专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2017117221A1 NON-METALLIC THERMAL CVD/ALD GAS INJECTOR AND PURGE SYSTEM 审中-公开
标题翻译：非金属热CVD / ALD气体喷射器和清洗系统
公开(公告)号：WO2017117221A1
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：PCT/US2016/068875
申请日：2016-12-28
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： POLYAK, Alexander S. , YUDOVSKY, Joseph
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/67
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/4401 , C23C16/4408 , C23C16/45551 , C23C16/45563 , C23C16/45572 , C23C16/463 , H01L21/0262
摘要： Gas distribution assemblies and processing chambers using same are described. The gas distribution assemblies comprise a cooling plate with a quartz puck, a plurality of reactive gas sectors and a plurality of purge gas sectors suspended therefrom. The reactive gas sectors and purge gas sectors having a coaxial gas inlet with inner tubes and outer tubes, the inner tubes and outer tubes in fluid communication with different gas or vacuum ports in the front faces of the sectors. The sectors may be suspended from the cooling plate by a plurality of suspension rods comprising a metal rod body with an enlarged lower end positioned within a quartz frame with a silicon washer around the enlarged lower end.
摘要翻译：描述了气体分配组件和使用其的处理室。气体分配组件包括具有石英圆盘的冷却板，多个反应气体区段和从其悬置的多个吹扫气区段。反应性气体部分和吹扫气体部分具有带有内管和外管的同轴气体入口，内管和外管与部分前表面中的不同气体或真空端口流体连通。这些扇区可以通过多个悬挂杆悬挂在冷却板上，所述悬挂杆包括金属杆体，其中放大的下端放置在石英框架内，并且在扩大的下端周围具有硅垫圈。

2. 发明申请

WO2016067379A1 成膜装置へのガス噴射装置审中-公开
标题翻译：将气体注入薄膜形成装置的装置
公开(公告)号：WO2016067379A1
公开(公告)日：2016-05-06
申请号：PCT/JP2014/078722
申请日：2014-10-29
申请人：東芝三菱電機産業システム株式会社
发明人：田畑　要一郎 , 渡辺　謙資 , 西村　真一
IPC分类号： C23C16/455 , B01J4/00 , C23C16/503 , H01L21/31 , H05H1/24
CPC分类号： C23C16/45561 , B01J4/00 , C23C16/045 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/4551 , C23C16/45559 , C23C16/45563 , C23C16/4557 , C23C16/45572 , C23C16/45582 , C23C16/503 , C23C16/513 , H01L21/31 , H05H1/24
摘要：　本発明は、高アスペクト比である溝を有する被処理体においても、当該溝内に、ガスを均等に噴射できる、成膜装置へのガス噴射装置を提供する。本発明に係るガス噴射装置（１００）は、ガスを整流化し、整流化されたガスを成膜装置（２００）内に噴射するガス噴射セル部（２３）とを、備えている。ガス噴射セル部（２３）は、内部にガス通路となる隙間（ｄ０）が形成された、扇型形状である。ガス分散供給部（９９）内のガスは、扇型形状の幅の広い側から、隙間（ｄ０）内に流入し、当該扇型形状に起因して、ガスは整流化および加速され、扇型形状の幅の狭い側から、成膜装置（２００）内に出力される。
摘要翻译：本发明提供了一种用于将气体注入成膜装置的装置，该气体注入装置即使当待加工物体具有高纵横比的槽时，也可以将气体均匀地注入槽中。本发明的气体注入装置（100）设置有用于对气体进行整流并将整流气体注入成膜装置（200）的气体注入单元部（23）。气体注入单元部分（23）具有形成有间隙（d0）的扇形，用作气体通道。气体色散供给部（99）中的气体通过扇形宽度宽的一侧流入间隙（d0），由于扇形而整流加速后输出到成膜装置（200）通过扇形形状的较窄宽度侧。

