专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2013050670A1 MODULE DE COMMANDE POUR IMPLANTEUR IONIQUE EN MODE IMMERSION PLASMA 审中-公开
标题翻译：用于离子注入模式的离子植入物的控制模块
公开(公告)号：WO2013050670A1
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：PCT/FR2012/000391
申请日：2012-10-03
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA, Frank , ROUX, Laurent
发明人： TORREGROSA, Frank , ROUX, Laurent
IPC分类号： H01J37/32 , C23C14/48 , G01R19/00
CPC分类号： H01J37/243 , G01R19/0061 , H01J37/32174 , H01J37/32311 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32917 , H01J37/32972
摘要： La présente invention concerne un module de commande pour implanteur ionique comportant une alimentation, cette alimentation comprenant : - un générateur électrique HT dont le pôle positif est raccordé à la masse, - un premier interrupteur SW1 dont le premier pôle est raccordé au pôle négatif du générateur HT et dont le second pôle est raccordé à la borne de sortie S de cette alimentation, - un deuxième interrupteur SW2 dont le premier pôle est raccordé à la borne de sortie S et dont le second pôle est relié à une borne de neutralisation N. De plus, ce module de commande comprend un circuit de mesure du courant AMP qui s'écoule entre le second pôle du second interrupteur SW2 et la borne de neutralisation N. L'invention vise également un implanteur ionique muni de ce module de commande.
摘要翻译：本发明涉及一种用于离子注入机的控制模块，包括电源，所述电源包括：发电机（HT），其正极连接到地面; 第一开关（SW1），其第一极连接到发电机（HT）的负极，其第二极连接到所述电源的输出端子; 以及第二开关（SW2），其第一极连接到输出端子（S），其第二极端连接到中性端子（N）。此外，所述控制模块包括用于测量在第二开关（SW2）的第二极与中性端子（N）之间流动的电流的电路（AMP）。本发明还涉及一种设置有所述控制模块的离子注入机。

2. 发明申请

WO2010066968A1 DISPOSITIF DE SPECTROSCOPIE OPTIQUE COMPORTANT UNE PLURALITÉ DE SOURCES D'ÉMISSION 审中-公开
标题翻译：具有大量排放源的光学光谱仪器
公开(公告)号：WO2010066968A1
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：PCT/FR2009/001407
申请日：2009-12-10
申请人： SILIOS TECHNOLOGIES , TISSERAND, Stéphane , HUBERT, Marc , ROUX, Laurent
发明人： TISSERAND, Stéphane , HUBERT, Marc , ROUX, Laurent
IPC分类号： G01J3/26
CPC分类号： G01J3/26 , G01J3/02 , G01J3/0256 , G01J3/10 , G01J3/45
摘要： L'invention concerne un dispositif de spectroscopie en longueur d'onde comportant, sur un substrat, une cellule de filtrage CF constituée de deux miroirs séparés par une membrane d'espacement, cette cellule de filtrage étant formée par une pluralité de filtres interférentiels. De plus, ce dispositif comporte une cellule d'émission CE comprenant une pluralité de sources d'émission, chacune de ces sources étant associée à l'un des filtres interférentiels.
摘要翻译：本发明涉及一种波长分析装置，其在基板上包括由隔离膜隔开的两个反射镜构成的滤波单元CF，该滤波单元由多个干涉滤波器构成。此外，该装置包括具有多个发射源的发射单元CE，这些源中的每一个与干涉滤波器之一相关联。

3. 发明申请

WO2006010821A1 DISPOSITIF DE CALIBRATION SUR SUBSTRAT EN SILICIUM 审中-公开
标题翻译：硅衬底上的校准设备
公开(公告)号：WO2006010821A1
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：PCT/FR2005/001582
申请日：2005-06-23
申请人： SILIOS TECHNOLOGIES , TISSERAND, Stephane , ROUX, Laurent , JACOB, Sophie
发明人： TISSERAND, Stephane , ROUX, Laurent , JACOB, Sophie
IPC分类号： G01B7/34 , G01N27/00 , H01L21/66 , H01J37/20
CPC分类号： H01L22/34
摘要： L'invention présente un dispositif de calibration sur un substrat SU en silicium formé, en sus d'un niveau de référence Nc, par au moins deux niveaux distincts Ng, Nd. Ces niveaux présentent des dopages distincts. L'invention vise également un procédé de réalisation de ce dispositif de calibration, procédé comprenant une étape de définition pour définir au moins deux sections distinctes Sg, Sd d'une section de référence Sc sur un substrat SU en silicium. Cette étape de définition consiste à doper à des taux différents les sections différentes de la section de référence.
摘要翻译：本发明涉及一种硅衬底SU上的校准装置，除了通过至少两个具有两个不同掺杂的不同等级的不同等级的Ng和Nd之外还形成参考电平Nc。本发明还涉及一种用于制造本发明的校准装置的方法，该方法包括在硅衬底SU上限定参考部分Sc的至少两个不同部分Sg和Sd，并以不同程度掺杂参考部分的不同部分。

