专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2010029776A1 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：硅碳化硅半导体器件及生产碳化硅半导体器件的工艺
公开(公告)号：WO2010029776A1
公开(公告)日：2010-03-18
申请号：PCT/JP2009/051761
申请日：2009-02-03
申请人：住友電気工業株式会社 , 原田真 , 津守将斗
发明人：原田真 , 津守将斗
IPC分类号： H01L29/16 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/04 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/0878 , H01L29/1608 , H01L29/32 , H01L29/66068 , H01L29/8611
摘要：　炭化ケイ素からなる基板上に欠陥密度の低減された活性層が形成された炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法が得られる。半導体装置（１）は、面方位{０００１}に対しオフ角が５０°以上６５°以下である、炭化ケイ素からなる基板（２）と、バッファ層（２１）と、活性層としてのエピタキシャル層（３）、ｐ型層（４）、およびｎ+領域（５、６）とを備える。バッファ層（２１）は、基板（２）上に形成され、炭化ケイ素からなる。活性層は、バッファ層（２１）上に形成され、炭化ケイ素からなる。活性層におけるマイクロパイプ密度は基板（２）におけるマイクロパイプ密度より低い。また、活性層における、バーガーズベクトルの向きが[０００１]である転位の密度は、基板（２）における当該転位の密度より高い。前記バッファ層を形成する工程（Ｓ２０）における成膜条件では、前記バッファ層（２１）を形成するための原料ガスにおける珪素原子に対する炭素原子の割合であるＣ／Ｓｉ比の値が、前記活性層（３～６）を形成する工程（Ｓ３０）におけるＣ／Ｓｉ比の値より小さくなるように、前記原料ガスの組成および流量が決定されている。
摘要翻译：公开了一种碳化硅半导体器件，其包括碳化硅的衬底和在衬底上提供的具有降低的缺陷密度的有源层。还公开了一种用于制造碳化硅半导体器件的方法。半导体器件（1）包括具有不小于50°且不大于65°的平面方向{0001}偏角的碳化硅衬底（2），缓冲层（21），外延层（ 3）作为有源层，p型层（4）和n +区（5,6）。缓冲层（21）设置在基板（2）上并由碳化硅形成。有源层设置在缓冲层（21）上并由碳化硅形成。有源层中的微管密度低于衬底（2）中的微管密度。在有源层中，汉堡矢量方向[0001]的位错密度高于衬底（2）中的位错密度。关于形成缓冲层的步骤中的成膜条件（S20），确定用于形成缓冲层（21）的原料气体的组成和流速，使得碳原子与硅原子的比例在形成活性层（3〜6）的步骤中，原料气体即C / Si比低于C / Si比（S30）。

2. 发明申请

WO2010058610A1 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：硅碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2010058610A1
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：PCT/JP2009/051762
申请日：2009-02-03
申请人：住友電気工業株式会社 , 原田真 , 増田健良 , 和田圭司 , 津守将斗
发明人：原田真 , 増田健良 , 和田圭司 , 津守将斗
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/3003 , H01L21/324 , H01L29/045 , H01L29/0878 , H01L29/36 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/7802 , H01L29/94
摘要：　チャネル移動度のような電気的特性の優れた炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法が得られる。半導体装置（１）は、面方位｛０００１｝に対しオフ角が５０°以上６５°以下である、炭化ケイ素からなる基板（２）と、半導体層としてのｐ型層（４）と絶縁膜としての酸化膜（８）とを備える。ｐ型層（４）は基板（２）上に形成され、炭化ケイ素からなる。酸化膜（８）は、ｐ型層（４）の表面に接触するように形成されている。半導体層と絶縁膜との界面（チャネル領域と酸化膜（８）との界面）から１０ｎｍ以内の領域における窒素原子濃度の最大値が１×１０ 21 ｃｍ -3 以上である。
摘要翻译：公开了具有优异的电特性如沟道迁移率的碳化硅半导体器件和制造这种碳化硅半导体器件的方法。半导体器件（1）包括相对于{0001}平面方向具有不小于50°但不大于65°的偏角的碳化硅衬底（2），用于形成p型层（4）作为半导体层，以及用作绝缘膜的氧化膜（8）。 p型层（4）形成在基板（2）上并由碳化硅构成。氧化膜（8）形成为与p型层（4）的表面接触。从半导体层和绝缘膜之间的界面（即，沟道区域和氧化膜（8）之间的界面）的10nm以内的区域中的氮原子浓度的最大值不小于1×1021cm -3。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式