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1. 发明申请

WO2007144514A1 MÉTHODE ET APPAREIL DE CARACTÉRISATION OPTIQUE DU DOPAGE D'UN SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：用于光学表征基板的方法和装置
公开(公告)号：WO2007144514A1
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：PCT/FR2007/000992
申请日：2007-06-14
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA Frank , ROUX Laurent
发明人： TORREGROSA Frank , ROUX Laurent
IPC分类号： G01N21/95 , H01L21/66
CPC分类号： G01N21/9501 , G01N21/55 , G01N2021/215
摘要： L'invention concerne une méthode de caractérisation optique comprenant une étape d'évaluation du dopage d'un substrat (SUB) au moyen d'un faisceau réfléchi Issu d'une source lumineuse, cette méthode étant mise en oeuvre avec un appareil comportant : - cette source lumineuse (LAS) pour produire un faisceau Incident (I) selon un axe d'Incidence, - un premier détecteur (DET1 DET1 ) pour mesurer la puissance de ce faisceau réfléchi (R) selon un axe de réflexion, - les axes d'incidence et de réflexion se croisant en un point de mesure et formant un angle de mesure (2Θ) non nul, - un polariseur (POL) disposé sur le trajet du faisceau Incident (I); De plus, la source lumineuse (LAS) est monochromatique. L'invention vise également un implanteur Ionique équipé de cet appareil.
摘要翻译：本发明涉及一种光学表征方法，其包括借助于来自光源的反射光束来评估衬底（SUB）的掺杂的步骤，该方法使用以下装置进行： - 该光源（LAS ），用于沿着入射轴产生入射光束（I）; - 用于沿着反射轴测量该反射光束（R）的功率的第一检测器（DET1），入射轴线和测量点处的反射轴线，并且产生非零测量角度（2T）; 以及 - 放置在入射光束（I）的路径中的偏振器（POL）。此外，光源（LAS）是单色的。本发明还涉及配备有该装置的离子注入机。

2. 发明申请

WO2014083246A1 IMPLANTEUR IONIQUE POURVU D'UNE PLURALITÉ DE CORPS DE SOURCE PLASMA 审中-公开
标题翻译：离子植物提供多种等离子体源体
公开(公告)号：WO2014083246A1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：PCT/FR2013/000308
申请日：2013-11-25
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA Frank , ROUX Laurent
发明人： TORREGROSA Frank , ROUX Laurent
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J2237/31701 , H01J2237/3365
摘要： L'invention concerne un implanteur ionique qui comporte une enceinte ENV dans laquelle est agencée un porte-substrat PPS connecté à une alimentation substrat ALT par l'intermédiaire d'un passage électrique haute tension PET, cette enceinte ENV étant pourvue de moyens de pompage PP, PS, cette enceinte ENV comportant encore au moins deux corps de source CS1, CS2 cylindriques dépourvus de tout obstacle et disposés face au porte-substrat. Cet implanteur est remarquable en ce qu'il comporte au moins une bobine de confinement BCI1 -BCS1, BCI2-BCS2 par corps de source CS1, CS2.
摘要翻译：本发明涉及一种离子注入机，其包括外壳ENV，其包含通过高压电通道PET连接到基板供应ALT的基板载体PPS，所述外壳ENV设置有泵送装置PP，PS，并且还包括至少两个圆柱形，无障碍物源体CS1，CS2布置成面向衬底载体。所述注入机的特征在于它包括每个源体CS1，CS2至少一个容纳线圈BCI1-BCS1，BCI2-BCS2。

