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1. 发明申请

WO2006025084A1 積層型半導体装置用キャリア構成、この製造方法及び積層型半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：用于堆叠半导体器件的载体布置，用于生产它们的工艺，以及用于生产堆叠半导体器件的工艺
公开(公告)号：WO2006025084A1
公开(公告)日：2006-03-09
申请号：PCT/JP2004/012476
申请日：2004-08-30
申请人：スパンションエルエルシー , Spansion Japan株式会社 , 小野寺正徳 , 目黒弘一 , 河西純一 , 新間康弘 , 田谷耕治 , 田中淳二
发明人：小野寺正徳 , 目黒弘一 , 河西純一 , 新間康弘 , 田谷耕治 , 田中淳二
IPC分类号： H01L25/04
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/67336 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/32145 , H01L2225/06513 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/3511
摘要：　第１の半導体パッケージ１０を載置するための開口部３１を有し、複数の薄板を積層して構成される下段キャリア３と、第２の半導体パッケージ１１を第１の半導体パッケージ１０上に配置させるための開口部２１を有する上段キャリア２とを含む積層型半導体装置製造用キャリア構成１である。下段キャリア３を複数の薄板を積層させて構成することで、板厚が均一になるだけでなく、各薄板が応力を分散させることによって反りを低減させることができる。その結果、積層型半導体の製造歩留まりの向上を図ることができる。また、下段キャリア３を構成する薄板の開口部３１となる開口パターンは、エッチング若しくは放電加工により形成される。反りやバリが発生するのを低減できる。
摘要翻译：一种用于制造堆叠半导体器件的载体布置（1），包括具有用于安装第一半导体封装（10）的开口（31）并通过层叠多个薄板而形成的下级载体（3），以及具有用于在第一半导体封装（10）上布置第二半导体封装（11）的开口（21）的上级载体（2）。由于下层载体（3）通过将多个薄板层叠而形成，所以由于每个薄板分布应力，板厚度均匀并且可以减少翘曲。因此，能够提高叠层半导体的制造成品率。此外，通过蚀刻或放电加工形成了构成下层载体（3）的薄板的开口（31）的开口图案，并且可以减少翘曲和毛刺的发生。

2. 发明申请

WO2007066409A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2007066409A1
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：PCT/JP2005/022646
申请日：2005-12-09
申请人：スパンションエルエルシー , Spansion Japan株式会社 , 星野雅孝 , 河西純一 , 目黒弘一 , 福山良太 , 新間康弘 , 田谷耕治 , 小野寺正徳 , 舛田直実
发明人：星野雅孝 , 河西純一 , 目黒弘一 , 福山良太 , 新間康弘 , 田谷耕治 , 小野寺正徳 , 舛田直実
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/12 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/3128 , H01L23/49575 , H01L25/50 , H01L2224/02371 , H01L2224/05548 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2225/06506 , H01L2225/06513 , H01L2225/06551 , H01L2225/06555 , H01L2924/01004 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要：　本発明は、各半導体チップ（１０）が、半導体基板（１２）と、半導体基板（１２）の側面に設けられ、側面に凹部（５４）を有する第１絶縁層（１６）と、を有する積層された複数の半導体チップ（３０）と、凹部（５４）内の側面の中央部に設けられた第１金属層（２０）と、凹部（５４）に設けられ、各半導体チップ（１０）に設けられた第１金属層（２０）を接続する第２金属層（２４）と、を有する半導体装置およびその製造方法である。
摘要翻译：一种半导体器件，包括每个半导体衬底（12）的半导体芯片（10）的堆叠（30）和设置在半导体衬底（12）的侧表面上的第一绝缘层（16），并且具有凹部）和用于将设置在所述凹部（54）中的所述侧面的中心部分中的第一金属层（20）连接到设置在所述凹部（54）中的第一金属层（20）的第二金属层（24）部件（54）并且设置在每个半导体芯片（10）上。还公开了其制造方法。