3. 发明申请

WO2012169332A1 シャワープレートの製造方法、シャワープレートおよびこれを用いた気相成長装置审中-公开
标题翻译：淋浴板制造方法，淋浴板和蒸汽相生长装置
公开(公告)号：WO2012169332A1
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：PCT/JP2012/062755
申请日：2012-05-18
申请人：シャープ株式会社 , 坪井俊樹
发明人：坪井　俊樹
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45517 , C23C16/45572
摘要：　気相成長装置（１００）に用いるシャワープレート（１１３）の製造方法は、第一構成部材（１０３１）および第二構成部材（１０３２）のそれぞれにザグリ段差部分（１０３１ｂ，１０３２ｂ）を有する貫通孔（１０３１ａ，１０３２ａ）を設ける工程と、ザグリ段差部分（１０３１ｂ）にガス吐出パイプ（１０３３）の一端を差し込む工程と、ガス吐出パイプの他端が第二構成部材から突出するように、貫通孔（１０３２ａ）にガス吐出パイプを差し込む工程と、ザグリ段差部分（１０３１ｂ）およびガス吐出パイプ同士を溶接する工程と、ザグリ段差部分（１０３２ｂ）およびガス吐出パイプ同士を溶接する工程と、第一構成部材（１０３１）および第二構成部材（１０３２）同士を溶接する工程とを備える。シャワープレート（１１３）は、気相成長装置の大型化に対応でき、均一な膜厚および均一な組成比を有する良質な半導体デバイスを製造することに寄与する。
摘要翻译：用于制造用于气相生长装置（100）的喷淋板（113）的方法包括：分别在其上形成具有点对台阶部（1031b，1032b）的通孔（1031a，1032a）第一构成构件（1031）和第二构成构件（1032）; 气体排出管（1033）的一端插入到点状台阶部（1031b）中的步骤。气体排出管插入到通孔（1032a）中以使得排气管的另一端从第二构成构件突出的步骤; 将点状台阶部（1031b）和气体排出管焊接在一起的步骤; 将点状台阶部（1032b）和气体排出管焊接在一起的步骤; 以及将第一构成构件（1031）和第二构成构件（1032）焊接在一起的工序。淋浴板（113）能够处理较大的气相生长装置，有助于制造具有均匀膜厚和均匀分量比的优异的半导体器件。

4. 发明申请

WO2012008440A1 成膜装置审中-公开
标题翻译：电影制作装置
公开(公告)号：WO2012008440A1
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：PCT/JP2011/065870
申请日：2011-07-12
申请人：株式会社アルバック , 鈴木康正 , 木村賢治 , 塚越和也 , 影山貴志
发明人：鈴木　康正 , 木村　賢治 , 塚越　和也 , 影山　貴志
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45572 , C23C16/303 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/463 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要：　原料ガスと反応ガスとを混合させずに従来技術より効果的に冷却して真空槽内に放出できる成膜装置を提供する。　第一面２０ａが真空槽１１内に露出された放出板２１には、放出板２１を貫通する複数の原料ガス導入孔２７ａと反応ガス導入孔２７ｂが形成されている。放出板２１の第一面２０ａとは反対側の第二面２０ｂには、原料ガス用導入孔２７ａが底面に位置する複数本の溝が形成され、第二面２０ｂ上には溝を塞ぐ天板２３が配置され、天板２３に形成された原料ガス用貫通孔と原料ガス用導入孔２７ａは第一の補助配管で接続されている。第一の補助配管を流れる原料ガスと反応ガス用導入孔２７ｂを流れる反応ガスは、各溝と天板２３とで囲まれた各溝内空間にそれぞれ個別に流される冷却媒体により冷却され、原料ガス用開口２８ａと反応ガス用開口２８ｂから真空槽１１内に放出される。
摘要翻译：提供一种成膜装置，其能够在不混合气体的情况下，与现有技术相比更有效地冷却气体，能够将原料气体和反应气体排出到真空槽内部。在具有暴露在真空槽（11）中的第一面（20a）的排出板（21）中，形成有多个原料气体导入口（27a）和多个反应气体导入口（27b）原料气体导入口和反应气体导入口穿透排放板（21）。在排出板（21）的第二表面（20b）中，所述第二表面位于第一表面（20a）的相反侧，形成多个槽，所述槽具有原料气体导入口（27a）位于所述底面上的覆盖所述槽的顶板（23）形成在所述第二面（20b）上，所述通孔形成在所述顶板（23）中，所述通孔形成在所述顶板（23）中，原料气体导入口（27a）使用第一辅助配管彼此连接。在第一辅助管道中流动的原料气体和在反应气体导入口（27b）中流动的反应气体被分别流通在由每个槽和顶板（23）包围的每个槽空间中的冷却介质），从原料气体的开口（28a）和反应气体的开口（28b）排出到真空槽（11）的内部。