3. 发明申请

WO2006003322A2 IMPLANTEUR IONIQUE FONCTIONNANT EN MODE PLASMA PULSE 审中-公开
标题翻译：在脉冲等离子体模式下操作的离子植入物
公开(公告)号：WO2006003322A2
公开(公告)日：2006-01-12
申请号：PCT/FR2005/001468
申请日：2005-06-14
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA Frank , MATHIEU Gilles , ROUX Laurent
发明人： TORREGROSA Frank , MATHIEU Gilles , ROUX Laurent
IPC分类号： C23C14/48
CPC分类号： H01J37/32412 , C23C8/36 , C23C14/48 , H01J37/32706
摘要： La présente invention concerne un implanteur ionique IMP qui comporte une source plasma pulsée SPL, un plateau porte-substrat PPS et une alimentation ALT de ce plateau. Cet implanteur comporte de plus une capacité C reliée directement à la masse E et montée en aval de l'alimentation plateau ALT. L'invention vise également un procédé de mise en oeuvre de l'implanteur.
摘要翻译：本发明涉及一种离子注入机（IMP），其包括用于所述板的脉冲等离子体源（SPL），衬底支撑板（PPS）和电源（ALT）。本发明的注入机还包括电容器C，其直接连接到地（E）并且安装在板电源（ALT）的下游。本发明还涉及使用所述注入机的方法。

4. 发明申请

WO2006003321A1 ALIMENTATION D’IMPLANTEUR IONIQUE PREVUE POUR UNE LIMITATION DE L’EFFET DE CHARGE 审中-公开
标题翻译：离子植入物电源旨在限制装载效应
公开(公告)号：WO2006003321A1
公开(公告)日：2006-01-12
申请号：PCT/FR2005/001466
申请日：2005-06-14
申请人： ION BEAM SERVICES , TORREGROSA Frank , MATHIEU Gilles
发明人： TORREGROSA Frank , MATHIEU Gilles
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H03H7/06 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J37/32706
摘要： L'invention concerne une alimentation ALT d'implanteur ionique qui comprend : - un générateur électrique SOU disposé entre un plateau porte-substrat PPS et la masse E, - un condensateur CDS dans une branche de dérivation également disposée entre le plateau porte-substrat PPS et la masse E. Le condensateur CDS a une capacité inférieure à 5 nF. L'invention vise également un implanteur ionique incorporant cette alimentation.
摘要翻译：本发明涉及一种离子注入机电源（ALT），其包括设置在基板支撑板（PPS）和地球（E）之间的发电机（SOU）和旁路分支中的电容器（CDS）在基板支撑板（PPS）和地球（E）之间。电容器（CDS）的电容小于5 nF。本发明还涉及一种包括所述电源的离子注入机。

5. 发明申请

WO2013093238A1 SUPPORT COMPORTANT UN PORTE-SUBSTRAT ÉLECTROSTATIQUE 审中-公开
标题翻译：支持包括静电基板支架
公开(公告)号：WO2013093238A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/FR2012/000530
申请日：2012-12-19
申请人： ION BEAM SERVICES
发明人： TORREGROSA Frank , ROUX Laurent
IPC分类号： H01L21/683 , H02N13/00 , H01L21/67
CPC分类号： C23C14/50 , C23C14/48 , H01L21/67069 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L21/6833
摘要： La présente invention concerne un support qui comporte : - une table polarisée électriquement conductrice, - un porte-substrat 20 isolant électrostatique prenant la forme d'un cylindre pourvu d'un épaulement 21, la face inférieure de ce porte- substrat 20 venant en regard de cette table polarisée et sa face supérieure 22 présentant un plan d'appui prévu pour recevoir un substrat, - une bride de serrage électriquement conductrice pour brider ledit épaulement 21 sur la table polarisée, De plus, ce support comprend au moins un élément 201-202-203 électriquement conducteur pour raccorder le plan d'appui à l'épaulement 21.
摘要翻译：本发明涉及一种支撑体，其包括：导电极化台; 设置有台肩21的圆柱形的静电绝缘基板保持件20，基板保持件20的面向偏振台的下表面和其上表面22具有用于接收基板的支撑平面; 以及用于将肩部21夹持到偏振台的导电夹具。此外，支撑件包括用于将支撑平面连接到肩部21的至少一个导电元件201-202-203。

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