3. 发明申请

WO2005114730A1 半導体装置の製造方法および半導体装置审中-公开
标题翻译：用于生产半导体器件和半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2005114730A1
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：PCT/JP2004/006845
申请日：2004-05-20
申请人：スパンションエルエルシー , Spansion Japan株式会社 , 新間康弘 , 河西純一 , 目黒弘一 , 小野寺正徳 , 田中淳二
发明人：新間康弘 , 河西純一 , 目黒弘一 , 小野寺正徳 , 田中淳二
IPC分类号： H01L23/28
CPC分类号： H01L23/3128 , H01L21/565 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/105 , H01L2224/451 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
摘要：　本発明の半導体装置の製造方法は、中継基板１１上に形成した電極パッド（端子）１７を覆うように耐熱シート３１を配置する工程と、中継基板と耐熱シート３１とを金型４１、４２で挟み込み、樹脂封止を行う工程とを有している。電極パッド（端子）１７を耐熱シートで覆って電極パッド（端子）１７を保護した上で、半導体素子１４を樹脂で封止することで、電極パッド（端子）１７に汚れが付着する不具合を生じることがない。このため、中継基板１１上に発生する樹脂バリや電極パッドの汚染を防止し、製造歩留まりを向上させることができる。
摘要翻译：一种用于制造半导体器件的方法，包括用于布置耐热片（31）以覆盖形成在互连基板（11）上的电极焊盘（端子）（17）的步骤，以及用于树脂密封互连基板和热（31），通过用模具（41,42）夹紧它们。由于通过用耐热片覆盖电极焊盘（端子）（17）来保护电极焊盘（端子）（17）之后，由于半导体元件（14）被树脂密封，因此可以防止污物附着到电极焊盘（端子）17上。因此，防止了互连基板（11）上的树脂毛刺和电极垫的污染，并且可以提高生产率。

4. 发明申请

WO2006080082A1 積層型半導体装置用キャリア及び積層型半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：层状半导体器件载体和层状半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2006080082A1
公开(公告)日：2006-08-03
申请号：PCT/JP2005/001247
申请日：2005-01-28
申请人：スパンションエルエルシー , Spansion Japan株式会社 , 田谷耕治 , 目黒弘一 , 河西純一 , 新間康弘 , 小野寺正徳 , 田中淳二 , マニカムアチャリ、ムルガサンエーエル
发明人：田谷耕治 , 目黒弘一 , 河西純一 , 新間康弘 , 小野寺正徳 , 田中淳二 , マニカムアチャリ、ムルガサンエーエル
IPC分类号： H01L25/10 , H01L25/065 , H01L25/11 , H01L25/18
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/16 , H01L2225/06593 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2224/0401
摘要： A layered semiconductor device carrier (10) includes a container unit (11) for containing a plurality of layered semiconductor devices (4), a guide unit (12) for guiding the semiconductor devices (4), and a groove (13) for introducing a gas or a liquid to the container unit (11) from the side surface of the semiconductor devices (4). Since the groove for introducing a gas or a liquid into the container unit from the side surface of the semiconductor devices is arranged, it is possible to easily introduce a hot wind in the reflow step and a detergent in the cleaning step. This improves the manufacturing yield and the cleaning effect. Moreover, a hole is provided in corner portions of the container unit (11) for connecting the container unit with outside. By introducing a gas from the lower side of the container unit (11), heat is transmitted to the semiconductor devices, thereby reducing the junction failure of the layer connection portion of the semiconductor devices. Furthermore, a groove is provided for connecting the holes arranged in the adjacent container unit.
摘要翻译：层状半导体器件载体（10）包括用于容纳多个分层半导体器件（4）的容器单元（11），用于引导半导体器件（4）的引导单元（12）和用于引入从半导体器件（4）的侧表面向容器单元（11）注入气体或液体。由于布置有用于从半导体器件的侧表面将气体或液体引入容器单元的槽，所以可以在清洗步骤中容易地引入回流步骤中的热风和洗涤剂。这提高了制造产量和清洁效果。此外，在容器单元（11）的角部设置有用于将容器单元与外部连接的孔。通过从容器单元（11）的下侧引入气体，将热传递到半导体器件，从而减少半导体器件的层连接部分的接合故障。此外，设置有用于连接布置在相邻容器单元中的孔的凹槽。

