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1. 发明申请

WO2010010668A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR 审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2010010668A1
公开(公告)日：2010-01-28
申请号：PCT/JP2009/003314
申请日：2009-07-15
申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED , KIKUCHI, Yoshiyuki
发明人： KIKUCHI, Yoshiyuki
IPC分类号： H01L21/314 , C23C16/26 , C23C16/30
CPC分类号： H01L21/76826 , H01L21/0212 , H01L21/022 , H01L21/31058 , H01L21/31144 , H01L21/3127 , H01L21/3212 , H01L21/76814 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The present invention relates to a semiconductor device. The semiconductor device includes a fluorocarbon film formed on a substrate and a film containing metal formed on the fluorocarbon film, wherein the content amount of fluorine atom on the fluorocarbon film, which contacts the film containing metal, is in a predetermined range.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体器件。半导体装置包括在基板上形成的氟碳膜和形成在氟碳膜上的含有金属的膜，其中与含有金属的膜接触的氟碳膜上的氟原子的含量在预定范围内。

2. 发明申请

WO2009032536A2 METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DIE AND A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING THE SEMICONDUCTOR DIE OBTAINED THEREBY 审中-公开
标题翻译：制造半导体裸片的方法和包括由其获得的半导体裸片的半导体器件
公开(公告)号：WO2009032536A2
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：PCT/US2008/073797
申请日：2008-08-21
申请人： 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY , JO, Kwang-jae , JANG, Kyung-ho
发明人： JO, Kwang-jae , JANG, Kyung-ho
IPC分类号： H01L21/78
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/0212 , H01L21/02282 , H01L21/3127
摘要： Disclosed is a method for dicing a semiconductor wafer. The method for dicing a semiconductor wafer prevents a die from being contaminated with silicon dust, generated during the dicing of the wafer, and thus prevents defects in a subsequent wire bonding step, such as defects in bonding wire, contamination of a semiconductor device, etc. The method for dicing a semiconductor wafer comprises the steps of: applying a fluorine-containing polymer coating agent onto one surface of a wafer having a circuit pattern formed thereon to form a polymer coating layer, before dicing the wafer.
摘要翻译：公开了一种用于切割半导体晶片的方法。用于切割半导体晶片的方法防止了管芯被在晶片切割过程中产生的硅尘污染，并且因此防止了在随后的焊线步骤中的缺陷，例如焊线中的缺陷，半导体器件的污染等切割半导体晶片的方法包括以下步骤：在切割晶片之前，将含氟聚合物涂层剂施加到其上形成有电路图案的晶片的一个表面上以形成聚合物涂层。

3. 发明申请

WO2008021363A2 ELECTRON BEAM PROCESSING METHOD USING CARBON NANOTUBE EMITTER 审中-公开
标题翻译：碳纳米管发射管的电子束加工方法
公开(公告)号：WO2008021363A2
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：PCT/US2007/017995
申请日：2007-08-14
申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC. , RUEGER, Neal R. , WILLIAMSON, Mark J. , SANDHU, Gurtej S.
发明人： RUEGER, Neal R. , WILLIAMSON, Mark J. , SANDHU, Gurtej S.
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/3127
摘要： Methods and devices for selective etching in a semiconductor process are shown. Chemical species generated in a reaction chamber provide both a selective etching function and concurrently form a protective coating on other regions. An electron beam provides activation to selective chemical species. In one example, reactive species are generated from a plasma source to provide an increased reactive species density. Addition of other gasses to the system can provide functions such as controlling a chemistry in a protective layer during a processing operation. In one example an electron beam array such as a carbon nanotube array is used to selectively expose a surface during a processing operation.
摘要翻译：示出了用于半导体工艺中的选择性蚀刻的方法和装置。在反应室中产生的化学物种提供了选择性蚀刻功能并且同时在其他区域上形成保护涂层。电子束提供对选择性化学物质的激活。在一个实例中，从等离子体源产生反应性物质以提供增加的反应性物质密度。向系统添加其他气体可以提供诸如在处理操作期间控制保护层中的化学物质的功能。在一个示例中，诸如碳纳米管阵列的电子束阵列被用于在处理操作期间选择性地暴露表面。

