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1. 发明申请

WO2009028314A1 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2009028314A1
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：PCT/JP2008/064216
申请日：2008-08-07
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 上田博一 , 野沢俊久 , 松岡孝明 , 寺本章伸 , 大見忠弘
发明人：上田博一 , 野沢俊久 , 松岡孝明 , 寺本章伸 , 大見忠弘
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/511 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01L21/02274 , H01L21/31055 , H01L21/31116
摘要：　半導体基板上に半導体素子を形成する工程と、マイクロ波をプラズマ源とし、半導体基板の表面近傍において、プラズマの電子温度が１．５ｅＶよりも低く、かつプラズマの電子密度が１×１０１１ｃｍ－３よりも高いマイクロ波プラズマを用いたＣＶＤ処理によって半導体素子上に膜を形成する工程とを含む。
摘要翻译：半导体器件制造方法包括在半导体衬底上形成半导体元件的步骤，以及通过CVD工艺在半导体元件上形成膜的步骤。在CVD工艺中，使用微波作为等离子体源，在半导体衬底的表面附近具有等离子体电子温度为1.5eV以下且等离子体电子密度为10E011cm-3以上的微波等离子体，用来。

2. 发明申请

WO2007119745A1 薬液または純水供給装置、基板処理システム、基板処理装置または基板処理方法审中-公开
标题翻译：用于药物溶液或超声波水，板处理系统，板处理设备或板处理方法
公开(公告)号：WO2007119745A1
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：PCT/JP2007/057971
申请日：2007-04-11
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , リアライズ・アドバンストテクノロジ株式会社 , 大見忠弘 , 寺本章伸 , 山中二朗 , 水谷信崇 , 中村修 , 松岡孝明 , 大蔵領一
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 山中二朗 , 水谷信崇 , 中村修 , 松岡孝明 , 大蔵領一
IPC分类号： H01L21/304 , F16L11/06
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/6708
摘要： By softening PVDF, which is a fluorinated resin, by adding a perfluoro monomer thereto, the oxygen permeation level can be remarkably lowered and a flexible fluorinated resin tube can be obtained. By providing a nylon tube as an outer layer, the oxygen permeation level can be lowered too. These tubes are employed between a feeder (111) for drug solution(s) or ultrapurified water and a washing device or a device (101) for utilizing drug solution(s) or ultrapurified water such as a wet etching device.
摘要翻译：通过使氟化树脂软化PVDF，通过向其中加入全氟单体，可以显着降低氧渗透水平，并且可以获得柔性的氟化树脂管。通过提供尼龙管作为外层，氧渗透水平也可以降低。这些管被用在药液供给器（111）或超纯水之间，洗涤装置或用于利用药物溶液或超级水如湿蚀刻装置的装置（101）。

3. 发明申请

WO2008078636A1 イオン注入装置およびイオン注入方法审中-公开
标题翻译：离子注入装置和离子注入方法
公开(公告)号：WO2008078636A1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：PCT/JP2007/074480
申请日：2007-12-20
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 寺本章伸 , 松岡孝明
发明人：大見忠弘 , 後藤哲也 , 寺本章伸 , 松岡孝明
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/265 , H01J37/3222 , H01J37/32412 , H01J37/32706 , H01J2237/20 , H01J2237/26 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L29/30 , H01L29/7833
摘要：　被処理基板に正電荷のイオン注入の際、被処理基板にチャージアップダメージが発生することがある。　正電荷のイオン注入の際、被処理基板から２次電子が放出されて、チャージアップされるのを軽減するために、被処理基板と対向する位置に、導体部材を設け、当該導体部材を電気的に高周波的に接地する。また、被処理基板に与えられるＲＦ電力をパルス状に制御することによって、被処理基板に発生する電界強度を低減させても良い。
摘要翻译：在将正电荷的离子注入到对象基板中时，可能在对象基板中发生电荷损坏。为了在注入正电荷的离子时，通过发射二次电子可以使对象基板的电荷较少，导电部件设置在与物体基板对置的位置，从而以高频电接地到地球或者，也可以通过以脉动的方式控制要施加到对象基板的RF功率，来减少在对象基板中发生的场强。

