりうるパターンを考慮した上で、従来の技術には含まれていなかった、画像を構成するには重要な基本パターンを加えているので、画像種類に適応したコードブック作成を可能とし、その圧縮データから再生される画像の画質を向上させることができる。
摘要翻译：通过考虑2×2码本中的所有可能的图案，添加了用于构成传统技术中未包含的图像的重要基本图案。因此，可以创建适合于图像类型的码本，并且提高从压缩数据再现的图像的质量。

2. 发明申请

WO2005045913A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：WO2005045913A1
公开(公告)日：2005-05-19
申请号：PCT/JP2004/016252
申请日：2004-11-02
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 野沢俊久 , 森田治 , 湯浅珠樹 , 小谷光司
发明人：大見忠弘 , 野沢俊久 , 森田治 , 湯浅珠樹 , 小谷光司
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01J37/32192 , C23C16/4411 , C23C16/45572 , C23C16/511 , H01J37/3244 , H01J37/32724
摘要： Disclosed is a plasma processing apparatus wherein the efficiency in cooling a process gas supply unit is improved, thereby suppressing temperature rise in the process gas supply unit. In a plasma processing apparatus, a process gas supply unit (30) is arranged between a substrate (12) to be processed which is placed on a supporting stage (13) and a microwave antenna (25). The process gas supply unit (30) comprises a plurality of first opening portions (32) for passing a plasma generated in a processing vessel (11), a plurality of second opening portions (34A) communicated with a process gas channel (34), and a cooling medium channel (33) for flowing a cooling medium containing a mist. The cooling medium channel (33) may be connected with a cooling medium circulating system.
摘要翻译：公开了一种等离子体处理装置，其中提高了处理气体供应单元的冷却效率，从而抑制了处理气体供应单元中的温度升高。在等离子体处理装置中，处理气体供给部（30）配置在放置在支撑台（13）的被处理基板（12）和微波天线（25）之间。处理气体供给单元（30）包括用于使在处理容器（11）中产生的等离子体通过的多个第一开口部（32），与处理气体通道（34）连通的多个第二开口部（34A）以及用于使含有雾的冷却介质流动的冷却介质通道（33）。冷却介质通道（33）可以与冷却介质循环系统连接。

3. 发明申请

WO2003054962A1 相補型MIS装置审中-公开
标题翻译：补充MIS设备
公开(公告)号：WO2003054962A1
公开(公告)日：2003-07-03
申请号：PCT/JP2002/012925
申请日：2002-12-10
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 小谷光司 , 須川成利
发明人：大見忠弘 , 小谷光司 , 須川成利
IPC分类号： H01L27/092
CPC分类号： H01L29/045 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L29/66795 , H01L29/7851
摘要： A CMOS device comprises a structure formed on the (100) face of a silicon substrate and having another crystal face, and a p−channel MOS transistor and an n−channel MOS transistor each having a high−quality gate insulating film formed on the structure by microwave plasma processing and a gate electrode formed on the gate insulating film. The dimensions and shape of the structure are so set that the carrier mobility in the p−channel MOS transistor and that in the N−channel MOS transistor are balanced.
摘要翻译： CMOS器件包括形成在硅衬底的（100）面上并具有另一个晶面的结构，以及每个具有高质量栅极绝缘膜的ap沟道MOS晶体管和n沟道MOS晶体管，该栅极绝缘膜通过微波等离子体处理和形成在栅极绝缘膜上的栅电极。结构的尺寸和形状被设定为使p沟道MOS晶体管和N沟道MOS晶体管中的载流子迁移率平衡。

