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1. 发明申请

WO2008053628A1 炭化ケイ素半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造碳化硅半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2008053628A1
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：PCT/JP2007/065817
申请日：2007-08-13
申请人：住友電気工業株式会社 , 藤川一洋 , 増田健良
发明人：藤川一洋 , 増田健良
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/265 , H01L21/337 , H01L29/808
CPC分类号： H01L29/808 , H01L21/0465 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/66901 , Y10S438/931
摘要：　ＳｉＣ単結晶（４）の表面の少なくとも一部にドーパントをイオン注入する工程と、イオン注入後のＳｉＣ単結晶（４）の表面上にＳｉ膜（８）を形成する工程と、Ｓｉ膜（８）が形成されたＳｉＣ単結晶（４）をＳｉ膜（８）の溶融温度以上の温度に加熱する工程と、を含む、ＳｉＣ半導体装置の製造方法である。
摘要翻译：公开了一种用于制造SiC半导体器件的方法，其包括用于将掺杂剂离子注入到SiC单晶（4）的至少一部分表面中的步骤，用于在SiC单晶（4）上形成Si膜（8）的步骤离子注入后的SiC单晶（4）的表面，以及将具有Si膜（8）的SiC单晶（4）加热到Si膜（8）的熔融温度以上的温度的工序，。

2. 发明申请

WO2009075124A1 半導体装置の製造方法および半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法和半导体器件
公开(公告)号：WO2009075124A1
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：PCT/JP2008/064862
申请日：2008-08-21
申请人：住友電気工業株式会社 , 藤川一洋 , 原田真 , 並川靖生 , 増田健良
发明人：藤川一洋 , 原田真 , 並川靖生 , 増田健良
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/046 , H01L21/67109 , H01L29/45 , H01L29/66068 , Y10T117/1068 , Y10T117/1088
摘要：　熱処理工程においてウェハの表面荒れを十分抑制することにより、当該表面荒れに起因した特性の低下を抑制することが可能な半導体装置の製造方法、および表面荒れに起因した特性の低下が抑制された半導体装置を提供する。　半導体装置としてのＭＯＳＦＥＴの製造方法は、炭化珪素からなるウェハ３を準備する工程と、ウェハ３を加熱することにより、活性化アニールを実施する活性化アニール工程とを備えている。そして、活性化アニール工程においては、ウェハ３が、ウェハ３とは別の発生源であるＳｉＣ片６１から発生した炭化珪素の蒸気を含む雰囲気中において加熱される。
摘要翻译：一种半导体器件制造方法，其能够通过充分防止热处理工序中的表面粗糙度，防止由于表面粗糙度而导致的表面粗糙度引起的特性劣化，以及防止由表面粗糙度引起的特性劣化的半导体器件。制造作为半导体器件的MOSFET的方法包括制备由碳化硅制成的晶片（3）的步骤和通过加热晶片（3）进行活化退火的活化退火步骤。在活化退火工序中，将晶片（3）在不同于晶片（3）的SiC源（61）产生的含有碳化硅蒸气的气氛中进行加热。

3. 发明申请

WO2006137192A1 炭化ケイ素基板の表面再構成方法审中-公开
标题翻译：碳化硅基材表面重建方法
公开(公告)号：WO2006137192A1
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：PCT/JP2006/303936
申请日：2006-03-02
申请人：住友電気工業株式会社 , 増田健良
发明人：増田健良
IPC分类号： C30B29/36 , C23C14/14 , C23C16/24 , C30B33/02 , C30B33/10
CPC分类号： C23C16/24 , C23C14/185 , C30B29/36 , C30B33/02
摘要：　炭化ケイ素基板（１）の表面上にシリコン膜（２）を形成するシリコン膜形成工程と、シリコン膜（２）の表面上に多結晶炭化ケイ素基板を設置することなく炭化ケイ素基板（１）およびシリコン膜（２）を熱処理する熱処理工程と、を含む、炭化ケイ素基板（１）の表面再構成方法である。ここで、熱処理工程後にシリコン膜（２）を除去するシリコン膜除去工程を含んでいてもよい。また、熱処理工程後にシリコン膜（２）を酸化して酸化シリコン膜とする酸化シリコン膜形成工程と、酸化シリコン膜を除去する酸化シリコン膜除去工程と、を含んでいてもよい。
摘要翻译：一种碳化硅衬底（1）的表面重建方法，包括在碳化硅衬底（1）的表面上形成硅膜（2）的硅膜形成步骤和进行硅的热处理的热处理步骤碳化物基板（1）和硅膜（2），而不在硅膜（2）的表面上设置多晶碳化硅基板。在热处理步骤之后，可以进行除去硅膜（2）的硅膜去除步骤。此外，在热处理步骤之后，可以进行将硅膜氧化成氧化硅膜的氧化硅膜形成步骤和去除氧化硅膜的氧化硅膜去除步骤。