4. 发明申请

WO2009011152A1 ＳＯＩ基板およびＳＯＩ基板を用いた半導体装置审中-公开
标题翻译： SOI衬底和使用SOI衬底的半导体器件
公开(公告)号：WO2009011152A1
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：PCT/JP2008/055486
申请日：2008-03-25
申请人：国立大学法人東北大学 , 三井造船株式会社 , Soitec Asia 株式会社 , 大見忠弘 , 寺本章伸 , 佐野純央 , 吉見信
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 佐野純央 , 吉見信
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L27/1203
摘要：　半導体層を形成するシリコンよりも、機械的特性の優れたＳｉＣ等の材料によって基体を形成し、当該基体と半導体層とを絶縁物層を介して貼り合わせる。貼り合わせた後、半導体層を基体から機械的に切り離してＳＯＩ基板を作成する一方、切り離された半導体層を次のＳＯＩ基板の作成に再利用する。これによって、従来の手法では困難であった直径４００ｍｍ以上の大きさを有する大型のＳＯＩ基板を得ることができた。
摘要翻译：基体由诸如SiC的材料形成，具有比用于形成半导体层的硅的机械特性更高的机械特性，并且基底材料和半导体层通过绝缘层接合。在接合之后，通过将半导体层与基体机械分离来形成SOI衬底，并且分离的半导体层被再次用于形成随后的SOI衬底。因此，可以获得通过常规方法难以获得的直径为400mm以上的大型SOI衬底。

5. 发明申请

WO2008090891A1 複合磁性体、その製造方法、それを用いた回路基板、及びそれを用いた電子機器审中-公开
标题翻译：复合磁体，其制造方法，使用其的电路基板和使用其的电子器件
公开(公告)号：WO2008090891A1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/JP2008/050821
申请日：2008-01-22
申请人：国立大学法人東北大学 , 住友大阪セメント株式会社 , 株式会社ヨコオ , 大見忠弘 , 寺本章伸 , 石塚雅之 , 日高宣浩 , 白方恭
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 石塚雅之 , 日高宣浩 , 白方恭
IPC分类号： H01F1/26 , H01F1/147 , H01F1/24 , H01F1/37 , H01F41/02 , H05K1/02 , H05K1/03 , H05K9/00
CPC分类号： H01F41/0246 , H01F1/26 , H01F1/37 , H05K1/0233
摘要：　数百ＭＨｚ～数ＧＨｚの周波数において、磁気損失が充分小さい複合磁性体及びその製造方法を提供する。　磁性粉末を絶縁性材料中に分散して構成される複合磁性体において、前記磁性粉末は、球状又は扁平状であり、前記複合磁性体は、次の（ａ）から（ｃ）の内のいずれか一つの特性を有している。（ａ）１ＧＨｚ又は５００ＭＨｚの周波数おいて比透磁率μｒが1よりも大きく、かつ損失正接ｔａｎδが０．１以下であること、（ｂ）１．２ＧＨｚ以下の周波数における複素透磁率の実部μｒ’が１０よりも大きく、かつ損失正接ｔａｎδが０．３以下であること、及び（ｃ）複素透磁率の実部μｒ’が４ＧＨｚ以下の周波数で1よりも大きく、かつ１ＧＨｚ以下の周波数において損失正接ｔａｎδが０．１以下であること。
摘要翻译：可以提供具有几百MHz至几GHz频率的足够小的磁损耗的复合磁体及其制造方法。复合磁体通过将磁粉分散在绝缘材料中而形成。磁粉具有球形或扁平形状。复合磁体具有以下特征（a）〜（c）中的一个：（a）在1GHz或500MHz的频率下，相对磁导率μr大于1，损耗角正切tan d不大于0.1 。（b）在不大于1.2GHz的频率下，复磁导率的实部μr'大于10，损耗角正切tan d不大于0.3。（c）在不大于4GHz的频率下，复磁导率的实部μr'大于1; 在不大于1GHz的频率下，损耗角正切tan d不大于0.1。