5. 发明申请

WO2006082620A1 積層型半導体装置及び積層型半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：层状半导体器件和层状半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2006082620A1
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：PCT/JP2005/001339
申请日：2005-01-31
申请人：スパンションエルエルシー , Spansion Japan株式会社 , 新間康弘 , 小野寺正徳 , 目黒弘一 , 田谷耕治 , 田中淳二 , 河西純一
发明人：新間康弘 , 小野寺正徳 , 目黒弘一 , 田谷耕治 , 田中淳二 , 河西純一
IPC分类号： H01L25/10 , H01L25/11 , H01L25/18 , H05K1/14
CPC分类号： H05K1/144 , H01L23/49827 , H01L23/5387 , H01L24/73 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2225/1023 , H01L2225/107 , H01L2924/01004 , H01L2924/01087 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H05K1/023 , H05K1/147 , H05K1/189 , H05K3/361 , H05K3/403 , H05K2201/09181 , H05K2201/10515 , H05K2201/10734 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要：　積層型半導体装置は、積層される複数の半導体装置と、前記半導体装置が接続され、端面に設けられた電極を含む複数の中継基板と、前記中継基板の端面に設けられた電極同士を接続する接続基板とを含む。中継基板の端面に設けられた電極は、例えば導電性を有する接着剤又は異方性導電フィルムを介して接続基板に接続される。これにより、複数の中継基板の端面に設けられた電極を接続基板によって接続することで、接続があくまで端面のみで行われるので、接続基板の折り曲げ部を設ける必要もないため、積層型半導体装置の小型化にとって有効である。また、さまざまなサイズのパッケージに対応できるので、積層型半導体装置を短納期で提供することができる。
摘要翻译：分层半导体器件包括要层叠的多个半导体器件，连接到半导体器件并且具有布置在端表面上的电极的多个中继衬底和用于连接布置在继电器的端表面上的电极的连接衬底底物彼此。布置在中继基板的端面上的电极例如通过导电粘合剂或各向异性导电膜连接到连接基板。因此，通过连接基板连接在中继基板的端面上的电极，仅通过端面进行连接，不需要设置连接基板的弯曲部。这减小了分层半导体器件的尺寸。此外，由于可以应对各种尺寸的封装，可以在短时间内制造分层半导体器件。

6. 发明申请

WO2005109506A1 積層型半導体装置用キャリア及び積層型半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：用于多层半导体器件的载体和用于制造多层半导体器件的工艺
公开(公告)号：WO2005109506A1
公开(公告)日：2005-11-17
申请号：PCT/JP2004/006265
申请日：2004-05-11
申请人：スパンションエルエルシー , Spansion Japan株式会社 , 小野寺正徳 , 河西純一 , 目黒弘一 , 田中淳二 , 新間康弘 , 田谷耕治
发明人：小野寺正徳 , 河西純一 , 目黒弘一 , 田中淳二 , 新間康弘 , 田谷耕治
IPC分类号： H01L25/10
CPC分类号： H01L25/50 , H01L25/105 , H01L2221/68318 , H01L2224/16 , H01L2225/06586 , H01L2225/06596 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331
摘要：　本発明の積層型半導体装置用キャリアは、下側となる第１の半導体装置１１０を収納する第１の収納部１２を有する下段キャリア３と、第１の半導体装置１１０上に積層する第２の半導体装置１２０を収納して、第２の半導体装置１２０を第１の半導体装置１１０上の所定位置に配置する第２の収納部１４を有する上段キャリア２を有して構成している。従って、積層のための専用の装備を備える必要がなくなるため、コストを低減させることができる。
摘要翻译：一种用于多层半导体器件的载体，包括具有用于容纳作为下侧器件的第一半导体器件（110）的第一容纳部分（12）的下级载体（3）和具有第二（110）上的第二半导体器件（120），并且将第二半导体器件（120）布置在第一半导体器件（110）上的指定位置。通过这样的结构，不需要专用的堆叠装置，因此可以降低成本。