4. 发明申请

WO2008001853A1 プラズマ処理方法及び装置审中-公开
标题翻译：等离子体处理方法和设备
公开(公告)号：WO2008001853A1
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：PCT/JP2007/063013
申请日：2007-06-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 吹上紀明
发明人：吹上紀明
IPC分类号： H01L21/314 , C23C16/52 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/0212 , C23C16/00 , H01J37/32211 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/02274 , H01L21/3127
摘要：　処理容器内へ不活性ガスと処理ガスとを供給してプラズマの存在下にて被処理体Ｗに対して所定の処理例えば成膜処理を施すにあたって、処理容器内へ不活性ガスの供給を開始して処理容器内の圧力をプラズマが着火できるような圧力に設定する着火圧力設定工程と、処理容器内への処理ガスの供給を開始すると共に、処理ガスの分圧の増大によってプラズマが着火不能になる前にプラズマを着火するプラズマ着火工程と、処理容器内の圧力を前記所定の処理を行うためのプロセス圧力に変化させる圧力調整工程と、プラズマを着火して維持するために供給しているプラズマ電力を前記所定の処理を行うためのプラズマ電力の値に変更して前記所定の処理を行う処理実行工程と、を順次実施する。処理実行工程の開始直後から前記所定の処理が被処理体に有効に施されるため、スループットを大幅に向上させることができる。
摘要翻译：当预定的处理，例如在等离子体存在下通过向处理容器供给惰性气体和处理气体而在工件（W）上进行成膜处理，将处理容器中的压力设定为能够通过开始惰性而点燃等离子体的压力的步骤气体供应到处理容器中，用于开始处理气体供应到处理容器中并在由于处理气体的分压增加而变得不可燃之前点燃等离子体的步骤，用于将处理容器中的压力调节到用于执行预定处理的处理压力，以及用于通过改变为了点燃和维持等离子体而提供的等离子体功率到执行预定处理的等离子体功率的值而执行预定处理的步骤。由于在开始执行预定处理的步骤之后立即在工件上有效地执行预定处理，所以可以大幅提高生产量。

5. 发明申请

WO2006134205A1 METHOD FOR PRODUCING A POLYMER FOR SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS COMPRISING POLYMERIZING FUNCTIONALIZED SILANE MONOMERS WITH BRIDGING HYDROCARBON GROUP 审中-公开
标题翻译：用于生产聚合物的聚合物的方法，该聚合物包含具有桥连基团的聚合官能化硅烷单体的半导体光电子
公开(公告)号：WO2006134205A1
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：PCT/FI2006/000192
申请日：2006-06-13
申请人： SILECS OY , RANTALA, Juha T. , PAULASAARI, Jyri , PIETIKÄINEN, Jarkko
发明人： RANTALA, Juha T. , PAULASAARI, Jyri , PIETIKÄINEN, Jarkko
IPC分类号： C08G77/60 , H01L21/312 , H01B3/46
CPC分类号： H01B3/46 , C08G77/08 , C08G77/50 , C09D183/04 , C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L21/3127 , Y10T428/31663
摘要： A method for producing a polymer for semiconductor optoelectronics, comprising the steps of providing a monomer is produced having the formula (I), wherein: R 1 is a hydrolysable group, R 2 is hydrogen, and R 3 is a bridging linear or branched bivalent hydrocarbyl group, said monomer being produced by hydrosilylation of the corresponding starting materials, and homo- or copolymerizing the monomer to produce a polymer.
摘要翻译：制备用于半导体光电子学的聚合物的方法包括提供具有式（I）的单体的步骤：其中：R 1是可水解基团R 2 >是氢，R 3是桥连的直链或支链二价烃基，所述单体是通过相应原料的氢化硅烷化生成的，并使单体均聚或共聚以产生聚合物。