4. 发明申请

WO2004086844A2 SUBSTRAT MULTICOUCHES IMPLANTE A FAIBLE DOSE 审中-公开
标题翻译：多层底层植入低剂量
公开(公告)号：WO2004086844A2
公开(公告)日：2004-10-14
申请号：PCT/FR2004/000739
申请日：2004-03-25
申请人： ION BEAM SERVICES , ROUX, Laurent , VIDAL, Bernard , PERROCHEAU, Jacques , FAIK, Hasnaa
发明人： ROUX, Laurent , VIDAL, Bernard , PERROCHEAU, Jacques , FAIK, Hasnaa
IPC分类号： C23C14/58 , C23C16/56 , G02B5/08 , G21K1/06
CPC分类号： G02B5/0833 , B82Y10/00 , C23C14/5806 , C23C14/5833 , C23C16/56 , G21K1/062
摘要： L’invention présente un substrat (1) pourvu d’un empilement de couches déposées (11, 12, 21, 22, …, 71, 72). L’une au Moines de ces couches présente dans une zone de réglage une concentration de défauts ponctuels crées comprise entre 3.10 20 /cm 3 et 3.10 23 /cm 3 . Avantageusement, l’empilement comporte une superposition de couples chacun formé d’une couche impaire (11, 21, 71) et une couche paire (12, 22, 72) se distinguant par leurs compositions. L’invention vise également un procédé de préparation de ce substrat.
摘要翻译：本发明涉及一种具有一叠沉积层（11,12,21,22，，71,72）的基片（1）。根据本发明，上述层中的至少一个包括在调节区域中在3.10 20 / cm 3至3.10 23 / cm 3之间的浓度的产生的点缺陷。层叠层优选地包括一叠层，每对由奇数层（11,21,71）和具有不同组成的均匀层（12,22,72）组成。本发明还涉及制备所述基材的方法。

5. 发明申请

WO2013057390A1 PROCÉDÉ DE COMMANDE D'UN IMPLANTEUR IONIQUE EN MODE IMMERSION PLASMA 审中-公开
标题翻译：在离子注入模式下控制离子植入物的方法
公开(公告)号：WO2013057390A1
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：PCT/FR2012/000392
申请日：2012-10-04
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA, Frank , ROUX, Laurent
发明人： TORREGROSA, Frank , ROUX, Laurent
IPC分类号： H01J37/32 , C23C14/48 , H01L21/223
CPC分类号： H01J37/3171 , C23C14/48 , H01J37/32009 , H01J37/32146 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32706 , H01L21/2236
摘要： La présente invention concerne un procédé de commande d'un im¬ planteur ionique comportant une alimentation plasma (AP) et une ali¬ mentation substrat (PS), cette alimentation substrat comprenant : • - un générateur électrique (HT), • - un premier interrupteur (SW1) raccordé entre le générateur et la borne de sortie de cette alimentation substrat, • - un deuxième interrupteur (SW2) raccordé entre la borne de sortie et une borne de neutralisation, procédé comportant une phase d'implantation (A-D) et une phase de neutralisation (E-H). Ce procédé comporte de plus une phase de relaxation (C-F) qui che¬ vauche la phase d'implantation et la phase de neutralisation, phase de relaxation durant laquelle l'alimentation plasma est inactivée. En outre, la phase de neutralisation comprend une étape préliminaire (E-F) pour fermer le deuxième interrupteur, cette étape préliminaire étant suivie par une étape d'annulation (F-G) pour activer l'alimenta¬ tion plasma (AP). Figure à publier : figure 4.
摘要翻译：本发明涉及一种控制包括等离子体电源（AP）和衬底电源（PS）的离子注入机的方法，所述衬底电源包括： - 发电机（HT）。 - 连接在发电机和所述基板电源的输出端之间的第一开关（SW1）。 - 连接在输出端子和中和端子之间的第二开关（SW2），包括注入阶段（A-D）和中和阶段（E-H）的方法。该方法还包括与注入阶段和中和阶段重叠的弛豫阶段（C-F），其中等离子体电源被钝化的弛豫阶段。此外，中和阶段包括关闭第二开关的预备步骤（E-F），所述预备步骤之后是消除步骤（F-G）以激活等离子体电源（AP）。图可公布：图4。