7. 发明申请

WO2006097973A1 ＩＣキャリア，ＩＣソケット及びＩＣデバイスの試験方法审中-公开
标题翻译： IC卡，IC插座和测试IC器件的方法
公开(公告)号：WO2006097973A1
公开(公告)日：2006-09-21
申请号：PCT/JP2005/004286
申请日：2005-03-11
申请人：株式会社日本マイクロニクス , スパンションエルエルシー , Spansion Japan株式会社 , 大里衛知 , 河西純一 , 目黒弘一 , 小野寺正徳
发明人：大里衛知 , 河西純一 , 目黒弘一 , 小野寺正徳
IPC分类号： H01R33/76
CPC分类号： G01R1/0483 , G01R1/0466
摘要：　本発明のＩＣキャリア（２４）に保持されるＩＣデバイス（１０）は，両面電極タイプのＢＧＡ型のＩＣデバイス（１０）であり，パッケージの第１面に複数の突起電極（１４）を備えている。このＩＣデバイスは，前記第１面とは反対側の第２面に，（ａ）中央の隆起部（３０）と，（ｂ）隆起部より一段低い周辺部（３２）と，（ｃ）周辺部に形成された複数の上部電極（１８）とを備えている。ＩＣキャリアは，フレーム（３６）とカバー部（４０）と保持手段（４２）を備えている。フレームはＩＣデバイスを収容するためのデバイス収容空間（３８）を形成している。カバー部はＩＣキャリアに保持されたＩＣデバイスの周辺部に接触して上部電極を覆うことができる。保持手段は，カバー部がＩＣデバイスの上部電極を覆っている状態で，ＩＣデバイスをＩＣキャリアに保持できる。ＩＣデバイスをＩＣキャリアに搭載したままでＩＣソケットに装着できる。
摘要翻译：保持在IC载体（24）上的IC器件（10）是在封装的第一表面上设置有凸块电极（14）的双面电极型BGA IC器件（10）。 IC器件在与第一表面相对的第二表面上具有（a）中心突起（30），（b）比突起低一级的周边部分（32），（c）上电极（18）形成在IC器件的周边部分上。 IC载体设有框架（36），盖（40）和保持装置（42）。该帧形成用于接收IC设备的设备接收空间（38）。盖可以覆盖上电极，同时与保持在IC载体上的IC器件的周边接触。保持装置可以将IC器件保持在IC载体上，盖子覆盖IC器件的上部电极。该IC器件可以安装在IC载体上而设置在IC插座中。

8. 发明申请

WO2007083351A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2007083351A1
公开(公告)日：2007-07-26
申请号：PCT/JP2006/300542
申请日：2006-01-17
申请人：スパンションエルエルシー , Spansion Japan株式会社 , 田中淳二 , 河西純一 , 目黒弘一 , 小野寺正徳 , 田谷耕治
发明人：田中淳二 , 河西純一 , 目黒弘一 , 小野寺正徳 , 田谷耕治
IPC分类号： H01L25/10 , H01L23/12 , H01L23/28
CPC分类号： H01L25/105 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2224/85 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：　本発明は、基板（１０）と、基板（１０）に搭載された半導体チップ（２０）と、基板（１０）の半導体チップ（２０）の側に設けられた上部接続端子（１８）と、上部接続端子（１８）が貫通し、半導体チップ（２０）および上部接続端子（１８）を封止する樹脂封止部（２４）と、を有し、上部接続端子（１８）の上面は樹脂封止部（２４）の上面より低く設けられた半導体装置であり、その半導体装置を積層した。半導体装置を積層下半導体装置およびその製造方法である。
摘要翻译：半导体器件设置有衬底（10）; 安装在所述基板（10）上的半导体芯片（20）; 布置在所述基板（10）上的所述半导体芯片（20）侧的上连接端子（18）; 和树脂密封部分（24），其具有穿过树脂密封部分的上连接端子（18）并密封半导体芯片（20）和上连接端子（18）。上连接端子（18）的上平面布置成低于树脂密封部分（24）的上平面。堆叠这种半导体器件。其中半导体器件堆叠的半导体器件，以及制造这种半导体器件的方法。