4. 发明申请

WO2008126541A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2008126541A1
公开(公告)日：2008-10-23
申请号：PCT/JP2008/054257
申请日：2008-03-10
申请人：住友電気工業株式会社 , 増田健良
发明人：増田健良
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/02433 , C30B29/36 , C30B33/02 , H01L21/02378 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02609 , H01L21/046 , H01L21/0475 , H01L21/3247 , H01L21/8213 , H01L29/0657 , H01L29/1037 , H01L29/1608 , H01L29/66068
摘要：　半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ膜を形成する工程と、ＳｉＣ膜の表面にトレンチ（２０）を形成する工程と、ＳｉＣ膜の表面にＳｉを供給した状態でＳｉＣ膜を熱処理する熱処理工程と、熱処理工程によってＳｉＣ膜の表面に得られた複数のマクロステップ（１）をチャネルとする工程とを備えている。トレンチ（２０）の周期をＬとし、トレンチ（２０）の高さをｈとした場合、周期Ｌと高さｈとの間にはＬ＝ｈ（ｃｏｔα＋ｃｏｔβ）（ただしα、βは０．５≦α、β≦４５を満たす変数）が成り立っている。これにより、半導体装置の特性を向上することができる。
摘要翻译：公开了一种半导体器件的制造方法，其包括形成SiC膜的步骤，在SiC膜的表面形成沟槽（20）的步骤，将Si膜加热同时供给Si的热处理步骤 SiC膜的表面，以及通过热处理步骤在SiC膜表面形成多个宏步骤（1）的步骤，形成通道。当沟槽20的周期由L表示，并且沟槽20的高度由h表示时，周期L和高度h满足以下关系：L = h（cota +cotβ）（其中a 和ß分别是满足0.5 = a和ß= 45的变量）。该方法能够获得具有改进特性的半导体器件。

5. 发明申请

WO2008062729A1 炭化珪素半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：硅碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2008062729A1
公开(公告)日：2008-05-29
申请号：PCT/JP2007/072290
申请日：2007-11-16
申请人：住友電気工業株式会社 , 原田真 , 増田健良
发明人：原田真 , 増田健良
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02639 , H01L21/02658 , H01L29/045 , H01L29/0878 , H01L29/1608 , H01L29/66068
摘要：　動作特性の優れた炭化珪素半導体装置およびその製造方法が得られる。４Ｈ－ＳｉＣ基板（１０）上の初期成長層（１１）の表面に、Ｓｉ膜被覆アニールにより拡大テラス面を形成した後、初期成長層（１１）の上に、新成長層（２１）をエピタキシャル成長させる。拡大テラス面の上には、低温安定なポリタイプである３Ｃ－ＳｉＣ部（２１ａ）が成長し、他の領域上には、４Ｈ－ＳｉＣ部（２１ｂ）が成長する。４Ｈ－ＳｉＣ部（２１ｂ）を残して、３Ｃ－ＳｉＣ部（２１ａ）を選択的に除去してトレンチ（Ｔｒ）を形成し、トレンチ（Ｔｒ）内に、ＵＭＯＳＦＥＴのゲート電極（２７）を形成する。ＵＭＯＳＦＥＴのチャネル領域を低次数面に制御することができ、チャネル移動度の高い、動作特性の優れた炭化珪素半導体装置が得られる。
摘要翻译：本发明提供了具有优异的操作性能的碳化硅半导体器件及其制造方法。在设置在4H-SiC衬底（10）上的初始生长层（11）的表面上通过Si膜覆盖退火形成放大的露台面。然后在最初生长的层（11）上外延生长新生长的层（21）。在放大的平台面上生长作为低温下稳定的多型3C-SiC部（21a），在另一区域生长4H-SiC部（21b）。选择性地去除3C-SiC部分（21a），同时允许4H-SiC部分（21b）保持不被移动以形成沟槽（Tr）。在沟槽（Tr）内形成有UMOSFET栅电极（27）。 UMOSFET中的沟道区域可以被调节为低维数面，并且可以实现具有高水平的沟道迁移率和优异的操作特性的碳化硅半导体器件。