6. 发明申请

WO2007034541A1 減圧蒸着装置及び減圧蒸着方法审中-公开
标题翻译：真空沉积装置和真空沉积方法
公开(公告)号：WO2007034541A1
公开(公告)日：2007-03-29
申请号：PCT/JP2005/017339
申请日：2005-09-21
申请人：大見忠弘 , 寺本章伸
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸
IPC分类号： C23C14/00 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/564
摘要：　高集積度及び超微細加工が要求される半導体装置等に使用される蒸着薄膜では、当該蒸着薄膜に対する汚染物質、特に、有機物の吸着が問題となっている。　チャンバ内のガス圧力を粘性流域に保った場合、分子流域に保った場合に比較して、有機物の吸着が著しく低くなる現象を見出し、この現象に基づいて、蒸着薄膜形成時には、ガス圧力を分子流域にし、非蒸着時には、ガス圧力を粘性流域にするように、ガス圧力を制御することにより、有機物汚染の少なく蒸着薄膜を形成することができる。
摘要翻译：本发明提供一种真空沉积设备和真空沉积方法，其可以解决例如在满足高度集成和微细加工要求的半导体器件中使用的沉积薄膜所涉及的问题，污染物，特别是有机物材料被吸附在沉积的薄膜上。已经发现一种现象，其中当室内的气体压力保持在粘性流动区域中时，有机材料的吸附显着低于气体压力保持在分子流动区域中的情况。基于这种现象，可以通过以形成沉积薄膜的气体压力使气体压力达到分子流动区域的方式控制气体压力来形成不含有机材料的显着污染的沉积薄膜，以及在非沉积期间气体压力被带到粘性流动区域。

7. 发明申请

WO2005017991A1 半導体装置、半導体装置の製造方法及びプラズマＣＶＤ用ガス审中-公开
标题翻译：半导体器件，制造半导体器件的方法和用于等离子体CVD的气体
公开(公告)号：WO2005017991A1
公开(公告)日：2005-02-24
申请号：PCT/JP2004/011595
申请日：2004-08-12
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 日本ゼオン株式会社 , 大見忠弘 , 小林保男 , 川村剛平 , 寺本章伸 , 杉本達也 , 山田俊郎 , 田中公章
发明人：大見忠弘 , 小林保男 , 川村剛平 , 寺本章伸 , 杉本達也 , 山田俊郎 , 田中公章
IPC分类号： H01L21/314
CPC分类号： H01L21/3127 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3146
摘要：　本発明は、４２０°C以下の熱履歴を経たフッ素添加カーボン膜からなる絶縁膜を備えた半導体装置に関する。本発明の特徴は、前記フッ素添加カーボン膜中の水素原子の含有量が、前記熱履歴を経る前において、３原子％以下であることにある。
摘要翻译：一种半导体器件，其具有包含在420℃以下的温度下经历了热历史的氟掺杂碳膜的绝缘膜，其特征在于，所述氟掺杂碳膜的氢原子含量为3原子％以下，热历史的经验。