9. 发明申请

WO2007036994A1 半導体装置およびその製造方法並びにフィルムの製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件，其制造方法和薄膜制造方法
公开(公告)号：WO2007036994A1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/JP2005/017816
申请日：2005-09-28
申请人：スパンションエルエルシー , Spansion Japan株式会社 , 河西純一 , 目黒弘一 , 小野寺正徳
发明人：河西純一 , 目黒弘一 , 小野寺正徳
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/52 , H01L27/14 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73257 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06586 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15173 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19104 , H05K3/323 , H05K2203/107 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：　本発明は、第１の基板（半導体チップ２０）と、第１の基板上に設けられ、表裏を通して導電性となる部分を少なくとも有する配線パターン（２４）を有する異方性導電フィルム（２２）と、異方性導電フィルム（２２）上に設けられ、第１の基板と異方性導電フィルム（２２）の配線パターン（２４）を介し電気的に接続された第２の基板（半導体チップ）と、を有する半導体装置およびその製造方法並びにそのフィルムである。本発明によれば、上下の基板の異なる箇所を電気的に接続する場合の製造コストを低くすることが可能な半導体装置およびその製造方法並びにフィルムの製造方法を提供することができる。
摘要翻译：半导体器件包括第一衬底（半导体芯片20），各向异性导电膜（22）和第二衬底（半导体芯片）。各向异性导电膜（22）设置在第一基板上，并具有通过前后至少具有导电部分的布线图案（24）。第二基板设置在各向异性导电膜（22）上，并通过各向异性导电膜（22）的布线图案（24）与第一基板电连接。还公开了半导体器件的制造方法和半导体器件的膜。根据半导体器件及其制造方法和膜制造方法，可以降低用于电连接上基板和下基板的不同部分的制造成本。

10. 发明申请

WO2006106569A1 積層型半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：堆叠型半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2006106569A1
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：PCT/JP2005/006264
申请日：2005-03-31
申请人：スパンションエルエルシー , Spansion Japan株式会社 , 小野寺正徳 , 目黒弘一 , 河西純一
发明人：小野寺正徳 , 目黒弘一 , 河西純一
IPC分类号： H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/10 , H01L25/11 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/3135 , H01L23/3128 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/03 , H01L25/105 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/92247 , H01L2225/1023 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/4554
摘要：　本発明は、基板４上に搭載された半導体素子１と、半導体素子１を封止する第１の封止樹脂１２と、第１の封止樹脂１２上に配置されたチップ９と、第１の封止樹脂１２に封止されたチ半導体素子１とチップ９とを封止する第２の封止樹脂１３とを有する構成としている。このようなパッケージ構造の場合、チップ９と基板４との間にはんだバンプ等の外部接続端子が存在しないため、第２の封止樹脂１３での封止を容易に行うことができる。さらに、第１の封止樹脂１２上にチップ９が直接配置されているので、熱の伝達経路が従来よりも広く、ワイヤボンディングによる配線が安定して実現できる。
摘要翻译：堆叠型半导体器件设置有安装在基板（4）上的半导体元件（1）; 用于密封半导体元件（1）的第一密封树脂（12）; 布置在第一密封树脂（12）上的芯片（9）; 以及用于密封用第一密封树脂（12）和芯片（9）密封的半导体元件（1）的第二密封树脂（13）。在这种封装结构中，由于在芯片（9）和基板（4）之间不存在诸如凸块的外部连接端子，所以可以容易地利用第二密封树脂（13）进行密封。此外，由于芯片（9）直接配置在第一密封树脂（12）上，因此导热路径比以往更宽，因此能够稳定地进行引线接合。

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