4. 发明申请

WO2003071687A1 データ処理装置审中-公开
标题翻译：数据处理设备
公开(公告)号：WO2003071687A1
公开(公告)日：2003-08-28
申请号：PCT/JP2003/001629
申请日：2003-02-17
申请人：大見忠弘 , 望月健司 , 小谷光司
发明人：大見忠弘 , 望月健司 , 小谷光司
IPC分类号： H03M7/30
CPC分类号： G06K9/6202 , H03M7/30 , H03M7/3082 , H03M7/3084 , H04N19/94
摘要： Data compression using vector quantization is performed at a high speed by using hardware. Among a plurality of template patterns, a template pattern most similar to the input pattern is searched. For this, a template pattern calculating similarity by using feature amounts of the input pattern and the template pattern is selected. When calculating the similarity between the selected template pattern and the input pattern, the calculation is performed by a bit serial way so as to reduce the number of templates requiring matching by a pattern matching processing in the vector quantization and reduce the number of cycles required for calculation of the matching, thereby executing the data compression using the vector quantization at a high speed.
摘要翻译：使用硬件进行高速数据压缩。在多个模板图案中，搜索与输入图案最相似的模板图案。为此，选择通过使用输入图案的特征量和模板图案来计算相似度的模板图案。当计算所选择的模板模式和输入模式之间的相似度时，通过比特串行方式执行计算，以便通过矢量量化中的模式匹配处理来减少需要匹配的模板数量，并减少所需模块所需的周期数进行匹配的计算，从而以高速度执行矢量量化的数据压缩。

5. 发明申请

WO2004081872A1 データ分析装置およびデータ認識装置审中-公开
标题翻译：数据分析装置和数据识别装置
公开(公告)号：WO2004081872A1
公开(公告)日：2004-09-23
申请号：PCT/JP2004/002526
申请日：2004-03-02
申请人：大見忠弘 , 小谷光司 , 李菲菲
发明人：大見忠弘 , 小谷光司 , 李菲菲
IPC分类号： G06T7/00
CPC分类号： G06K9/52 , G06K9/00275 , G06T7/37 , G06T2207/30201
摘要：データ分析装置１００は、画像に対して、画像上の任意の一点と第一の方向における前記任意の一点の近傍の点との輝度値の差分を前記任意の一点の第一の輝度差分とし、前記任意の一点と第二の方向における前記任意の一点の近傍の点との輝度値の差分を前記任意の一点の第二の輝度差分とする計算を、前記画像上の複数点について行う差分計算手段（Ｓ２）と、上記差分計算手段により前記画像上の複数点の各々について得られた第一の輝度差分と第二の輝度差分で構成されるベクトルを所定の領域分割方法により分割された複数領域（図４の量子化テーブルの指数０～４９にて表わされる領域）の一領域に量子化し、前記複数領域の各領域に量子化されたベクトル数をその領域の頻度として、前記複数領域の頻度分布を生成する頻度分布生成手段（Ｓ３～Ｓ５）とを備える。
摘要翻译：数据分析装置包括差分计算装置（S2）和频率分布生成装置（S3至S5）。差分计算装置（S2）计算图像上的任意点与位于第一方向和任意点附近的点之间的亮度差作为第一亮度差，并且计算亮度值的差任意点和位于第二方向上且位于任意点附近的点作为第二亮度差。对图像上的多个点执行该计算。频率分布产生装置（S3至S5）将由图像上的多个点的差分计算装置获得的第一亮度差和第二亮度差组成的矢量量化为多个区域的单个区域（由图4中的量化表的索引0到49所示的区域）除以预定的区域划分方法，并且通过使用为多个区域中的每一个量化的矢量的数量作为频率来生成多个区域的频率分布的区域。