5. 发明申请

WO2011136077A1 気相成長装置、気相成長方法、および半導体素子の製造方法审中-公开
标题翻译：蒸气沉积装置，蒸发沉积方法和半导体元件制造方法
公开(公告)号：WO2011136077A1
公开(公告)日：2011-11-03
申请号：PCT/JP2011/059581
申请日：2011-04-19
申请人：シャープ株式会社 , 足立雄介 , 坂上英和
发明人：足立　雄介 , 坂上　英和
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/02538 , C23C16/301 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , C23C16/45574 , C30B25/14 , C30B29/40 , H01L21/02579 , H01L21/0262
摘要：　この気相成長方法においては、Ｖ族原料ガス導入配管４２の内径（Ｗ１）をＩＩＩ族原料ガス導入配管（４４）の外径（Ｗ２）より大きくし、Ｖ族原料ガス導入配管（４２）の内部に、ＩＩＩ族原料ガス導入配管（４４）が１対１で挿入されている構造とすることで、ＩＩＩ族原料ガス導入配管（４４）が冷却機構から冷却されることを防ぎ、配管壁面への金属材料の凝固を抑制している。これにより、凝固しやすい金属材料をシャワーヘッドや配管の壁面に付着させることなく効果的に反応炉へ導入し、効果的なドーピングを行うことのできる気相成長装置、気相成長方法、および半導体素子の製造方法を提供することが可能となる。
摘要翻译：在所公开的气相沉积方法中，通过使用V族源气体导入管（42）的内径（W1）大于III族源气体导入配管（44）的外径（W2）的结构，），III族原料气体导入配管（44）一体一体地插入V族气体导入配管（42）的内部，从而能够防止III族源气体配管（44）不被冷却机构冷却，从而可以减轻金属材料在管壁表面的硬化。因此，可以提供一种气相沉积装置，气相沉积法和半导体元件制造方法，其能够将容易固化的金属材料有效地引入反应器中，而不会使金属材料附着在喷头或管道上，并且进行有效的掺杂。

6. 发明申请

WO2011044451A2 MULTI-GAS CENTRALLY COOLED SHOWERHEAD DESIGN 审中-公开
标题翻译：多气体中央冷却式喷头设计
公开(公告)号：WO2011044451A2
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：PCT/US2010/051961
申请日：2010-10-08
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , SONG, Eddy , ISHIKAWA, Tetsuya
发明人： SONG, Eddy , ISHIKAWA, Tetsuya
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67115 , B05B1/18 , C23C16/4411 , C23C16/455 , C23C16/45514 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , C23C16/45574 , C23C16/45576 , C30B25/14 , C30B29/403 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要： A method and apparatus for chemical vapor deposition and/or hydride vapor phase epitaxial deposition are provided. The apparatus generally include a lower bottom plate and an upper bottom plate defining a first plenum. The upper bottom plate and a mid-plate positioned above the upper bottom plate define a heat exchanging channel. The mid-plate and a top plate positioned above the mid-plate define a second plenum. A plurality of gas conduits extend from the second plenum through the heat exchanging channel and the first plenum. The method generally includes flowing a first gas through a first plenum into a processing region, and flowing a second gas through a second plenum into a processing region. A heat exchanging fluid is introduced to a heat exchanging channel disposed between the first plenum and the second plenum. The first gas and the second gas are then reacted to form a film on a substrate.
摘要翻译：提供了用于化学气相沉积和/或氢化物气相外延沉积的方法和设备。该设备通常包括限定第一充气室的下底板和上底板。上底板和位于上底板上方的中板限定了热交换通道。位于中间板上方的中板和顶板限定第二充气室。多个气体管道从第二充气室延伸穿过热交换通道和第一充气室。该方法通常包括使第一气体流过第一气室进入处理区域，以及使第二气体流过第二气室进入处理区域。热交换流体被引入设置在第一充气室和第二充气室之间的热交换通道。第一种气体和第二种气体然后反应以在基底上形成膜。

