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1. 发明申请

WO2010108639A3 METHOD AND COMPOSITION FOR CLEANING OBJECTS 审中-公开
标题翻译：方法和组合物清洗对象
公开(公告)号：WO2010108639A3
公开(公告)日：2010-11-25
申请号：PCT/EP2010001774
申请日：2010-03-22
申请人： BUBBLES AND BEYOND GMBH , SCHUMANN DIRK , SURKOW RAINER
发明人： SCHUMANN DIRK , SURKOW RAINER
IPC分类号： C11D1/825 , C11D1/14 , C11D1/72 , C11D1/74 , C11D1/83 , C11D3/00 , C11D3/18 , C11D3/20 , C11D3/32 , C11D17/00
CPC分类号： C11D17/0021 , C11D1/825 , C11D1/83 , C11D3/0052 , C11D3/18 , C11D3/20 , C11D3/201 , C11D3/2041 , C11D3/2072 , C11D3/2093 , C11D3/32
摘要： The present invention relates to a method for cleaning objects made of organic or inorganic materials, wherein the relevant material is brought into contact with a composition in the form of a fluid nanophase system, comprising a) at least one water-insoluble substance having a water solubility of less than 4 grams per liter, b) at least one amphiphilic substance (NP-MCA) which has no surfactant structure, is not structure-forming on its own, the solubility of which in water or oil ranges between 4g and 1000g per liter and which does not preferably accumulate at the oil-water interface, c) at least one anionic, cationic, amphoteric and/or non-ionic surfactant, d) at least one polar protic solvent, in particular having hydroxy functionality, e) if necessary one or more auxiliary substance.
摘要翻译：本发明涉及一种用于清洁由有机或无机材料的制品，在此之后所讨论的材料被抵接在包括具有每升少于4克的水溶解度：a）至少一种水不溶性物质的流体纳米相体系的形式的组合物的方法 b）至少一种两亲性物质（NP-MCA）具有单独的表面活性剂没有结构不是结构形成，其是在每升4g和千克之间的水或油溶性和优选在油 - 水界面不积累 c）至少一种阴离子，阳离子，两性和/或非离子表面活性剂，d）至少一种极性质子溶剂，特别是与羟基，e）任选地一种或多种赋形剂。

2. 发明申请

WO2004030028A3 METHOD FOR THE PRODUCTION OF AN INTEGRATED SEMICONDUCTOR CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：生产集成半导体电路的方法
公开(公告)号：WO2004030028A3
公开(公告)日：2004-06-03
申请号：PCT/DE0303068
申请日：2003-09-16
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , GOEBEL BERND , MOLL PETER , SCHUMANN DIRK , SEIDL HARALD
发明人： GOEBEL BERND , MOLL PETER , SCHUMANN DIRK , SEIDL HARALD
IPC分类号： H01L20060101 , H01L21/768 , H01L21/8239 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L27/10888 , H01L21/76895 , H01L27/10864 , H01L27/10894
摘要： The invention relates to a method for the production of an integrated semiconductor circuit, whereby electrical contacts (20), for first conducting structures (1), are produced in the memory region (I) and the first conducting structures (1) are contacted, without contacting second conducting structures (2) arranged laterally with respect to the first conducting structures (1), which laterally border the first conducting structures (1) or are arranged too close to the same to be selectively lithographically masked. According to the invention, the first conducting structures (1) are contacted, whereby a conducting layer (L) is deposited and structured after a planarisation in the memory region at the level of the first conducting structures (1) above the second conducting structures (2), which is applied in the logic region for the generation of gate electrodes, for example. Intermediate contacts (10) are thus structured which are so wide that contact holes for the electrical contacts can be fitted thereon. The deposition of a nitride layer for the protection of the second conducting layer (2) is thus superfluous.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造在其中为第一导电结构（1）的存储器区域（I）（20）制备的半导体集成电路的电接触，并且所述第一导电结构（1）由所述第一结构没有横向导电接触（2）（1）设置在第二导电图案，以接触施加于第一导电图案的侧面（1）抵接或挨着它们紧密地布置成选择性地掩蔽以它们能够光刻。根据本发明，第一导电结构（1）由所述存储区域在已经在所述逻辑区域被使用过的第二导电结构（2）平坦化，导电层（L）后上面的第一导电结构（1）的电平相接触，例如用于生产栅电极的变得分离和结构化。这个中间触点（10）是结构化的，其宽度足以使电触点（20）的触点孔可以调节到它们。不需要沉积氮化物层以保护第二导电结构（2）。