6. 发明申请

WO2009125497A1 均熱装置および有機膜成膜装置审中-公开
标题翻译：热平衡器和有机膜成型设备
公开(公告)号：WO2009125497A1
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：PCT/JP2008/057205
申请日：2008-04-11
申请人：国立大学法人東北大学 , 東芝三菱電機産業システム株式会社 , 大見忠弘 , 北野真史 , 山蔭久明 , 山田義人
发明人：大見忠弘 , 北野真史 , 山蔭久明 , 山田義人
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/12
CPC分类号： C23C14/243 , C23C14/12 , C23C14/228
摘要：　この均熱装置は、内部に作動流体が充填され、被加熱材料を加熱して気化させる加熱ブロック（１）を有する容器構造体と、容器構造体の底部に配置されている加熱手段（６）と、容器構造体の外側と内側とを連通する材料供給管（１１）とを備える。加熱ブロック（１）には、被加熱材料が流動する流路としての、材料供給管（１１）に接続され水平方向に延びる主ヘッダ管（１２）と、主ヘッダ管（１２）から分岐し上下方向へ延びる立上り管（１４）とが形成されており、また、作動流体が冷却されて凝縮する凝縮路としての、立上り管（１４）の両側に形成され水平方向に延びる凝縮孔（１０）と、立上り管（１４）の下側に形成された凝縮穴（１６）とが形成されている。凝縮孔（１０）と凝縮穴（１６）との間に主ヘッダ管（１２）が配置されている。
摘要翻译：一种热均衡器，其包括具有加热块（1）的容器结构，所述加热块能够加热待加热的材料并使其蒸发，加工工作流体; 设置在容器结构的底部上的加热装置（6）以及实现容器结构的外部和内部之间的连通的材料供给管（11）。加热块（1）设置有主集管（12），作为用于流动的流动通道，该流动通道连接到材料供应管（11）并且在水平方向上延伸并且具有提升管（14），其从所述主集管（12）分支并在垂直方向上延伸。此外，加热块设置有作为冷凝通道的冷凝孔（10），用于冷却和冷凝位于提升管（14）两侧的工作流体，并在水平方向上延伸并具有冷凝槽（ 16）位于提升管（14）的下侧。主集管（12）设置在冷凝孔（10）和冷凝槽（16）之间。

7. 发明申请

WO2009110409A1 太陽電池审中-公开
标题翻译：太阳能电池
公开(公告)号：WO2009110409A1
公开(公告)日：2009-09-11
申请号：PCT/JP2009/053823
申请日：2009-03-02
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , シャープ株式会社 , 三洋電機株式会社 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 田中宏治 , 佐野雄一 , 井上広匡
发明人：大見忠弘 , 後藤哲也 , 田中宏治 , 佐野雄一 , 井上広匡
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/022425 , Y02E10/50
摘要：　発電層と電極との間に、仕事関数の低い下地金属層を設けて、発電層と電極との間のコンタクト抵抗を低減することによって、太陽電池又は光電変換素子の変換効率を改善することができた。
摘要翻译：通过在发电层和电极之间设置功函数低的贱金属层，可以改善太阳能电池或光电转换器的转换效率，从而降低发电层与电极之间的接触电阻。

8. 发明申请

WO2009110404A1 回転マグネットスパッタ装置审中-公开
标题翻译：旋转磁铁溅射装置
公开(公告)号：WO2009110404A1
公开(公告)日：2009-09-11
申请号：PCT/JP2009/053815
申请日：2009-03-02
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明
发明人：大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/34 , H01L21/31
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3447 , H01J37/3455 , H01J37/3497
摘要：　プラズマ遮蔽部材とグランドに接続された外壁とを備え、プラズマ遮蔽部材と外壁間に、直列共振回路、及び、並列共振回路を有する回転マグネットスパッタ装置が得られる。直列共振回路は、共振周波数においてのみ非常に低いインピーダンスを有し、並列共振回路は、共振周波数においてのみ非常に高いインピーダンスを有する。このような構造とすることにより、基板ＲＦ電力とプラズマ遮蔽部材との間のインピーダンスが非常に高くなり、被処理基板１０とプラズマ遮蔽部材との間でのプラズマ発生を抑制することができる。また、ターゲットとグランドとの間は、直列共振回路が設けられているため、被処理基板がターゲットの下を通過する領域のみに効率よくＲＦ電力が供給され、セルフバイアス電圧が発生する。
摘要翻译：旋转磁体溅射装置设置有等离子体阻挡构件和连接到地面的外壁，并且该装置在等离子体阻挡构件和外壁之间具有串联谐振电路和并联谐振电路。串联谐振电路仅具有谐振频率的极低阻抗，并联谐振电路只有谐振频率具有极高的阻抗。利用这种结构，衬底RF功率和等离子体阻挡构件之间的阻抗变得非常高，并且可以抑制待处理衬底（10）和等离子体阻挡构件之间的等离子体的产生。由于串联谐振电路配置在目标和地之间，所以RF功率仅被有效地提供给基板通过目标以下的区域，并且产生自偏压。

