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1. 发明申请

WO2008075488A1 横型接合型電界効果トランジスタ审中-公开
标题翻译：横向连接场效应晶体管
公开(公告)号：WO2008075488A1
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：PCT/JP2007/068345
申请日：2007-09-21
申请人：住友電気工業株式会社 , 増田健良 , 並川靖生
发明人：増田健良 , 並川靖生
IPC分类号： H01L21/337 , H01L29/417 , H01L29/808
CPC分类号： H01L29/808 , H01L21/048 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/66901
摘要：　ｐ - エピタキシャル層（３）上に、ｎ型エピタキシャル層（４）とゲート領域（５）とが順に形成されている。ゲート電極（１２ａ）はゲート領域（５）に電気的に接続され、ソース電極（１２ｂ）およびドレイン電極（１２ｃ）は、ゲート電極（１２ａ）を挟むように互いに間隔を置いて配されている。制御電極（１２ｄ）は、オフ動作時においてｐ - エピタキシャル層（３）とｎ型エピタキシャル層（４）とが逆バイアス状態となるような電圧をｐ - エピタキシャル層（３）に印加するためのものである。
摘要翻译：在p型 - 外延层（3）上，顺序地叠置有n型外延层（4）和栅极区（5）。栅电极（12a）电连接到栅极区（5），源极电极（12b）和漏电极（12c）之间具有间隔，以便插入栅电极（12a）。控制电极（12d）用于施加到p型超导型外延层（3）的电压，使得在关断操作中，p + 层（3）和n型外延层（4）处于反向偏压状态。

2. 发明申请

WO01037328A1 METHOD FOR TREATING A SURFACE OF AN SIC SEMICONDUCTOR LAYER AND SCHOTTKY CONTACT 审中-公开
标题翻译：方法进行处理的SiC半导体层和肖特基表层
公开(公告)号：WO01037328A1
公开(公告)日：2001-05-25
申请号：PCT/EP2000/011260
申请日：2000-11-14
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/04 , H01L21/20 , H01L21/3065 , H01L29/47 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/0495 , H01L21/048 , H01L21/0485
摘要： The invention relates to a method for treating a surface of an SiC semiconductor body (1, 2) produced by epitaxy. According to said method, the parts (4) of the epitactic layer (2) that are deposited in the final phase of the epitaxy are removed by etching and a wet chemical treatment is then carried out in order to remove a thin natural oxide on the surface. Alternatively, a metal layer (5) configured as a Schottky contact and/or as an ohmic contact can also be applied to the surface immediately after the removal process.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于治疗由外延生成的SiC半导体基体的表面（1,2），其特征在于，在最后阶段外延在分离的部件（4）的外延层（2）通过蚀刻去除，随后进行湿法化学处理连接到表面上除去薄的天然氧化物。可替换地，形成为肖特基接触和/或作为欧姆接触金属层（5）可以被施加到表面上和Abtrageprozess之后。

3. 发明申请

WO2016113004A1 SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING AN OHMIC OR RECTIFYING CONTACT TO SILICON CARBIDE AND METHOD FOR FORMING SUCH CONTACT 审中-公开
标题翻译：包括OHMIC或修复接触碳化硅的半导体器件和形成这种接触的方法
公开(公告)号：WO2016113004A1
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：PCT/EP2015/072840
申请日：2015-10-02
申请人： ABB TECHNOLOGY AG
发明人： KNOLL, Lars , MINAMISAWA, Renato
IPC分类号： H01L29/16 , H01L21/04 , H01L29/45 , H01L29/47
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/048 , H01L21/0485 , H01L21/0495 , H01L29/45 , H01L29/47
摘要： It is the object of the invention to provide a semiconductor device including an electrical contact to a monocrystalline silicon carbide layer, which can be either an ohmic contact or a rectifying contact, with improved characteristics and in particular with a lower contact resistance in the conduction state, and to provide a method for forming such electrical contact to a monocrystalline silicon carbide layer. A semiconductor device according to the invention comprises a monocrystalline silicon carbide layer (1); a metal compound layer (3) between one of the materials of the silicon carbide layer (1) and a first metal, which is formed on the silicon carbide layer (1) to form an electrical contact to with the silicon carbide layer (1), characterized in that the compound layer (3) is monocrystalline and has a thickness (di) in a range of 1 to 10 nm. In a method of the invention such monocrystalline compound layer (3) is obtained by forming a thin first metal layer (2) with a thickness (do) in a range from 0.5 nm to 5 nm onto the monocrystalline SiC layer (1) and by subsequent annealing.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种半导体器件，其包括与单晶碳化硅层的电接触，所述单晶碳化硅层可以是欧姆接触或整流接触，具有改进的特性，特别是在导通状态下具有较低的接触电阻，并提供一种形成与单晶碳化硅层的这种电接触的方法。根据本发明的半导体器件包括单晶碳化硅层（1）; 在碳化硅层（1）的材料之一和第一金属之间的金属化合物层（3），其形成在碳化硅层（1）上以与碳化硅层（1）形成电接触，其特征在于，化合物层（3）是单晶的，其厚度（di）在1〜10nm的范围内。在本发明的方法中，通过在单晶SiC层（1）上形成厚度（do）为0.5nm至5nm的薄的第一金属层（2），通过在单晶SiC层（1）上形成这样的单晶化合物层（3）随后退火。