3. 发明申请

WO2002069345A3 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SPEICHERKONDENSATORS 审中-公开
公开(公告)号：WO2002069345A3
公开(公告)日：2002-09-06
申请号：PCT/DE2002/000436
申请日：2002-02-06
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , SELL, Bernhard , SÄNGER, Annette , SCHUMANN, Dirk
发明人： SELL, Bernhard , SÄNGER, Annette , SCHUMANN, Dirk
IPC分类号： H01L21/8242
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein neuartiges Verfahren zur Herstellung eines Speicherkondensators, welcher als Graben- oder Stapelkondensator ausgeführt ist und insbesondere in einer DRAM-Speicherzelle verwendet wird. Das erfindungsgemäße Verfahren umfaßt die Schritte zum Bilden einer unteren metallischen Kondensatorelektrode (13), eines Speicherdielektrikums (14) und einer oberen Kondensatorelektrode (15), wobei die untere metallische Kondensatorelektrode (13) in der Weise selbstjustiert auf einem Silizium-Grundmaterial (1) gebildet wird, daß zunächst freiliegende Silizium-Bereiche an den Stellen, an denen die untere Kondensatorelektrode zu bilden ist, erzeugt werden und sodann auf den freiliegenden Silizium-Bereichen Metallsilizid (13) selektiv gebildet wird.

4. 发明申请

WO02069345A2 METHOD FOR PRODUCTION OF A MEMORY CAPACITOR 审中-公开
标题翻译：用于生产存储器用电容器
公开(公告)号：WO02069345A2
公开(公告)日：2002-09-06
申请号：PCT/DE0200436
申请日：2002-02-06
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , SELL BERNHARD , SAENGER ANNETTE , SCHUMANN DIRK
发明人： SELL BERNHARD , SAENGER ANNETTE , SCHUMANN DIRK
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/316 , H01L21/8242 , H01L27/108 , G11C15/00
CPC分类号： H01L27/10861 , H01L21/28518 , H01L21/31604 , H01L27/10814 , H01L28/60
摘要： The invention relates to a novel method for production of a memory capacitor, embodied as a trench or laminar condenser and is used, in particular, in a DRAM memory cell. Said method comprises the following steps: a lower metallic condenser electrode (13), a storage dielectric (14) and an upper condenser electrode (15) are formed, whereby the lower metallic condenser electrode (13) is formed in a self-justified manner on a silicon base material (1), then a free silicon region is formed in those positions where the lower condenser electrode is to be formed and then metal silicide (13) is formed selectively on the free silicon.
摘要翻译：本发明涉及一种用于存储电容器，其被设计为沟槽或叠层电容器，特别是用于在DRAM的存储单元的制备的新方法。本发明方法包括在上一个硅基底材料的自对准的方式形成下金属电容器电极（13），存储介质（14）和上电容器电极（15），所述下部金属电容器电极（13）的步骤（1）形成是，首先在在该下电容器电极是该位置的所有暴露的硅区中形成，产生，然后施加到金属硅化物（13）的暴露的硅区域上选择性地形成。

5. 发明申请

WO2010105842A9 ZUBEREITUNG ZUR ÄUSSERLICHEN ANWENDUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2010105842A9
公开(公告)日：2010-09-23
申请号：PCT/EP2010/001742
申请日：2010-03-19
申请人： BUBBLES AND BEYOND GMBH , SCHUMANN, Dirk
发明人： SCHUMANN, Dirk
IPC分类号： A61K9/107 , A61K47/08 , A61K47/10 , A61K9/00
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft Zubereitungen zur äußerlichen Anwendung auf die Haut von Tier und Mensch umfassend a) eine Zusammensetzung in Form eines fluides Nanophasensystems umfassend die Komponenten a1) mindestens eine wasserunlösliche Substanz mit einer Wasserlöslichkeit von weniger als 4 Gramm pro Liter, a2) mindestens eine amphiphile Substanz (NP-MCA), die keine Tensidstruktur aufweist, alleine nicht strukturbildend ist, deren Löslichkeit in Wasser bzw. Öl zwischen 4 g und 1000 g pro Liter beträgt und die sich nicht bevorzugt an der Öl-Wasser-Grenzfläche anreichert, a3) mindestens ein anionisches, kationisches, amphoteres und/oder nichtionisches Tensid, a4) mindestens ein polares protisches Lösungsmittel, insbesondere mit Hydroxyfunktionalität, a5) gegebenenfalls ein oder mehrere Hilfsstoffe, wobei sich die Prozentangaben jeweils auf das Gesamtgewicht der Zusammensetzung beziehen, und b) ein therapeutisch, kosmetisch oder diagnostisch wirksames Mittel in einer therapeutisch, kosmetisch oder diagnostisch wirksamen Menge.