7. 发明申请

WO2011017222A2 METHOD AND APPARATUS FOR DRY CLEANING A COOLED SHOWERHEAD 审中-公开
标题翻译：干燥清洗冷却水的方法和装置
公开(公告)号：WO2011017222A2
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：PCT/US2010043940
申请日：2010-07-30
申请人： APPLIED MATERIALS INC , GRIFFIN KEVIN , KRYLIOUK OLGA , SU JIE
发明人： GRIFFIN KEVIN , KRYLIOUK OLGA , SU JIE
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4405 , C23C16/45572
摘要： The present invention generally provides a method and apparatus for cleaning a showerhead of a deposition chamber, such as a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) chamber. In one embodiment, the showerhead is cleaned without exposing the chamber to the atmosphere outside of the chamber (i.e., in situ cleaning). In one embodiment, flow of liquid coolant through a cooling system that is in fluid communication with the showerhead is redirected to bypass the showerhead, and the liquid coolant is drained from the showerhead. In one embodiment, any remaining coolant is flushed from the showerhead via a pressurized gas source. In one embodiment, the showerhead is then heated to an appropriate cleaning temperature. In one embodiment, the flow of liquid coolant from the cooling system is then redirected to the showerhead and the system is adjusted for continued processing. Thus, the entire showerhead cleaning process is performed with minimal change to the flow of coolant through the cooling system.
摘要翻译：本发明总体上提供了一种用于清洁诸如金属有机化学气相沉积（MOCVD）室的沉积室的喷头的方法和装置。在一个实施例中，清洁喷头而不将室暴露于室外的大气（即，原位清洁）。在一个实施例中，通过与喷头流体连通的冷却系统的液体冷却剂的流动被重定向以绕过喷头，并且液体冷却剂从喷头排出。在一个实施例中，任何剩余的冷却剂经由加压气体源从喷头冲洗。在一个实施例中，然后将喷头加热到适当的清洁温度。在一个实施例中，来自冷却系统的液体冷却剂的流动然后被重定向到喷头，并且系统被调节以用于继续处理。因此，通过冷却系统的冷却剂流动的最小变化来执行整个喷头清洁过程。

8. 发明申请

WO2008067379A2 SYSTEM AND METHOD FOR DEPOSITING A GASEOUS MIXTURE ONTO A SUBSTRATE SURFACE USING A SHOWERHEAD APPARATUS 审中-公开
标题翻译：使用淋浴器将气体混合物沉积在基底表面上的系统和方法
公开(公告)号：WO2008067379A2
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：PCT/US2007/085763
申请日：2007-11-28
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , BOUR, David , WASHINGTON, Lori , NIJHAWAN, Sandeep , STEVENS, Ronald , SMITH, Jacob , TAM, Alexander , MYO, Nyi O. , PARK, Steve , TWIST, Rosemary , KWONG, Garry , SU, Jie
发明人： BOUR, David , WASHINGTON, Lori , NIJHAWAN, Sandeep , STEVENS, Ronald , SMITH, Jacob , TAM, Alexander , MYO, Nyi O. , PARK, Steve , TWIST, Rosemary , KWONG, Garry , SU, Jie
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45514 , C23C16/45572 , C23C16/45574
摘要： A gaseous mixture is deposited onto a substrate surface using a showerhead. A first plenum of the showerhead has a plurality of channels fluidicly coupled with an interior of a processing chamber. A second plenum gas flows through a plurality of tubes extending from a second plenum of the showerhead through the channels into the interior of the processing chamber. The diameter of the tubes is smaller than the diameter of the channels such that a first plenum gas flows into the interior of the processing chamber through a space defined between the outer surface of the tubes and the surface of the channels. The length and diameter of the tubes determine the level of distribution and the molar ratio of the first gas and the second gas in the gaseous mixture that is deposited on the surface of the substrate.
摘要翻译：使用喷头将气体混合物沉积到基底表面上。喷头的第一增压室具有与处理室的内部流体耦合的多个通道。第二增压气体流过从喷头的第二增压室通过通道延伸到处理室内部的多个管。管的直径小于通道的直径，使得第一增压气体通过限定在管的外表面和通道表面之间的空间流入处理室的内部。管的长度和直径确定沉积在基底表面上的气态混合物中的分布水平和第一气体与第二气体的摩尔比。