6. 发明申请

WO2006049125A1 成膜装置及び成膜方法审中-公开
标题翻译：薄膜成型设备和薄膜成型方法
公开(公告)号：WO2006049125A1
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：PCT/JP2005/020004
申请日：2005-10-31
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 野沢俊久 , 石橋清隆
发明人：野沢俊久 , 石橋清隆
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0212 , C23C16/4581 , C23C16/46 , C30B25/08 , C30B25/10 , C30B25/12 , H01L21/02274 , H01L21/3127
摘要：　本発明は、内部が真空引き可能な処理容器と、被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた載置台と、前記処理容器内へ成膜用ガスを含む所定のガスを供給するためのガス供給手段と、前記処理容器内でプラズマを立てるためのプラズマ形成手段と、前記被処理体を加熱するための加熱手段と、前記載置台の上面の周辺部に、前記被処理体の周辺部よりも外側で当該被処理体から隙間を介して僅かに離間するように設けられた補助加熱手段と、装置全体の動作を制御するための制御手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置である。
摘要翻译：成膜设备的特征在于设备具有能够被抽真空的处理室; 处理室中的放置台，用于放置待处理的工件; 用于向处理室供应包括用于成膜的气体的规定气体的气体供给装置; 用于在处理室中形成等离子体的等离子体形成装置; 用于加热待加工的加工装置; 辅助加热装置，设置在所述放置台的上平面的周边的外边缘处，待加工的工件的周边与待加工的工件略微分开; 以及用于控制整个设备的操作的控制装置。

7. 发明申请

WO2006038623A1 プラズマ成膜方法およびプラズマ成膜装置审中-公开
标题翻译：等离子体膜形成方法和等离子体膜形成装置
公开(公告)号：WO2006038623A1
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：PCT/JP2005/018364
申请日：2005-10-04
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 小林保男 , 太田与洋 , 康松潤 , 沢田郁夫
发明人：小林保男 , 太田与洋 , 康松潤 , 沢田郁夫
IPC分类号： H01L21/314 , C23C16/26
CPC分类号： C23C16/26 , C23C16/45565 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3127
摘要：　気密な処理容器（１）内に載置された基板（Ｗ）に対し、ラジアルラインスロットアンテナ（４）にマイクロ波を導くことによりプラズマを発生させる。処理容器内の圧力が７．３２Ｐａ以上８．６５Ｐａ以下、マイクロ波電力が２０００Ｗ以上２３００Ｗ以下、基板表面と原料ガス供給部材（３）の対向面との間の距離（Ｌ１）が７０ｍｍ以上１０５ｍｍ以下、基板表面と放電ガス供給部材（２）との距離（Ｌ２）が１００ｍｍ以上１４０ｍｍ以下の条件を設定する。その条件下で、環状Ｃ 5 Ｆ 8 ガスよりなる原料ガスをマイクロ波のエネルギーに基づいて活性化する。これにより、Ｃ 4 Ｆ 6 のイオンやラジカルを多く含む成膜種が得られる。これによりリーク特性や熱的安定性に優れたフッ素添加カーボン膜を成膜する。
摘要翻译：通过向径向线槽天线（4）引入微波，在放置在气密处理容器（1）的基板（W）上产生等离子体。这样的条件被设定为处理容器的压力为7.32Pa至8.65Pa，微波功率为2000W至2300W，衬底表面与材料气体供应构件（3）的相对表面之间的距离（L1）为70mm 通过105mm，衬底表面和放电气体供应构件（2）之间的距离（L2）为100mm至140mm。在这些条件下，由循环C