6. 发明申请

WO2009037349A2 FORMULIERUNGEN ZUR ENTFERNUNG VON FARBSCHICHTEN UND DIVERSEN SCHMUTZSCHICHTEN VON OBERFLÄCHEN, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES MITTELS UND VERFAHREN ZUR REINIGUNG 审中-公开
标题翻译：用于去除发色层和表面的不同DIRT层方法制剂生产用于清理装置及方法
公开(公告)号：WO2009037349A2
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：PCT/EP2008/062573
申请日：2008-09-19
申请人： BUBBLES & BEYOND GMBH , SCHUMANN, Dirk , SURKOW, Rainer
发明人： SCHUMANN, Dirk , SURKOW, Rainer
IPC分类号： C11D17/00 , C11D3/20 , C11D3/18 , C11D3/50 , C11D11/00 , C09D9/00 , C09D9/04 , A61Q3/04
CPC分类号： C11D17/0021 , A61K8/06 , A61K8/068 , A61K8/31 , A61K8/34 , A61K8/345 , A61K8/37 , A61K8/463 , A61K8/55 , A61K2800/21 , A61Q3/04 , C09D9/005 , C09D9/04 , C11D3/18 , C11D3/2006 , C11D3/2041 , C11D3/2068 , C11D3/2072 , C11D3/2093 , C11D3/2096 , C11D3/245 , C11D3/28 , C11D3/32 , C11D3/33 , C11D3/3427 , C11D3/3445 , C11D3/3472 , C11D3/349 , C11D3/362 , C11D3/43 , C11D3/50 , C11D11/0023 , C11D11/0052
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Reinigungsmittel, dadurch gekennzeichnet, dass das Reinigungsmittel eine Mikroemulsion oder ein fluides Nanophasensystem aufweist und die folgenden Bestandteile umfasst: a) mindestens eine wasserunlösliche Substanz mit einer Löslichkeit in Wasser von weniger als 4g pro Liter; b) mindestens eine amphiphile Substanz, NP-MCA, die keine Tensidstruktur aufweist, alleine nicht strukturbildend ist, deren Löslichkeit in Wasser bzw. Öl zwischen 4g und 1000g pro Liter beträgt und die sich nicht bevorzugt an der Öl-Wasser-Grenzfläche anreichert, mit der Maßgabe, dass NP-MCA nicht ausgewählt ist aus 2-Ethyl-1,3-Hexandiol, 2-Methyl-2,4-Pentandiol, 2-(n- Butyl)-2-Ethyl-1,3-Propandiol und/oder aus 1,2-Diolen; c) mindestens ein anionisches, kationisches, amphoteres und /oder nicht-ionisches Tensid; d) Wasser und/oder ein Wasserlösliches Lösungsmittel mit Hydroxyfunktionalität und ggf. Hilfsstoffe.
摘要翻译：本发明涉及一种清洁剂，其特征在于，所述清洁装置包括微乳液或流体纳米相体系和以下组分：a）具有在每升小于4g水中的溶解度的至少一种水不溶性物质; b）至少一种两亲性物质，NP-MCA，其具有单独的表面活性剂没有结构不是结构形成，在每升4g和千克之间的水或油的溶解性，优选在油 - 水界面不积累，与条件是NP-MCA不从2-乙基-1,3-己二醇，2-甲基-2,4-戊二醇，2-（正丁基）-2-乙基-1,3-丙二醇和选择/ 或从1,2-二醇; c）至少一种阴离子，阳离子，两性和/或非离子表面活性剂; d）水和/或具有羟基官能团和任选的赋形剂的水溶性溶剂。