8. 发明申请

WO2005010244A1 炭化珪素製品、その製造方法、及び、炭化珪素製品の洗浄方法审中-公开
标题翻译：碳化硅产品，其生产方法和清洁碳化硅产品的方法
公开(公告)号：WO2005010244A1
公开(公告)日：2005-02-03
申请号：PCT/JP2004/009990
申请日：2004-07-07
申请人：株式会社アドマップ , 三井造船株式会社 , 大見忠弘 , 寺本章伸 , 佐野純央
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 佐野純央
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： H01L21/02052 , C30B29/36 , H01L21/3148 , H01L29/1608 , Y10T428/31
摘要： A silicon carbide product is disclosed which is characterized by having a surface with a metal impurity concentration of not more than 1 x 10 (atoms/cm ). Also disclosed are a method for producing such a silicon carbide product and a method for cleaning a silicon carbide product. A silicon carbide having such a highly cleaned surface can be obtained by cleaning it with a hydrofluoric acid, a hydrochloric acid, or an aqueous solution containing a sulfuric acid and a hydrogen peroxide solution. The present invention provides a highly cleaned silicon carbide, and thus enables to produce a semiconductor device which is free from consideration on deterioration in characteristics caused by impurities. Further, when the silicon carbide is used in a unit for semiconductor production or the like, there is such an advantage that an object processed in the unit can be prevented from suffering an adverse affect of flying impurities.
摘要翻译：公开了一种碳化硅产品，其特征在于具有不大于1×10 11（原子/ cm 2）的金属杂质浓度的表面。还公开了制造这种碳化硅产品的方法和清洁碳化硅产品的方法。通过用氢氟酸，盐酸或含有硫酸和过氧化氢溶液的水溶液进行清洗，可以得到具有高度清洁表面的碳化硅。本发明提供了高度清洁的碳化硅，因此能够制造出不考虑由杂质引起的特性劣化的半导体器件。此外，当将碳化硅用于半导体生产等的单位时，具有能够防止在该单元中加工的物体遭受飞散杂质的不利影响的优点。

9. 发明申请

WO2004112141A1 ダイレクトコンバージョン受信の周波数変換回路、その半導体集積回路及びダイレクトコンバージョン受信機审中-公开
标题翻译：直接转换接收的频率转换电路，其半导体集成电路和直接转换接收器
公开(公告)号：WO2004112141A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/JP2004/008216
申请日：2004-06-11
申请人：株式会社豊田自動織機 , 新潟精密株式会社 , 大見忠弘 , 西牟田武史 , 宮城弘 , 須川成利 , 寺本章伸
发明人：大見忠弘 , 西牟田武史 , 宮城弘 , 須川成利 , 寺本章伸
IPC分类号： H01L27/092
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D2200/0025 , H03D2200/0033 , H03D2200/0047
摘要：　シリコン基板上に高さＨ B で、幅がＷ B の直方体状の突出部２１を形成し、突出部２１の頂面及び側壁面の一部にゲート酸化膜を形成する。ゲート電極２６の両側にソースとドレインを形成してＭＯＳトランジスタを形成する。このＭＯＳトランジスタで周波数変換回路及びダイレクトコンバージョンの受信回路を構成する。これにより、ダイレクトコンバージョン受信の周波数変換回路におけるＩ信号とＱ信号の誤差を減らす。
摘要翻译：在硅衬底上形成具有高度HB和宽度WB的长方体突起部分（21），并且在突起部分（21）的顶壁和侧壁表面的部分上形成栅极氧化膜。源极和漏极形成在栅电极（26）的两个相对侧上，从而形成MOS晶体管。该MOS晶体管用于配置频率转换电路和直接转换的接收电路。以这种方式，可以减少直接转换接收的频率转换电路中的I和Q信号的误差。

10. 发明申请

WO2004109790A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2004109790A1
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：PCT/JP2004/007844
申请日：2004-05-31
申请人：大見忠弘 , 寺本章伸
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/82385 , H01L21/28167 , H01L21/823857 , H01L29/66787 , H01L29/785
摘要：本発明によれば、複数の結晶面を有する立体構造のシリコン基板表面に、プラズマを用いてゲート絶縁膜を形成する。プラズマゲート絶縁膜は、複数の結晶面においても界面準位の増加がなく、立体構造のコーナー部おいても均一な膜厚を有する。プラズマにより高品質のゲート絶縁膜を成膜することで特性の良い半導体装置が得られる。
摘要翻译：在具有多个晶面的三维硅衬底表面上使用等离子体形成栅极绝缘膜。等离子体栅极绝缘膜在任何晶面中不会增加界面态，即使在三维结构的角部也具有均匀的厚度。通过使用等离子体形成高品质的栅极绝缘膜，可以获得具有良好特性的半导体器件。

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