6. 发明申请

WO2011151540A1 DISPOSITIF DE MESURE DE DOSE POUR L'IMPLANTATION IONIQUE EN MODE IMMERSION PLASMA 审中-公开
标题翻译：用于等离子体离子植入的剂量测量装置
公开(公告)号：WO2011151540A1
公开(公告)日：2011-12-08
申请号：PCT/FR2011/000323
申请日：2011-06-01
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA, Frank , ROUX, Laurent
发明人： TORREGROSA, Frank , ROUX, Laurent
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/32
CPC分类号： G01T1/02 , H01J37/244 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32935 , H01J2237/24405 , H01J2237/2448 , H01J2237/31703
摘要： La présente invention concerne un dispositif de mesure de dose pour l'implantation ionique en mode immersion plasma, dispositif comportant un module d'estimation du courant d'implantation CUR, un détecteur d'électrons secondaires DSE et un circuit de contrôle CC pour estimer le courant ionique par différentiation du courant d'implantation et du courant issu du détecteur d'électrons secondaires. De plus, le détecteur DSE d'électrons secondaires énergétiques comporte un collecteur supportant exclusivement trois électrodes isolées les unes des autres : - une première électrode de répulsion pour repousser les charges à écarter d'un signe prédéterminé, cette électrode étant munie d'au moins un orifice pour permettre le passage des électrons, - une deuxième électrode de répulsion pour repousser les charges à écarter du signe opposé, cette électrode étant aussi munie d'au moins un orifice pour permettre le passage des électrons, - une électrode de sélection cette électrode étant également munie d'au moins un orifice pour permettre le passage des électrons.
摘要翻译：本发明涉及一种用于等离子体浸没离子注入的剂量测量装置，所述装置包括用于估计注入电流（CUR）的模块，用于通过分化估计离子电流的二次电子检测器（DSE）和控制电路（CC）的注入电流和由二次电子检测器产生的电流。此外，用于能量二次电子（DSE）的检测器包括仅具有彼此绝缘的三个电极的集电器，即：用于排斥具有预定符号的被拒绝电荷的第一排斥电极，所述电极设置在至少一个电子通道的开口; 用于排斥具有相反符号的要被拒绝的电荷的第二排斥电极，所述电极还设置有用于电子通过的至少一个开口; 和选择电极，所述电极还设置有用于电子通过的至少一个开口。

7. 发明申请

WO2009112680A3 WAVELENGTH SPECTROSCOPY DEVICE WITH INTEGRATED FILTERS 审中-公开
标题翻译：具有集成滤波器的波长光谱设备
公开(公告)号：WO2009112680A3
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：PCT/FR2009000056
申请日：2009-01-20
申请人： SILIOS TECHNOLOGIES , TISSERAND STEPHANE , HUBERT MARC , ROUX LAURENT
发明人： TISSERAND STEPHANE , HUBERT MARC , ROUX LAURENT
IPC分类号： G01J3/26
CPC分类号： G01J3/26
摘要： The invention relates to a wavelength spectroscopy device that comprises, on a substrate SUB, a filtering module comprising two mirrors MIR1, MIR2 separated by a spacing membrane SP. The filtering module includes a plurality of interference filters FP1, FP2, FP3, the thickness of the spacing membrane SP being constant for a given filter and varying from one filter to the other.
摘要翻译：本发明涉及一种波长光谱学装置，其在基底SUB上包括过滤模块，该过滤模块包括被间隔膜SP分开的两个反射镜MIR1，MIR2。滤波模块包括多个干涉滤波器FP1，FP2，FP3，间隔膜SP的厚度对于给定的滤波器是恒定的并且从一个滤波器到另一个滤波器变化。