8. 发明申请

WO2005064681A2 METHOD FOR THE MANUFACTURE OF A NON-VOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND MEMORY DEVICE THUS OBTAINED 审中-公开
标题翻译：制造非易失性电磁存储器件的方法和获得的存储器件
公开(公告)号：WO2005064681A2
公开(公告)日：2005-07-14
申请号：PCT/IB2004/052580
申请日：2004-11-29
申请人： KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. , MARSMAN, Albert, W. , DE LEEUW, Dagobert, M. , GELINCK, Gerwin, H.
发明人： MARSMAN, Albert, W. , DE LEEUW, Dagobert, M. , GELINCK, Gerwin, H.
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L27/1052 , H01L21/0212 , H01L21/3127 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L27/1255 , H01L28/55 , H01L51/0037 , H01L51/0055 , H01L51/052
摘要： The present invention relates to non-volatile ferroelectric memory devices (30) comprising a transistor (22) and a capacitor (23), and more particularly to non-volatile electrically erasable programmable ferroelectric memory elements, and a method for processing such non-volatile ferroelectric memory devices (30). The method according to the invention comprises a limited number of mask steps because a gate dielectric layer of the transistor (22) and a dielectric layer of the capacitor (23) are made from the same organic or inorganic ferroelectric layer (14).
摘要翻译：本发明涉及包括晶体管（22）和电容器（23）的非挥发性铁电存储器件（30），更具体地涉及非易失性电可擦除可编程铁电存储元件，以及用于处理非易失性铁电存储器件（30）。根据本发明的方法包括有限数量的掩模步骤，因为晶体管（22）的栅极电介质层和电容器（23）的电介质层由相同的有机或无机铁电层（14）制成。

9. 发明申请

WO2004001832A1 FLUOROPOLYMER INTERLAYER DIELECTRIC BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：通过化学蒸气沉积的氟聚合物介电层
公开(公告)号：WO2004001832A1
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：PCT/US2002/019702
申请日：2002-06-21
申请人： E.I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY
发明人： MOCELLA, Michael , FEIRING, Andrew, E. , TREAT, Theodore, A. , LOPATA, Eugene , ROSE, Peter , BRICHKO, Yakov
IPC分类号： H01L21/312
CPC分类号： B05D5/083 , B05D1/60 , B05D7/14 , H01L21/0212 , H01L21/02271 , H01L21/3127
摘要： A process is disclosed for forming a fluoropolymer layer on a thin film device, comprising contacting said thin film device with a gas phase fluoromonomer, and initiating polymerization of said fluoromonomer with a free radical polymerization initiator whereby said fluoromonomer polymerizes to form said fluoropolymer layer on said thin film device.
摘要翻译：公开了一种用于在薄膜器件上形成含氟聚合物层的方法，包括使所述薄膜器件与气相含氟单体接触，并用自由基聚合引发剂引发所述含氟单体的聚合，由此所述含氟单体聚合形成所述氟聚合物层在所述薄膜装置。

10. 发明申请

WO2003083960A1 METHOD OF PREPARATION OF ORGANIC OPTOELECTRONIC AND ELECTRONIC DEVICES AND DEVICES THEREBY OBTAINED 审中-公开
标题翻译：有机光电和电子器件的制备方法及其获得的器件
公开(公告)号：WO2003083960A1
公开(公告)日：2003-10-09
申请号：PCT/GB2003/001214
申请日：2003-03-21
申请人： CAMBRIDGE DISPLAY TECHNOLOGY LIMITED , GUNNER, Alec , CACHEIRO, Martin
发明人： GUNNER, Alec , CACHEIRO, Martin
IPC分类号： H01L51/40
CPC分类号： G03F7/0387 , H01L21/31138 , H01L21/3127 , H01L27/3283 , H01L51/0005 , H01L51/56 , Y02E10/549
摘要： A method for preparing an organic electronic or optoelectronic device is described. The method comprises depositing a layer of fluorinated polymer (103) on a substrate (101, 102), patterning the layer of fluorinated polymer to form a relief pattern and depositing from solution a layer of organic semiconductive or conductive material on the substrate (105, 106). The fluorinated polymer may be a fluorinated photoresist and may be treated by exposure to ultraviolet light and ozone prior to the deposition of the layer of organic semiconductive or conductive material. The method has particular application in the preparation of organic light emitting devices by ink jet printing.
摘要翻译：描述了制备有机电子或光电子器件的方法。该方法包括在衬底（101,102）上沉积氟化聚合物层（103），图案化氟化聚合物层以形成浮雕图案，并从溶液沉积有机半导体或导电材料层到衬底 106）。氟化聚合物可以是氟化光致抗蚀剂，并且可以在沉积有机半导体或导电材料层之前通过暴露于紫外光和臭氧来处理。该方法特别适用于通过喷墨印刷制备有机发光装置。

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