9. 发明申请

WO2009044917A1 半導体基板および半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体衬底和半导体器件
公开(公告)号：WO2009044917A1
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：PCT/JP2008/068183
申请日：2008-10-06
申请人：国立大学法人東北大学 , 信越半導体株式会社 , 大見忠弘 , 寺本章伸 , 諏訪智之 , 黒田理人 , 工藤秀雄 , 速水善範
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 諏訪智之 , 黒田理人 , 工藤秀雄 , 速水善範
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/045 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L29/78
摘要：　半導体基板表面に原子ステップで段状とされた複数のテラスを実質的に同一方向に形成する。さらにこの半導体基板を使用し、キャリア走行方向（ソース－ドレイン方向）にステップが存在しないようにＭＯＳトランジスタを形成する。
摘要翻译：通过原子台阶形成的多个台阶基本上在半导体衬底表面上沿相同的方向形成。此外，通过使用半导体衬底，以在载体行进方向（源极 - 漏极方向）上不存在台阶的方式形成MOS晶体管。

10. 发明申请

WO2008050567A1 ガス放出孔部材を一体焼結したシャワープレートおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：用气体释放孔组件烧结的淋浴板及其制造方法
公开(公告)号：WO2008050567A1
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：PCT/JP2007/068613
申请日：2007-09-26
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 桶作正広 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明 , 野沢俊久 , 井ノ口敦智 , 石橋清隆
发明人：桶作正広 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明 , 野沢俊久 , 井ノ口敦智 , 石橋清隆
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/45565 , C23C16/45568 , H01J37/32192 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/3255
摘要：　プラズマの逆流防止のためにシャワープレートの縦孔内に配置されるガス放出孔部材（セラミックス部材あるいは多孔質ガス流通体）が隙間無く一体的に焼結結合され、シャワープレートの使用時に縦孔から脱落することがなく、また各縦孔からのガス放出量のバラツキがなく、プラズマの逆流の発生をより完全に防止でき、効率の良いプラズマ励起が可能なシャワープレートを提供する。プラズマ処理装置の処理室１０２に配置され、処理室１０２にプラズマを発生させるためにプラズマ励起用ガスを放出するシャワープレート１０５において、プラズマ励起用ガスの放出経路となる多数個の縦孔１０５内に、孔径が２０μｍ乃至７０μｍのガス放出孔を複数個有するセラミックス部材、および／または最大気孔径が７５μｍ以下のガス流通方向に連通した気孔を有する多孔質ガス流通体を一体的に焼結結合して配置した。
摘要翻译：本发明提供了一种喷淋板，其包括通过一体烧结而没有任何空间结合的气体释放孔构件（陶瓷构件或多孔气体流动体），用于等离子体回流防止目的在淋浴板的垂直孔内。上述结构的优点在于，在淋浴板使用期间气体释放构件不从垂直孔脱落，从每个垂直孔释放的气体量没有变化，等离子体的反向流动可以更完全可以实现高效率的等离子体激发。喷淋板（105）设置在等离子体处理装置的处理室（102）中，等离子体激发气体释放到用于产生等离子体的处理室（102）中。具有多个直径为20μm至70μm的气体释放孔的陶瓷构件和/或具有气体流动方向上彼此连通的最大直径不大于75μm的孔的多孔气体流动体是通过与作为等离子体激发气体的释放路径的多个垂直孔（105）中的每一个的内部一体地烧结而结合。

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