6. 发明申请

WO2007125617A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2007125617A1
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：PCT/JP2006/321370
申请日：2006-10-26
申请人：住友電気工業株式会社 , 増田健良 , 松川真治
发明人：増田健良 , 松川真治
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/20 , H01L21/336
CPC分类号： C23C16/325 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02634 , H01L21/046 , H01L29/045 , H01L29/1037 , H01L29/66068 , H01L29/78
摘要：　ＭＯＳＦＥＴ（３０）は、ＳｉＣ膜（１１）を備えている。ＳｉＣ膜（１１）はその表面にファセットを有しており、ファセットの一周期の長さは１００ｎｍ以上であり、ファセットをチャネル（１６）としている。また、ＭＯＳＦＥＴ（３０）の製造方法は、ＳｉＣ膜（１１）を形成する工程と、ＳｉＣ膜（１１）の表面にＳｉを供給した状態で、ＳｉＣ膜（１１）を熱処理する熱処理工程と、熱処理工程によってＳｉＣ膜（１１）の表面に得られたファセットをチャネル（１６）とする工程とを備えている。これにより、特性を十分に向上することができる。
摘要翻译： MOSFET（30）包括SiC膜（11）。 SiC膜（11）在其表面上具有小面。小面的一个周期的长度不小于100nm，并且该面作为通道（16）起作用。用于制造MOSFET（30）的工艺包括以下步骤：在Si被馈送到SiC膜（11）的表面上的状态下，形成SiC膜（11），对SiC膜（11）进行热处理，通过热处理步骤在SiC膜（11）的表面上设置到通道（16）的小面。根据上述结构，可以令人满意地提高性能。

7. 发明申请

WO2007086196A1 炭化珪素半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造碳化硅半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2007086196A1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：PCT/JP2006/324347
申请日：2006-12-06
申请人：住友電気工業株式会社 , 増田健良
发明人：増田健良
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/316 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , H01J37/3244 , H01L21/02164 , H01L21/02236 , H01L21/02255 , H01L21/0234 , H01L21/049 , H01L21/3147 , H01L21/3148 , H01L21/31658 , H01L29/1608 , H01L29/518 , H01L29/66068
摘要：　ゲート絶縁膜（２０）と炭化珪素層（１１）との界面領域における界面準位密度の小さい炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。４Ｈ－ＳｉＣ基板（１０）の上にエピタキシャル成長層（１１）を成長させた後、イオン注入を行なって、イオン注入層であるｐウェル領域（１２），ソース領域（１３），ｐ＋コンタクト領域（１５）を形成する。その後、熱酸化またはＣＶＤにより、ｐウェル領域（１２），ソース領域（１３），ｐ＋コンタクト領域（１５）の上に、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜（２０）を形成する。そして、酸素および窒素の少なくともいずれか一方を含むガスである，Ｎ２Ｏを含むガスを用いてプラズマを発生させて、ゲート絶縁膜（２０）をプラズマに曝す。
摘要翻译：公开了一种在栅极绝缘膜（20）和碳化硅层（11）之间的界面区域中具有小的界面态密度的碳化硅半导体器件的制造方法。具体地说，在4H-SiC衬底（10）上形成外延生长层（11），然后在p阱区域（12），源区域（13）和ap + 15）作为离子注入层通过离子注入形成。然后，通过热量在p阱区域（12），源极区域（13）和p + +接触区域（15）上形成由氧化硅膜构成的栅极绝缘膜（20）氧化或CVD。之后，通过使用含有N 2 O 2的气体，其是含有氧和氮中的至少一种的气体，并且栅极绝缘膜（20）暴露于等离子体，产生等离子体。

8. 发明申请

WO2010058610A1 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：硅碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2010058610A1
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：PCT/JP2009/051762
申请日：2009-02-03
申请人：住友電気工業株式会社 , 原田真 , 増田健良 , 和田圭司 , 津守将斗
发明人：原田真 , 増田健良 , 和田圭司 , 津守将斗
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/3003 , H01L21/324 , H01L29/045 , H01L29/0878 , H01L29/36 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/7802 , H01L29/94
摘要：　チャネル移動度のような電気的特性の優れた炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法が得られる。半導体装置（１）は、面方位｛０００１｝に対しオフ角が５０°以上６５°以下である、炭化ケイ素からなる基板（２）と、半導体層としてのｐ型層（４）と絶縁膜としての酸化膜（８）とを備える。ｐ型層（４）は基板（２）上に形成され、炭化ケイ素からなる。酸化膜（８）は、ｐ型層（４）の表面に接触するように形成されている。半導体層と絶縁膜との界面（チャネル領域と酸化膜（８）との界面）から１０ｎｍ以内の領域における窒素原子濃度の最大値が１×１０ 21 ｃｍ -3 以上である。
摘要翻译：公开了具有优异的电特性如沟道迁移率的碳化硅半导体器件和制造这种碳化硅半导体器件的方法。半导体器件（1）包括相对于{0001}平面方向具有不小于50°但不大于65°的偏角的碳化硅衬底（2），用于形成p型层（4）作为半导体层，以及用作绝缘膜的氧化膜（8）。 p型层（4）形成在基板（2）上并由碳化硅构成。氧化膜（8）形成为与p型层（4）的表面接触。从半导体层和绝缘膜之间的界面（即，沟道区域和氧化膜（8）之间的界面）的10nm以内的区域中的氮原子浓度的最大值不小于1×1021cm -3。