9. 发明申请

WO2008062730A1 酸化物薄膜を被膜したプラスチック容器の製造方法审中-公开
标题翻译：生产含氧化物薄膜的塑料容器的工艺
公开(公告)号：WO2008062730A1
公开(公告)日：2008-05-29
申请号：PCT/JP2007/072296
申请日：2007-11-16
申请人：麒麟麦酒株式会社 , 中谷正樹
发明人：中谷正樹
IPC分类号： B65D1/00 , B65D23/02 , B65D23/08 , C23C16/40 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/45572 , C23C16/045 , C23C16/45578 , C23C16/46
摘要：本発明の目的は、ガスバリア薄膜コーティングプラスチック容器の製造方法において、低価格な原料を使用し、安全かつ高速でガスバリア性を有する薄膜を成膜することが可能であって、高価な機材を必要としない製造装置で稼動しうる安価な製法を提供することである。本発明の製造方法は、プラスチック容器１１を収容した真空チャンバ６の内部を大気圧以下の所定圧力とする工程と、真空チャンバの内部に配置されているワイヤー１８に通電して所定温度以上に発熱させてホットワイヤーとする工程と、真空チャンバの内部に供給された、ケイ素若しくは金属元素を構成元素として含む非自然発火性原料及びオゾンガスを、ホットワイヤーで加熱し、その後、プラスチック容器の内表面又は外表面の少なくともいずれか一方に接触させて、非自然発火性原料由来の酸化物薄膜を形成させる工程と、を有する。
摘要翻译：制造涂覆有阻气薄膜的塑料容器的廉价方法，其中可以从低成本原料高速安全地形成具有阻气性的薄膜，并且其中可以使用制造装置不需要昂贵的设备。该方法包括以下步骤：将容纳塑料容器（11）的真空室（6）的内部调节至等于大气压或更低的给定压力; 使电流通过布置在真空室内的导线（18），从而达到加热到给定温度或更高的温度，从而将导线转变成热丝; 并通过热丝臭氧气体加热，以及含有硅或金属元素作为构成元素的非原料原料，进料到真空室的内部，然后与至少一个内表面或外表面进行接触塑料容器，从而形成源自非营养原料的氧化物薄膜。

10. 发明申请

WO2007145230A1 シャワープレート、並びにそれを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法审中-公开
标题翻译：淋浴板，使用其的等离子体处理装置，等离子体处理方法和制造电子装置的方法
公开(公告)号：WO2007145230A1
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：PCT/JP2007/061858
申请日：2007-06-13
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 桶作正広 , 後藤哲也 , 大見忠弘 , 石橋清隆
发明人：桶作正広 , 後藤哲也 , 大見忠弘 , 石橋清隆
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/455 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , C23C16/511 , H01J37/3244
摘要：　カバープレートが不要なシャワープレートを提供する。プラズマ処理装置の処理室１０２に配置され、処理室１０２にプラズマを発生させるためにプラズマ励起用ガスを放出するシャワープレート１０５において、シャワープレート１０５を一体物とし、このシャワープレート１０５に、プラズマ処理装置のガス導入ポート１１０からのプラズマ励起用ガスを導入する横孔１１１と、この横孔１１１に連通する縦孔１１２とを設けた。
摘要翻译：公开了一种不需要盖板的喷淋板。具体公开了一种喷淋板（105），其布置在用于在处理室（102）中排出用于产生等离子体的等离子体激发气体的等离子体处理装置的处理室（102）中。淋浴板（105）形成为一体的构件，其设置有用于从等离子体处理装置的气体导入口（110）引入等离子体激发气体的水平孔（111），以及连通与水平孔（111）。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式