7. 发明申请

WO2004030028A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN HALBLEITERSCHALTUNG 审中-公开
标题翻译：方法用于生产半导体集成电路
公开(公告)号：WO2004030028A2
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：PCT/DE2003/003068
申请日：2003-09-16
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , GÖBEL, Bernd , MOLL, Peter , SCHUMANN, Dirk , SEIDL, Harald
发明人： GÖBEL, Bernd , MOLL, Peter , SCHUMANN, Dirk , SEIDL, Harald
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/10888 , H01L21/76895 , H01L27/10864 , H01L27/10894
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung, bei dem im Speicherbereich (I) elektrische Kontakte (20) für erste leitfähige Strukturen (1) hergestellt werden und die ersten leitfähigen Strukturen (1) kontaktiert werden, ohne seitlich von den ersten leitfähigen Strukturen (1) angeordnete zweite leitfähige Strukturen (2) zu kontaktieren, die seitlich an die ersten leitfähigen Strukturen (1) angrenzen oder zu dicht neben ihnen angeordnet sind, um selektiv zu ihnen lithographisch maskiert werden zu können. Erfindungsgemäß werden die ersten leitfähigen Strukturen (1) kontaktiert, indem im Speicherbereich in Höhe der ersten leitfähigen Strukturen (1) oberhalb der zweiten leitfähigen Strukturen (2) nach einer Planarisierung eine leitfähige Schicht (L), die im Logikbereich beispielsweise zur Fertigung von Gateelektroden eingesetzt wird, abgeschieden und strukturiert wird. Dabei werden Zwischenkontakte (10) strukturiert, die so breit sind, daß Kontaktlöcher für die elektrischen Kontakte (20) auf ihnen justiert werden können. Die Abscheidung einer Nitridschicht zum Schutz der zweiten leitfähigen Strukturen (2) erübrigt sich dadurch.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造在其中为第一导电结构（1）的存储器区域（I）（20）制备的半导体集成电路的电接触，并且所述第一导电结构（1）由所述第一结构没有横向导电接触（2）（1）设置在第二导电图案，以接触施加于第一导电图案的侧面（1）抵接或挨着它们紧密地布置成选择性地掩蔽以它们能够光刻。根据本发明，第一导电结构（1）由所述存储区域在已经在所述逻辑区域被使用过的第二导电结构（2）平坦化，导电层（L）后上面的第一导电结构（1）的电平相接触，例如用于生产栅电极的是，沉积并图案化。在这种情况下，中间触点（10）是结构化的，其是如此之宽的电触头（20），该接触孔可以调整到它们。氮化物层用于保护所述第二导电结构（2）的沉积，从而需要。

8. 发明申请

WO03028104A3 SEMICONDUCTOR MEMORY WITH MEMORY CELLS COMPRISING A VERTICAL SELECTION TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：包含垂直选择晶体管的具有存储器单元的半导体存储器及其制造方法
公开(公告)号：WO03028104A3
公开(公告)日：2003-08-14
申请号：PCT/DE0202980
申请日：2002-08-14
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , LUETZEN JOERN , GOEBEL BERND , SCHUMANN DIRK , GUTSCHE MARTIN , SEIDL HARALD , POPP MARTIN , KERSCH ALFRED , STEINHOEGL WERNER
发明人： LUETZEN JOERN , GOEBEL BERND , SCHUMANN DIRK , GUTSCHE MARTIN , SEIDL HARALD , POPP MARTIN , KERSCH ALFRED , STEINHOEGL WERNER
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L27/10864 , H01L27/10841 , H01L27/10867 , H01L27/10891
摘要： A trench capacitor (30) is arranged in a first trench (25) for production of a semiconductor memory (5). A first longitudinal trench (55) is arranged in the substrate (15) next to the first trench (25) and parallel thereto on the other side of the first trench (25), a second longitudinal trench (60) is arranged therein. A first spacer word line (70) is arranged in the first longitudinal trench (55) and a second spacer word line (75) is arranged in the second longitudinal trench (60). Connecting webs (80) are arranged in the first trench (25) between the first spacer word line (70) and the second spacer word line (75) with a thickness (110), which is smaller in the direction of the first spacer word line (70) than half the width of the first trench (25) in the direction of the first spacer word line (70).
摘要翻译：为了制造半导体存储器（5），沟槽电容器（30）被布置在第一沟槽（25）中。除了所述第一沟槽（25），第一纵向沟槽（55）和上第一沟槽并行（25），在所述基板的第二纵向沟槽（60）的另一侧（15）被布置。在第一纵向沟槽（55）中设置第一间隔字线（70），在第二纵向沟槽（60）中设置第二间隔字线（75）。在所述第一沟槽（25）的连接板（80）设置在所述第一间隔物的字线（70）和具有厚度（110）所述第二间隔的字线（75）（在第一间隔的字线70的方向之间）小于第一沟槽（25）朝向第一间隔字线（70）的宽度的一半。