9. 发明申请

WO2008075488A1 横型接合型電界効果トランジスタ审中-公开
标题翻译：横向连接场效应晶体管
公开(公告)号：WO2008075488A1
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：PCT/JP2007/068345
申请日：2007-09-21
申请人：住友電気工業株式会社 , 増田健良 , 並川靖生
发明人：増田健良 , 並川靖生
IPC分类号： H01L21/337 , H01L29/417 , H01L29/808
CPC分类号： H01L29/808 , H01L21/048 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/66901
摘要：　ｐ - エピタキシャル層（３）上に、ｎ型エピタキシャル層（４）とゲート領域（５）とが順に形成されている。ゲート電極（１２ａ）はゲート領域（５）に電気的に接続され、ソース電極（１２ｂ）およびドレイン電極（１２ｃ）は、ゲート電極（１２ａ）を挟むように互いに間隔を置いて配されている。制御電極（１２ｄ）は、オフ動作時においてｐ - エピタキシャル層（３）とｎ型エピタキシャル層（４）とが逆バイアス状態となるような電圧をｐ - エピタキシャル層（３）に印加するためのものである。
摘要翻译：在p型 - 外延层（3）上，顺序地叠置有n型外延层（4）和栅极区（5）。栅电极（12a）电连接到栅极区（5），源极电极（12b）和漏电极（12c）之间具有间隔，以便插入栅电极（12a）。控制电极（12d）用于施加到p型超导型外延层（3）的电压，使得在关断操作中，p + 层（3）和n型外延层（4）处于反向偏压状态。

10. 发明申请

WO2008056698A1 炭化珪素半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：硅碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2008056698A1
公开(公告)日：2008-05-15
申请号：PCT/JP2007/071630
申请日：2007-11-07
申请人：住友電気工業株式会社 , 原田真 , 増田健良
发明人：原田真 , 増田健良
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/20 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02639 , H01L21/0445 , H01L21/049 , H01L29/045 , H01L29/0878 , H01L29/1608 , H01L29/66068
摘要：　動作特性の優れた炭化珪素半導体装置およびその製造方法が得られる。４Ｈ－ＳｉＣ基板（１０）上の初期成長層（１１）の上に、Ｓｉからなる被覆膜（Ｍ１）を形成し、被覆膜（Ｍ１）で覆われた領域に、拡大テラス面（１５Ａ）を形成する。次に、被覆膜（Ｍ１）を除去して、初期成長層（１１）の上に、新成長層をエピタキシャル成長させる。初期成長層（１１）の拡大テラス面（１５Ａ）の上には、低温安定なポリタイプである３Ｃ－ＳｉＣ結晶からなる３Ｃ－ＳｉＣ部（２１ａ）が成長する。ＭＯＳＦＥＴなどのチャネル領域を、バンドギャップの小さい、３Ｃ－ＳｉＣ部（２１ａ）に設けることにより、界面準位の低減によってチャネル移動度が向上し、動作特性の優れた炭化珪素半導体装置が得られる。
摘要翻译：本发明提供了具有优异的操作特性的碳化硅半导体器件及其制造方法。在设置在4H-SiC基板（10）上的初始生长层（11）上形成由硅形成的覆盖膜（M1），在被覆膜（M1）覆盖的区域上形成扩大的台面（15A））。接下来，去除覆盖膜（M1），并且在初始生长层（11）上外延生长新生长的层。在这种情况下，在初始生长层（11）的扩大的台面（15A）上生长由具有低温稳定性的多型式的3C-SiC晶体形成的3C-SiC部（21a）。在具有小带隙的3C-SiC部分（21a）中提供诸如MOSFET的沟道区域可以由于界面水平的降低而提高沟道迁移率，从而可以实现具有优异的碳化硅半导体器件的生产经营特点

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