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    • 5. 发明申请
    • PROCÉDÉ DE COMMANDE D'UN IMPLANTEUR IONIQUE EN MODE IMMERSION PLASMA
    • 在离子注入模式下控制离子植入物的方法
    • WO2013057390A1
    • 2013-04-25
    • PCT/FR2012/000392
    • 2012-10-04
    • ION BEAM SERVICESTORREGROSA, FrankROUX, Laurent
    • TORREGROSA, FrankROUX, Laurent
    • H01J37/32C23C14/48H01L21/223
    • H01J37/3171C23C14/48H01J37/32009H01J37/32146H01J37/32412H01J37/32422H01J37/32706H01L21/2236
    • La présente invention concerne un procédé de commande d'un im¬ planteur ionique comportant une alimentation plasma (AP) et une ali¬ mentation substrat (PS), cette alimentation substrat comprenant : • - un générateur électrique (HT), • - un premier interrupteur (SW1) raccordé entre le générateur et la borne de sortie de cette alimentation substrat, • - un deuxième interrupteur (SW2) raccordé entre la borne de sortie et une borne de neutralisation, procédé comportant une phase d'implantation (A-D) et une phase de neutralisation (E-H). Ce procédé comporte de plus une phase de relaxation (C-F) qui che¬ vauche la phase d'implantation et la phase de neutralisation, phase de relaxation durant laquelle l'alimentation plasma est inactivée. En outre, la phase de neutralisation comprend une étape préliminaire (E-F) pour fermer le deuxième interrupteur, cette étape préliminaire étant suivie par une étape d'annulation (F-G) pour activer l'alimenta¬ tion plasma (AP). Figure à publier : figure 4.
    • 本发明涉及一种控制包括等离子体电源(AP)和衬底电源(PS)的离子注入机的方法,所述衬底电源包括: - 发电机(HT)。 - 连接在发电机和所述基板电源的输出端之间的第一开关(SW1)。 - 连接在输出端子和中和端子之间的第二开关(SW2),包括注入阶段(A-D)和中和阶段(E-H)的方法。 该方法还包括与注入阶段和中和阶段重叠的弛豫阶段(C-F),其中等离子体电源被钝化的弛豫阶段。 此外,中和阶段包括关闭第二开关的预备步骤(E-F),所述预备步骤之后是消除步骤(F-G)以激活等离子体电源(AP)。 图可公布:图4。
    • 6. 发明申请
    • DISPOSITIF DE MESURE DE DOSE POUR L'IMPLANTATION IONIQUE EN MODE IMMERSION PLASMA
    • 用于等离子体离子植入的剂量测量装置
    • WO2011151540A1
    • 2011-12-08
    • PCT/FR2011/000323
    • 2011-06-01
    • ION BEAM SERVICESTORREGROSA, FrankROUX, Laurent
    • TORREGROSA, FrankROUX, Laurent
    • H01J37/244H01J37/32
    • G01T1/02H01J37/244H01J37/32412H01J37/32422H01J37/32935H01J2237/24405H01J2237/2448H01J2237/31703
    • La présente invention concerne un dispositif de mesure de dose pour l'implantation ionique en mode immersion plasma, dispositif comportant un module d'estimation du courant d'implantation CUR, un détecteur d'électrons secondaires DSE et un circuit de contrôle CC pour estimer le courant ionique par différentiation du courant d'implantation et du courant issu du détecteur d'électrons secondaires. De plus, le détecteur DSE d'électrons secondaires énergétiques comporte un collecteur supportant exclusivement trois électrodes isolées les unes des autres : - une première électrode de répulsion pour repousser les charges à écarter d'un signe prédéterminé, cette électrode étant munie d'au moins un orifice pour permettre le passage des électrons, - une deuxième électrode de répulsion pour repousser les charges à écarter du signe opposé, cette électrode étant aussi munie d'au moins un orifice pour permettre le passage des électrons, - une électrode de sélection cette électrode étant également munie d'au moins un orifice pour permettre le passage des électrons.
    • 本发明涉及一种用于等离子体浸没离子注入的剂量测量装置,所述装置包括用于估计注入电流(CUR)的模块,用于通过分化估计离子电流的二次电子检测器(DSE)和控制电路(CC) 的注入电流和由二次电子检测器产生的电流。 此外,用于能量二次电子(DSE)的检测器包括仅具有彼此绝缘的三个电极的集电器,即:用于排斥具有预定符号的被拒绝电荷的第一排斥电极,所述电极设置在 至少一个电子通道的开口; 用于排斥具有相反符号的要被拒绝的电荷的第二排斥电极,所述电极还设置有用于电子通过的至少一个开口; 和选择电极,所述电极还设置有用于电子通过的至少一个开口。
    • 8. 发明申请
    • MÉTHODE ET APPAREIL DE CARACTÉRISATION OPTIQUE DU DOPAGE D'UN SUBSTRAT
    • 用于光学表征基板的方法和装置
    • WO2007144514A1
    • 2007-12-21
    • PCT/FR2007/000992
    • 2007-06-14
    • ION BEAM SERVICESTORREGROSA FrankROUX Laurent
    • TORREGROSA FrankROUX Laurent
    • G01N21/95H01L21/66
    • G01N21/9501G01N21/55G01N2021/215
    • L'invention concerne une méthode de caractérisation optique comprenant une étape d'évaluation du dopage d'un substrat (SUB) au moyen d'un faisceau réfléchi Issu d'une source lumineuse, cette méthode étant mise en oeuvre avec un appareil comportant : - cette source lumineuse (LAS) pour produire un faisceau Incident (I) selon un axe d'Incidence, - un premier détecteur (DET1 DET1 ) pour mesurer la puissance de ce faisceau réfléchi (R) selon un axe de réflexion, - les axes d'incidence et de réflexion se croisant en un point de mesure et formant un angle de mesure (2Θ) non nul, - un polariseur (POL) disposé sur le trajet du faisceau Incident (I); De plus, la source lumineuse (LAS) est monochromatique. L'invention vise également un implanteur Ionique équipé de cet appareil.
    • 本发明涉及一种光学表征方法,其包括借助于来自光源的反射光束来评估衬底(SUB)的掺杂的步骤,该方法使用以下装置进行: - 该光源(LAS ),用于沿着入射轴产生入射光束(I); - 用于沿着反射轴测量该反射光束(R)的功率的第一检测器(DET1),入射轴线和测量点处的反射轴线,并且产生非零测量角度(2T); 以及 - 放置在入射光束(I)的路径中的偏振器(POL)。 此外,光源(LAS)是单色的。 本发明还涉及配备有该装置的离子注入机。