8. 发明申请

WO2007144514A1 MÉTHODE ET APPAREIL DE CARACTÉRISATION OPTIQUE DU DOPAGE D'UN SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：用于光学表征基板的方法和装置
公开(公告)号：WO2007144514A1
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：PCT/FR2007/000992
申请日：2007-06-14
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA Frank , ROUX Laurent
发明人： TORREGROSA Frank , ROUX Laurent
IPC分类号： G01N21/95 , H01L21/66
CPC分类号： G01N21/9501 , G01N21/55 , G01N2021/215
摘要： L'invention concerne une méthode de caractérisation optique comprenant une étape d'évaluation du dopage d'un substrat (SUB) au moyen d'un faisceau réfléchi Issu d'une source lumineuse, cette méthode étant mise en oeuvre avec un appareil comportant : - cette source lumineuse (LAS) pour produire un faisceau Incident (I) selon un axe d'Incidence, - un premier détecteur (DET1 DET1 ) pour mesurer la puissance de ce faisceau réfléchi (R) selon un axe de réflexion, - les axes d'incidence et de réflexion se croisant en un point de mesure et formant un angle de mesure (2Θ) non nul, - un polariseur (POL) disposé sur le trajet du faisceau Incident (I); De plus, la source lumineuse (LAS) est monochromatique. L'invention vise également un implanteur Ionique équipé de cet appareil.
摘要翻译：本发明涉及一种光学表征方法，其包括借助于来自光源的反射光束来评估衬底（SUB）的掺杂的步骤，该方法使用以下装置进行： - 该光源（LAS ），用于沿着入射轴产生入射光束（I）; - 用于沿着反射轴测量该反射光束（R）的功率的第一检测器（DET1），入射轴线和测量点处的反射轴线，并且产生非零测量角度（2T）; 以及 - 放置在入射光束（I）的路径中的偏振器（POL）。此外，光源（LAS）是单色的。本发明还涉及配备有该装置的离子注入机。

9. 发明申请

WO2006003322A3 ION IMPLANTER OPERATING IN PULSED PLASMA MODE 审中-公开
标题翻译：离子注入器在脉冲等离子体模式下的运行
公开(公告)号：WO2006003322A3
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：PCT/FR2005001468
申请日：2005-06-14
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA FRANK , MATHIEU GILLES , ROUX LAURENT
发明人： TORREGROSA FRANK , MATHIEU GILLES , ROUX LAURENT
IPC分类号： C23C14/48 , C23C8/36 , C23C16/00 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32412 , C23C8/36 , C23C14/48 , H01J37/32706
摘要： The invention relates to an ion implanter (IMP) comprising a pulsed plasma source (SPL), a substrate support plate (PPS) and a power supply (ALT) for said plate. The inventive implanter also comprises a capacitor C which is connected directly to the earth (E) and which is mounted downstream of the plate power supply (ALT). The invention also relates to a method of using said implanter.
摘要翻译：本发明涉及包括用于所述板的脉冲等离子体源（SPL），衬底支撑板（PPS）和电源（ALT）的离子注入机（IMP）。本发明的注入器还包括直接连接到地（E）并安装在板电源（ALT）下游的电容器C. 本发明还涉及一种使用所述注入机的方法。

10. 发明申请

WO2005012959A1 FILTRE EN LONGUEUR D’ONDE COMPORTANT PLUSIEURS CELLULES COMPOSEES DU MEME MATERIAU 审中-公开
标题翻译：包含相同材料的几个细胞的波长过滤器
公开(公告)号：WO2005012959A1
公开(公告)日：2005-02-10
申请号：PCT/FR2004/001709
申请日：2004-07-02
申请人： SILIOS TECHNOLOGIES , TISSERAND, Stéphane , ROUX, Laurent , REVERSAT, Fabien , DROUARD, Emmanuel , ESCOUBAS, Ludovic , FLORY, François
发明人： TISSERAND, Stéphane , ROUX, Laurent , REVERSAT, Fabien , DROUARD, Emmanuel , ESCOUBAS, Ludovic , FLORY, François
IPC分类号： G02B5/20
CPC分类号： G02B6/12007 , G02B6/124 , G02B6/1347
摘要： L'invention présente un filtre F comportant une pluralité de cellules C1, C2, C3 juxtaposées consécutivement sur un substrat optique, une telle cellule comportant au moins une première SI et une deuxième S2 sections homogènes toutes deux majoritairement composées du même matériau. Ces deux sections SI, S2 diffèrent par leurs indices de réfraction.
摘要翻译：本发明涉及包括在光学基板上并排连续放置的多个单元（C1，C2，C3）的滤波器（F）。每个电池包括至少一个第一（S1）和一个第二（S2）均匀的部分，其主要由相同的材料制成并且由它们的折射率彼此不同。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式