4. 发明申请

WO2016091488A1 METHOD FOR MANUFACTURING A WIDE BANDGAP JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE 审中-公开
标题翻译：制造宽带束连接器肖特基二极管的方法
公开(公告)号：WO2016091488A1
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：PCT/EP2015/075730
申请日：2015-11-04
申请人： ABB TECHNOLOGY AG
发明人： MINAMISAWA, Renato , RAHIMO, Munaf
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/872 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/24 , H01L29/20
CPC分类号： H01L21/0485 , H01L21/048 , H01L21/0495 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/401 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/6606 , H01L29/66212 , H01L29/872
摘要： A method for manufacturing a wide bandgapjunction barrier Schottky diode (1) having an anode side (10) and a cathode side (15) is provided, wherein an (n+) doped cathode layer (2) is arranged on the cathode side (15), at least one p doped anode layer (3) is arranged on the anode side (10), an (n-) doped drift layer (4) is arranged between the cathode layer (2) and the at least one anode layer (3), which drift layer (4) extends to the anode side (10), wherein the following manufacturing steps are performed: a) providing an (n+) doped wide bandgap substrate(100), b) creating the drift layer (4) on the cathode layer (2), c) creating the at least one anode layer (3) on the drift layer (4), d) applying a first metal layer (5) on the anode side (10) on top of the drift layer (4) for forming a Schottky contact (55), characterized in, that e) creating a second metal layer (6) on top of at least one anode layer (3), wherein after having created the first and the second metal layer (5, 6), a metal layer on top of the at least one anode layer (3) has a second thickness (64) and a metal layer on top of the drift layer (4) has a first thickness (54), wherein the second thickness (64) is smaller than the first thickness (54), f) then performing a first heating step (63) at a first temperature, by which due the second thickness (64) being smaller than the first thickness (54) an ohmic contact (65) is formed at the interface between the second metal layer (6) and the at least one anode layer (3), wherein performing the first heating step (63) such that a temperature below the first metal layer (5) is kept below a temperature for forming an ohmic contact.
摘要翻译：提供一种制造具有阳极侧（10）和阴极侧（15）的宽带隙势垒肖特基二极管（1）的方法，其中在阴极侧（15）上布置有（n +）掺杂阴极层（2）在阳极侧（10）上设置至少一个p掺杂阳极层（3），在阴极层（2）和至少一个阳极层（3）之间设置（n）掺杂漂移层（4）），所述漂移层（4）延伸到阳极侧（10），其中执行以下制造步骤：a）提供（n +）掺杂的宽带隙衬底（100），b）产生漂移层（4）阴极层（2），c）在漂移层（4）上形成至少一个阳极层（3），d）在漂移层顶部的阳极侧（10）上施加第一金属层（5）（4），用于形成肖特基接触（55），其特征在于e）在至少一个阳极层（3）的顶部上产生第二金属层（6），其中在形成第一和第二金属层（ 5，6），见面在所述至少一个阳极层（3）的顶部上的第一厚度（64）具有第二厚度（64），并且在所述漂移层（4）的顶部上的金属层具有第一厚度（54），其中所述第二厚度（64）小于第一厚度（54），f）然后在第一温度下执行第一加热步骤（63），由于第二厚度（64）小于第一厚度（54），欧姆接触（65）为形成在所述第二金属层（6）和所述至少一个阳极层（3）之间的界面处，其中执行所述第一加热步骤（63）使得所述第一金属层（5）下方的温度保持在低于形成欧姆接触。