9. 发明申请

WO2002078058A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES MOSFETS MIT SEHR KLEINER KANALLÄNGE 审中-公开
标题翻译：用于生产规模很小，MOSFET的沟道长度
公开(公告)号：WO2002078058A2
公开(公告)日：2002-10-03
申请号：PCT/DE2002/000732
申请日：2002-02-28
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , CAPPELLANI, Annalisa , DITTMAR, Ludwig , SCHUMANN, Dirk
发明人： CAPPELLANI, Annalisa , DITTMAR, Ludwig , SCHUMANN, Dirk
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/28114 , H01L21/2652 , H01L21/28052 , H01L21/28061 , H01L21/28123 , H01L21/32137 , H01L29/66575
摘要： Beschrieben wird ein Verfahren, bei dem ein mindestens aus zwei Schichten (3) und (5) bestehender Gate-Schichtenstapel zunächst anisotrop strukturiert und dann die untere Schicht (3) geätzt wird, wobei ein isotroper, vorzugsweise selektiver Ätzschritt eine seitliche Unterätzung, d. h. Entfernung der unteren Schicht (3) bis zur vorgegebenen Kanallänge bewirkt. Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens kann ein T-Gate-Transistor sehr kurzer Kanallänge maßgenau, auf einfache Weise und kostengünstig hergestellt werden. Seine elektrischen Schalteigenschaften sind besser als diejenigen anderer, mit herkömmlichen Verfahren geformter T-gate-Transistoren.
摘要翻译：本发明公开了一种方法，其中至少两个层（3）和（5）存在的栅极层堆叠第一各向异性图案化，然后将下层（3）进行蚀刻的各向同性，优选选择性蚀刻步骤，一个侧面蚀刻，D。小时。实现除去下层（3）的所述预定信道长度。利用本发明的方法的帮助下，一个T栅极晶体管非常短的沟道长度可以尺寸精确的，被制造和很容易地花费。其电气开关性质比其他的，通过常规的方法T-栅极晶体管形成更好。

10. 发明申请

WO2002069375A2 GRABENKONDENSATOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：抓斗电容器及其制造方法
公开(公告)号：WO2002069375A2
公开(公告)日：2002-09-06
申请号：PCT/DE2002/000515
申请日：2002-02-13
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , SELL, Bernhard , SÄNGER, Annette , SCHUMANN, Dirk
发明人： SELL, Bernhard , SÄNGER, Annette , SCHUMANN, Dirk
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L27/10861 , H01L27/1203
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft einen Grabenkondensator zur Verwendung in einer DRAM-Speicherzelle sowie ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Grabenkondensators.Der erfindungsgemässe Grabenkondensator umfasst eine untere Kondensatorelektrode (10), ein Speicherdielektrikum (12) und eine obere Kondensatorelektrode (18), die mindestens teilweise in einem Graben (5) angeordnet sind, wobei die untere Kondensatorelektrode (10) im unteren Grabenbereich an eine Wand des Grabens angrenzt, während im oberen Grabenbereich eine an eine Wand des Grabens angrenzende Spacerschicht (9) aus einem isolierenden Material vorgesehen ist, und die obere Elektrode (18) mindestens zwei Schichten (13, 14, 15) umfasst, von denen mindestens eine metallisch ist, mit der Massgabe, dass die obere Elektrode nicht aus zwei Schichten besteht, von denen die untere Wolframsilizid und die obere dotiertes Polysilizium ist, wobei die Schichten (13, 14, 15) der oberen Elektrode sich jeweils entlang den Wänden und dem Boden des Grabens (5) bis mindestens zum oberen Rand der Spacerschicht (9) erstrecken.
摘要翻译：本发明涉及一种在DRAM存储单元中的严重电容器使用和用于制造这样的Grabenkondensators.Der发明严重电容器包括下电容器电极（10），存储介质（12）和上电容器电极（18）的方法，至少部分地在的沟槽（5）被布置，其中，在所述上严重区域被提供而邻近于所述沟槽间隔件的壁中的层（9）由绝缘材料制成的下电容器电极（10）的下严重区域与沟槽的壁相邻，和上电极（18）的至少两个层（13，14，15），其中之一至少是金属的，与上部电极不是由两个层，其中一个是较低的硅化钨和上部掺杂多晶硅的条件，其中上部电极未的层（13，14，15）沿着每个壁的延伸到所述沟槽（5）的底部，以至少间隔件（9）D的上边缘上。

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