5. 发明申请

WO2014136478A1 炭化珪素半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：硅碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2014136478A1
公开(公告)日：2014-09-12
申请号：PCT/JP2014/050798
申请日：2014-01-17
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：堀井　拓 , 木島　正貴
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/02164 , H01L21/048 , H01L21/0485 , H01L21/049 , H01L21/28 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/76802 , H01L21/76804 , H01L21/76844 , H01L21/76877 , H01L23/528 , H01L23/53266 , H01L23/5329 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　第１の主面（１０ａ）に接してゲート絶縁膜（２０）が設けられ、ゲート絶縁膜（２０）に接してゲート電極（３０）が設けられ、かつ第１の主面（１０ａ）にソース領域（１５）が露出した炭化珪素基板（１０）が準備される。マスク層（４５）を用いて層間絶縁膜（４０）に対して第１の等方性エッチングを行うことにより層間絶縁膜（４０）に第１の内壁面（４６ａ）を有する第１の凹部（４６）が形成される。マスク層（４５）を用いて層間絶縁膜（４０）およびゲート絶縁膜（２０）に対して第１の異方性エッチングを行ってソース領域（１５）をゲート絶縁膜（２０）から露出させることにより第２の内壁面（４７ａ）を有する第２の凹部（４７）が形成される。第１の内壁面（４６ａ）および第２の内壁面（４７ａ）に接して配置され、かつソース電極（５０）に電気的に接続される配線（６０）が形成される。これにより、配線の信頼性を向上可能な炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
摘要翻译：具有设置成与第一主表面（10a）接触的栅极绝缘膜（20）的碳化硅衬底（10），设置成与栅极绝缘膜（20）接触的栅电极（30）并且准备暴露在第一主表面（10a）上的源区（15）。掩模层（45）用于在层间电介质（40）上进行第一各向同性蚀刻工艺，以在所述层间电介质（40）中形成第一凹槽（46），所述第一凹槽（46）具有第一内壁表面（46A）。掩模层（45）也用于对层间电介质（40）和栅极绝缘膜（20）进行第一各向异性蚀刻处理，从而将源极区域（15）从栅极绝缘膜下方露出（20），形成具有第二内壁表面（47a）的第二凹槽（47）。形成布置成与第一内壁表面（46a）和第二内壁表面（47a）接触并与源电极（50）电连接的布线（60）。这使得可以提供具有改进的布线可靠性的碳化硅半导体器件及其制造方法。

6. 发明申请

WO2002086202A1 PROCEDE DE TRAITEMENT DE LA SURFACE D'UN MATERIAU SEMICONDUCTEUR 审中-公开
标题翻译：用于处理半导体材料表面的方法
公开(公告)号：WO2002086202A1
公开(公告)日：2002-10-31
申请号：PCT/FR2002/001323
申请日：2002-04-17
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , DERYCKE, Vincent , SOUKIASSIAN, Patrick
发明人： DERYCKE, Vincent , SOUKIASSIAN, Patrick
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B29/06 , C30B33/00 , H01L21/0445 , H01L21/045 , H01L21/048 , H01L21/28562 , H01L29/1608 , Y10S438/931 , Y10S438/974
摘要： Procédé de traitement de la surface d'un matériau semiconducteur, utilisant notamment l'hydrogène, et surface obtenue par ce procédé. Selon l'invention, on utilise par exemple l'hydrogène, on prépare la surface (S) pour qu'elle présente, à l'échelle atomique, une organisation contrôlée, et l'on hydrogène la surface ainsi préparée, la préparation et l'hydrogénation de la surface coopérant pour obtenir un état électrique prédéfini de la surface. L'invention trouve des applications, notamment en microélectronique, à la métallisation ou la passivation d'une surface semiconductrice.
摘要翻译：本发明涉及一种用于处理半导体材料的表面，特别是使用氢，以及所得表面的方法。本发明的特征在于，其包括例如在制备表面（S）时使用氢，使得其在原子尺度上具有受控组织，并且在所述制备的表面的氢化中，表面的制备和氢化结合以获得表面的预定电气状态。本发明特别适用于微电子学，半导体表面的金属化或钝化。

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